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第二單元離子鍵離子晶體(一)離子鍵的形成離子鍵定義陰、陽(yáng)離子之間通過靜電作用形成的化學(xué)鍵[微提醒]離子化合物中一定有離子鍵,可能有共價(jià)鍵。離子鍵的形成過程離子鍵的特點(diǎn)離子鍵沒有方向性和飽和性(二)離子晶體概念由陰、陽(yáng)離子按一定方式有規(guī)則地排列形成的晶體[微點(diǎn)撥]離子晶體在固態(tài)時(shí)不能導(dǎo)電,因?yàn)榇藭r(shí)陰、陽(yáng)離子不能自由移動(dòng);在熔融狀態(tài)下或水溶液中陰陽(yáng)離子可自由移動(dòng),離子晶體才能導(dǎo)電。[微拓展]NaCl晶體中,氯離子的堆積方式為面心立方堆積;CsCl晶體中,氯離子的堆積方式為簡(jiǎn)單立方堆積。物理性質(zhì)離子晶體一般具有一定的硬度和較高的熔點(diǎn)晶格能定義指拆開1_mol離子晶體使之形成氣態(tài)陰離子和氣態(tài)陽(yáng)離子時(shí)所吸收的能量。用符號(hào)U表示,單位為kJ·mol-1影響因素對(duì)晶體物理性質(zhì)的影響晶格能越大→離子鍵越牢固→離子晶體的熔、沸點(diǎn)越高、硬度越大常見的兩種結(jié)構(gòu)類型結(jié)構(gòu)類型氯化鈉型氯化銫型晶胞結(jié)構(gòu)配位數(shù)68晶胞組成Na+:4;Cl-:4Cs+:1;Cl-:1注意:離子晶體中不同離子周圍異電性離子數(shù)目的多少主要取決于陰、陽(yáng)離子的相對(duì)大小[新知探究(一)]離子晶體的組成和性質(zhì)[分析與推測(cè)能力][情境質(zhì)疑]我國(guó)于2021年1月1日正式啟動(dòng)酸雨自動(dòng)觀測(cè)業(yè)務(wù)。提高酸雨觀測(cè)數(shù)據(jù)質(zhì)量,提升酸雨觀測(cè)自動(dòng)化水平,確保酸雨觀測(cè)數(shù)據(jù)的代表性、準(zhǔn)確性和可比性。我國(guó)的酸雨主要因大量燃燒含硫量高的煤而形成的,多為硫酸雨,大氣中的SO2是造成酸雨的主要污染物。研究表明,離子晶體[N(CH3)4]2SO4(s)能與SO1.[N(CH3)4]2SO4中只有離子鍵嗎?提示:既有離子鍵,又有共價(jià)鍵。2.[N(CH3)4]2SO4固體可以導(dǎo)電嗎?提示:固體不導(dǎo)電,其水溶液可以導(dǎo)電。[生成認(rèn)知]1.離子晶體的組成(1)離子晶體由陰、陽(yáng)離子組成,陰、陽(yáng)離子間的作用力是離子鍵。(2)離子晶體中不一定都含有金屬元素,如NH4Cl是離子晶體。(3)離子晶體中除離子鍵外不一定不含其他化學(xué)鍵,如:NaOH晶體中還含有極性共價(jià)鍵,Na2O2晶體中還含有非極性共價(jià)鍵。2.離子晶體的性質(zhì)具有較高的熔沸點(diǎn),難揮發(fā)離子晶體的熔、沸點(diǎn)取決于構(gòu)成晶體的陰陽(yáng)離子間離子鍵的強(qiáng)弱,而離子鍵的強(qiáng)弱,可用晶格能的大小來衡量,晶格能越大,離子鍵越牢固,離子晶體的熔點(diǎn)越高、硬度越大。而對(duì)于同種類型的離子晶體,離子所帶的電荷數(shù)越高,半徑越小,晶格能越大。如MgO>Na2O;NaCl>CsCl等硬而脆,無(wú)延展性離子晶體中,陰、陽(yáng)離子間有較強(qiáng)的離子鍵,離子晶體表現(xiàn)出較高的硬度。