ansoft-maxwell-入門及相關(guān)基礎(chǔ)操作(行業(yè)信息)

AnsoftMaxwell軟件介紹AnsoftMaxwell

功能介紹2AnsoftMaxwell

模型建立3AnsoftMaxwell

材料管理4AnsoftMaxwell

邊界條件7AnsoftMaxwell

網(wǎng)格剖分設(shè)置9AnsoftMaxwell

后處理8AnsoftMaxwell

求解設(shè)置5AnsoftMaxwell

激勵(lì)源設(shè)置6AnsoftMaxwell

求解參數(shù)設(shè)置1學(xué)習(xí)課件AnsoftMaxwell軟件介紹Ansoft1功能介紹Ansoft公司的Maxwell2D/3D是一個(gè)功能強(qiáng)大、結(jié)果精確、易于使用的二維/三維電磁場(chǎng)有限元分析軟件。它包括電場(chǎng)、靜磁場(chǎng)、渦流場(chǎng)、瞬態(tài)場(chǎng)和溫度場(chǎng)分析模塊，可以用來(lái)分析電機(jī)、傳感器、變壓器、永磁設(shè)備、激勵(lì)器等電磁裝置的靜態(tài)、穩(wěn)態(tài)、瞬態(tài)、正常工況和故障工況的特性。它所包含的自上而下執(zhí)行的用戶界面、領(lǐng)先的自適應(yīng)網(wǎng)格剖分技術(shù)及用戶定義材料庫(kù)等特點(diǎn)，使得它在易用性上遙遙領(lǐng)先。它具有高性能矩陣求解器和多CUP處理能力，提供了最快的求解速度。2學(xué)習(xí)課件1功能介紹Ansoft公司的Ma求解器選擇1功能介紹（續(xù)）3學(xué)習(xí)課件求解器選擇1功能介紹（續(xù)）3學(xué)習(xí)課件1功能介紹（續(xù)）靜磁場(chǎng)求解器（Magnetostatic）

用于分析由恒定電流、永磁體及外部激磁引起的磁場(chǎng)，是用于激勵(lì)器、傳感器、電機(jī)及永磁體等。該模塊可自動(dòng)計(jì)算磁場(chǎng)力、轉(zhuǎn)矩、電感和儲(chǔ)能。

瞬態(tài)磁場(chǎng)求解器（Transient）用于求解某些涉及到運(yùn)動(dòng)和任意波形的電壓、電流源激勵(lì)的設(shè)備，可獲得精確的預(yù)測(cè)性能特性。該模塊能同時(shí)求解磁場(chǎng)、電路及運(yùn)動(dòng)等強(qiáng)耦合的方程，從而得到電機(jī)的相關(guān)運(yùn)行性能

4學(xué)習(xí)課件1功能介紹（續(xù)）靜磁場(chǎng)求解器（Magnetost1功能介紹（續(xù)）

渦流場(chǎng)求解器（EddyCurrent）

用于分析受渦流、集膚效應(yīng)、鄰近效應(yīng)影響的系統(tǒng)。它求解的頻率范圍可以從０到數(shù)百兆赫茲，能夠自動(dòng)計(jì)算損耗、鐵損、力、轉(zhuǎn)矩、電感與儲(chǔ)能。參數(shù)分析器（ParametricAnalysis）

允許用戶設(shè)置多項(xiàng)可變?cè)O(shè)計(jì)量，如位置、形狀、源及頻率等。可自動(dòng)計(jì)算數(shù)千種情況的物理問題分析，而整個(gè)過(guò)程不許用戶干預(yù)。

