東南大學(xué)mems簡介

1微電子機(jī)械系統(tǒng)工程導(dǎo)論

AnIntroductiontoMicro-Electro-MechanicalSystemsEngineering主講人：尚金堂東南大學(xué)MEMS教育部重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室jshang@139138696032MEMS教育部重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室簡介

以微電子學(xué)科為主題、結(jié)合電子工程系固體電子學(xué)研究室、工程力學(xué)系和機(jī)械工程系相關(guān)課題組，組建了跨學(xué)科的研究結(jié)構(gòu)，于1999年申請(qǐng)建立教育部重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室。實(shí)驗(yàn)室2000年6月通過教育部可行性論證、2001年9月通過教育部驗(yàn)收、2002年11月通過教育部評(píng)估。3EtchratediagramofsiliconMEMSDeviceSimulatorSimulationofthermalactuatorSimulationofpiezoresistivesensorMEMSCADMEMS設(shè)計(jì)與優(yōu)化/CMOSMEMS設(shè)計(jì)與優(yōu)化基于標(biāo)準(zhǔn)工藝的MEMS設(shè)計(jì)/商用MEMS設(shè)計(jì)軟件的集成特定MEMS設(shè)計(jì)工具開發(fā)版圖設(shè)計(jì)/器件級(jí)模擬/工藝模擬/系統(tǒng)模擬測(cè)試結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)/建庫4IntegratedCMOSanemometerNEMS原位表征石墨烯CMOSMEMSCMOS工藝+后處理技術(shù)溫度微傳感器/濕度微傳感器風(fēng)速微傳感器/壓力微傳感器加速度微傳感器/氣象檢測(cè)系統(tǒng)慣性測(cè)量系統(tǒng)等5MicrofluidicsMEMSatomicdevicesMicro-PNT微系統(tǒng)集成與封裝基于MEMS技術(shù)的原子磁強(qiáng)計(jì)基于MEMS技術(shù)的陀螺儀/原子鐘微系統(tǒng)三維集成封裝3-D微納加工技術(shù)應(yīng)用生物磁測(cè)量/頻標(biāo)/導(dǎo)航IC系統(tǒng)微型化集成高密度I/O3DICs電源/電池模塊ANTENNAS&FILTERSPD/TIA光源光電探測(cè)器光波導(dǎo)

MEMSEBG&IsolationNANOMAGNETICS其它MEMS傳感器2GaAsRFIC熱沉處理器3DCAPACITORS有機(jī)/玻璃/硅基板供電模塊電信號(hào)處理模塊埋入電容、電阻、電感其它MEMS傳感器1MPNT關(guān)鍵組件預(yù)留高速接口存儲(chǔ)單元無線通訊模塊三維封裝、基于基板的埋入式封裝(EMAP+SIP)系統(tǒng)級(jí)集成封裝降低體積、功耗，低成本和可批量制造3、MPNT的系統(tǒng)級(jí)微型化封裝（SIP+EMAP）二、MPNT中的部分關(guān)鍵問題及對(duì)策自行研制的微型堿金屬腔照片堿金屬腔光譜測(cè)試圖技術(shù)基礎(chǔ)-1：微型堿金屬腔制備技術(shù)特點(diǎn)：1、鉀、銣、銫的微型化封裝以及混合封裝2、微腔形狀、尺寸(幾十微米-幾厘米)可控；3、銣腔內(nèi)的氣氛、壓力可調(diào)，腔內(nèi)壓力可高于3個(gè)大氣壓力技術(shù)基礎(chǔ)中國專利；IEEEEPTC，2013；IEEEECTC2014，TravelAward；ECTC2015Accepted.三、SEU-MEMS相關(guān)基礎(chǔ)

5mm

圓片級(jí)玻璃微腔(6英寸)技術(shù)基礎(chǔ)-1：微型銣腔量產(chǎn)技術(shù)Labonachip，2011；IEEEECTC，2012；IEEEMEMS，2012;USPatent及中國專利三、SEU-MEMS相關(guān)基礎(chǔ)

多樣化的玻璃微結(jié)構(gòu)技術(shù)基礎(chǔ)-1：微型銣腔量產(chǎn)技術(shù)中國專利；IEEEJ.MEMS，2011；IEEEMEMS，2010；IEEEECTC，2010；IEEEECTC，2011三、SEU-MEMS相關(guān)基礎(chǔ)