當(dāng)晶體受到?jīng)_擊力作用時(shí),部分離子鍵發(fā)生斷裂,導(dǎo)致晶體破碎導(dǎo)電性離子晶體不導(dǎo)電,熔化或溶于水后能導(dǎo)電。離子晶體中,離子鍵較強(qiáng),離子不能自由移動(dòng),即晶體中無(wú)自由移動(dòng)離子,離子晶體不導(dǎo)電。當(dāng)升高溫度時(shí),陰、陽(yáng)離子獲得足夠能量克服離子間的相互作用,成為自由移動(dòng)的離子,在外電場(chǎng)作用下,離子定向移動(dòng)而導(dǎo)電。離子化合物溶于水時(shí),陰、陽(yáng)離子受到水分子作用變成了自由移動(dòng)的離子(或水合離子),在外電場(chǎng)作用下,陰、陽(yáng)離子定向移動(dòng)而導(dǎo)電溶解性大多數(shù)離子晶體易溶于極性溶劑(如水)中,難溶于非極性溶劑(如苯、CCl4)中3.離子晶體的判斷方法依據(jù)晶體微粒判斷由陰、陽(yáng)離子構(gòu)成的晶體,一定是離子晶體依據(jù)物質(zhì)類別判斷金屬氧化物、強(qiáng)堿和大部分鹽類,是離子晶體依據(jù)導(dǎo)電性判斷離子晶體在固體狀態(tài)下不導(dǎo)電,而熔融狀態(tài)下可以導(dǎo)電依據(jù)熔點(diǎn)判斷離子晶體熔點(diǎn)較高,常在數(shù)百至一千攝氏度依據(jù)硬度和機(jī)械性能判斷離子晶體硬度較大,但較脆[跟蹤訓(xùn)練]1.下列敘述正確的是()A.離子晶體中一定含有活潑金屬陽(yáng)離子B.離子晶體都是化合物C.固態(tài)不導(dǎo)電、溶于水能導(dǎo)電,這一性質(zhì)能說明某晶體一定是離子晶體D.離子晶體一般具有較低的熔點(diǎn)解析:選B離子晶體中不一定含金屬陽(yáng)離子,如NH4Cl;固體不導(dǎo)電、溶于水能導(dǎo)電的可能是分子晶體,如AlCl3。2.北京大學(xué)和中國(guó)科學(xué)院的化學(xué)工作者已成功研制出堿金屬與C60形成的球碳鹽K3C60,實(shí)驗(yàn)測(cè)知該物質(zhì)屬于離子晶體,其有良好的超導(dǎo)性。下列有關(guān)分析正確的是(A.K3C60B.C60與12CC.該晶體在熔融狀態(tài)下能導(dǎo)電D.K3C60中碳元素顯-3解析:選CK3C60中還存在碳碳的共價(jià)鍵,A錯(cuò);C60是碳單質(zhì),12C是碳原子,二者不是同素異形體,B錯(cuò);離子晶體在熔融狀態(tài)下能電離出自由移動(dòng)的陰陽(yáng)離子而導(dǎo)電,C正確;K3C60中整個(gè)C60顯-33.下列性質(zhì)中,可以較充分說明某晶體是離子晶體的是()A.具有高的熔點(diǎn)B.固態(tài)不導(dǎo)電,水溶液能導(dǎo)電C.固態(tài)導(dǎo)電,可溶于水D.固態(tài)不導(dǎo)電,熔融狀態(tài)能導(dǎo)電解析:選D具有較高的熔點(diǎn)的不一定是離子晶體,共價(jià)晶體也具有較高的熔點(diǎn),故A錯(cuò)誤;固態(tài)不導(dǎo)電,水溶液能導(dǎo)電的不一定是離子晶體,如HCl、NH3等固態(tài)不導(dǎo)電,水溶液能導(dǎo)電,但是分子晶體,故B錯(cuò)誤;離子晶體固態(tài)不導(dǎo)電,熔融態(tài)導(dǎo)電,離子晶體不一定可溶于水,故C錯(cuò)誤;離子晶體固體中離子不能自由移動(dòng),所以不能導(dǎo)電,而熔融狀態(tài)下可以電離出自由移動(dòng)的離子,所以可以導(dǎo)電,故D正確。