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電子和空穴能級(jí)e-h系統(tǒng)哈密頓量為電子和空穴能級(jí)為稱為l階球貝塞爾函數(shù)的第n階零位:

.d=0①模型②能量●強(qiáng)限制區(qū)域

為空穴相對(duì)質(zhì)心運(yùn)動(dòng)軌道半徑.量子化能所以e-h間庫(kù)侖作用可以忽略.因?yàn)閑-h間庫(kù)侖作用能量研究表明:量在這種情況下,有效質(zhì)量的運(yùn)用會(huì)存在問(wèn)題,量子點(diǎn)可以視為一個(gè)大分子.能隙

躍遷定則:e,h對(duì)系統(tǒng)基態(tài)能量●弱限制區(qū)域

電子和空穴形成激子態(tài),激子質(zhì)心受到限制,作為微擾.●中間限制區(qū)域

電子和空穴的相對(duì)運(yùn)動(dòng)幾乎不受到影響.這種情況發(fā)生在Cu的鹵化物中(或R≥10nm的CdSe量子點(diǎn)中.電子量子化,空穴在由量子點(diǎn)和量子化電子的空間電荷形成的勢(shì)場(chǎng)中運(yùn)動(dòng).這種情況下,庫(kù)倫能量與量子化能量具有相同的數(shù)量級(jí),這種情況存在II-VI半導(dǎo)體量子點(diǎn)很?。┲?空穴可以認(rèn)為是在強(qiáng)限制域的電子云中運(yùn)動(dòng),并與電子之間發(fā)生庫(kù)侖相互作用.無(wú)序系統(tǒng)中激子1.激子局域機(jī)制①深勢(shì)阱中:有效質(zhì)量較大的空穴局域,

電子經(jīng)庫(kù)侖作用束縛于空穴.②寬勢(shì)阱中:

(激子玻爾半徑)

激子整體局域.激子:低能情況下,激子以機(jī)制①方式局域.隨著能量增加,激子以機(jī)制②方式局域,直至ME.在ME之上為擴(kuò)展態(tài)激子(性質(zhì)接近有序材料中自由粒子).●由于基態(tài)顯著的非均勻加寬,故激子難以觀察到.●由于重粒子容易局域,因此在混合陰離子的離子鍵半導(dǎo)體材料,如說(shuō)明:●只要尾參數(shù)比能隙小得多,仍然可以用有效質(zhì)量近似描述局域態(tài)激子.中激子比混合陽(yáng)離子的離子鍵中激子更容易●在共價(jià)鍵半導(dǎo)體材料中,導(dǎo)帶和價(jià)帶共同產(chǎn)生局域激子,如α-Si,中電子與空穴的質(zhì)量相對(duì)較低,因此局域激子困難,即尾參數(shù)和態(tài)密度都小.有效質(zhì)量意味著半導(dǎo)體

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