GB/T 43798-2024平板顯示陣列用正性光阻材料測試方法

ICS31030

CCSL.90

中華人民共和國國家標準

GB/T43798—2024

平板顯示陣列用正性光阻材料

測試方法

Testmethodofpositivephotoresistformanufacturingofflatpanel

displayarray

2024-03-15發(fā)布2024-10-01實施

國家市場監(jiān)督管理總局發(fā)布

國家標準化管理委員會

GB/T43798—2024

目次

前言

…………………………Ⅲ

范圍

1………………………1

規(guī)范性引用文件

2…………………………1

術(shù)語和定義

3………………1

測試條件

4…………………2

環(huán)境條件

4.1……………2

試劑材料

4.2……………2

其他配套

4.3……………2

測試項目

5…………………2

膠膜云紋

5.1……………2

曝光量

5.2………………4

曝光測試觀察圖形完整性

5.3…………6

關(guān)鍵尺寸

5.4(CD)………………………6

殘膜率

5.5………………7

固含量

5.6………………8

液體顆粒計數(shù)

5.7………………………9

粘度

5.8…………………10

相對密度

5.9……………11

水分質(zhì)量分數(shù)

5.10……………………11

金屬雜質(zhì)含量

5.11……………………11

試驗報告

6…………………13

Ⅰ

GB/T43798—2024

前言

本文件按照標準化工作導則第部分標準化文件的結(jié)構(gòu)和起草規(guī)則的規(guī)定

GB/T1.1—2020《1:》

起草

。

請注意本文件的某些內(nèi)容可能涉及專利本文件的發(fā)布機構(gòu)不承擔識別專利的責任

。。

本文件由全國半導體設備和材料標準化技術(shù)委員會提出并歸口

(SAC/TC203)。

本文件起草單位京東方科技集團股份有限公司上海彤程電子材料有限公司中國電子技術(shù)標準

:、、

化研究院阜陽欣奕華材料科技有限公司江陰潤瑪電子材料股份有限公司福建泓光半導體材料有限

、、、

公司

。

本文件主要起草人楊瀾程龍吳怡然趙俊莎曹可慰李琳吳京瑋岳爽李璐戈燁銘何珂

:、、、、、、、、、、、

曾成財袁曉雷

、。

Ⅲ

GB/T43798—2024

平板顯示陣列用正性光阻材料

測試方法

1范圍

本文件描述了平板顯示陣列用正性光阻材料的測試方法

。

本文件適用于液晶顯示器件有機發(fā)光顯示器件等顯示陣列制造用正性光阻材料的性能測試

、。

2規(guī)范性引用文件

下列文件中的內(nèi)容通過文中的規(guī)范性引用而構(gòu)成本文件必不可少的條款其中注日期的引用文

。,

件僅該日期對應的版本適用于本文件不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改單適用于

,;,()

本文件

。

化學試劑電感耦合等離子體原子發(fā)射光譜法通則

GB/T23942

潔凈室及相關(guān)受控環(huán)境第部分按粒子濃度劃分空氣潔凈度等級

GB/T25915.11:

儀器分析用高純水規(guī)格及試驗方法

GB/T33087

薄膜晶體管液晶顯示器用四甲基氫氧化銨顯影液

GB/T37403(TFT-LCD)

化學試劑電感耦合等離子體質(zhì)譜分析方法通則

GB/T39486

3術(shù)語和定義

下列術(shù)語和定義適用于本文件

。

31

.

曝光量exposureenergy

光阻材料單位面積吸收光能或其他輻照能的劑量

。

注用于衡量光阻材料對曝光的敏感程度光學曝光中在給定的曝光光源強度條件下通常通過曝光時間長短調(diào)整

:,,

曝光量

。

32

.

基底片substrate

用于光阻材料涂布的襯底材料

。

注本文件中基底片可以是單晶硅片外延硅片以及平板顯示用玻璃片等

:、,。

33

.

前烘softbake/prebake

光阻材料通過涂布過程后