尺寸可調(diào)(幾百微米-幾毫米)圓片級(jí)制備技術(shù)基礎(chǔ)-2：微透鏡陣列加工技術(shù)IEEETransactionsonCPMT，2013；IEEEECTC，2012帶有spacer的聚合物透鏡陣列帶有spacer的單個(gè)聚合物透鏡三、SEU-MEMS相關(guān)基礎(chǔ)

技術(shù)基礎(chǔ)-3：系統(tǒng)級(jí)封裝基板埋入技術(shù)（SIP+Embeded）有源、無源元件埋入技術(shù)；超薄有機(jī)基板技術(shù)；玻璃基板埋入技術(shù)；IEEEMEMS2015,Accepted;ICEPT2012；IEEEECTC2009；中國專利超薄柔性基板示意圖薄芯板的通孔結(jié)構(gòu)(30-50um)基板上50微米的通孔三、SEU-MEMS相關(guān)基礎(chǔ)

基板工藝線激光鉆孔設(shè)備EVG-501鍵合機(jī)基板工藝線：包括鉆孔、電鍍、化學(xué)鍍、高溫層壓等設(shè)備MEMS設(shè)備：鍵合機(jī)、倒裝焊機(jī)、引線鍵合、RIE、磁控濺射；超凈間，氧化、擴(kuò)散等工藝；整套測(cè)試設(shè)備，包括RF測(cè)試、半導(dǎo)體參數(shù)測(cè)試、TEM、SEM和表面形貌測(cè)試等硬件條件基礎(chǔ)三、SEU-MEMS相關(guān)基礎(chǔ)

前期研究項(xiàng)目序號(hào)類別項(xiàng)目名稱起止時(shí)間金額(萬元)1總裝預(yù)研重點(diǎn)基金(與33所合作)******2014-20162002預(yù)研教育部支撐******2012-2013303重大專項(xiàng)子課題高密度三維系統(tǒng)級(jí)封裝關(guān)鍵技術(shù)研究2009-20122304江陰長電先進(jìn)封裝有限公司微電子封裝開發(fā)重點(diǎn)項(xiàng)目2011-2012905國家自然科學(xué)基金面上項(xiàng)目球形玻璃微腔用于MEMS基礎(chǔ)研究2008-2010326863項(xiàng)目熱成型玻璃微腔用于MEMS圓片級(jí)、真空封裝技術(shù)研究2009-2011747國家自然科學(xué)基金面上項(xiàng)目自聚焦超聲玻璃微流控器件的發(fā)泡法制備及應(yīng)用基礎(chǔ)研究2013-201680三、SEU-MEMS相關(guān)基礎(chǔ)

14MEMS教育部重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室簡介教職員30余人在讀碩、博士研究生120人左右。每年招收30余人MEMS工藝線半導(dǎo)體、測(cè)試設(shè)備等正在投入建立微系統(tǒng)集成封裝工藝平臺(tái)15本課教材和內(nèi)容教材:微機(jī)電系統(tǒng)基礎(chǔ)/ChangLiu著，黃慶安譯，機(jī)械工業(yè)出版社，2007

參考書:微傳感器與執(zhí)行器/GregoryT.A.Kovacs硅微機(jī)械加工技術(shù)/黃慶安著…16課程內(nèi)容安排-1

課堂教學(xué)課堂教學(xué)(14次課+1次復(fù)習(xí)+1次考試)：1.緒論2.微制造導(dǎo)論3.體微機(jī)械加工與硅各向異性腐蝕4.表面微機(jī)械加工5.微機(jī)電中電學(xué)與機(jī)械學(xué)基本概念6.靜電敏感與執(zhí)行原理7.熱敏感與執(zhí)行原理8.壓電與執(zhí)行原理9.MEMS/IC封裝10.復(fù)習(xí)11.考試17課程內(nèi)容安排-2

研討教學(xué)研討教學(xué)初步方案(5次課)：????18課程內(nèi)容安排-3續(xù)