5學(xué)習(xí)課件1功能介紹（續(xù)）渦流場(chǎng)求解器（EddyCurr1功能介紹——界面環(huán)境6學(xué)習(xí)課件1功能介紹——界面環(huán)境6學(xué)習(xí)課件7學(xué)習(xí)課件7學(xué)習(xí)課件1功能介紹——界面環(huán)境8學(xué)習(xí)課件1功能介紹——界面環(huán)境8學(xué)習(xí)課件1功能介紹——界面環(huán)境9學(xué)習(xí)課件1功能介紹——界面環(huán)境9學(xué)習(xí)課件2模型建立（modeling）在繪制曲線模型時(shí)，系統(tǒng)默認(rèn)的是將封閉后的曲線自動(dòng)生成面，如果用戶不想讓其自動(dòng)生成面，可以在繪制曲線模型前，點(diǎn)擊菜單欄中的Tools/Options/ModelerOptions項(xiàng)更改繪圖設(shè)置。10學(xué)習(xí)課件2模型建立（modeling）在繪制曲線模型時(shí)，系統(tǒng)默認(rèn)2模型建立（modeling）11學(xué)習(xí)課件2模型建立（modeling）11學(xué)習(xí)課件2模型建立（modeling）12學(xué)習(xí)課件2模型建立（modeling）12學(xué)習(xí)課件2模型建立（modeling）13學(xué)習(xí)課件2模型建立（modeling）13學(xué)習(xí)課件2模型建立（modeling）14學(xué)習(xí)課件2模型建立（modeling）14學(xué)習(xí)課件2模型建立（結(jié)束）模型編輯菜單模型檢查15學(xué)習(xí)課件2模型建立（結(jié)束）模型編輯菜單模型檢查15學(xué)習(xí)課件3材料管理（material）材料庫(kù)的管理更加方便和直觀，新版軟件的材料庫(kù)主要由兩類組成，一是系統(tǒng)自帶材料庫(kù)的2D和3D有限元計(jì)算常用材料庫(kù)，除此外還有RMxprt電機(jī)設(shè)計(jì)模塊用的電機(jī)材料庫(kù)。二是用戶材料庫(kù)，可以將常用的且系統(tǒng)材料庫(kù)中沒有的材料單獨(dú)輸出成用戶材料庫(kù)，庫(kù)名稱可自行命名，在使用前須將用戶材料庫(kù)裝載進(jìn)軟件中。16學(xué)習(xí)課件3材料管理（material）材料庫(kù)的管理更3材料管理（material）在添加自己的材料庫(kù)之前需要對(duì)材料庫(kù)的路徑進(jìn)行設(shè)置（注意：ansoft不識(shí)別中文路徑）17學(xué)習(xí)課件3材料管理（material）在添加自己的材料庫(kù)之前需要3材料管理（material）材料編輯選項(xiàng)第一個(gè)View/EditMaterials按鈕是查看或編輯已有材料按鈕，點(diǎn)擊該按鈕可以查看已存在的材料屬性并且可以對(duì)其進(jìn)行編輯操作；第二個(gè)AddMaterial按鈕是添加心材料按鈕，點(diǎn)擊該按鈕可以向材料庫(kù)中添加新材料；第三個(gè)CloneMaterial(s)按鈕是復(fù)制材料庫(kù)中已有材料按鈕，可將已存在的材料作為藍(lán)本，通過(guò)復(fù)制生成新材料，并對(duì)新材料的局部屬性進(jìn)行修改，這種操作節(jié)省了定義相似材料時(shí)所花費(fèi)的時(shí)間；第四個(gè)RemoveMaterial(s)按鈕是將選中的材料從材料庫(kù)中刪除；第五個(gè)ExperttoLibrary按鈕是將選中的材料導(dǎo)入到用戶個(gè)人材料庫(kù)中，方便用戶管理其常用的材料庫(kù)。