MOOC 微電子制造工藝-北京信息職業(yè)技術學院 中國大學慕課答案

MOOC微電子制造工藝-北京信息職業(yè)技術學院中國大學慕課答案第一章測驗1、問題：第一個鍺晶體管是（）年發(fā)明選項：A、1946B、1947C、1957D、1958正確答案:【1947】2、問題：集成電路的英文簡稱為（）。選項：A、ICB、MCUC、LCCD、MIC正確答案:【IC】3、問題：8英寸硅片的直徑大約（）mm。選項：A、150B、200C、300D、450正確答案:【200】4、問題：微電子學的核心是集成電路。選項：A、正確B、錯誤正確答案:【正確】5、問題：集成電路按器件結構分主要可分為：雙極型集成電路、MOS集成電路和BiCMOS集成電路等。選項：A、正確B、錯誤正確答案:【錯誤】6、問題：納米是長度的單位，1納米為1微米的1000倍。選項：A、正確B、錯誤正確答案:【錯誤】7、問題：CD(CriticalDimension)是集成電路中半導體器件的最小尺寸，是衡量集成電路設計和制造水平的重要尺度。選項：A、正確B、錯誤正確答案:【正確】8、問題：集成電路是通過一系列特定的加工工藝，將晶體管等元器件按照一定的電路互連，“集成”在一塊半導體單晶片上，封裝在一個外殼內，執(zhí)行特定電路或系統(tǒng)功能的復雜電子系統(tǒng)。選項：A、正確B、錯誤正確答案:【正確】9、問題：集成電路按器件結構分主要可分為：雙極型集成電路、MOS集成電路和BiCMOS集成電路等。選項：A、正確B、錯誤正確答案:【錯誤】10、填空題：摩爾定律指出集成電路的晶體管的集成度每_____個月翻一番。正確答案:【18##%_YZPRLFH_%##十八】第二章測驗1、問題：1000級的概念是每立方英尺空氣中所含的直徑大于0.5微米的顆粒數不大于（）個。選項：A、10B、100C、1000D、10000正確答案:【1000】2、問題：高效過濾器的英文簡稱是（）。選項：A、LEPAB、HEPAC、MICD、DHF正確答案:【HEPA】3、問題：過氧化氫和堿組成的1號標準清洗液簡稱是（）。選項：A、DHFB、SPM-1C、SC-1D、HPM正確答案:【SC-1】4、問題：中效過濾器主要濾除大于（）um的塵粒。選項：A、10B、5C、1D、0.3正確答案:【1】5、問題：塵埃的測量方法有（）、（）、（）。選項：A、重量法B、四探針法C、過濾法D、計數法正確答案:【重量法#過濾法#計數法】6、問題：吸煙不會產生塵埃。選項：A、正確B、錯誤正確答案:【錯誤】7、問題：風淋室可保證進入潔凈室人員進行人身潔凈和防止室外空氣侵入。選項：A、正確B、錯誤正確答案:【正確】8、問題：亂流潔凈室比單向流潔凈室潔凈度高。選項：A、正確B、錯誤正確答案:【錯誤】9、問題：潔凈度是用每立方英尺空氣中所含的直徑大于0.5微米的顆粒數來衡量。選項：A、正確B、錯誤正確答案:【正確】10、填空題：10000級是指每立方英尺空氣中，0.5um大小塵埃的個數不超過10000顆≈______個/升。（四舍五入取整，1立方英尺=28.3168升）正確答案:【353】第三章半導體材料1作業(yè)1、問題：摻入B元素的半導體為（）型半導體選項：A、PB、NC、本征半導體D、中性半導體正確答案:【P】2、問題：下列半導體屬于第三代半導體的是（）。選項：A、硅B、鍺C、砷化鎵D、氮化鎵正確答案:【氮化鎵】3、問題：半導體行業(yè)最常用的半導體材料是（）。選項：A、氮化鎵B、石墨烯C、硅D、砷化鎵正確答案:【硅】4、問題：摻入P元素的半導體為（）型半導體。選項：A、PB、NC、中性半導體D、本征半導體正確答案:【N】5、問題：面心立方晶胞原子的個數是（）。選項：A、1B、2C、4D、8正確答案:【4】6、問題：硅的晶體結構是（）形狀。選項：A、四面體結構B、無定形結構C、六面體結構D、平面結構正確答案:【四面體結構】7、問題：硅晶體內部的空間利用率是（）。