研討教學(xué)研討課目標(biāo)：經(jīng)過課程學(xué)習(xí)，讓大家了解MEMS研討課題：要求：閱讀相關(guān)文章，總結(jié)PPT，演講十分鐘，提問5分鐘。研討的側(cè)重點(diǎn)：設(shè)計(jì)、制造、材料和封裝MEMS加速度計(jì)陀螺儀壓力傳感器磁傳感器麥克風(fēng)19考核方法最后成績=平時(shí)成績（10%）+研討成績（40%）+開卷考試成績(50%)20第一章、緒論MEMS(MicroElectroMechanicalSystems)–Theacronymfirstusedinthelate1980’s.–Othernames:Microsystems(Europe),–Micromachines(Japan)21MEMS的精確定義Amicrosystemisanintelligentminiaturizedsystemcomprisingsensing,processingand/oractuatingfunctionsThesewouldnormallycombinetwoormoreofthefollowing:electrical,mechanical,optical,chemical,biological,magneticorotherproperties,integratedontoasingleormultichiphybrid.22MEMS系統(tǒng)23MEMS的尺度

24MEMS的特點(diǎn)起源于硅IC工藝尺寸在~1um----幾mm含有可動(dòng)部件（actuators）/傳感器/相關(guān)系統(tǒng)主要工藝借鑒IC能與IC集成封裝相對(duì)復(fù)雜

25MEMS的四次商業(yè)化浪潮1970s的通過大型蝕刻硅片結(jié)構(gòu)和背蝕刻膜片制作壓力傳感器1990s的MEMS紅外探測(cè)、Si加速度計(jì)、數(shù)字微鏡、射頻MEMS、生物MEMS等器件的問世2000年，微光學(xué)器件、微流體系統(tǒng)、MEMS三維微結(jié)構(gòu)、IT傳感等眾多MEMS產(chǎn)品進(jìn)入市場(chǎng)第四輪商業(yè)化包括一些面向射頻無源元件、在硅片上制作的音頻、生物和神經(jīng)元探針，以及所謂的"片上實(shí)驗(yàn)室"生化藥品開發(fā)系統(tǒng)和微型藥品輸送系統(tǒng)的靜態(tài)和移動(dòng)器件。1.1MEMS的發(fā)展史26與IC的發(fā)展密不可分MEMS的加工與傳統(tǒng)的加工完全不同萌芽階段（60年代中-80年代）MEMS的基本結(jié)構(gòu),懸臂梁,噴嘴,薄膜等ResonantGateTransistor(andfirstmagneticmicromotor)AnisotropicSiliconEtchants(EDP,KOH）WaferBonding(Anodic)PressureSensors(Honeywell,Motorola)InkjetPrinters(HewlettPackard)1982:KurtPetersen:“SiliconasaMechanicalMaterial”MEMS的發(fā)展史（續(xù)1）27MEMS的發(fā)展史（續(xù)2）80年代后期：LPCVD、RIE、LithographyPolysiliconSurfaceMicromaching技術(shù)的發(fā)展–PolysiliconCantileversandFlexures(Howe-UCB)–PolysiliconMicromotors(UCB,MIT)–Accelerometer(AnalogDevices)–IntegrationofFerromagneticMaterialswithMEMS28MEMS的發(fā)展史（續(xù)3）90年代MEMS的發(fā)展的黃金時(shí)代政府/商業(yè)機(jī)構(gòu)強(qiáng)力支持新產(chǎn)品不斷涌現(xiàn)汽車用集成慣性傳感器ADXL系列/ADDMD/TI光MEMS生物MEMS微流控器件RFMEMSNEMS29MEMS的發(fā)展史（續(xù)4）NewMicrofabricationCapabilities☆“New”Materials(glass,plastic,metals,magneticmaterials,etc…)☆MicrofabricationProcesses(DRIE,XeF2)☆HighAspectRatio(LIGA,DRIE,etc.)NewNeeds

☆Standardization,CAD,Foundries

MEMS的發(fā)展史（續(xù)5）31MEMS的主要應(yīng)用領(lǐng)域Read/WriteheadformagneticstorageInkJetheadsAutomotiveAccelerometers,force/torquesensors,pressuresensorsMedicalTechnologyClinicaldiagnostics,drugdeliverysystemsBiotechnologyDNAsequencingchips,Micrototalanalysissystem(μTAS)IT-peripheralsandwirelessPrecisionservo,shocksensorsforHDD,newdatastoragemechanismsOpticsDigitalmicromirrordevices(TI),gratinglightvalve(GLV)Opticalinterconnects,switchingRF,microwaveforcommunicationMicromachinedfilters,tunablebanksMEMS主要應(yīng)用

