芯片裝架工（一級）職業(yè)鑒定考試題庫-上（單選、判斷題）

PAGEPAGE1芯片裝架工（一級）職業(yè)鑒定考試題庫-上（單選、判斷題匯總）一、單選題1.環(huán)焊主要是由于產生了瞬時的大()產生局部熔化。A、電壓B、電流C、壓力D、壓強答案：B2.金硅合金共晶焊接的最大缺點是()。A、耗金量大B、導熱性好C、粘結牢D、歐姆接觸小答案：A3.下列焊劑活性最強的是()。A、松香B、合成樹脂C、松香輕度活化D、有機焊劑答案：C4.軍用混合電路貫徹國軍標,通用規(guī)范標準號是()。A、GJB548AB、GJB2438AC、GJB597D、QZJ840616答案：B5.在堆疊組裝等工藝中,要求操作人員()。A、必穿防靜電工作服、帶手鐲和防靜電鞋B、人造纖維工作服C、純棉工作服D、一般套袖和手套答案：A6.面鍵合技術是對下列哪種器件的鍵合方法()。A、倒裝器件B、梁式引線器件C、載帶器件D、芯片載體答案：A7.組裝過程中,H1級芯片和襯底之間的粘接要求()。A、芯片周長50%可見焊料B、芯片周圍75%可見焊料C、芯片周長40%可見焊料D、芯片周長45%可見焊料答案：B8.用6235高強度聚酷漆封裝由于其與硅鋁絲的線膨脹系數不匹配,在-55~125℃溫度沖擊試驗條件下,內引線容易()造成失效。A、蛻焊B、接斷C、彎曲D、互連答案：A9.晶體三極管共發(fā)射極電流放大系數β=()。A、ΔIc/ΔIeB、ΔIe/ΔIcC、ΔIc/ΔIbD、ΔIe/ΔIb答案：C10.混合電路內部發(fā)現(xiàn)的污染物主要來源()。A、原材料B、外觀檢驗C、工藝加工D、大氣答案：C11.混合微電路發(fā)現(xiàn)的內部多余物最主要來源于()。A、三防B、元件C、組裝工藝D、傳遞工具答案：C12.()是電子組裝中最普通的合金焊料。A、u-SnB、Sn-PbC、Sn-CuD、Sn-Ag答案：B13.在芯片檢驗中下邊()情況可以接收。A、在任何固定元件和基片邊緣之間的距離大于75mmB、在工作金屬化層和基片邊緣之間的距離小于原有設計間距的50%的襯底C、長度超過125mm的裂縫D、不起源于邊緣的任何裂縫答案：A14.絲印缺陷對厚膜電路會產生嚴重影響,當導體印刷分辨率低時,給成品率帶來的影響是()A、圖形不美觀B、電路產生開路C、與電路性能無關D、電路產生短路答案：D15.超聲鍵合時,對鍵合表面要求()。A、清潔度較高B、清潔度較低C、清潔度一致D、清潔度不要求答案：A16.一個阻值為1KΩ的電阻,允許加的最高電壓為100V,則其額定功率為()。A、1W;B、10W;C、100W;答案：A17.兩個或兩個以上的電阻以一定的方式連接后,總電阻值等于各個電阻值的總和,這是()。A、串聯(lián)B、并聯(lián)C、混連D、其它答案：A18.1000級凈化間是在1立方英尺的空氣中有()個尺寸為0.5μm的顆粒物。A、1B、10C、100D、1000答案：D19.易于制造高壓、大電流和功率電路的是()A、半導體電路B、薄膜電路C、厚膜電路D、LTCC答案：C20.質量管理體系文件包括()。A、質量手冊,程序文件B、相關的運行,控制文件C、作業(yè)規(guī)范,質量記錄D、A、B和C答案：D21.阻鍍包膠后至少放置()可進行下工序操作。A、4hB、0.5hC、12hD、8h答案：C22.焊料焊時,焊接壓力通常()重量砝碼。A、不采用B、采用C、必須使用D、隨意采用答案：A23.為了獲得更細的線條印刷效果,應采用下列哪種絲網()A、100目B、200目C、300目D、400目答案：D24.低熔玻璃是很好的低溫()。A、非密封材料B、密封材料C、半密封材料D、密封和粘接材料答案：D25.塑封的遞模成型工藝中注塑壓力過大,產生()。A、氣水B、砂眼C、沖絲D、缺料’答案：C26.產品質量的好壞包含()。A、技術性能指標B、可靠性指標C、經濟指標D、A、B和C答案：D27.氧化鈹的熱導率約是氧化鋁(96%)基片的()倍。A、1~2B、6~10C、10~15D、15~20答案：B28.Au-Sn合金焊料的最大缺點是()。A、不耐腐蝕B、工藝復雜C、機械強度差D、成本高答案：D29.無氧的氮化鋁基片的熱導率與()基片相當。A、硅片B、微晶玻璃C、氧化鋁D、氧化鈹答案：D30.方塊電阻R□()。A、只與電阻率ρ有關系B、只與薄層厚度d有關系C、與ρ和d有關系D、還與薄層寬度W有關系答案：C31.單相交流電源的安全電壓是()。A、小于36VB、120VC、220VD、大于220V答案：A32.