選項：A、24%B、34%C、44%D、66%正確答案:【34%】8、問題：最常用的形成N型半導體的雜質有（）()和（）。選項：A、SbB、BC、AsD、P正確答案:【Sb#As#P】9、問題：從半導體制造來講，晶圓中用的最廣的晶體的晶向是（）。選項：A、000B、100C、110D、111正確答案:【100#110#111】10、問題：價帶中含有的電子數量決定材料的導電性。選項：A、正確B、錯誤正確答案:【錯誤】11、問題：由于電子的有效質量小于空穴的有效質量，因而電子的遷移率比空穴的大。選項：A、正確B、錯誤正確答案:【正確】12、問題：P型半導體主要靠空穴導電。選項：A、正確B、錯誤正確答案:【正確】13、問題：100晶向垂直于100晶面。選項：A、正確B、錯誤正確答案:【正確】14、問題：多晶的特點是長程有序，短程無序選項：A、正確B、錯誤正確答案:【錯誤】第三章半導體材料2作業(yè)1、問題：電子級純的多晶硅的純度為（）。選項：A、99.9999999%B、99.9999%C、99%D、99.9%正確答案:【99.9999999%】2、問題：工業(yè)上最常用的多晶硅制備方法是（）。選項：A、直拉法B、沉積法C、區(qū)熔法D、三氯氫硅的氫還原法正確答案:【三氯氫硅的氫還原法】3、問題：單晶硅的電阻率測試采用（）。選項：A、熱探針法B、懸浮區(qū)熔法C、直流光電導衰減法D、四探針法正確答案:【四探針法】4、問題：多晶硅變成單晶硅需要具備以下（）條件。選項：A、要有排列標準B、低溫環(huán)境C、原子具有一定的動能，以便重新排列D、排列好的原子能穩(wěn)定下來正確答案:【要有排列標準#原子具有一定的動能，以便重新排列#排列好的原子能穩(wěn)定下來】5、問題：硅材料的缺陷主要有（）。選項：A、體缺陷B、面缺陷C、點缺陷D、線缺陷正確答案:【體缺陷#面缺陷#點缺陷#線缺陷】6、問題：溫度升高會使點缺陷的平衡濃度增加。選項：A、正確B、錯誤正確答案:【正確】7、問題：刃型位錯是位錯線與原子滑移方向相平行。選項：A、正確B、錯誤正確答案:【錯誤】8、問題：如果摻入雜質的失配因子較大，晶格將會發(fā)生畸變。選項：A、正確B、錯誤正確答案:【正確】9、問題：晶體在（110）方向上腐蝕速度最快。選項：A、正確B、錯誤正確答案:【正確】10、問題：肖特基缺陷的特點是空位與填隙原子成對出現。選項：A、正確B、錯誤正確答案:【錯誤】第四章硅平面工藝流程作業(yè)1、問題：MOS的中文含義是（）。選項：A、硅襯底B、多晶硅C、雙極型D、金屬氧化物半導體正確答案:【金屬氧化物半導體】2、問題：LDD的中文含義是（）。選項：A、輕摻雜源漏B、局部場氧化C、淺溝槽隔離D、側墻掩蔽正確答案:【輕摻雜源漏】3、問題：雙極型集成電路制造過程中包括（）等基本工藝。選項：A、氧化B、擴散C、光刻D、摻雜正確答案:【氧化#擴散#光刻#摻雜】4、問題：PMOS管的3個電極分別是（）。選項：A、源極B、基極C、漏極D、柵極正確答案:【源極#漏極#柵極】5、問題：制作PN結最早采用的是硅平面工藝法。選項：A、正確B、錯誤正確答案:【錯誤】6、問題：重摻雜用于外延的單晶襯底。選項：A、正確B、錯誤正確答案:【正確】7、問題：阱是在襯底上形成的、摻雜類型與襯底相同的區(qū)域。選項：A、正確B、錯誤正確答案:【錯誤】8、問題：淺溝槽隔離屬于PN結隔離方式。選項：A、正確B、錯誤正確答案:【錯誤】9、問題：Bi-CMOS是同時包括雙極和MOS管的集成電路。選項：A、正確B、錯誤正確答案:【正確】10、問題：局部場氧化工藝的缺陷是在氮化硅下面的氧化物生長形成鳥嘴形狀。選項：A、正確B、錯誤正確答案:【正確】第五章薄膜制備1測驗1、問題：要產生1000埃厚度的二氧化硅，需要消耗（）厚度的硅。選項：A、1000埃B、440埃C、560埃D、2200埃正確答案:【440?！?、問題：以下（）選項不屬于摻氯氧化的功能。選項：A、界面處的氯能降低固定氧化物電荷B、界面處的氯對Na+俘獲和中性化C、氧化速率比在純氧中低D、摻氯氧化能抑制氧化層錯正確答案:【氧化速率比在純氧中低】3、問題：下面氧化方式中（）氧化方式的氧化速率最快。