工業(yè)、信息通信、國防、航空航天、航海、醫(yī)療、生物工程、農(nóng)業(yè)、環(huán)境監(jiān)控等MEMS器件最早批量應(yīng)用在汽車電子產(chǎn)業(yè)上：根據(jù)IHSiSuppli公司研究，2011年汽車MEMS銷售額達(dá)到22億美元；壓力傳感器、加速計(jì)、陀螺儀和流量傳感器消費(fèi)電子逐漸成為MEMS最大的應(yīng)用市場(chǎng)，幾乎以每年近20%的速度增長MEMS技術(shù)概況2.1概述1993年美國ADI公司成功地微型加速度計(jì)商品，并大批量應(yīng)用于汽車防撞氣囊。MEMS發(fā)展的主要技術(shù)途徑：以美國為代表的硅基微加工技術(shù)德國為代表的LIGA技術(shù)日本為代表的精密加工技術(shù)近年來MEMS技術(shù)專利呈現(xiàn)迅猛增長趨勢(shì)以日本和美國掌握的專利技術(shù)最多；在MEMS傳感器技術(shù)專利數(shù)量上領(lǐng)先的全球前10家公司中有5家日本公司；日本精工愛普生公司和美國霍尼韋爾國際公司近年來專利數(shù)量處于高位且相對(duì)穩(wěn)定。MEMS技術(shù)概況2.2技術(shù)分類生產(chǎn)合格的MEMS器件三大關(guān)鍵技術(shù)：結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)(設(shè)計(jì)技術(shù))是否合理加工技術(shù)是否過關(guān)封裝技術(shù)是否合格2.2.1MEMS制造技術(shù)加工：微機(jī)械加工可分為體微機(jī)械加工和表面微機(jī)械加工兩種類型。代工：我國大型MEMS代工廠首推臺(tái)灣的臺(tái)積電(TSMC)和聯(lián)電(UMC)MEMS技術(shù)概況2.2.2封裝技術(shù)MEMS的封裝成本往往占到整個(gè)MEMS器件成本的70%～80%.

MEMS的主流封裝技術(shù)包括:圓片級(jí)(WLP)、器件級(jí)和系統(tǒng)級(jí)(SIP)封裝技術(shù)等三個(gè)層次(如圖所示).MEMS技術(shù)概況2.2.2封裝技術(shù)國內(nèi)主要MEMS封裝測(cè)試企業(yè)：MEMS產(chǎn)業(yè)現(xiàn)狀

及全球MEMS市場(chǎng)3.1世界各國MEMS發(fā)展?fàn)顩rMEMS前端研發(fā)需要大量的資金與時(shí)間，風(fēng)險(xiǎn)非常高，私有企業(yè)往往不愿意獨(dú)自承擔(dān)。美國以大學(xué)為中心承擔(dān)MEMS研發(fā)風(fēng)險(xiǎn)；德國和瑞士以自治團(tuán)體為主導(dǎo)的半官半民機(jī)構(gòu)進(jìn)行MEMS研究；法國以國家機(jī)構(gòu)為主導(dǎo)承擔(dān)MEMS研究風(fēng)險(xiǎn)，每年投入約12億美元的研發(fā)費(fèi)用；日本以大型財(cái)團(tuán)與科研機(jī)構(gòu)為主研究MEMS，每年投入總費(fèi)用超過2.5億美元。MEMS產(chǎn)業(yè)現(xiàn)狀

及全球MEMS市場(chǎng)(1)美國MEMS的研究在60年代首先從斯坦福大學(xué)開始，逐步擴(kuò)展到佐治亞理工學(xué)院和加利福尼亞大學(xué)洛杉磯分校等大學(xué)，眾多美國大學(xué)擁有了100～150mm晶圓生產(chǎn)線。(2)法國法國有關(guān)MEMS的研發(fā)基地較為集中，主要由國立研究所法國LETI（LaboratoiredElectroniquedeTechnologiedelInformation，電子和信息技術(shù)實(shí)驗(yàn)室）承擔(dān)。(3)德國德國的MEMS研究與應(yīng)用工作主要集中在非營利性的弗朗霍夫?qū)W會(huì)（Fraunhofer-Gesellschaft）和德國美因茲微技術(shù)研究所（InstitutfuerMikrotechnikMainzGmbH，IMM）等。MEMS在德國國內(nèi)重點(diǎn)領(lǐng)域是汽車，其次是化學(xué)設(shè)備、半導(dǎo)體。MEMS產(chǎn)業(yè)現(xiàn)狀