18學(xué)習(xí)課件3材料管理（material）材料編輯選項(xiàng)第一個(gè)View3材料管理（material）19學(xué)習(xí)課件3材料管理（material）19學(xué)習(xí)課件3材料管理（material）第一欄：RelativePermeability是相對(duì)磁導(dǎo)率項(xiàng)，默認(rèn)的是Simple即各向同性且導(dǎo)磁性能為線性，其默認(rèn)數(shù)值為1。第一項(xiàng)為Simple即各向同性其線性；第二項(xiàng)為Anisotropic各向異性，當(dāng)選擇完該項(xiàng)后，會(huì)在RelativePermeability項(xiàng)下出現(xiàn)T(1，1)，T(2，2)和T(3，3)這三個(gè)參數(shù)描述的是材料的三個(gè)軸向；第三個(gè)選項(xiàng)是Nonlinear非線性選項(xiàng)，選擇該選項(xiàng)后即可設(shè)置材料導(dǎo)磁性能的非線性，即常用的BH曲線。20學(xué)習(xí)課件3材料管理（material）第一欄：Relative3材料管理（material）相對(duì)磁導(dǎo)率欄后是BulkConductivity電導(dǎo)率欄，默認(rèn)的電導(dǎo)率單位是S/m，對(duì)于新加入的材料該項(xiàng)數(shù)值為2000000。Composition項(xiàng)是設(shè)置材料構(gòu)成，默認(rèn)的是Solid即是由實(shí)心材料組成，鼠標(biāo)左鍵單擊Solid字符可以看到在彈出的下拉菜單中還有一個(gè)選項(xiàng)是Lamination項(xiàng)，該選項(xiàng)所表示的是疊片形式，例如變壓器鐵心，正是由一片片的硅鋼片疊壓而成，因?yàn)樾枰砑拥男虏牧鲜歉飨虍愋缘墓桎撈?，所以在材料?gòu)成上需要選擇Lamination項(xiàng)。在選擇了疊片形式項(xiàng)后，會(huì)在Composition項(xiàng)下新出現(xiàn)兩個(gè)設(shè)置項(xiàng)，第一個(gè)是StackingFactor疊壓系數(shù)項(xiàng)，可將其設(shè)置為0.97，第二個(gè)是StackingDirection疊壓方向，在此認(rèn)為Z軸為疊壓方向，所以將其選擇為V(3)。整個(gè)設(shè)置完畢后如下圖所示。21學(xué)習(xí)課件3材料管理（material）相對(duì)磁導(dǎo)率欄后是Bulk3材料管理（material）22學(xué)習(xí)課件3材料管理（material）22學(xué)習(xí)課件3材料管理（material）永磁材料的添加23學(xué)習(xí)課件3材料管理（material）永磁材料的添加23學(xué)習(xí)課件3材料管理（material）24學(xué)習(xí)課件3材料管理（material）24學(xué)習(xí)課件3材料管理（material）25學(xué)習(xí)課件3材料管理（material）25學(xué)習(xí)課件3材料管理（material）26學(xué)習(xí)課件3材料管理（material）26學(xué)習(xí)課件3材料管理（material）充磁方向27學(xué)習(xí)課件3材料管理（material）充磁方向27學(xué)習(xí)課件4邊界條件（Boundary）按照不同的求解場(chǎng)，會(huì)有不同的邊界條件和激勵(lì)源。針對(duì)電機(jī)分析而言，主要的邊界條件有：1VectorPotentialBoundary狄里克萊邊界條件矢量磁位邊界條件主要施加在求解域或計(jì)算模型的邊線上，可以定義該邊線的上所有點(diǎn)都滿足以下兩公式：前者適用于XY坐標(biāo)系,而后者適用于RZ坐標(biāo)系。Const為給定常數(shù)，AZ

