常用電子器件

關(guān)于常用電子器件1、電阻的單位：國際單位為歐姆（Ω）。常用單位有：MΩ,KΩ,mΩ,μΩ.

2、電阻按材料分可分成以下幾類：

a、碳膜電阻

b、金屬膜電阻主要是小功率1.1電阻1常用電子半導(dǎo)體器件第2頁,共36頁，2024年2月25日，星期天c、

繞線電阻d、

水泥電阻大功率第3頁,共36頁，2024年2月25日，星期天第4頁,共36頁，2024年2月25日，星期天

B.

標(biāo)準(zhǔn)功率：

W,W,W,W,1W,2W,5W,50W,100W.

C.

精度：（1%，5%）繞線電阻有0.1%精度1.0，1.2，1.5，1.8，2.0，2.2，2.4，2.7，3.0，3.3，3.6，3.9，4.3，4.7，5.0，5.1，5.6，6.2，6.8，7.5，8.2，9.10。A.標(biāo)稱阻值。如：1Ω，10KΩ.第5頁,共36頁，2024年2月25日，星期天1.2電容器1.電容器的符號

第6頁,共36頁，2024年2月25日，星期天2.電容單位3.電容器分類：

a、瓷片電容，有高壓低壓之分，高壓瓷片可做成幾萬伏耐壓。

b、CBB電容（金屬化薄膜電容，高低壓均有）第7頁,共36頁，2024年2月25日，星期天

c、獨(dú)石電容

d、鉭電容

低壓e、鋁電解電容第8頁,共36頁，2024年2月25日，星期天貼片元器件貼片鉭電容貼片鋁電解電容電容第9頁,共36頁，2024年2月25日，星期天穿心電容第10頁,共36頁，2024年2月25日，星期天4、電容元件的主要技術(shù)參數(shù)

a、標(biāo)稱容量,如:電解電容100μF/25V,

1.0，1.2，1.5，1.8，2.2，2.7，3.3，3.6，3.9，4.2，4.7，5.6，6.2，6.8，7.5，8.2。例：CBB電容2700pF/63V、272J(K)b、耐壓：

6.3V,10V,16V,25V,35V,50V,63V,100V,160V,250V,400V,450V,630V,1000V,1250V,2KV,3KV,5KV,10KV。c、精度：

±5%(J級)±10%(K級)，±20%(M級)電解電容允許誤差。

d、損耗角：tgδ

e、串聯(lián)等效電阻：ESR高頻電路或開關(guān)電源中這兩個參數(shù)很重要第11頁,共36頁，2024年2月25日，星期天f、最大脈動電流：400V/10μF/280mAg、壽命：普通電容（CD11系列）壽命1000小時/85°下，工作溫度每降低10°C，電解電容壽命增加一倍。每增加10°C，壽命減少一倍。h、漏電流：I=0.02CV+25μA、如：400V/10μF電容I=105μA

第12頁,共36頁，2024年2月25日，星期天第13頁,共36頁，2024年2月25日，星期天第14頁,共36頁，2024年2月25日，星期天1.3電感

1、符號空芯電感有鐵芯電感第15頁,共36頁，2024年2月25日，星期天2、分類：

a、色碼電感：（空芯電感，容量小，只有μH級）

b、高頻（鐵氧體芯）電感：可做μH、mH級，非線性元件，電感量隨工作頻率而改變。

c、低頻（矽鋼片）電感：可做mH級。第16頁,共36頁，2024年2月25日，星期天

3、單位（亨利）

4、參數(shù)

a、標(biāo)稱容量：（mH）

b、額定電流：（載流能力）0.5A，1A。

c、額定電壓：高壓應(yīng)用場合，要考慮耐壓問題。

d、損耗：鐵損：磁損耗，隨頻率的增加而大幅度增加

銅損：漆包線電阻損耗第17頁,共36頁，2024年2月25日，星期天第18頁,共36頁，2024年2月25日，星期天第19頁,共36頁，2024年2月25日，星期天第20頁,共36頁，2024年2月25日，星期天

1.4、三極管1、符號

2、分類

按材料分：

a、硅管（PN結(jié)壓降：0.7V）

b、鍺管（PN結(jié)壓降：0.3V）第21頁,共36頁，2024年2月25日，星期天

3、主要技術(shù)指標(biāo)：

a、電流放大系數(shù)：β

注意β標(biāo)志：F標(biāo)志β：50-70 G標(biāo)志β：70-90 H標(biāo)志β：100-120 I標(biāo)志β：120-150

*管子耐壓越高，額定工作電流（ICM）越大，則β越小。

例:MJE13005，500V/5A，β:15-35之間

S8050，45V/1A，β:70-200之間

第22頁,共36頁，2024年2月25日，星期天

b、反向擊穿電壓：

Ucbo(發(fā)射極開路)Uebo（集電極開路）

Uceo（基極開路）

c、集電極最大允許電流ICMd、集電極最大允許耗散功率PCMPc=Ic×Uce

耗散功率與環(huán)境溫度和散熱條件有關(guān)（RoJ），手冊上一般給出環(huán)境溫度為20℃時PCM值。

e、截止頻率：

共射極截止頻率fb,定義為β降低到0.707倍時的頻率稱為fb

三個參數(shù)中選最小一個為晶體管擊穿電壓，一般為Uebo

第23頁,共36頁，2024年2月25日，星期天4、封裝形式：第24頁,共36頁，2024年2月25日，星期天第25頁,共36頁，2024年2月25日，星期天第26頁,共36頁，2024年2月25日，星期天第27頁,共36頁，2024年2月25日，星期天第28頁,共36頁，2024年2月25日，星期天1.功率MOSFET的結(jié)構(gòu)1.5功率場效應(yīng)晶體管結(jié)構(gòu)特點(diǎn)圖1-19電力MOSFET的結(jié)構(gòu)和電氣圖形符號第29頁,共36頁，2024年2月25日，星期天

2、MOS管特點(diǎn)

a、電壓控制元件，輸入阻抗高。

b、導(dǎo)通電阻Ron大.c、工作頻率高（對功率器件而言）

d、是一種元細(xì)胞集成器件,適合并聯(lián)

e、DS極之間內(nèi)部寄生二極管

3、主要技術(shù)指標(biāo)：

a、額定電壓Uds,它主要由VMOS管的漏源擊穿電壓U(BR)DS決定

b、最大漏極電流Idmax(標(biāo)稱MOS管電流額定參數(shù))c、閥值電壓Ugs(th)(又稱門極開啟電壓)d、導(dǎo)通電阻：Ron第30頁,共36頁，2024年2月25日，星期天

e、最高工作頻率fm:

Uds作用下，電子從源區(qū)（S）通過溝道到漏區(qū)所需要的時間

f、開通時間和關(guān)斷時間：

開通和關(guān)斷時間越大,則MOS管開關(guān)損耗越大. g、極間電容輸入電容：Ciss=CGS+CGD輸出電容：Coss=CDS+CGD第31頁,共36頁，2024年2月25日，星期天

5、常用MOS器件：

2N700060V/0.2A IRFD01460V/1.7AIRFD210 200V/0.6A IRFD110 100V/1.0A IRF530100V/15A IRF630 200V/9A IRF730400V/5.5A IRF830 500V/4.5AIRF840500V/8A IRFBF20 900V/1.7