及全球MEMS市場(chǎng)(4)瑞士瑞士在聯(lián)邦政府的扶持下已形成以CESM（CentreSuissed’ElectroniqueetdeMicrotechnique）為主導(dǎo)、以MEMS等技術(shù)為基礎(chǔ)的“瑞士版硅谷”。CESM已經(jīng)和UniversitédeNeuchatel，洛桑聯(lián)邦理工大學(xué)、蘇黎世聯(lián)邦理工大學(xué)，及法國LETI建立了協(xié)作體制。。(5)日本日本各地已有MEMS廠商100多家，以O(shè)lympus、Canon和Fujikura和器件制造如MEW、Oki等為代表。日本也擁有不少設(shè)計(jì)公司，主要來源于R&D機(jī)構(gòu)和各高校。(3)亞洲周邊國家亞洲臺(tái)灣、韓國、中國和新加坡等地，政府從技術(shù)戰(zhàn)略決策層面大力發(fā)展MEMS。韓國每年投入約2億美元研發(fā)費(fèi)用，有6個(gè)實(shí)驗(yàn)室和10家公司；我國臺(tái)灣每年投入MEMS總費(fèi)用為6.4億元新臺(tái)幣。MEMS產(chǎn)業(yè)現(xiàn)狀

及全球MEMS市場(chǎng)3.2MEMS產(chǎn)業(yè)狀況及全球MEMS市場(chǎng)3.2.1產(chǎn)業(yè)現(xiàn)狀2012年，IC產(chǎn)業(yè)規(guī)模下降了2%，MEMS產(chǎn)業(yè)規(guī)模卻增長了10%，達(dá)到110億美元

MEMS仍處于快速上升的通道，2018年市場(chǎng)規(guī)模將達(dá)225億美元消費(fèi)類應(yīng)用增長促使MEMS公司考慮新戰(zhàn)略：消費(fèi)和移動(dòng)應(yīng)用是MEMS領(lǐng)域增長最快的，給MEMS產(chǎn)業(yè)帶來強(qiáng)烈的沖擊。ASIC公司也將受益于MEMS市場(chǎng)爆發(fā)：分立的MEMS傳感器過渡到組合傳感器時(shí)，ASIC面臨系統(tǒng)集成的技術(shù)挑戰(zhàn)。ASIC設(shè)計(jì)是MEMS傳感器中的一個(gè)關(guān)鍵部分，有時(shí)候大型MEMS公司會(huì)傾向于外包這部分。MEMS產(chǎn)業(yè)現(xiàn)狀

及全球MEMS市場(chǎng)MEMS產(chǎn)業(yè)現(xiàn)狀

及全球MEMS市場(chǎng)MEMS產(chǎn)業(yè)現(xiàn)狀

及全球MEMS市場(chǎng)3.2.2MEMS發(fā)展趨勢(shì)MEMS與IC芯片整合、封裝在一起：MEMS的制造將從現(xiàn)在的150mm（6英寸）線向200mm（8英寸）線轉(zhuǎn)移；生產(chǎn)線由150mm廠轉(zhuǎn)向200mm廠后，單位成本可以大幅降低33%以上；意法、飛思卡爾等MEMS大廠。MEMS與CMOS制程技術(shù)的整合3D封裝技術(shù)在異質(zhì)整合特性下，可進(jìn)一步整合模擬RF、數(shù)字Logic、Memory、Sensor、混合訊號(hào)、MEMS等各種組件MEMS產(chǎn)業(yè)現(xiàn)狀

及全球MEMS市場(chǎng)MEMS產(chǎn)業(yè)現(xiàn)狀

及全球MEMS市場(chǎng)3.2.3MEMS晶圓代工廠近幾年以來美國也有幾家規(guī)模較小的晶圓代工廠，持續(xù)投入資源用于MEMS晶圓代工；意法半導(dǎo)體于2006年成為全球首家以200mm晶圓生產(chǎn)MEMS傳感器的廠商；IHSiSuppli的統(tǒng)計(jì)數(shù)據(jù)顯示：2012年全球MEMS芯片市場(chǎng)成長約5%，規(guī)模達(dá)到83億美元；意法半導(dǎo)體與博世并列全球第一大MEMS供應(yīng)商，其中意法半導(dǎo)體營收年成長率23%，博世年成長率為8%；2011年臺(tái)積電是全球最大的純MEMS器件代工廠商，營業(yè)收入劇增201%，達(dá)到2300萬美元，遠(yuǎn)高于2010年的1760萬美元。MEMS產(chǎn)業(yè)現(xiàn)狀