和

Aθ

分別為XY坐標(biāo)系下Z方向上的矢量磁位和RZ坐標(biāo)系下θ方向矢量磁位。28學(xué)習(xí)課件4邊界條件（Boundary）按照不同的求解場(chǎng)，會(huì)有不同4邊界條件（Boundary）將選擇模式切換到edge，點(diǎn)擊菜單欄中的Maxwell2D/Boundaries/Assign/VectorPotentialBoundary（或者在工作窗口右鍵）當(dāng)Const常數(shù)等于0時(shí)，描述的是磁力線平行于所給定的邊界線，這在仿真理想磁絕緣情況時(shí)特別有用。29學(xué)習(xí)課件4邊界條件（Boundary）將選擇模式切換到edge，4邊界條件（Boundary）2SymmetryBoundary對(duì)稱邊界條件如果計(jì)算的模型具有對(duì)稱性，則可以通過(guò)使用對(duì)稱邊界條件來(lái)達(dá)到縮小計(jì)算模型區(qū)域的目的。在對(duì)稱邊界條件中又分為奇對(duì)稱邊界條件和偶對(duì)稱邊界條件。點(diǎn)擊菜單欄中的Maxwell2D/Boundaries/Assign/SymmetryBoundary，會(huì)出現(xiàn)下圖所示的對(duì)稱邊界條件定義對(duì)話框。30學(xué)習(xí)課件4邊界條件（Boundary）2SymmetryB4邊界條件（Boundary）在選中奇邊界條件(Odd)時(shí)，表示磁力線平行于邊界條件，磁場(chǎng)的法向分量為0僅有切向分量；偶邊界條件(Even)，描述的真好相反，其表示磁力線垂直與邊界條件，磁場(chǎng)的切向分量為0僅有法向分量。通過(guò)使用對(duì)稱邊界條件，至少可以將計(jì)算區(qū)域縮小一半。3BalloonBoundary氣球邊界條件Maxwell將無(wú)窮遠(yuǎn)邊界條件稱之為氣球邊界條件，這樣在繪制求解域范圍時(shí)就可以不必將求解域繪制的過(guò)于龐大，從而減小可內(nèi)存和CPU等計(jì)算資源的開銷。31學(xué)習(xí)課件4邊界條件（Boundary）在選中奇邊界條件(Odd)4邊界條件（Boundary）當(dāng)所計(jì)算的模型過(guò)于磁飽和或?qū)ｉT要考察模型漏磁性能時(shí)多采用氣球邊界條件。點(diǎn)擊菜單欄中的Maxwell2D/Boundaries/Assign/BalloonBoundary項(xiàng)，彈出下圖所示的窗口，這里無(wú)需用戶定義氣球邊界的參數(shù)，僅定義其邊界名稱即可。32學(xué)習(xí)課件4邊界條件（Boundary）當(dāng)所計(jì)算的模型過(guò)于磁飽和或4邊界條件（Boundary）4Master/SlaveBoundary主從邊界條件主從邊界條件是由兩類邊界條件配合而成，即主邊界條件和從邊界條件。在使用時(shí)要先將模型的一條邊定義為主邊界，然后再設(shè)定另外一條邊為從邊界。該邊界條件的引入可以將類似于旋轉(zhuǎn)電機(jī)之類的幾何模型簡(jiǎn)化，僅計(jì)算其中的一個(gè)極或一對(duì)極，從而減少所計(jì)算的數(shù)據(jù)量。選中模型所要施加主邊界的線段，點(diǎn)擊maxwell2D/Boundaries/Assign/MasterBoundary選項(xiàng)，接著彈出如下圖所示的主邊界定義窗口。33學(xué)習(xí)課件4邊界條件（Boundary）4Master/Sla4邊界條件（Boundary）34學(xué)習(xí)課件4邊界條件（Boundary）34學(xué)習(xí)課件4邊界條件（Boundary）35學(xué)習(xí)課件4邊界條件（Boundary）35學(xué)習(xí)課件4邊界條件（Boundary）Master項(xiàng)用來(lái)定義該從邊界究竟與哪個(gè)主邊界構(gòu)成周期邊界條件，Relation項(xiàng)包含兩個(gè)選項(xiàng)，分別是Bs=Bm項(xiàng)，即從邊界條件與主邊界條件對(duì)稱；Bs=-Bm項(xiàng)，即從邊界條件反對(duì)稱于主邊界條件。對(duì)于電機(jī)分析，一般來(lái)說(shuō)，當(dāng)分析一個(gè)極時(shí)，是Bs=-Bm，當(dāng)分析一對(duì)極時(shí)，是Bs=Bm36學(xué)習(xí)課件4邊界條件（Boundary）Master項(xiàng)用來(lái)定義該5激勵(lì)源設(shè)置（Excitations）所有的計(jì)算模型都必須保證有激勵(lì)源，即所計(jì)算的系統(tǒng)其能量不能為0，不同的場(chǎng)其激勵(lì)源形式或機(jī)理均不相同。