用滴管把液體樹脂滴涂到鍵合后的芯片上,經加熱固化成型,此方法稱()。A、澆鑄法B、遞模成型法C、填充法D、滴涂法答案：D33.環(huán)焊前應用()打磨電極。A、水砂紙B、粗砂紙C、銼刀D、紗布答案：A34.兩個或兩個以上的電阻以一定的方式連接后,總電阻值等于各個電阻值的總和,這是()。A、串聯(lián)B、并聯(lián)C、混連D、其它答案：A35.電阻率的國際單位為()。A、ΩB、Ω/cmC、Ω·mD、Ω·cm答案：B36.軍用電路生產線產品質量要具有可追溯性,必須()。A、填寫流程卡,工序原始記錄B、填寫工作日記C、記重要事件D、所做工作全部記錄答案：A37.完成灌封后環(huán)氧灌封膠必須充分加熱,以便引起環(huán)氧固化的()。A、加成反應B、交聯(lián)反應C、分解反應D、水解反應答案：B38.金銻合金的低共熔點為360℃共晶焊時應采用()。A、400~450℃B、380~410℃C、420~440℃D、420~450℃答案：B39.LTCC無法埋置()A、電容B、電阻C、電感D、芯片答案：D40.檢驗文件中所說的“低倍顯微鏡”是指()A、10~30倍B、20~30倍C、10~60倍D、10~100倍答案：C41.電阻升溫測量后,阻值較常溫時小,則電阻具有()電阻溫度系數。A、正B、負C、零D、下降答案：B42.形成虛焊的原因是()。A、元器件引線有污物、氧化,未搪錫B、焊盤有污物C、助焊劑不足或質量差D、A、B、C都有可能答案：D43.薄膜導體應具備的性質()。A、電阻率低B、與基片、介質附著力強C、電性能穩(wěn)定D、ab和c答案：D44.硅屬于()。A、Ⅲ族元素B、Ⅳ族元素C、Ⅴ族元素D、Ⅵ族元素答案：B45.當設計要求把基片外引線鍵合區(qū)固定在一起時,圍繞外引線鍵合區(qū)的周長,合金或焊料的焊接輪廓可接收的是()。A、大于50%B、小于50%C、大于40%D、小于40%答案：A46.當晶體三極管處于飽和狀態(tài)時,則其發(fā)射結、集電結分別處于()。A、正偏、正偏B、正偏、反偏C、反偏、正偏D、反偏、反偏答案：A47.鍵合用的超聲壓焊劈刀,時間長劈刀上的結垢除去的方法為()。A、20%NaOH溶液浸泡超聲B、用水沖洗C、用乙醇清洗D、用濃HNO3清洗答案：A48.下列條件中,最適合厚膜電阻漿料烘干的是()A、50℃,15minB、125℃,15minC、150℃,15minD、150℃,30min答案：C49.密封工藝中的熱過程對電路的性能有一定的影響。電阻焊、冷焊、激光焊和塑封對器件和電路的影響(),釬焊和玻璃熔封對器件和電路的影響()。A、較小較大B、較大較小C、較小較小D、較大較大答案：A50.塑封中常用的填充劑()。A、硬脂酸B、洛巴蠟C、苯甲酸D、石英粉答案：D51.扁平結構的外殼引線間距常用的是()。A、5.4B、0.3C、0.8D、2.7答案：D52.不燃燒的化學試劑是()。A、甲苯B、四氯化碳C、丙酮D、乙醇答案：B53.外殼引線的矩形截面引起的電感要比圓形截面引起的電感()。A、大B、小C、相等D、不一定答案：B54.芯片背面減薄的目的主要是()。A、裝焊時有良好的浸潤性B、增大歐姆接觸C、增加強度D、壓焊要求答案：A55.可見到下層介質的金屬化層孔隙,下列()情況可以接收。A、金屬化層中的孔隙小于原來金屬寬度的50%B、鍵合區(qū)中的孔隙,使得未被破壞的部分小于最大可允許鍵合尺寸的兩倍C、鍵合區(qū)包括嵌條區(qū)的孔隙,它使連接鍵合區(qū)和互連金屬化層的通路中,未被破壞的寬度大于最窄進入互連金屬條寬的50%D、孔隙使金屬化層面積減小25%以上答案：C56.下列光的波長中屬于紫外的是()A、10640nmB、1064nmC、532nmD、355nm答案：D57.現(xiàn)有LTCC印刷條件下,能達到的最佳線條寬度為()A、50μmB、100μmC、150μmD、200μm答案：C58.對金屬化劃傷,哪種情況的劃傷可以接收()。A、金屬化層中的劃傷未被劃傷的部分大于原有金屬化層寬度的75%B、多層金屬化層中的劃傷沿長度方向的任何位置上暴露出下層金屬,并使未受破壞的頂層金屬的條寬,不到原有寬度50%C、在金屬化層中的劃傷,它暴露出淀積薄膜電容器或交迭的介質材料D、鍵合區(qū)域或嵌條區(qū)中的劃傷,它暴露了下層介質或襯底,使進入的互連金屬化層與鍵合區(qū)的金屬通路寬度小于最窄進入互連金屬條寬的50%答案：A59.真空焊接是()生產。