p-GaN歐姆接觸電極及GaN藍(lán)光激光器窄條工藝研究的開題報告_第1頁
p-GaN歐姆接觸電極及GaN藍(lán)光激光器窄條工藝研究的開題報告_第2頁
p-GaN歐姆接觸電極及GaN藍(lán)光激光器窄條工藝研究的開題報告_第3頁
全文預(yù)覽已結(jié)束

下載本文檔

版權(quán)說明：本文檔由用戶提供并上傳，收益歸屬內(nèi)容提供方，若內(nèi)容存在侵權(quán)，請進(jìn)行舉報或認(rèn)領(lǐng)

文檔簡介

p-GaN歐姆接觸電極及GaN藍(lán)光激光器窄條工藝研究的開題報告一、研究背景和意義隨著電子信息技術(shù)的發(fā)展，藍(lán)光激光器成為了新一代光學(xué)存儲設(shè)備、3D打印等高端應(yīng)用的核心光源，因此相關(guān)研究備受關(guān)注。在GaN基寬禁帶半導(dǎo)體器件中，p-GaN/n-GaN結(jié)構(gòu)歐姆接觸電極的制備是實現(xiàn)高性能GaN器件的關(guān)鍵部分。同時，GaN藍(lán)光激光器的制備也是一個熱點研究領(lǐng)域。本文將通過對p-GaN/n-GaN結(jié)構(gòu)歐姆接觸電極以及GaN藍(lán)光激光器窄條工藝進(jìn)行研究，探究制備高性能GaN器件的方法和技術(shù)，為藍(lán)光激光器等應(yīng)用提供有力支持。二、研究內(nèi)容和方案1.p-GaN/n-GaN結(jié)構(gòu)歐姆接觸電極制備2.GaN藍(lán)光激光器窄條工藝研究方案：1.p-GaN/n-GaN結(jié)構(gòu)歐姆接觸電極制備利用化學(xué)氣相沉積技術(shù)在n-GaN表面沉積一層金屬，之后在p-GaN上進(jìn)行光刻制備電極，再通過退火等工藝獲得p-GaN/n-GaN結(jié)構(gòu)歐姆接觸電極。2.GaN藍(lán)光激光器窄條工藝研究采用電子束光刻技術(shù)制備GaN窄條激光器，隨后在窄條上進(jìn)行干蝕等工藝以實現(xiàn)激光的放大功能。三、研究預(yù)期1.實現(xiàn)高性能GaN器件的制備2.提高GaN器件的性能指標(biāo)，增加應(yīng)用范圍3.為藍(lán)光激光器等應(yīng)用提供技術(shù)支持四、研究方法1.金屬薄膜沉積、光刻制備電極等微納制備技術(shù)2.大氣壓等離子干蝕工藝3.材料結(jié)構(gòu)表征分析等方法五、論文結(jié)構(gòu)第一章：緒論1.1研究背景和意義1.2國內(nèi)外研究現(xiàn)狀和進(jìn)展1.3研究內(nèi)容和方案1.4研究預(yù)期1.5研究方法1.6論文結(jié)構(gòu)第二章：GaN器件制備技術(shù)2.1p-GaN/n-GaN結(jié)構(gòu)歐姆接觸電極制備技術(shù)2.2GaN窄條激光器制備技術(shù)第三章：GaN器件性能測試3.1p-GaN/n-GaN結(jié)構(gòu)歐姆接觸電極性能測試3.2GaN藍(lán)光激光器性能測試第四章：結(jié)果與討論4.1p-GaN/n-GaN結(jié)構(gòu)歐姆接觸電極制備結(jié)果及性能分析4.2GaN藍(lán)光

溫馨提示

  • 1. 本站所有資源如無特殊說明，都需要本地電腦安裝OFFICE2007和PDF閱讀器。圖紙軟件為CAD,CAXA,PROE,UG,SolidWorks等.壓縮文件請下載最新的WinRAR軟件解壓。
  • 2. 本站的文檔不包含任何第三方提供的附件圖紙等，如果需要附件，請聯(lián)系上傳者。文件的所有權(quán)益歸上傳用戶所有。
  • 3. 本站RAR壓縮包中若帶圖紙，網(wǎng)頁內(nèi)容里面會有圖紙預(yù)覽，若沒有圖紙預(yù)覽就沒有圖紙。
  • 4. 未經(jīng)權(quán)益所有人同意不得將文件中的內(nèi)容挪作商業(yè)或盈利用途。
  • 5. 人人文庫網(wǎng)僅提供信息存儲空間，僅對用戶上傳內(nèi)容的表現(xiàn)方式做保護處理，對用戶上傳分享的文檔內(nèi)容本身不做任何修改或編輯，并不能對任何下載內(nèi)容負(fù)責(zé)。
  • 6. 下載文件中如有侵權(quán)或不適當(dāng)內(nèi)容，請與我們聯(lián)系，我們立即糾正。
  • 7. 本站不保證下載資源的準(zhǔn)確性、安全性和完整性, 同時也不承擔(dān)用戶因使用這些下載資源對自己和他人造成任何形式的傷害或損失。

最新文檔

評論

0/150

提交評論