有時(shí)甚至可以通過(guò)實(shí)際工程的激勵(lì)源形式來(lái)判斷究竟改用哪個(gè)模塊來(lái)進(jìn)行建模計(jì)算。下面按照電機(jī)分析常用的靜態(tài)場(chǎng)和瞬態(tài)場(chǎng)來(lái)進(jìn)行介紹。A靜磁場(chǎng)求解器激勵(lì)源在靜磁場(chǎng)中，激勵(lì)源主要分為兩種：一種為電流源，另一種為電密源。37學(xué)習(xí)課件5激勵(lì)源設(shè)置（Excitations）所有的計(jì)算模型都必須5激勵(lì)源設(shè)置（Excitations）進(jìn)行激勵(lì)源設(shè)置時(shí)，只需要選中要施加激勵(lì)源的物體，然后點(diǎn)擊菜單欄上的Maxwell2D/Excitation/Assign/CurrentExcitation項(xiàng)，這樣就會(huì)自動(dòng)彈出電流源激勵(lì)給定窗口。38學(xué)習(xí)課件5激勵(lì)源設(shè)置（Excitations）進(jìn)行激勵(lì)源設(shè)置時(shí)，5激勵(lì)源設(shè)置（Excitations）其中Name選項(xiàng)可以設(shè)定所加激勵(lì)源的名稱。Value項(xiàng)可以設(shè)定激勵(lì)源的電流值，需要說(shuō)明的是對(duì)于多匝線圈，該值應(yīng)該是給總的安匝數(shù)，而不是一匝線圈的電流值。即value=電流*匝數(shù)39學(xué)習(xí)課件5激勵(lì)源設(shè)置（Excitations）其中Name選項(xiàng)5激勵(lì)源設(shè)置（Excitations）添加電密激勵(lì)與電流激勵(lì)的方向相類似，選中所要添加激勵(lì)的物體，點(diǎn)擊菜單欄上的Maxwell2D/Excitation/Assign/CurrentDensityExcitation項(xiàng)，這樣會(huì)彈出電密源激勵(lì)給定窗口。通過(guò)定義電密數(shù)值的正、負(fù)來(lái)更改電密的方向。電流激勵(lì)和物體面積無(wú)關(guān)電密激勵(lì)和物體面積有關(guān)40學(xué)習(xí)課件5激勵(lì)源設(shè)置（Excitations）添加電密激勵(lì)與電流5激勵(lì)源設(shè)置（Excitations）B瞬態(tài)磁場(chǎng)求解器激勵(lì)源在靜磁場(chǎng)和渦流場(chǎng)中，僅可以使用電流源或電密源，電壓源是不能使用在這兩個(gè)求解器中的。相比較而言，瞬態(tài)磁場(chǎng)的激勵(lì)源比較豐富，有電流源、電流密度源，還可以將導(dǎo)條形成線圈，該線圈是指廣義的線圈，不僅僅是由漆包線繞制而成。在形成線圈后還可以對(duì)線圈施加電流源、電壓源和復(fù)雜控制的外電路源。41學(xué)習(xí)課件5激勵(lì)源設(shè)置（Excitations）B瞬態(tài)磁場(chǎng)求解5激勵(lì)源設(shè)置（Excitations）單個(gè)電流源和電流密度源的給定靜態(tài)場(chǎng)中的激勵(lì)源給定類似，在此不做過(guò)多說(shuō)明，下面重點(diǎn)說(shuō)一下繞組的形成和繞組激勵(lì)的給定。繞組的形成主要分為兩個(gè)步驟：一、線圈的形成；二、繞組的形成。線圈形成：選中左側(cè)的線圈截面，點(diǎn)擊菜單欄上的Maxwell2D/Excitation/Assign/Coil選項(xiàng)，會(huì)彈出下圖所示的線圈端口定義窗口。42學(xué)習(xí)課件5激勵(lì)源設(shè)置（Excitations）單個(gè)電流源和電流密5激勵(lì)源設(shè)置（Excitations）43學(xué)習(xí)課件5激勵(lì)源設(shè)置（Excitations）43學(xué)習(xí)課件5激勵(lì)源設(shè)置（Excitations）在線圈端口定義界面里，包括端口名稱，NumberofConductors線圈匝數(shù)。若是雙層繞組，這個(gè)匝數(shù)是每槽導(dǎo)體數(shù)的一半，若是單層繞組，則為每槽導(dǎo)體數(shù)。