A、連續(xù)式大批量B、連續(xù)式小批量C、間歇式大批量D、間歇式小批量答案：D60.在室溫升高時,晶體三極管的電流放大系數β()。A、增大B、減小C、不變D、具變答案：A61.1000級凈化間是在1立方英尺的空氣中有()個尺寸為0.5μm的顆粒物。A、1B、10C、100D、1000答案：D62.產品質量的好壞包含()。A、技術性能指標B、可靠性指標C、經濟指標D、A、B和C答案：D63.模塊除濕溫度及時間()A、80℃24hB、105℃48hC、125℃24hD、150℃24h答案：C64.用左手定則判斷()。A、感生電流的方向B、通電導體產生的磁場的方向C、通電導體在磁場中的受力方向D、通電螺線管產生的磁場的方向答案：C65.下列導體中,導電率最高的是()A、uB、AlC、uD、Ag答案：D66.GJB548B-2005為以下哪份規(guī)范的標準號()A、微電子器件試驗方法和程序B、半導體集成電路總規(guī)范C、混合集成電路通用規(guī)范D、半導體分立器件試驗方法答案：A67.下列幾種鍵合系統(tǒng)中()鍵合質量可靠性最好。A、u-Al系統(tǒng)B、Al-Al系統(tǒng)C、Au-Ni系統(tǒng)D、Al-Cr系統(tǒng)答案：B68.用粘結劑裝配的元件,對于H1級其接觸面積要求是()。A、大于75%B、小于50%C、大于40%D、小于40%答案：A69.混合電路內部多余物的最主要來源于()。A、管殼B、元件C、裝架工藝D、傳遞答案：C70.厚膜電阻膜越厚,則其阻值相對()A、越大B、越小C、不變D、與厚度無關答案：B71.薄膜微晶玻璃片可使用()進行劃片工藝。A、激光B、金剛刀C、砂輪D、鋼刀答案：B72.集成電路按其功能可以分成兩類,即()。A、數字集成電路和功率集成電路B、模擬集成電路和功率集成電路C、線性集成電路和模擬集成電路D、數字集成電路和模擬集成電路答案：D73.在半導體器件制造工藝中,芯片的合金燒結法是采用()做焊料的一種釬焊方法。A、銀漿B、導電膠C、共晶合金D、聚合物答案：C74.絕緣膠膜為了有更長的保存期,一般在()溫度下保存。A、25℃B、50℃C、5℃D、-40℃答案：D75.雙列封裝結構的引線間距通常用的是()mm。A、27B、54C、3D、08答案：B76.關鍵過程是()。A、形成關鍵特性的主要過程B、指對形成產品質量起決定性作用的過程C、指關鍵工序的所有過程D、指生產過程中的銜接環(huán)節(jié)答案：B77.采取()的方法可以最有效的去除灌封膠料里混入的氣泡A、離心脫泡B、加熱后離心脫泡C、抽真空D、真空下注膠答案：B78.防止批次性不合格,應進行()。A、首件鑒定B、工藝評審C、工序評審D、設備評審答案：A79.對金屬化劃傷,哪種情況的劃傷可以接收().金屬化層中的劃傷未被劃傷的部分大于原有金屬化層寬度的75%)。A、金屬化層中的劃傷未被劃傷的部分大于原有金屬化層寬度的75%B、多層金屬化層中的劃傷沿長度方向的任何位置上暴露出下層金屬,并使未受破壞的頂層金屬的條寬,小于原有寬度50%C、在金屬化層中的劃傷,它暴露出淀積薄膜電容器或交迭的介質材料D、鍵合區(qū)域或嵌條區(qū)中的劃傷,它暴露了下層介質或襯底,使進入的互連金屬化層與鍵合區(qū)的金屬通路寬度小于最窄進入互連金屬條寬的50%答案：A80.軟封裝用的樹脂俗稱()。A、黑膠B、乳膠C、明膠D、白膠答案：B81.厚膜漿料主要有()和保護介質漿料A、導體漿料B、電阻漿料C、隔離介質漿料D、AB和C答案：D82.環(huán)焊電極發(fā)生打火應()。A、提高電壓B、降低電壓C、改進電極形狀D、調整放電時間答案：D83.共晶粘片時,通常采用()氣體保護。A、N2B、氬氣C、HeD、在空氣中答案：A84.首件鑒定是鑒定()。A、過程能力B、批生產能力C、產品質量D、生產效率答案：A85.平行縫焊屬于()。A、電阻焊B、釬焊C、貯能焊D、冷壓焊答案：A86.顯微鏡調焦時,應()。A、從上往下調B、從下往上調C、隨意D、先高倍后低倍答案：A87.混合電路允許實施有限條件的返工,所返工必須()。A、執(zhí)行規(guī)范,經主任批準B、經班長批準C、自行處理D、經線長批準答案：A88.為了保證灌封質量,必須要特別注意()中混入的空氣。A、膠膜B、灌封膠料C、灌封操作過程D、固化過程答案：B89.下列合金焊料熔點最高的是()。A、金-硅B、金-銻C、金-鍺D、銀-銅-錫答案：A90.為了取得細線條的印刷效果,應采用哪種絲網()。