選項：A、干氧氧化B、濕氧氧化C、低壓氧化D、水汽氧化正確答案:【水汽氧化】4、問題：增加熱氧化速率的方法有（）。選項：A、增加氧化劑壓力B、提高溫度C、進行摻雜D、選用合適的氧化方法，例如濕氧氧化正確答案:【增加氧化劑壓力#提高溫度#進行摻雜#選用合適的氧化方法，例如濕氧氧化】5、問題：二氧化硅厚度的測試方法有（）。選項：A、比色法B、光學干涉法C、橢偏法D、四探針法正確答案:【比色法#光學干涉法#橢偏法】6、問題：氧化層表面的缺陷有（）。選項：A、斑點B、裂紋C、白霧D、層錯正確答案:【斑點#裂紋#白霧】7、問題：根據氧化劑的不同，熱氧化可分為（）。選項：A、干氧氧化B、水汽氧化C、濕氧氧化D、摻氯氧化正確答案:【干氧氧化#水汽氧化#濕氧氧化#摻氯氧化】8、問題：橋聯氧原子濃度越高，網絡的強度越強。選項：A、正確B、錯誤正確答案:【正確】9、問題：熱氧化反應一般發(fā)生在硅和二氧化硅的界面。選項：A、正確B、錯誤正確答案:【正確】10、問題：熱氧化的速率與晶圓的晶向有關，但與氧化劑壓力無關。選項：A、正確B、錯誤正確答案:【錯誤】11、問題：摻氯氧化可以減少氧化層錯堆垛，吸附鈉離子。選項：A、正確B、錯誤正確答案:【正確】12、問題：氧化速率隨著氧化層厚度的增加（氧化時間的增加）而下降。選項：A、正確B、錯誤正確答案:【正確】13、問題：二氧化硅是一種介質材料，具有一定的導電性。選項：A、正確B、錯誤正確答案:【錯誤】14、問題：氧化層有兩個生長階段來描述，分別是線性階段和拋物線階段。選項：A、正確B、錯誤正確答案:【正確】15、問題：利用不同厚度的SiO2膜對白光反射得到不同的干涉色彩的現象可以判斷膜厚。選項：A、正確B、錯誤正確答案:【正確】第五章薄膜制備1作業(yè)1、問題：熱氧化0.6μm氧化層，硅片增厚了（）μm。選項：A、0.264B、0.336C、0.936D、0.864正確答案:【0.336】2、問題：線性速率常數是（）。選項：A、BB、AC、B/AD、A/B正確答案:【B/A】3、問題：氧化層密度排序：干氧濕氧水汽選項：A、正確B、錯誤正確答案:【正確】4、問題：比色法比橢偏法測量精度高。選項：A、正確B、錯誤正確答案:【錯誤】5、問題：在線性階段，(111)晶向的氧化速率將比(100)晶向稍慢。選項：A、正確B、錯誤正確答案:【錯誤】第五章薄膜制備2作業(yè)1、問題：通過氣態(tài)物質的化學反應在晶圓表面淀積一層固態(tài)薄膜的工藝稱為（）。選項：A、化學氣相淀積B、物理氣相淀積C、等離子淀積D、熱氧化正確答案:【化學氣相淀積】2、問題：LPCVD的含義是（）。選項：A、常壓化學氣相淀積B、低壓化學氣相淀積C、等離子體化學氣相淀積D、光化學氣相淀積正確答案:【低壓化學氣相淀積】3、問題：薄膜的生長包括（）（）（）（）。選項：A、島生長B、連續(xù)成膜C、晶核形成D、橋聯正確答案:【島生長#連續(xù)成膜#晶核形成#橋聯】4、問題：介質薄膜有（）。選項：A、SiO2B、Si3N4C、SiD、GaAs正確答案:【SiO2#Si3N4】5、問題：薄膜是指某一維尺寸遠小于另外兩維上尺寸的固體物質。選項：A、正確B、錯誤正確答案:【正確】6、問題：薄膜淀積時，襯底不要求是單晶的。選項：A、正確B、錯誤正確答案:【正確】7、問題：CVD是利用某種物理過程，例如蒸發(fā)或者濺射現象實現物質的轉移，即原子或分子由源轉移到襯底（硅）表面上，并淀積成薄膜。選項：A、正確B、錯誤正確答案:【錯誤】8、問題：如果hgks，CVD速率對溫度特別敏感。選項：A、正確B、錯誤正確答案:【正確】9、問題：二氧化硅薄膜只能采用APCVD方法制備。選項：A、正確B、錯誤正確答案:【錯誤】10、問題：如果hgks，CVD速率受質量輸運控制。選項：A、正確B、錯誤正確答案:【正確】第五章薄膜制備3作業(yè)1、問題：TEOS的中文含義是（）。