當(dāng)每次選中多個(gè)截面一起定義時(shí)，不需要乘以截面?zhèn)€數(shù)。線圈方向的定義如右圖所示。Function函數(shù)項(xiàng)是用戶自己設(shè)定函數(shù)可以讓線圈電流的參考方向隨因變量更改而更改，達(dá)到一種認(rèn)為控制換向的目的。44學(xué)習(xí)課件5激勵(lì)源設(shè)置（Excitations）在線圈端口定義界面繞組形成：點(diǎn)擊菜單欄中的Maxwell2D/Excitation/Assign/AddWinding項(xiàng)，彈出繞組定義窗口。5激勵(lì)源設(shè)置（Excitations）Current（電流）Vlotage（電壓）External（電壓）45學(xué)習(xí)課件繞組形成：點(diǎn)擊菜單欄中的Maxwell2D/Excitati5激勵(lì)源設(shè)置（Excitations）實(shí)心導(dǎo)體，可考慮渦流效應(yīng)多股絞線，不考慮渦流效應(yīng)，電機(jī)分析常采用繞組并聯(lián)支路數(shù)46學(xué)習(xí)課件5激勵(lì)源設(shè)置（Excitations）實(shí)心導(dǎo)體，可考慮渦5激勵(lì)源設(shè)置（Excitations）繞組的電壓和電流激勵(lì)源還可以設(shè)定為時(shí)間的函數(shù)，也可以設(shè)置為轉(zhuǎn)子位置的函數(shù)。例如：Ua=220*1.414*sin(2*pi*50*time)其中pi和time都是系統(tǒng)自帶變量，不需要自己定義。若需要為位置的函數(shù)，那么變量為position。電壓源設(shè)置：繞組電阻初始電流繞組端部漏感相電壓表達(dá)式47學(xué)習(xí)課件5激勵(lì)源設(shè)置（Excitations）繞組的電壓和電流激5激勵(lì)源設(shè)置（Excitations）外電路激勵(lì)源48學(xué)習(xí)課件5激勵(lì)源設(shè)置（Excitations）外電路激勵(lì)源48學(xué)5激勵(lì)源設(shè)置（Excitations）模型電感不需要人為設(shè)置，但電感名稱必須和maxwell里面的繞組名稱一致端部漏感，需要自己定義大小繞組電阻注意：在外電路中必須包含電阻，否則maxwell報(bào)錯(cuò)49學(xué)習(xí)課件5激勵(lì)源設(shè)置（Excitations）模型電感不需要人為5激勵(lì)源設(shè)置（Excitations）將線圈劃歸于某一相繞組退出后，在屏幕右上方的工程管理欄中可以看到，繞組Winding1前多了一個(gè)“＋”號(hào)，點(diǎn)擊該“+”號(hào)會(huì)在Winding1下方出現(xiàn)以前定義線圈端口。這說(shuō)明了線圈端口是從屬于繞組的，至此完成了整個(gè)繞組的定義。50學(xué)習(xí)課件5激勵(lì)源設(shè)置（Excitations）將線圈劃歸于某一相6求解參數(shù)設(shè)置（Parameters）求解參數(shù)的設(shè)置不是仿真所必須的。主要包括力（Force），轉(zhuǎn)矩（Torque）和電感矩陣（Matrix）的求取。先選擇物體，之后選擇此項(xiàng)。先選擇物體，之后選擇此項(xiàng)。必須在賦完激勵(lì)源之后才能使用51學(xué)習(xí)課件6求解參數(shù)設(shè)置（Parameters）求解參數(shù)的設(shè)置不是7網(wǎng)格剖分設(shè)置（Meshoperations）網(wǎng)格剖分是有限元離散化的最為關(guān)鍵一步，良好的網(wǎng)格剖分可以使得用戶在最小的計(jì)算資源下?lián)碛凶顬闇?zhǔn)確的計(jì)算結(jié)果。自帶的自適應(yīng)剖分非常不錯(cuò)，但其循環(huán)加密網(wǎng)格卻需要很多時(shí)間，可以事先手動(dòng)設(shè)置網(wǎng)格剖分，然后再繼續(xù)少量的自適應(yīng)加密步驟達(dá)到快速劃分網(wǎng)格的目的。52學(xué)習(xí)課件7網(wǎng)格剖分設(shè)置（Meshoperations）網(wǎng)格剖分7網(wǎng)格剖分設(shè)置（Meshoperations）系統(tǒng)自帶的網(wǎng)格剖分設(shè)置，共有三個(gè)大項(xiàng)，分別是：