A、100目B、200目C、300目D、400目答案：D91.現(xiàn)場質量管理是()。A、車間管理人員的任務B、技術人員的任務C、生產工人的任務D、A、B和C答案：D92.芯片共晶粘片工藝中所用金鍺合金,共熔點是為()。A、320℃B、356℃C、380℃D、280℃答案：B93.密封工藝中靜電防護主要控制環(huán)節(jié)是()。A、管殼清洗B、工藝操作C、清點電路D、填寫數據答案：B94.下列幾種合金焊料,熔點從高到低,正確排列順序是()。金-硅合金金-銻合金金-鋁合金銀-銅-錫合金A、2>3>1>4B、3>2>1>4C、1>2>3>4D、1>3>2>4答案：C95.電阻串聯(lián)的特點之一是()。A、電流相等B、串聯(lián)可以分壓,每個電阻分得的電壓與其阻值成反比C、總電壓等于各分電壓D、總電阻等于各分電阻答案：A96.用粘合劑粘結的基片可以接收的是()。A、在基片安裝柱上有粘合劑殘余物B、器件裝置圖定位和定向不符C、在外引線鍵合區(qū)上有粘合劑殘余物D、基片周界75%以上連續(xù)三側周邊能見到粘合劑材料答案：C97.金鋁鍵合系統(tǒng)之間會生成多種金屬間化合物,造成鍵合失效,其“紫斑”的形成是()化合物引起。A、uAl2B、AuAlC、Au2AlD、Au5Al2答案：B98.當|VG|≥|VT|時,增強型MOS管溝道中載流子的運動主要是()。A、擴散運動B、漂移運動C、熱運動D、擴散運動和熱運動答案：B99.模塊在三防涂覆時優(yōu)先涂覆面為()。A、頂面B、功能面C、非功能面D、底板答案：B100.可以再次返工封裝的是()。A、平行封焊B、環(huán)焊C、焊料焊D、塑封答案：A101.列說法正確的是()A、漿料的組成一般由功能相、有機載體、絕緣材料三個重要部分組成B、漿料的組成一般由功能相、有機載體、玻璃黏結劑三個重要部分組成C、漿料的組成一般由功能相、玻璃黏結劑、絕緣材料三個重要分組成D、漿料的組成一般由有機載體、玻璃黏結劑、絕緣材料三個重要部分組成答案：B102.半導體中的自由電子和空穴的數目相等,這樣的半導體稱為()。A、P型半導體B、N型半導體C、本征半導體D、P型和N型摻雜濃度相等的半導體答案：C103.打印油墨至少應具有()的存放期。A、六個月B、1年C、2年D、3年答案：C104.常用的電容容值單位有F、μF、nF、pF,其中1nF=()pF。A、10B、100C、1000D、10000答案：C105.在機械圖樣中的直線尺寸規(guī)定的單位是()。A、毫米B、厘米C、分米D、米答案：A106.共晶粘片的主要缺點是()。A、不可返工B、傳熱快C、可以導通D、可靠性好答案：A107.粘合劑流向任何分離元件的距離,可以接收的是()。A、其間距不到25μmB、大于25μmC、不到10μmD、大于20μm答案：B108.關鍵工序三定表指的是()A、定設備B、定人員C、定工藝D、定流程答案：A109.電阻率的國際單位為()。A、ΩB、Ω/㎝C、Ω·mD、Ω·㎝答案：C110.理想電壓源的特點之一是()。A、端電壓固定不變,與外接電路無關B、通過它的電流與外接電路無關C、端電壓與電壓源的內阻有關D、可以作為實際的電壓源答案：A111.塑封電路在模塑后還要對外引線進行()表面保護。A、光亮鍍錫B、鍍鎳C、鍍暗鎳D、鍍金答案：A112.環(huán)氧樹脂具有良好的()。A、高頻性能B、耐濕性C、電絕緣性D、機械性答案：C113.6S和產品質量的關系是()A、工作方便B、改善品質C、增加產量D、沒有關系答案：B114.對于復合鍵合,()情況可以接收。A、一個鍵合點上有兩根引線B、在原有的鍵合點上有多余一個鍵合C、第二次鍵合和原有鍵合的接觸面積大于75%的鍵合D、非同一金屬的鍵合答案：C115.用粘合劑裝配的元件,粘合劑流向任何分離元件的距離可接收的是()。A、其間距不到25mmB、其間距大于25mmC、其間距不到20mmD、其間距大于20mm答案：B116.下列清洗設備清洗時不需溶劑的是()。A、蒸氣去油器B、在線溶劑清洗機C、等離子清洗機D、超聲波清洗機答案：C117.Sn基焊料在低溫時,Sn發(fā)生同素異型變化,產生(),所以Sn機焊料不適用于()。A、韌性高溫B、脆性低溫C、韌性低溫D、脆性高溫答案：B118.下面()是可以接收的。A、焊料和金屬材料剝落B、基片上有多余物C、在基片周界能見到焊接輪廓D、焊料流到分離元件上答案：C119.焊料焊時施加的溫度應使焊料能夠有足夠的流動性和潤濕性,這個溫度大約高出焊料熔點()。