1.1.1構(gòu)造原理與電子排布式課件高二化學(xué)人教版選擇性必修2

第一章原子結(jié)構(gòu)與性質(zhì)

構(gòu)造原理與電子排布式

學(xué)習(xí)

目標(biāo)PART01PART02能正確書寫1-36號元素基態(tài)原子的核外電子排布式和簡化的電子排布式。了解構(gòu)造原理,熟記基態(tài)原子核外電子填入能級的順序。以光譜學(xué)事實為基礎(chǔ)，從氫開始，隨核電荷數(shù)遞增，新增電子填入能級的順序稱為構(gòu)造原理。

在多電子原子中，電子在能級上的排布順序：電子最先排布在能量低的能級上，然后依次排布在能量高的能級上。1.含義：

一、構(gòu)造原理每一行對應(yīng)一個能層每一小圈對應(yīng)一個能級各圓圈間連接線的方向表示隨核電荷數(shù)遞增而增加的電子填入能級的順序2.示意圖隨電荷數(shù)遞增，電子并不總是填滿一個能層后再開始填入下一個能層的。從第三能層開始，不同能層的能級出現(xiàn)“能級交錯”現(xiàn)象。構(gòu)造原理排布順序：

1s；2s2p；3s3p；4s3d4p；5s4d5p;6s4f5d6p；7s5f6d

7p規(guī)律：ns＜(n－2)f＜(n－1)d＜np寫一寫隨堂練習(xí)【1】構(gòu)造原理揭示的電子排布能級順序，實質(zhì)是各能級能量高低。若以E(nl)表示某能級的能量，以下各式中正確的是()A．E(5s)>E(4f)>E(4s)>E(3d)B．E(3d)>E(4s)>E(3p)>E(3s)C．E(4s)<E(3s)<E(2s)<E(1s)D．E(5s)>E(4s)>E(4f)>E(3d)B隨堂練習(xí)【2】構(gòu)造原理揭示的電子排布能級順序，實質(zhì)是各能級能量高低順序。若以E表示某能級的能量，下列能量大小順序中不正確的是（）A．E(3d)＞E(3p)＞E(3s) B．E(3s)＞E(2s)＞E(1s)C．E(4f)＞E(3d)＞E(4s) D．E(5s)＞E(4s)＞E(4f)DN：1s22s22p3能層序數(shù)能級符號該能級上排布的電子數(shù)

二、電子排布式1.含義：將能級上所容納的電子數(shù)標(biāo)在該能級符號右上角，并按照能層從左到右的順序排列的式子稱為電子排布式。2、簡單原子電子排布式書寫：按照構(gòu)造原理將電子依次填入能量逐漸升高的能級中。如11Na，其電子排布式為1s22s22p63s1練一練1H:

；

6C：

；8O:

；17Cl：

；3、復(fù)雜原子電子排布式書寫：先按照構(gòu)造原理從低到高排列，然后將同能層的能級移到一起。如19K，其電子排布式為

1s22s22p63s23p64s126Fe:_________________________

4、特殊原子電子排布式書寫：當(dāng)p、d、f能級處于全空、全充滿或半充滿狀態(tài)時，能量相對較低，原子結(jié)構(gòu)較穩(wěn)定。如24Cr：，其電子排布式為

1s22s22p63s23p63d54s129Cu:_________________________

1、離子的電子排布式：陰離子是因為基態(tài)原子得到了電子，所以把電子加上，陽離子是因為基態(tài)原子失去了電子，所以要減去電子。如17Cl-：1s22s22p63s23p6；練一練Fe2＋：_____________________Fe3＋：__________________________

三、離子電子排布式的書寫及簡化電子排布式2、簡化電子排布式：利用上一周期稀有氣體的核外電子排布代替內(nèi)層電子的式子。如Na的電子排布式為1s22s22p63s1，可簡化為[Ne]3s1；又如K：1s22s22p63s23p64s1，其簡化電子排布式可表示為[Ar]4s1練一練

Mg：

。Br：

。Fe2＋：_____________________________

3、價層電子排布式：寫出帶稀有氣體“原子實”的簡化核外電子排布式。如Na、28Ni的電子排布式為[Ne]3s1、[Ar]3d84s2

1-30號元素刪去稀有氣體，即得價層電子排布式，則Na、28Ni的價層電子排布式為3s1、3d84s231-36號元素刪去稀有氣體和內(nèi)層電子，即得價層電子排布式，如34Se的簡化電子排布式為[Ar]3d104s24p4則刪去之后34Se的價層電子排布式為

4s24p4

①13Al：__

______；②32Ge：______

__；