OnSelection——物體邊界內(nèi)指定剖分規(guī)則InsideSelection——物體內(nèi)部指定剖分規(guī)則SurfaceApproximation——對(duì)物體表層指定53學(xué)習(xí)課件7網(wǎng)格剖分設(shè)置（Meshoperations）系統(tǒng)自帶7網(wǎng)格剖分設(shè)置（Meshoperations）AOnSelection：

剖分設(shè)置中的LengthBasedRefinement是基于單元邊長(zhǎng)的剖分設(shè)置，其含義為在所選的物體邊界上，最大的剖分三角形邊長(zhǎng)要給予所指定的數(shù)值；剖分設(shè)置中的SkinDepthBasedRefinement是基于集膚效應(yīng)透入深度剖分設(shè)置，由于需要考慮物體的集膚效應(yīng)，所以需要在集膚效應(yīng)層進(jìn)行加密剖分，而集膚效應(yīng)層之下的網(wǎng)格則可以相對(duì)較為稀疏。54學(xué)習(xí)課件7網(wǎng)格剖分設(shè)置（Meshoperations）A7網(wǎng)格剖分設(shè)置（Meshoperations）BInsideSelection在設(shè)定內(nèi)部單元最大邊長(zhǎng)時(shí)，若同時(shí)采用了限制所用剖分三角形個(gè)數(shù)項(xiàng)，在設(shè)定了相對(duì)過(guò)小的單元時(shí)，則這個(gè)過(guò)小的單元個(gè)數(shù)會(huì)被自動(dòng)放棄。55學(xué)習(xí)課件7網(wǎng)格剖分設(shè)置（Meshoperations）B7網(wǎng)格剖分設(shè)置（Meshoperations）CSurfaceApproximation56學(xué)習(xí)課件7網(wǎng)格剖分設(shè)置（Meshoperations）C7網(wǎng)格剖分設(shè)置（Meshoperations）MaximumSurfaceDeviation圓內(nèi)三角形最大弦長(zhǎng)，因?yàn)閳A環(huán)之類的邊界最后都要?jiǎng)澐殖梢粋€(gè)個(gè)三角形組成的區(qū)域，也就是說(shuō)要有多條弦來(lái)近似成圓環(huán)，則MaximumSurfaceDeviation值就是設(shè)定這個(gè)最大弦長(zhǎng)的數(shù)值。MaximumSurfaceNormalDeviation弦所對(duì)應(yīng)的三角形內(nèi)角的角度，將該值設(shè)定過(guò)小會(huì)造成邊界上的三角形形狀狹長(zhǎng)MaximumAspectRatio為剖分三角形外接圓半徑除以2倍內(nèi)接圓半徑的比值，該比值可以設(shè)定三角形的基本形狀。57學(xué)習(xí)課件7網(wǎng)格剖分設(shè)置（Meshoperations）Maxi8求解設(shè)置（analysissetup）AnsoftV11每個(gè)工程只能定義一個(gè)求解設(shè)置，ansoftV12可以設(shè)置多個(gè)求解每個(gè)求解設(shè)置項(xiàng)都是相互獨(dú)立的。