選項：A、磷硅玻璃B、硼磷硅玻璃C、正硅酸乙酯D、硼酸三甲酯正確答案:【正硅酸乙酯】2、問題：CVD多晶硅薄膜的硅源是（）。選項：A、硅烷B、二氯硅烷C、TEOSD、氮化硅正確答案:【硅烷】3、問題：金屬鎢的CVD方法中要用到的氣體源是（）。選項：A、SiH4B、WF6C、金屬鎢D、SiF4正確答案:【WF6】4、問題：以氣相形式輸運至襯底，在高溫下分解或發(fā)生化學反應，在單晶襯底上生長出與襯底取向一致的外延稱為（）。選項：A、氣相外延B、液相外延C、固相外延D、分子束外延正確答案:【氣相外延】5、問題：氮化硅的CVD制備方法有（）。選項：A、APCVDB、LPCVDC、PECVDD、LCVD正確答案:【LPCVD#PECVD】6、問題：外延層測量電阻率的方法有（）。選項：A、三探針法B、四探針法C、電容-電壓法D、層錯法正確答案:【三探針法#四探針法#電容-電壓法】7、問題：分子束外延能生長極薄外延層，厚度可薄至?量級。選項：A、正確B、錯誤正確答案:【正確】8、問題：異質外延存在晶格失配的問題。選項：A、正確B、錯誤正確答案:【正確】9、問題：外延時要求襯底必須是單晶的。選項：A、正確B、錯誤正確答案:【正確】10、問題：Si3N4可以掩蔽Ga、In、ZnO。選項：A、正確B、錯誤正確答案:【正確】第五章薄膜制備4作業(yè)1、問題：通過加熱，使待淀積的金屬原子獲得足夠的能量，脫離金屬表面蒸發(fā)出來，在飛行途中遇到硅片，就淀積在硅表面，形成金屬薄膜，該工藝過程是（）。選項：A、CVDB、氧化C、蒸鍍D、濺射正確答案:【蒸鍍】2、問題：1Torr等于（）Pa。。選項：A、133B、760C、1/760D、1.33正確答案:【133】3、問題：蒸鍍的方式除了電阻絲加熱蒸鍍還有（）蒸鍍方式。選項：A、MOCVDB、電子束蒸鍍C、VPED、MBE正確答案:【電子束蒸鍍】4、問題：鋁的蒸發(fā)溫度是1250℃，這時它的平衡蒸汽壓是（）Pa。選項：A、1.33B、133C、1torrD、760正確答案:【1.33】5、問題：真空蒸鍍成膜的過程是包括：（）。選項：A、吸附B、成核C、連片D、生長正確答案:【吸附#成核#連片#生長】6、問題：真空蒸鍍臺階覆蓋特性的改善方法有（）。選項：A、襯底加熱B、襯底旋轉C、襯底支架設計為半球形D、襯底靜止正確答案:【襯底加熱#襯底旋轉#襯底支架設計為半球形】7、問題：下面（）薄膜制備方法是PVD。選項：A、蒸鍍B、VPEC、磁控濺射D、MOCVD正確答案:【蒸鍍#磁控濺射】8、問題：PVD是物理過程，淀積的薄膜臺階覆蓋差，適合淀積金屬。選項：A、正確B、錯誤正確答案:【正確】9、問題：電離規(guī)用于低真空度測量。選項：A、正確B、錯誤正確答案:【錯誤】10、問題：磁控濺射可以提高氬氣的離化率，并將二次電子束縛在靶周圍的區(qū)域，提高濺射的效率。選項：A、正確B、錯誤正確答案:【正確】第六章光刻技術1作業(yè)1、問題：傳統(tǒng)常規(guī)的光刻的光源最主要采用的是（）。選項：A、電子束B、紫外光C、X射線D、紅外光正確答案:【紫外光】2、問題：光刻工藝是按照下列（）流程順序進行操作。選項：A、氣相成底膜、涂膠、軟烘、曝光、堅膜、顯影、刻蝕、檢查B、氣相成底膜、軟烘、涂膠、曝光、堅膜、顯影、刻蝕、檢查C、氣相成底膜、涂膠、軟烘、曝光、顯影、堅膜、檢查、刻蝕D、氣相成底膜、涂膠、軟烘、曝光、顯影、堅膜、刻蝕、檢查正確答案:【氣相成底膜、涂膠、軟烘、曝光、顯影、堅膜、刻蝕、檢查】3、問題：光刻技術中的紫外光源主要包括（）。選項：A、準分子激光B、紅外線C、X射線D、汞燈正確答案:【準分子激光#汞燈】4、問題：光刻的目的是將電路圖形轉移到覆蓋于硅片表面的光刻膠上。選項：A、正確B、錯誤正確答案:【正確】5、問題：涂膠前處理（加HMDS）是為了去除粘附在硅片表面的塵埃。選項：A、正確B、錯誤正確答案:【錯誤】第六章光刻技術1測驗1、問題：軟烘的溫度是（）℃。