[新知探究(二)]幾種典型的離子晶體的結(jié)構(gòu)[理解與辨析能力][發(fā)展認(rèn)知]離子晶體的簡(jiǎn)單結(jié)構(gòu)類型晶體類型晶體結(jié)構(gòu)模型結(jié)構(gòu)特點(diǎn)NaCl型①Na+、Cl-的配位數(shù)均為6;②每個(gè)Na+(Cl-)周圍緊鄰(距離最近且相等)的Cl-(Na+)構(gòu)成正八面體;③每個(gè)Na+(Cl-)周圍緊鄰的Na+(Cl-)有12個(gè);④每個(gè)晶胞中含4個(gè)Na+、4個(gè)Cl-CsCl型①Cs+、Cl-的配位數(shù)均為8;②每個(gè)Cs+(Cl-)周圍緊鄰的Cl-(Cs+)構(gòu)成正六面體;③每個(gè)Cs+(Cl-)周圍緊鄰的Cs+(Cl-)有6個(gè);④每個(gè)晶胞中含1個(gè)Cs+、1個(gè)Cl-CaF2型①Ca2+的配位數(shù)為8,F(xiàn)-的配位數(shù)為4,二者的配位數(shù)之比等于二者電荷(絕對(duì)值)之比;②每個(gè)F-周圍緊鄰的4個(gè)Ca2+構(gòu)成正四面體,每個(gè)Ca2+周圍緊鄰的8個(gè)F-構(gòu)成立方體;③每個(gè)晶胞中有4個(gè)Ca2+、8個(gè)F-;④Ca2+與F-之間的最短距離為晶胞體對(duì)角線長(zhǎng)的ZnS型①Zn2+、S2-的配位數(shù)均為4;②每個(gè)Zn2+(S2-)周圍緊鄰的S2-(Zn2+)構(gòu)成正四面體;③每個(gè)晶胞中有4個(gè)S2-、4個(gè)Zn2+;④Zn2+與S2-之間的最短距離為晶胞體對(duì)角線長(zhǎng)的陰、陽(yáng)離子的配位數(shù)之比與什么有關(guān)?提示:陰、陽(yáng)離子的配位數(shù)之比等于陰、陽(yáng)離子的個(gè)數(shù)比的反比。[跟蹤訓(xùn)練]1.認(rèn)真分析NaCl和CsCl的晶體結(jié)構(gòu),判斷下列說法錯(cuò)誤的是()A.NaCl和CsCl都屬于AB型的離子晶體B.NaCl和CsCl晶體中陰、陽(yáng)離子個(gè)數(shù)比相同,所以陰、陽(yáng)離子的配位數(shù)相等C.NaCl和CsCl晶體中陰、陽(yáng)離子的配位數(shù)分別為6和8D.NaCl和CsCl都屬于AB型的離子晶體,但陰、陽(yáng)離子半徑比不相同解析:選B由化學(xué)式可知NaCl和CsCl都屬于AB型的離子晶體,A正確;NaCl晶體中陰、陽(yáng)離子配位數(shù)為6,而CsCl晶體中陰、陽(yáng)離子配位數(shù)為8,B錯(cuò)誤,C正確;NaCl和CsCl晶體中陰、陽(yáng)離子配位數(shù)不同的主要原因是兩種晶體中陰、陽(yáng)離子半徑比不同,D正確。2.鋅與硫所形成化合物晶體的晶胞如圖所示。下列判斷正確的是()A.該晶體屬于離子晶體B.該晶胞中Zn2+和S2-數(shù)目不相等C.陽(yáng)離子的配位數(shù)為6D.氧化鋅的晶格能小于硫化鋅解析:選AA項(xiàng),該晶體屬于離子晶體;B項(xiàng),從晶胞圖分析,屬于該晶胞的Zn2+數(shù)目為8×+6×=4,S2-數(shù)目也為4,所以化合物中Zn2+與S2-個(gè)數(shù)之比為1∶1,Zn2+與S2-的數(shù)目相等;C項(xiàng),在ZnS晶胞中,Zn2+的配位數(shù)為4;D項(xiàng),ZnO和ZnS中,O2-半徑小于S2-,所帶的電荷數(shù)相等,所以ZnO的晶格能大于ZnS。