北京理工大學《887電子科學與技術(shù)基礎(chǔ)》歷年考研真題匯編合集

目錄2016年北京理工大學887電子科學與技術(shù)基礎(chǔ)考研真題（回憶版）2012年北京理工大學887電子科學與技術(shù)基礎(chǔ)考研真題（回憶版）2010年北京理工大學887電子科學與技術(shù)基礎(chǔ)考研真題（回憶版）北京理工大學887電子科學與技術(shù)基礎(chǔ)考試大綱2016年北京理工大學887電子科學與技術(shù)基礎(chǔ)考研真題（回憶版）2012年北京理工大學887電子科學與技術(shù)基礎(chǔ)考研真題（回憶版）2010年北京理工大學887電子科學與技術(shù)基礎(chǔ)考研真題（回憶版）北京理工大學887電子科學與技術(shù)基礎(chǔ)考試大綱887電子科學與技術(shù)基礎(chǔ)1．考試內(nèi)容（1）電子技術(shù)基礎(chǔ)部分主要包括二極管、三極管的結(jié)構(gòu)、特性及主要參數(shù)；掌握飽和、放大、截止的基本概念和條件。晶體管放大電路的組成和工作原理。掌握圖解分析法和等效模型分析法。掌握放大電路的三種組態(tài)及性能特點。電路的三種耦合方式及特點。反饋的基本概念：正、負反饋；電壓、電流、串聯(lián)、并聯(lián)負反饋；掌握反饋類型和極性判斷，引入負反饋對放大性能的影響。比例、加減、微積分線性運算電路。一般了解對數(shù)、指數(shù)運算電路的工作原理及一階、二階有源濾波器的電路組成、頻率特性。了解產(chǎn)生自激振蕩的條件。掌握電壓比較器，用電壓比較器組成的非正弦發(fā)生電路。掌握邏輯代數(shù)的基本公式、基本規(guī)則；邏輯代數(shù)的表示方法及相互轉(zhuǎn)換。掌握各種門的邏輯符號、功能、特點、使用方法。正確理解TTL門和CMOS門電路的結(jié)構(gòu)、工作原理。（2）電磁場理論部分主要考察考生對電磁理論基本內(nèi)容的理解和掌握程度，以及靈活應用知識的能力。試卷命題對大綱內(nèi)容有覆蓋性和廣泛性，題型主要包括概念題、計算題和證明推導題。應掌握的基本內(nèi)容為：①矢量分析：三種常用坐標系內(nèi)的梯度、散度和旋度的運算、幾種重要矢量場的定義和性質(zhì)；②靜電場：庫侖定律、電場與電場強度、高斯定律、靜電場的環(huán)路定律、電位和電位差、電位的泊松方程和拉普拉斯方程、電偶極子、電介質(zhì)中的靜電場、靜電場中的導體、電場能量與靜電力；③恒定電場和電流：恒定電流場的基本定律、歐姆定律和焦耳定律、恒定電流場的邊界條件、恒定電流場與靜電場的類比；④恒定磁場：安培磁力定律和畢奧---沙伐定律、恒定磁場的基本定律、矢量磁位和標量磁位、磁偶極子、磁介質(zhì)中恒定磁場基本定律、磁介質(zhì)的邊界條件；⑤靜態(tài)場的邊值問題：拉普拉斯方程的分離變量法、鏡象法、有限差分法；⑥電磁感應：法拉第電磁感應定律、電感、磁場的能量；⑦時變電磁場：位移電流和推廣的安培回路定律、麥克斯韋方程組、正弦電磁場、媒質(zhì)的色散與損耗、坡印廷定理、電磁場的波動方程、標量位和矢量位、時變電磁場的邊界條件；⑧平面電磁波：理想介質(zhì)中的均勻平面電磁波、電磁波的極化、有耗媒質(zhì)中的均勻平面電磁波、理想媒質(zhì)界面上電磁波的反射和折射、全折射和全反射；⑨導行電磁波：矩形波導管中的電磁波、TE10模電磁波、波導中的能量傳輸與損耗、傳輸線上的TEM波、諧振腔；⑩電磁波輻射：赫芝偶極子輻射、磁偶極子天線的輻射、線天線、天線的方向性系數(shù)和增益。（3）半導體物理部分主要包含半導體中的電子狀態(tài)；半導體中的電子狀態(tài)和能帶、電子的運動，本征半導體的導電機構(gòu)、空穴，回旋共振，硅和鍺的能帶結(jié)構(gòu)；半導體中的雜質(zhì)和缺陷能級，硅、鍺晶體中的雜質(zhì)能級、缺陷、位錯能級；半導體中載流子的統(tǒng)計分布、狀態(tài)密度，費米能級、載流子濃度的計算，簡并半導體；載流子的位移與擴散運動，載流子的散射、遷移率、電阻率、強場效應、熱載流子、多能谷散射，耿氏效應；非平衡載流子的注入，復合壽命，費米能級，復合理論，陷阱效應，載流子的遷移運動，愛因斯坦關(guān)系，連續(xù)性方程；PN結(jié)的伏安特性，PN結(jié)電容，擊穿；金屬和半導體的接觸的理論，少子的注入與歐姆接觸；表面態(tài)，表面場效應，C-V特性，表面電場對PN結(jié)特性的影響；半導體的光

學性質(zhì)，光電性質(zhì)，發(fā)光現(xiàn)象，半導體激光器；半導體的熱電性質(zhì)，溫差電動勢率，熱電效應及其應用；半導體磁效應和壓阻效應。2．考試要求（1）電子技術(shù)基礎(chǔ)部分要求全部考生必做；（2）電磁場理論部分（A）要求報考02電磁仿真與天線、03毫米波太赫茲技術(shù)與系統(tǒng)方向考生必做；（3）半導體物理部分（B）要求報考04微電子與集成電路方向考生必做；（4）報考其他方向考生可任選A或B。3．題型及分值安排（1）題型:簡答題和計算題。簡答題包含概念題和重要數(shù)學公式及其物理意義，計算題包含數(shù)學模型、重要物理量計算、設(shè)計等。（2）分值安排：簡答題占40%，計算題占60%。參考書目（1）模擬電路基礎(chǔ)；（2）半導體物理學；（3）電磁場理論基礎(chǔ)。