選項：A、60~80B、90~100C、120~140D、150~160正確答案:【90~100】2、問題：氣相成底膜的工藝步驟是：①硅片清洗、②硅片成底膜、③脫水烘焙，以下選項排列正確的是（）。選項：A、①②③B、①③②C、②①③D、③①②正確答案:【①③②】3、問題：哪個是表征光刻精度的性能指標，它不僅與光刻膠本身有關，還與光刻工藝條件和操作技術等因素有關（）。選項：A、靈敏度B、分辨率C、粘附性D、抗蝕性正確答案:【分辨率】4、問題：哪個是表征光刻膠對光敏感度的性能指標（）。選項：A、靈敏度B、分辨率C、粘附性D、抗蝕性正確答案:【靈敏度】5、問題：涂膠的基本步驟包括：a旋轉鋪開、b溶劑揮發(fā)、c分滴、d旋轉甩掉多余的膠，請選出正確的涂膠順序（）。選項：A、cbadB、cadbC、cdbaD、cdab正確答案:【cadb】6、問題：光刻膠由（）組成。選項：A、樹脂B、感光劑C、溶劑D、HMDS正確答案:【樹脂#感光劑#溶劑】7、問題：負性光刻后，與掩膜版上圖形相同的圖形復制到硅片表面。選項：A、正確B、錯誤正確答案:【錯誤】8、問題：涂膠前處理（加HMDS）是為了提高光刻膠粘附力的作用。選項：A、正確B、錯誤正確答案:【正確】9、問題：在涂膠工藝中膠的厚度可以通過旋涂的速度來控制。選項：A、正確B、錯誤正確答案:【正確】10、問題：軟烘的目的是蒸發(fā)掉膠中的有機溶劑成分，使硅片表面的膠固化。選項：A、正確B、錯誤正確答案:【正確】第六章光刻技術2作業(yè)1、問題：套準容差大約是關鍵尺寸的（）。選項：A、1/2B、1/3C、1/4D、1/5正確答案:【1/3】2、問題：已知k=0.6，NA=0.45，λ=193nm，則分辨率R等于（）。選項：A、257nmB、193nmC、145nmD、476nm正確答案:【257nm】3、問題：準分子激光器的材料為KrF時，產生波長是（）nm。選項：A、157B、193C、248D、365正確答案:【248】4、問題：光刻工藝曝光的光源有（）。選項：A、汞燈B、準分子激光C、白熾燈D、日光燈正確答案:【汞燈#準分子激光】5、問題：影響分辨率的參數有（）。選項：A、波長B、數值孔徑C、工藝因子D、焦平面正確答案:【波長#數值孔徑#工藝因子】6、問題：光學增強技術包括（）。選項：A、PSMB、OPCC、OAID、添加襯線正確答案:【PSM#OPC#OAI#添加襯線】7、問題：數值孔徑用來衡量透鏡收集衍射光的能力。選項：A、正確B、錯誤正確答案:【正確】8、問題：焦深增大會導致分辨率減小。選項：A、正確B、錯誤正確答案:【正確】9、問題：接觸式光刻機容易導致掩膜版損壞，但可一次完成曝光。選項：A、正確B、錯誤正確答案:【正確】10、問題：I線光刻膠曝光后烘焙的目的是提高粘附性并減少駐波。選項：A、正確B、錯誤正確答案:【正確】第七章摻雜技術1作業(yè)1、問題：選項：A、圖（a）是恒定源擴散，圖（b）限定源擴散B、圖（a）、（b）都是限定源擴散C、圖（a）是限定源擴散，圖（b）恒定源擴散D、圖（a）、（b）都是恒定源擴散正確答案:【圖（a）、（b）都是限定源擴散】2、問題：2、擴散摻雜，擴散區(qū)要比掩膜窗口尺寸____，這是____效應引起的，它直接影響超大規(guī)模集成電路的集成度。選項：A、小，橫向擴散B、大，場助擴散C、大，橫向擴散D、大，氧化增強正確答案:【大，橫向擴散】3、問題：方塊電阻的測量方法是（）。選項：A、四探針法B、熱探針法C、三探針法D、光電導衰減法正確答案:【四探針法】4、問題：替位式擴散的雜質原子一般與硅原子的直徑差不多，因此擴散的速度（）。選項：A、較快B、適中C、較慢D、很快正確答案:【較慢】5、問題：方塊電阻的單位是（）。選項：A、1/(Ω.cm)B、Ω.cmC、mΩ/□D、Ω/□正確答案:【Ω/□】6、問題：遵循在擴散過程中外界始終提供雜質源，硅片表面濃度恒定規(guī)律的擴散方法稱之為（）。