不同的求解設(shè)置可以用來(lái)計(jì)算不同的工況，以此來(lái)盡可能的增加模型的重復(fù)使用率。在設(shè)置完激勵(lì)源和邊界條件，并劃分網(wǎng)格后，就可以設(shè)置求解選項(xiàng)。針對(duì)不同的場(chǎng)求解器，都有各自的求解設(shè)置，但在這些設(shè)置中仍有很大一部分是相同的。58學(xué)習(xí)課件8求解設(shè)置（analysissetup）Ansoft8求解設(shè)置（analysissetup）A靜態(tài)場(chǎng)求解設(shè)置靜磁場(chǎng)中繪制完計(jì)算模型，并且定義了激勵(lì)源和網(wǎng)格剖分后，點(diǎn)擊添加靜磁場(chǎng)的求解設(shè)置項(xiàng)，接著就會(huì)自動(dòng)彈出如圖1-67所示的定義窗口界面。自適應(yīng)求解設(shè)置：最大迭代步數(shù)和收斂精度。求解結(jié)束條件首先判斷收斂精度；其次才是最大迭代步數(shù)；在求解結(jié)果中可以看到收斂精度隨步驟的變化曲線59學(xué)習(xí)課件8求解設(shè)置（analysissetup）A靜態(tài)場(chǎng)求8求解設(shè)置（analysissetup）自適應(yīng)網(wǎng)格設(shè)置：RefinementPerPass項(xiàng)是每次自適應(yīng)剖分所新加入的網(wǎng)格數(shù)占上一次總體網(wǎng)格的百分比。MinimumNumberofPasses表示最小計(jì)算步數(shù)，即系統(tǒng)要求計(jì)算的最少迭代步數(shù)，默認(rèn)是數(shù)值是2。MinimumConvergedPasses表示最小收斂步數(shù)，默認(rèn)是1。這兩個(gè)數(shù)據(jù)可以按照默認(rèn)值設(shè)定而不需做修改。60學(xué)習(xí)課件8求解設(shè)置（analysissetup）自適應(yīng)網(wǎng)格設(shè)置8求解設(shè)置（analysissetup）非線性殘余誤差，軟件默認(rèn)是0.0001；更改該項(xiàng)可以改變?cè)诜蔷€性收斂計(jì)算中的精度。磁導(dǎo)率設(shè)置項(xiàng)：有兩個(gè)設(shè)置項(xiàng)，默認(rèn)的是NonlinearB-Hcurve項(xiàng)，即采用模型中設(shè)置好的BH曲線。而下方的FromLink項(xiàng)則是將先前計(jì)算好的模型磁導(dǎo)率給定到將要計(jì)算的新模型。磁化設(shè)置：有兩個(gè)子設(shè)置項(xiàng)，同樣默認(rèn)的是NonlinearB-Hcurve項(xiàng)，即采用模型設(shè)置好的BH曲線；Importmesh項(xiàng)是將調(diào)用以前計(jì)算過(guò)的模型網(wǎng)格剖分調(diào)用過(guò)來(lái)，前提是前后的計(jì)算模型必須完全一致，網(wǎng)格才可以橫向?qū)搿?1學(xué)習(xí)課件8求