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文檔簡介

模擬電子技術基礎模擬試題參考答案一、半導體器件（共20分）1、(2分)B2、(2分)BC3、(10分)(1)N溝道增強型MOSFET(3分)(2)(a)圖：MOSFET工作在截止狀態(tài)(1分)(b)圖：(3分)代入VT=2V，VGS=4V,VDS=5V時，ID=9mA解得Kn=2.25則MOSFET1工作在可變電阻狀態(tài)(c)圖：(3分)MOSFET工作在飽和狀態(tài)4、(6分)C1、C2參數(shù)為:10μFRb參數(shù)為:300KΩRc參數(shù)為:3KΩ二、放大電路分析和設計（共38分）1、(2分)C2、(6分)(1)乙類交越失真（2）C3、(30分)（1）三極管T1、T2均工作在共射組態(tài)(2分)（2）(4分)(3)(5分)(4分)（4）(9分)存在反饋；反饋極性和組態(tài)為：電流并聯(lián)負反饋；該負反饋對電路的影響為：使輸入電阻減小，輸出電阻增大,可抑制環(huán)內的干擾和噪聲等。（5）(3分)深度負反饋的條件下，閉環(huán)電流放大倍數(shù)（6）(3分)電路不能工作，因為三極管T1沒有直流偏置。三、運算放大電路（共16分）1、(2分)A2、(14分)（1）(2分)差分零點漂移（2）(2分)A1:反相放大電路A2、A4：電壓跟隨器A3：減法電路（3）(10分)根據(jù)“虛斷”、“虛斷”則：解得：四、振蕩放大電路及直流穩(wěn)壓電源（共26分）1、（2分）A2、（14分）（1）(4分)A1工作在線性狀態(tài)，A2工作在非線性狀態(tài)；（2）(2分)(3)則(2分)(4)替換R1(2分)(5)(4分)3、(10分)

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