選項：A、限定源表面擴散B、兩步擴散法（包括預擴散和住擴散）C、恒定源表面擴散D、自由式擴散正確答案:【恒定源表面擴散】7、問題：根據擴散雜質在晶格中的位置不同，將擴散分為（）。選項：A、填隙式擴散B、替位式擴散C、有限源擴散D、恒定源擴散正確答案:【填隙式擴散#替位式擴散】8、問題：熱擴散的條件是（）。選項：A、籽晶B、濃度梯度C、溫度D、雜質原子正確答案:【濃度梯度#溫度】9、問題：擴散的目的是通過定域、定量擴散摻雜改變半導體導電類型、電阻率、或形成PN結。選項：A、正確B、錯誤正確答案:【正確】10、問題：氣態(tài)雜質源多為雜質的氫化物或者鹵化物，這些氣體的毒性很大，且易燃易爆，操作上要十分小心。選項：A、正確B、錯誤正確答案:【正確】第七章摻雜技術2作業(yè)1、問題：以下關于離子注入優(yōu)點的選項中，（）的說話是錯誤的。選項：A、離子注入能夠重復控制雜質的濃度和深度，因而在幾乎所有應用中都優(yōu)于擴散。B、注入雜質的純度高，屬于低溫工藝C、橫向擴散現象很小D、很好的雜質均勻性正確答案:【離子注入能夠重復控制雜質的濃度和深度，因而在幾乎所有應用中都優(yōu)于擴散?！?、問題：抑制離子注入過程中的溝道效應的措施有（）。選項：A、提高離子注入的速度B、襯底的預非晶化處理（破壞表面結晶層）C、偏轉注入或傾斜硅片D、在襯底表面制作掩膜氧化薄層（非結晶材料），使入射離子進入硅晶體前無序化正確答案:【襯底的預非晶化處理（破壞表面結晶層）#偏轉注入或傾斜硅片#在襯底表面制作掩膜氧化薄層（非結晶材料），使入射離子進入硅晶體前無序化】3、問題：離子注入設備主要包括以下（）組成部分。選項：A、離子源B、加速管C、掃描系統(tǒng)和終端靶室D、吸收電極（即吸極）和質量分析器正確答案:【離子源#加速管#掃描系統(tǒng)和終端靶室#吸收電極（即吸極）和質量分析器】4、問題：離子注入最主要的缺點是（）。選項：A、溝道效應（或通道效應）存在B、高溫工藝C、會對晶體結構產生損傷D、離子注入設備復雜且昂貴正確答案:【溝道效應（或通道效應）存在#會對晶體結構產生損傷#離子注入設備復雜且昂貴】5、問題：離子注入是一個物理過程，不發(fā)生化學反應。選項：A、正確B、錯誤正確答案:【正確】第七章摻雜技術2測驗1、問題：能夠挑選出唯一需要注入離子的部分是（）。選項：A、離子源B、磁分析器C、聚焦系統(tǒng)D、掃描系統(tǒng)正確答案:【磁分析器】2、問題：磁分析器挑選出來的離子，為了達到所需要的能量，通過要經過（）。選項：A、聚焦系統(tǒng)B、加速器或者加速管C、偏轉系統(tǒng)D、掃描系統(tǒng)正確答案:【加速器或者加速管】3、問題：離子注入過程中，離子穿入硅片的總距離，稱為（）。選項：A、投影射程B、離子射程C、橫向射程D、標準偏差正確答案:【離子射程】4、問題：空間電荷中和解決了（）問題。選項：A、離子束膨脹B、中性束流陷阱C、硅片充電D、電子碰撞正確答案:【離子束膨脹】5、問題：能夠使注入的離子偏轉，中性原子被收集的是（）。選項：A、磁分析器B、中性束流陷阱C、加速管D、掃描系統(tǒng)正確答案:【中性束流陷阱】6、問題：離子注入后，雜質的濃度分布基本符合（）。選項：A、拋物線性函數B、高斯函數C、余誤差函數D、線性函數正確答案:【高斯函數】7、問題：作為摻雜的幾種方式中，適合低溫工藝并不受固溶度限制的是（）。選項：A、離子注入B、合金法C、生長法D、擴散正確答案:【離子注入】8、問題：退火的作用是（）。選項：A、抑制鳥嘴效應B、抑制溝道效應C、激活雜質D、修復晶格損傷正確答案:【激活雜質#修復晶格損傷】9、問題：離子注入通過掃描系統(tǒng)時，必須注意硅片表面的充電情況，因為它導致電荷積累，會氧化層發(fā)生擊穿現象。選項：A、正確B、錯誤正確答案:【正確】10、問題：離子注入與擴散工藝相比，具有很好的均勻性，注入雜質純度比較高，并且雜質濃度更容易控制。選項：A、正確B、錯誤正確答案:【正確】第八章金屬化與平坦作業(yè)1、問題：雙大馬士革工藝中，采用（）代替刻蝕。