A、30℃B、60℃C、80℃D、110℃答案：A120.激光加工的優(yōu)點是()A、速度快、效率高B、加工質量高、可控性好C、在剝除金屬材料的同時減少對基底材料的損傷D、A、B和C答案：D121.防靜電手鐲和地線之間應該()。A、直接導通B、接1MΩ左右電阻C、接10Ω左右電阻答案：B122.激光調值方法一般只能將電阻的阻值。A、調大B、調小C、穩(wěn)定D、不變答案：A123.低熔玻璃焊屬于()。A、冷焊B、有機樹脂封裝C、熔焊D、焊料焊答案：C124.金屬圓形封裝結構其引線的分布直徑一般為()。A、54B、27C、08和5.84D、0答案：C125.兩個或兩個以上的電阻以一定的方式連接后,總電阻值等于各個電阻值的總和,這是()。A、串聯(lián)B、并聯(lián)C、混連D、其它答案：A126.產品質量是()。A、設計出來的B、制造出來的C、檢驗出來的D、多種質量因素的綜合反應答案：D127.()結構是目前國內外光電外殼最通用的封裝形式。A、陶瓷熔封B、塑封C、陶瓷平封D、陶瓷扁平封答案：D128.雙極型集成電路硅單晶襯底一般選取的晶面為()。A、{111}面B、{110}面C、{011)面D、{100}面答案：A129.陶瓷基底的芯片內腔中烘滲有()層,以便芯片粘結。A、金B(yǎng)、鎳C、錫D、鋁答案：A130.平行縫焊機,滾輪錐頂角的大小與焊接壓力的關系是()。A、錐頂角變小,壓力增大B、錐頂角變小,壓力變小C、錐頂角變小,壓力不變D、錐頂角變大,壓力不變答案：B131.在檢查陶瓷基片電容器中()情況的基片可以接收。A、基片中有裂紋B、電容器板有脫離的痕跡C、金屬化層基本完好D、金屬化層材料沿邊緣裂開答案：C132.硅二極管的正向壓降一般為()。A、5VB、7VC、9VD、0V答案：B133.由于封裝氣密性不好,在芯片鍵合點或管座壓焊點常產生一種白色絮狀物質,貌似白色絨毛,這種白色物質的主要成分為()。A、KOHB、NaOHC、Fe(OH)33D、Al(OH)33答案：D134.芯片共晶焊接工藝所用的金-錫合金熔點為()。A、280℃B、220℃C、320℃D、350℃答案：A135.環(huán)焊電極由()制成。A、鎢銅或鉻銅合金B(yǎng)、不銹鋼C、工具鋼D、銅答案：A136.厚膜混合電路中使用的96%氧化鋁基片的翹曲度應小于最長基片邊緣的()。A、0.03%B、0.3%C、1%D、3%答案：B137.影響貯能焊氣密性的主要原因是()。A、封焊電流B、封焊電壓C、PINDD、封裝條件綜合因素調整不合適答案：D138.構成計數器的基本單元是()。A、與非門B、或非門C、與或門D、觸發(fā)器答案：D139.碳黑是()著色劑。A、綠色B、棕色C、黃色D、黑色答案：D140.用粘合劑裝配的元件,在元件周界粘合劑中的裂縫可接收的是()。A、大于接觸周長的10%B、小于接觸周長的10%C、大于接觸周長的15%D、小于接觸周長的15%答案：B141.金屬與半導體形成歐姆接觸的一種方式是使半導體的參雜濃度大于()。A、1015/cm3B、1017/cm3C、1019/cm3D、1021/cm3答案：C142.以下材料中,可用于鍵合引線材料的是()。A、半導體材料B、絕緣材料C、鐵鎳合金D、含1%硅的鋁答案：D143.堆疊組件烘烤除濕后,烘箱溫度降至()方可取出。A、50℃B、60℃C、70℃D、80℃答案：D144.哪項試驗可以有效驗證金屬鍍層的附著力?()A、“劃格法”B、“折彎法”C、“剪切法”D、外觀目檢法答案：A145.易于制造高壓、大電流和功率電路的是()A、半導體電路B、薄膜電路C、厚膜電路答案：C146.P型封裝由俯視圖方向觀察,引出端識別標志處為()。A、1B、2C、nD、n-1答案：A147.經過室溫靜置的濕膜,即可進行干燥,干燥的目的是()A、使將料中易揮發(fā)的有機溶劑蒸發(fā)掉B、使印刷好的漿料膜硬化C、使圖形固定D、便于移動答案：A148.粗鋁絲鍵合的主要問題之一是:鋁在壓焊劈刀上的結垢,通常采用的最好方法是()。A、20%NaOH超聲清洗B、水洗C、乙醇洗D、丙酮洗答案：A149.通過專用工裝模具對器件的()進行約束定位,可以實現(xiàn)精確堆疊。A、塑封外形B、器件正面標識C、器件引腿D、幾何尺寸答案：C150.單相交流電源的安全電壓是()。A、小于36VB、120VC、220VD、大于220V答案：A151.共晶粘片采用的98Au·2Sn之熔點應該是()。A、280℃B、356℃C、370℃D、217℃答案：D152.