5任務(wù)三熔絲熔斷仿真

項(xiàng)目五

有源低通濾波電路仿真學(xué)習(xí)目標(biāo)·了解仿真的概念及仿真的基本類型；·掌握電路仿真的環(huán)境參數(shù)設(shè)置和仿真流程；·熟悉常用的仿真元件；·掌握常用分析類型的設(shè)置，能進(jìn)行設(shè)計(jì)簡(jiǎn)單電路的仿真分析。任務(wù)三

熔絲熔斷仿真實(shí)例任務(wù)描述

熔斷器是指當(dāng)電流超過(guò)規(guī)定值時(shí)，以本身產(chǎn)生的熱量使熔體熔斷，斷開(kāi)電路的一種保護(hù)電器。本任務(wù)通過(guò)熔斷器熔斷仿真過(guò)程的學(xué)習(xí)，掌握直流掃描分析仿真參數(shù)設(shè)置方法。直流掃描分析是指在指定的范圍內(nèi)對(duì)電源電壓或電流進(jìn)行掃描，當(dāng)電壓或電流變化時(shí)，對(duì)各節(jié)點(diǎn)電壓或支路電流進(jìn)行測(cè)試，從而得到輸出特性曲線。任務(wù)實(shí)現(xiàn)1．繪制仿真原理圖圖5-29熔絲熔斷電路

⑴選擇“文件”→“New”→“Project”命令建立PCB工程，并命名為熔絲熔斷分析。再選擇“文件”→“新建”→“原理圖”命令建立原理圖文件，并命名為熔絲熔斷電路，繪制熔斷器熔斷電路，如圖5-29所示。1．繪制仿真原理圖圖5-30電源電壓設(shè)置

⑵雙擊電壓源V1打開(kāi)“元件屬性”對(duì)話框，如圖5-30所示，單擊“Comment”（注釋）下拉列表框，設(shè)置“Comment”為=Value，設(shè)置Value為+2V。2．仿真圖5-31仿真器一般參數(shù)設(shè)置

⑴選擇“設(shè)計(jì)”→“仿真”→MixedSim命令，彈出仿真分析設(shè)置對(duì)話框，分別雙擊“AvallableSignals”（可用的信號(hào)）中的IN、OUT、R2（i），把他們添加到“ActiveSignals”（激活信號(hào)）列表內(nèi)，如圖5-31所示。2．仿真圖5-32直流掃描分析參數(shù)設(shè)置

⑵在“CollectDateFor”（為了…收集數(shù)據(jù)）欄，從列表中選擇NodeVoltage，SupplyCurrent，DeviceCurrentandPower。

⑶在“Analyses/Options”（分析/選項(xiàng)）中勾選DCSweepAnalysis復(fù)選框。PrimarySource項(xiàng)選擇電路中電壓源V1，設(shè)置PrimaryStart為0，PrimaryStop為10V,PrimaryStep為40mV；如圖5-32所示。2．仿真圖5-33