選項：A、CMPB、CVDC、PVDD、SOG（旋涂膜層）正確答案:【CMP】2、問題：平坦化時，先填充一層犧牲材料，再進行高處刻蝕的方法是（）。選項：A、SOGB、CMPC、高溫回流D、反刻正確答案:【反刻】3、問題：采用離心力來填充圖形地處，溫度比較低，能夠獲得表面形貌的平滑效果的平坦化技術是（）。選項：A、CMPB、反刻C、SOGD、高溫回流正確答案:【SOG】4、問題：下列選項中（）不屬于傳統(tǒng)平坦化技術范疇。選項：A、反刻B、玻璃回流C、旋涂膜層D、CMP正確答案:【CMP】5、問題：IC采用鋁互連系統(tǒng)時，下列（）（）方法可以避免Al-Si的尖楔現象。選項：A、在淀積的鋁膜中摻入約1%的Au；B、在淀積的鋁膜中摻入約1%的Si；C、在淀積鋁之前先淀積一層阻擋層；D、在鋁膜表面覆蓋Si3N4。正確答案:【在淀積的鋁膜中摻入約1%的Si；#在淀積鋁之前先淀積一層阻擋層；】6、問題：CMP工藝中，常用的終點檢測方法有（）。選項：A、電動機電流終點檢測B、顯微鏡終點檢測C、四探針法終點檢測D、光學干涉終點檢測正確答案:【電動機電流終點檢測#光學干涉終點檢測】7、問題：反刻是一種傳統(tǒng)的平坦化技術，它能夠實現全局平坦化。選項：A、正確B、錯誤正確答案:【錯誤】8、問題：CMP后要進行清洗，主要采用去離子水進行沖洗。選項：A、正確B、錯誤正確答案:【正確】9、問題：CMP既有機械研磨又有化學作用。選項：A、正確B、錯誤正確答案:【正確】10、問題：平坦化就是一種去除表面凹凸，使晶片表面保持平整平坦的工藝。選項：A、正確B、錯誤正確答案:【正確】階段考試1（第一章~第三章）1、問題：8英寸硅片的直徑大約（）mm。選項：A、450B、300C、200D、150正確答案:【200】2、問題：第一塊集成電路（）年發(fā)明。選項：A、1946B、1947C、1957D、1958正確答案:【1958】3、問題：過氧化氫和堿組成的1號標準清洗液簡稱是（）。選項：A、DHFB、SPM-1C、SC-1D、HPM正確答案:【SC-1】4、問題：1000級的概念是每立方英尺空氣中所含的直徑大于0.5微米的顆粒數不大于（）個。選項：A、10000B、1000C、100D、10正確答案:【1000】5、問題：下列半導體屬于第三代半導體的是（）。選項：A、硅B、鍺C、氮化鎵D、砷化鎵正確答案:【氮化鎵】6、問題：摻入P元素的半導體為（）型半導體選項：A、NB、PC、本征半導體D、中性半導體正確答案:【N】7、問題：高效過濾器的英文簡稱是（）。選項：A、LEPAB、DHFC、MICD、HEPA正確答案:【HEPA】8、問題：體心立方晶胞原子的個數是（）。選項：A、1B、2C、4D、8正確答案:【2】9、問題：當前，單晶硅的制備中85%左右都是采用（）。選項：A、還原法B、氧化法C、FZ法D、CZ法正確答案:【CZ法】10、問題：工業(yè)上最常用的多晶硅制備方法是（）。選項：A、直拉法B、沉積法C、區(qū)熔法D、三氯氫硅的氫還原法正確答案:【三氯氫硅的氫還原法】11、問題：塵埃的測量方法有（）。選項：A、重量法B、過濾法C、四探針法D、計數法正確答案:【重量法#過濾法#計數法】12、問題：從半導體制造來講，晶圓中用的最廣的晶體的晶向是（）。選項：A、111B、110C、100D、000正確答案:【111#110#100】13、問題：最常用的形成N型半導體的雜質有（）。選項：A、SbB、BC、AsD、P正確答案:【Sb#As#P】14、問題：多晶硅變成單晶硅需要具備以下（）條件。選項：A、要有排列標準B、低溫環(huán)境C、原子具有一定的動能，以便重新排列D、排列好的原子能穩(wěn)定下來正確答案:【要有排列標準#原子具有一定的動能，以便重新排列#排列好的原子能穩(wěn)定下來】15、問題：單晶硅的單參數測試包括（）。選項：A、導電類型B、少子壽命C、載流子遷移率D、電阻率正確答案:【導電類型#少子壽命#載流子遷移率#電阻率】16、問題：微電子是研究電子在半導體和集成電路中的物理現象、物理規(guī)律及其應用的學科。