當集成電路溫度超過環(huán)境溫度100℃時,()的作用比較突出。A、熱輻射和熱對流B、傳導和對流C、傳導和輻射D、傳導答案：A153.材料間一但發(fā)生接觸,相互間就受到弱的()的吸引。A、原子力B、分子力C、電子力D、中子力答案：B154.產品質量是()。A、是設計出來的B、是制造出來的C、是檢驗出來的D、是多種因素的綜合反應答案：D155.激光焊屬于()焊。A、熔B、焊料C、冷D、纖答案：A156.超聲壓焊時選擇的金屬絲是()。A、鋁絲B、金絲C、硅鋁絲D、銅帶答案：C157.屬于非氣密性封裝的是()。A、金屬B、玻璃C、陶瓷D、塑料答案：D158.一個阻值為100Ω的電阻,允許加最高電壓為10V,則額定功率為()。A、10WB、1WC、1WD、2W答案：B159.薄膜電阻膜層越薄,則()越差。A、阻值B、密度C、阻值均勻性D質量答案：C160.晶體三極管的開關工作狀態(tài)指的是()。A、要么工作于截止區(qū),要么工作于飽和區(qū),不能工作于放大區(qū)B、要么工作于截止區(qū),要么工作于放大區(qū),不能工作于飽和區(qū)C、要么工作于飽和區(qū),要么工作于放大區(qū),不能工作于截止區(qū)D、主要工作于截止區(qū)和飽和區(qū),在這兩個區(qū)域轉換時暫時工作于放大區(qū)答案：D161.半導體的電阻率()。A、介于10-1~10-2Ω.cm之間B、介于10-2~10-4Ω.cm之間C、介于10-4~109Ω.cm之間D、大于109Ω.cm答案：C162.ESD識別標志中的符號△表示();A、1級0V~1999VB、2級2000V~3999VC、3級4000V答案：A163.用粘合劑裝配的元件,其接觸面積要求()。A、大于75%B、小于50%C、大于45%D、小于40%答案：A164.打印油墨要求固化溫度在(),以慢干為宜。A、120±10℃B、140±10℃C、180±10℃D、200±10℃答案：D165.國內外大功率管芯背面金屬化普遍采用()。A、Ni-Cr-SnB、Ni-Ag-AuC、r-Ni-AuD、Cr-Ag-Au答案：C166.MCM采用的新技術是()。A、混合電路B、SMTC、PCBD、超大規(guī)范裸芯片、多層板預測試后組裝成大于100條引腿的多功能組件答案：D167.基片粘結過程中,()情況可以接收。A、焊料和合金材料剝落B、基片上有殘余焊劑C、在基片周界都能見到焊接輪廓D、焊料流向分離元件,使其間的間隔小于25mm答案：C168.材料之間弱的分子吸引力叫做()。A、作用力B、萬有引力C、范德瓦斯力D、粘接力答案：C169.柔軟鍵合法的柔軟材料通常是()。A、金B(yǎng)、銅C、硅D、鋁答案：A170.制作刻線數據時,導電路徑可能會拐彎,下列哪一項導線拐彎的方式不建議采用?()A、B、C、D、答案：C171.一般的厚膜漿料高溫燒結溫度為()。A、500℃B、850℃C、900℃答案：B172.金-錫共晶焊工藝的最大缺點是()。A、耗金量太大B、不可靠C、導熱性差D、接觸不良答案：A173.鏈式封裝爐在爐端設有幾道機械簾和氮氣簾裝置,是為了防止()。A、空氣進入B、H22溢出C、熱散失D、空氣進入和H22爆炸答案：D174.氣密密封方法常用()和玻璃熔封工藝方法。非氣密密封方法通常用膠粘法和塑封法。A、釬焊、熔焊、平行縫焊B、釬焊、激光焊、超聲焊C、平行縫焊、點焊、激光焊D、平行縫焊、點焊、超聲焊答案：A175.無氧的氮化鋁基片的熱導率與()基片相當。A、硅片B、微晶玻璃C、氧化鋁D、氧化鈹答案：D176.在引線鍵合中下列()情況可以接收。A、不符合鍵合圖要求的遺漏或多余的引線或條帶B、在引線和鍵合的接合處撕裂C、引線與引線交叉D、共用引線有交叉答案：D177.單晶硅中的硼、磷和金雜質的作用分別為()。A、施主、受主和復合中心B、施主、復合中心和受主C、受主和施主、復合中心D、受主、復合中心和施主答案：C178.質量問題歸零五條標準的根本任務是()。A、防止質量問題再發(fā)生B、處理應急質量事故C、完成型號生產任務D、為了教育大家答案：A179.厚膜印刷的導體膜厚一般為()。A、5-8μmB、8-15μmC、40μmD、20~30μm答案：B180.可動電荷Na+離子在()介質膜中容易移動。A、二氧化硅B、氮化硅C、磷硅玻璃D、氧化鋁答案：A181.楔形鍵合,()情況可以接收。