及全球MEMS市場(chǎng)2012年全球前20大MEMS晶圓代工廠中（如表1所示），共有7家獨(dú)立元件制造商（IDM）和13家專業(yè)晶圓代工廠入榜。MEMS產(chǎn)業(yè)現(xiàn)狀

及全球MEMS市場(chǎng)全球微機(jī)電系統(tǒng)市場(chǎng)銷售額分析：2012年，我們的全球前30名MEMS公司排行榜上首次出現(xiàn)兩家慣性傳感器供應(yīng)商占據(jù)第一和第二位，而不是噴墨頭或DLP公司。意法半導(dǎo)體是全球第一家MEMS銷售額達(dá)到10億美元的公司，超越德州儀器排名第一。MEMS產(chǎn)業(yè)現(xiàn)狀及全球MEMS市場(chǎng)全球微機(jī)電系統(tǒng)市場(chǎng)銷售額分析：在全球前30名MEMS公司的榜單中，很多公司受惠于智能手機(jī)市場(chǎng)的蓬勃發(fā)展。例如瑞聲科技（AAC）憑借MEMS麥克風(fēng)的強(qiáng)勁增長（2012年?duì)I收增長90%，達(dá)到6500萬美元），首次擠進(jìn)全球前30名。中國駐極體麥克風(fēng)供應(yīng)商購買英飛凌（Infineon）的MEMS裸片，然后自己做封裝、測(cè)試和銷售，并成為蘋果iPhone的第二貨源。49舉例50Singlepistonsteamengine51MicroMirrordrivenbythermalactuator52Six-leggedroboticbugByUniversityofCaliforniaatBerkeley53Opticaldevices54GearBoxes55MechanicalStructures56DeformableLinksandLevers571.2MEMS的本質(zhì)特征“3M”特點(diǎn)小型化Miniaturization微電子集成MicroelectronicsIntegration高精度的批量制造MassFabricationwithPrecision58MEMS的本質(zhì)特征(續(xù)1）小型化(為什么？)小高諧振頻率、低熱慣性、質(zhì)量變小等比例尺度定律舉例p.959MEMS的本質(zhì)特征(續(xù)2）60MEMS的本質(zhì)特征(續(xù)3）微電子集成單片集成減小噪聲,提高精度,實(shí)現(xiàn)傳感器的陣列掃描和尋址,傳感器的補(bǔ)償?shù)雀呔鹊呐恐圃?11.3器件：傳感器與執(zhí)行器能量域和換能器化學(xué)能輻射能磁能熱能電能機(jī)械能621.3器件：傳感器與執(zhí)行器-1加速度傳感器機(jī)械能電能氣體傳感器化學(xué)能電能溫度傳感器熱能電能631.3器件：傳感器與執(zhí)行器-2傳感器物理/化學(xué)/生物傳感器傳感器的重要特性指標(biāo)靈敏度線性度響應(yīng)特性包括精度、分辨率、測(cè)量極限信噪比動(dòng)態(tài)范圍帶寬漂移傳感器的可靠性串?dāng)_和干擾641.3器件：傳感器與執(zhí)行器-3執(zhí)行器常見驅(qū)動(dòng)方式靜電驅(qū)動(dòng)磁驅(qū)動(dòng)壓電驅(qū)動(dòng)熱雙層片驅(qū)動(dòng)其他…65器件：傳感器與執(zhí)行器-4典型指標(biāo)扭距/力的輸出能力行程動(dòng)態(tài)響應(yīng)速度和帶寬功耗位移與驅(qū)動(dòng)的線性度環(huán)境穩(wěn)定性66ReferencesBooksElwenspoekandJansen,SiliconMicromachining,CambridgeKeller,MicrofabricatedHighAspectRatioSiliconFlexures,MEMSPrecisionInstrumentsKovacs,MicromachinedTransducersSourcebook,McGraw-HillMadou,FundamentalsofMicrofabrication,CRCMaluf,AnIntroductiontoMicroelectrom