3.科學(xué)家研究利用CaF2晶體釋放出的Ca2+和F-脫除硅烷,拓展了金屬氟化物材料的生物醫(yī)學(xué)功能。下列說法錯(cuò)誤的是()A.F、Si和Ca原子半徑依次增大B.SiO2與OF2中氧原子的雜化方式相同,晶體類型不同C.圖中A處原子分?jǐn)?shù)坐標(biāo)為(0,0,0),則B處原子分?jǐn)?shù)坐標(biāo)為D.脫除硅烷反應(yīng)速率依賴于晶體提供自由氟離子的能力,脫硅能力BaF2<CaF2<MgF2解析:選D根據(jù)層多徑大原則,F(xiàn)、Si和Ca的原子半徑依次增大,故A正確;SiO2晶體中一個(gè)O與周圍兩個(gè)Si相連,2個(gè)σ鍵,有2個(gè)孤電子對(duì),價(jià)層電子對(duì)數(shù)為4,雜化類型為sp3,OF2中氧原子價(jià)層電子對(duì)數(shù)為2+(6-1×2)=4,雜化類型為sp3,因此兩者雜化方式相同,前者是共價(jià)晶體,后者是分子晶體,兩者晶體類型不同,故B正確;圖中A處原子分?jǐn)?shù)坐標(biāo)為(0,0,0),B點(diǎn)在體對(duì)角線的四分之一處即B處原子分?jǐn)?shù)坐標(biāo)為,故C正確;三種氟化物均為離子晶體,晶體提供自由氟離子的能力越強(qiáng),陰陽(yáng)離子間形成離子鍵越弱,鋇離子、鈣離子、鎂離子的電荷數(shù)相同,離子半徑依次減小,則BaF2、CaF2、MgF2三種晶體中的離子鍵依次增強(qiáng),導(dǎo)致晶體提供自由氟離子的能量依次減弱,脫硅能力依次減弱,故D錯(cuò)誤。離子晶體中的能量觀離子鍵的形成總伴隨著能量的變化,化學(xué)反應(yīng)放出的能量越多,越有利于反應(yīng)自發(fā)進(jìn)行。(1)離子鍵形成時(shí),陰、陽(yáng)離子保持一定的平衡核間距,形成穩(wěn)定的離子鍵,整個(gè)體系達(dá)到能量最低狀態(tài)。(2)離子鍵的強(qiáng)弱與晶格能大小有關(guān),晶格能越大,說明形成晶體時(shí)放出能量越多,離子晶體的熔點(diǎn)越高,硬度越大。[應(yīng)用體驗(yàn)]1.下列敘述中正確的是()A.鈉原子和氯原子作用生成NaCl后,其結(jié)構(gòu)的穩(wěn)定性減弱B.在氯化鈉晶體中,除氯離子和鈉離子的靜電吸引作用外,還存在電子與電子、原子核與原子核之間的排斥作用C.任何離子鍵在形成的過程中必定有電子的得與失D.鈉與氯氣反應(yīng)生成氯化鈉后,體系能量升高答案:B2.堿金屬鹵化物是典型的離子晶體,它的晶格能與成正比(d0是晶體中最鄰近的導(dǎo)電性離子的核間距)。下面說法錯(cuò)誤的是()晶格能/(kJ·mol-1)離子半徑/pm①LiFLiClLiBrLiI1031845807752Li+Na+K+6095133②NaFNaClNaBrNaI915777740693F-Cl-Br-I-136181195216③KFKClKBrKI812708676641A.晶格能的大小與離子半徑成反比B.陽(yáng)離子相同陰離子不同的離子晶體,陰離子半徑越大,晶格能越小C.陽(yáng)離子不同陰離子相同的離子晶體,陽(yáng)離子半徑越小,晶格能越大D.金屬鹵化物晶體中,晶格能越小,氧化性越強(qiáng)解析:選D由表中數(shù)據(jù)可知晶格能的大小與離子半徑成反比,A項(xiàng)正確;由NaF、NaCl、NaBr、NaI晶格能的大小即可確定B項(xiàng)正確;由LiF、NaF、KF晶格能的大小即可確定C項(xiàng)正確;表中晶格能最小的是碘化物,因還原性F-<Cl-<Br-<I-,可知D項(xiàng)錯(cuò)誤。