A、在芯片、基片和外引線鍵合區(qū)上的鍵合,其寬度大于1.2倍,或小于2.5倍的引線直徑B、其鍵合長度小于1.5倍或大于5.0倍引線直徑C、在芯片襯底或外引線鍵合區(qū)上的鍵合其寬度小于1.5倍或大于3.0倍引線直徑D、其鍵合長度小于1.0倍或大于5.0倍引線直徑答案：A182.平行封焊的每個焊點間()重疊。A、不B、有小于1/10C、有1/3~1/4的D、有大于1/2的答案：C183.使用灌封膠進行印制板型組件粘接固化條件為:()。A、125℃1hB、150℃1hC、150℃2hD、125℃2h答案：C184.金鍺合金裝片時通常采用()。A、360~410℃B、420~460℃C、315~350℃D、310~350℃答案：A185.1英尺等于()。A、30cmB、50cmC、30.48cmD、20cm答案：C186.下列焊合方式屬于固相焊合的是()。A、超聲焊B、再流焊C、導電膠粘結D、共晶焊答案：A187.處于放大工作狀態(tài)的晶體三極管,集電結中載流子的運動主要是()。A、擴散運動B、漂移運動C、熱運動D、擴散運動和熱運動答案：B188.軍用混合電路貫徹國軍標,通用規(guī)范標準號是()。A、GJB548AB、GJB2438AC、GJB597D、QZJ840616答案：B189.H級芯片鏡檢的顯微鏡倍數要求為()倍。A、25—50B、50—100C、75—150D、50—75答案：C190.大功率管芯與銅管座燒結時,采用Mo墊片為的是()。A、減小熱阻B、減小熱膨脹系數失配誘導的熱應力C、提高平整度D、散熱片答案：B191.不燃燒的化學試劑是()。A、甲苯B、四氯化碳C、丙酮D、乙醇答案：B192.超聲鍵合用硅鋁絲材料,為方便拉絲和鍵合()。A、在Al中摻入1%的SiB、在Si中摻入3%的AlC、在Si中摻入1%的AlD、在Al中摻入3%的Si答案：A193.一般絲網印刷過程可概括為繪圖、照相、制版、()、流平五個步驟。A、烘干B、印刷C、燒結D、檢驗答案：B194.Au-Si共晶焊接時,最大的缺點是()。A、耗金量大B、返修方便C、導熱性差D、接觸不良答案：A195.芯片共晶焊接工藝中所用的金-硅合金的熔點是()。A、221℃B、323℃C、370℃D、390℃答案：C196.質量管理體系文件包括()。A、質量手冊,程序文件B、相關的運行,控制文件C、作業(yè)規(guī)范,質量記錄D、A+B+C答案：D197.8寸晶圓的直徑長度約為()mmA、200B、250C、300D、100答案：A198.薄膜導體應具備的性質()。A、電阻率低B、與基片、介質附著力強C、電性能穩(wěn)定D、AB和C答案：D199.得細線條的印刷效果,應采用哪種絲網()。A、100目B、200目C、300目D、400目答案：D200.單位面積的電阻上能承受的功率稱為()。A、功率密度B、額定功率C、最大功率D、最小功率答案：A201.型號為LSFN16G08VS4S1的三維存儲器中16G代表存儲器的()A、速度B、存儲容量C、位寬D、類型答案：B202.焊料焊時施加的壓力應根據()而定。A、焊接面積B、焊料熔化溫度C、金屬厚度D、管殼種類答案：A203.一般絲網印刷過程可概括為繪圖、照相、制版、印刷、()五個步驟。A、烘干B、流平C、燒結D、檢驗答案：B204.厚膜印刷的導體膜厚一般為()。A、5~8μmB、8~15μmC、40μmD、20~30μm答案：B205.超聲鍵合對鍵合表面要求清潔度為()。A、較高B、較低C、不要求D、無限制答案：A206.非接觸式厚膜電路絲網印刷時,絲網與基片之間的間隙通常為()A、小于0.1mmB、0.5-2.0mmC、大于2.0mmD、大于2.54mm答案：B207.產品質量的好壞包含()。A、技術性能指標B、可靠性指標C、經濟指標D、AB和C答案：D208.用萬用表的電阻檔測出二極管D1的正向電阻為2KΩ,反向電阻為1MΩ;D2的正向電阻為2KΩ,反向電阻為500KΩ,比較兩只二極管的特性為()。A、D1比D2好B、D2比D1好C、D1、D2均好D、1、D2均不好答案：A209.超聲鍵合用的鋁絲,含1%Si的冷拉鋁絲,加硅的目的是()。A、提高抗拉強度B、提高抗氧化能力C、提高導電能力D、提高抗腐蝕能力答案：A210.電路板焊接完,通電調試前應做哪些工作()。A、檢查是否有斷、短路現(xiàn)象B、檢查是否有錯焊現(xiàn)象C、檢查是否有漏裝現(xiàn)象D、以上都是答案：D211.為了調整玻璃的()加入鋯英石、鋰霞石。A、線膨脹系數B、機械強度C、耐磨性D、尺寸穩(wěn)定性答案：A212.用金銻合金共晶粘片時,采用的溫度為()。