選項：A、正確B、錯誤正確答案:【正確】17、問題：CD(CriticalDimension)是集成電路中半導體器件的最小尺寸，是衡量集成電路設計和制造水平的重要尺度。選項：A、正確B、錯誤正確答案:【正確】18、問題：亂流潔凈室比單向流潔凈室潔凈度高。選項：A、正確B、錯誤正確答案:【錯誤】19、問題：由于電子的有效質量小于空穴的有效質量，因而電子的遷移率比空穴的小。選項：A、正確B、錯誤正確答案:【錯誤】20、問題：單晶生長過程中使用到的籽晶的作用是作為排列的標準。選項：A、正確B、錯誤正確答案:【正確】階段測驗21、問題：MOS的中文含義是（）。選項：A、硅襯底B、多晶硅C、雙極型D、金屬氧化物半導體正確答案:【金屬氧化物半導體】2、問題：LDD的中文含義是（）。選項：A、輕摻雜源漏B、局部場氧化C、淺溝槽隔離D、側墻掩蔽正確答案:【輕摻雜源漏】3、問題：要產生1000埃厚度的二氧化硅，需要消耗（）厚度的硅。選項：A、1000埃B、440埃C、560埃D、2200埃正確答案:【440?！?、問題：以下（）選項不屬于摻氯氧化的功能。選項：A、界面處的氯能降低固定氧化物電荷B、界面處的氯對Na+俘獲和中性化C、氧化速率比在純氧中低D、摻氯氧化能抑制氧化層錯正確答案:【氧化速率比在純氧中低】5、問題：下面氧化方式中（）氧化方式的氧化速率最快。選項：A、干氧氧化B、濕氧氧化C、低壓氧化D、水汽氧化正確答案:【水汽氧化】6、問題：熱氧化法生成二氧化硅線性速率常數是（）。選項：A、BB、AC、B/AD、A/B正確答案:【B/A】7、問題：通過氣態(tài)物質的化學反應在晶圓表面淀積一層固態(tài)薄膜的工藝稱為（）。選項：A、化學氣相淀積B、物理氣相淀積C、等離子淀積D、熱氧化正確答案:【化學氣相淀積】8、問題：CVD多晶硅薄膜的硅源是（）。選項：A、硅烷B、二氯硅烷C、TEOSD、氮化硅正確答案:【硅烷】9、問題：PECVD的含義是（）。選項：A、低壓化學氣相淀積B、常壓化學氣相淀積C、等離子體增強化學氣相淀積D、光化學氣相淀積正確答案:【等離子體增強化學氣相淀積】10、問題：以氣相形式輸運至襯底，在高溫下分解或發(fā)生化學反應，在單晶襯底上生長出與襯底取向一致的外延稱為（）。選項：A、氣相外延B、液相外延C、分子束外延D、固相外延正確答案:【氣相外延】11、問題：增加熱氧化速率的方法有（）。選項：A、增加氧化劑壓力B、提高溫度C、進行摻雜D、選用合適的氧化方法，例如濕氧氧化正確答案:【增加氧化劑壓力#提高溫度#進行摻雜#選用合適的氧化方法，例如濕氧氧化】12、問題：雙極型集成電路制造過程中包括（）等基本工藝。選項：A、氧化B、擴散C、光刻D、摻雜正確答案:【氧化#擴散#光刻#摻雜】13、問題：氧化層表面的缺陷有哪些？選項：A、斑點B、裂紋C、層錯D、白霧正確答案:【斑點#裂紋#白霧】14、問題：外延層厚度的測量方法有（）。選項：A、稱重法B、層錯法C、磨角法D、紅外干涉法正確答案:【稱重法#層錯法#磨角法#紅外干涉法】15、問題：可用于制備二氧化硅薄膜的CVD方法有哪些？選項：A、APCVDB、LPCVDC、LCVDD、PECVD正確答案:【APCVD#LPCVD#PECVD】16、問題：阱是在襯底上形成的、摻雜類型與襯底相同的區(qū)域。選項：A、正確B、錯誤正確答案:【錯誤】17、問題：局部場氧化工藝的缺陷是在氮化硅下面的氧化物生長形成鳥嘴形狀。選項：A、正確B、錯誤正確答案:【正確】18、問題：熱氧化反應一般發(fā)生在硅和二氧化硅的界面。選項：A、正確B、錯誤正確答案:【正確】19、問題：薄膜淀積時，襯底必須是單晶的。選項：A、正確B、錯誤正確答案:【錯誤】20、問題：如果hgks，CVD速率受質量輸運控制。選項：A、正確B、錯誤正確答案:【正確】階段考試31、問題：通過加熱，使待淀積的金屬原子獲得足夠的能量，脫離金屬表面蒸發(fā)出來，在飛行途中遇到硅片，就