練好題——滲透核心價(jià)值1.下列說法不正確的是()A.離子鍵沒有方向性和飽和性B.并不是只有活潑的金屬和非金屬化合才形成離子鍵C.離子鍵的實(shí)質(zhì)是靜電作用D.靜電作用只有引力解析:選D離子鍵是陰、陽(yáng)離子之間的靜電作用,包括靜電吸引和靜電排斥,且一個(gè)離子同時(shí)吸引多個(gè)帶相反電荷的離子,故無(wú)方向性和飽和性,非金屬元素也可形成離子鍵,如NH4Cl中NH與Cl-形成離子鍵。2.(選自魯科版新教材P106)堿金屬和鹵素形成的化合物通常具有的性質(zhì)是()①能溶于水②水溶液能導(dǎo)電③熔融狀態(tài)不導(dǎo)電A.①② B.②③C.①③ D.①②③解析:選A堿金屬和鹵素形成的化合物屬于離子化合物,能溶于水,其水溶液能導(dǎo)電,熔融狀態(tài)可以導(dǎo)電,①②正確。3.下列物質(zhì)中,含有極性共價(jià)鍵的離子晶體是()A.NaCl B.Na2OC.Na2O2 D.NaOH解析:選DNaCl屬于離子晶體,只含有離子鍵,不含共價(jià)鍵,故A不符合題意;Na2O屬于離子晶體,只含有離子鍵,不含共價(jià)鍵,故B不符合題意;Na2O2屬于離子晶體,Na+和O之間是離子鍵,O中氧原子和氧原子之間是非極性共價(jià)鍵,故C不符合題意;NaOH屬于離子晶體,Na+和OH-之間是離子鍵,OH-中氧原子和氫原子之間是極性共價(jià)鍵,故D符合題意。4.晶體結(jié)構(gòu)的缺陷美與對(duì)稱美同樣受關(guān)注。某富鋰超離子導(dǎo)體的晶胞是立方體(圖1),進(jìn)行鎂離子取代及鹵素共摻雜后,可獲得高性能固體電解質(zhì)材料(圖2)。下列說法錯(cuò)誤的是()A.圖1晶體密度為g·cm-3(NA為阿伏加德羅常數(shù)的值)B.圖1中O原子的配位數(shù)為6C.圖2表示的化學(xué)式為L(zhǎng)iMg2OClxBr1-xD.Mg2+取代產(chǎn)生的空位有利于Li+傳導(dǎo)解析:選C圖1晶胞中Li個(gè)數(shù)為8×+1=3,O個(gè)數(shù)為2×=1,Cl個(gè)數(shù)為4×=1,晶胞質(zhì)量為g=g,晶胞體積為(a×10-10cm)3,則晶體密度為g÷(a×10-10cm)3=g·cm-3,A項(xiàng)正確;題圖1中以下底面面心處O為例,與O距離相等且最近的Li有6個(gè),分別位于下底面的4個(gè)棱心、上下兩個(gè)晶胞的2個(gè)體心,即O的配位數(shù)為6,B項(xiàng)正確;題圖2所示電解質(zhì)材料晶胞中,Mg或空位取代了棱心的Li,根據(jù)電荷守恒,8個(gè)棱心位置的Li只有4個(gè)被Mg取代,4個(gè)被空位取代,則Li個(gè)數(shù)為1、Mg個(gè)數(shù)為1,又O個(gè)數(shù)為1,Cl和Br的總個(gè)數(shù)為1,故化學(xué)式為L(zhǎng)iMgOClxBr1-x,C項(xiàng)錯(cuò)誤;進(jìn)行鎂離子取代及鹵素共摻雜后,可獲得高性能固體電解質(zhì)材料,說明Mg2+取代產(chǎn)生的空位有利于Li+傳導(dǎo),5.NaCl晶體模型如圖所示。(1)在NaCl晶體中,每個(gè)Na+周圍同時(shí)吸引________個(gè)C
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