A、350℃~360℃B、380℃~410℃C、410℃~440℃D、420℃~450℃答案：B213.幾個電容并聯(lián),總電容與其中每一個電容比較,()。A、總電容最大B、總電容最小C、總電容等于其中最大的電容D、總電容等于其中最小的電容答案：A214.厚膜導體的燒結氣氛是()A、空氣B、氫氣C、氮氣D、氮氫混合氣體答案：A215.超聲鍵合必須()。A、塑性流動B、磨擦C、超聲功率D、超聲功率、壓力和時間的相匹配答案：D216.存儲器模塊的工序檢驗點有()個。A、4B、5C、6D、7答案：C217.焊料金屬表面的潤濕難易用()來描述。A、可焊性B、潤濕角C、接觸角D、表面張力答案：B218.電阻膜越厚,則其阻值相對()。A、越大B、越小C、不變D、與厚度無關答案：B219.塑封中常用的脫膜劑是()。A、氧化鋁粉B、有機合成纖維C、硬脂酸鈣D、磷系化合物答案：C220.檢驗批識別代碼9812表示()。A、98年1月2日B、98年12月C、98年第12周D、98年1月12日答案：C221.平行封焊的管殼蓋板厚度應選擇在()范圍。A、1±05mmB、2±02mmC、3±05mmD、4±04mm答案：A222.下列粘結材料絕緣性最好,導熱最差的是()。A、金錫合金B(yǎng)、金硅合金C、銀漿D、樹脂答案：D223.功率電路散熱底座上的螺孔是為了()。A、以便外接散熱器B、節(jié)省材料C、美觀D、加強機械強度答案：A224.漿料是一種()A、糊狀液體B、粘稠的液體C、懸浮體D、膠狀固體答案：C225.在燒結工藝中,保護氣體最好采用()。A、H2B、N2C、HeD、H2和N2混合氣體答案：D226.允許將基片取出,更換或再裝進新封裝殼內()。A、一次B、二次C、三次D、四次答案：B227.導線間呈“T”形交叉時,下列哪一項交叉方式是正確的?()A、B、C、答案：A228.器件引線逆成形模具、外引線成形模具等模具材料應選用()制造A、碳素鋼B、高速鋼C、合金鋼D、不銹鋼答案：A229.共晶粘片時,焊料片的尺寸最好采用芯片尺寸的()。A、100%B、80%C、50%D、60%答案：B230.大功率管芯與銅底座燒結時,采用MO片的理由是()。A、減小熱阻B、減小熱膨脹系數失配誘導的熱應力C、提高平整度D、加強熱傳導答案：B231.貯能焊過程中起主導作用的條件是()。A、電壓B、電流C、壓力D、時間答案：A232.工作人員接觸CMOS器件時,必須避免的是()。A、手鐲接地B、設備接地C、把它放在塑料板桌面上D、工作臺要接地答案：C233.用有機聚合物粘片的優(yōu)點是()。A、工藝簡單易操作B、導熱好C、不易碳化D、耐高溫300℃以上答案：A234.要構成容量為4K×8的RAM,需要()片容量為256×4的RAM。A、2B、4C、8D、32答案：D235.鋁絲超聲焊的尾絲不能超過鋁絲直徑的()。A、一倍B、兩倍C、三倍D、四倍答案：B236.助焊劑的作用是()。A、除去被焊表面的銹膜B、防止焊接表面氧化C、降低表面張力,減小接觸角,促進焊料漫流,使焊點表面美觀D、ABC全是答案：D237.多諧振蕩器可產生的波形是()。A、正弦波B、矩形脈沖C、三角波D、鋸齒波答案：B238.熱壓鍵合法的機理是(),使原子發(fā)生接觸,導致固體擴散鍵合。A、機械壓合B、低溫擴散C、低溫擴散和塑性流動的結合D、塑性流動答案：C239.無氧的氮化鋁基片的熱導率與()基片相當。A、硅片B、微晶玻璃C、氧化鋁D、氧化鈹答案：D240.某個與非門的兩個輸入端信號是低電平,其輸出信號是()A、低電平B、高電平C、高低電平不定答案：B241.單組分的環(huán)氧樹脂一般要求在()下保存。A、常溫B、低溫C、高溫D、無要求答案：B242.熱壓焊鍵合的溫度要求一般高于()。A、300℃B、200℃C、150~180℃D、室溫答案：A243.大多數焊膏都采用()焊料粉末。A、球形B、鱗形C、棒狀D、針狀答案：A244.氦質譜檢漏工藝注意事項其中之一:檢漏前應對器件進行清潔處理,然后用真空烘箱烘烤,以去除污垢和恢復可能被堵塞的漏孔。烘烤溫度一般為()以上,時間大于()。A、150℃72hB、100℃24hC、125℃4hD、150℃24h答案：A245.薄膜激光調值切縫不得小于()。A、13μmB、3μmC、40μmD、不要求答案：B246.佩戴防靜電手環(huán)的目的是()。A、防止污染器件B、防止劃傷器件C、防止器件靜電損傷D、防止人員觸電答案：C247.電阻膜層過厚,可能使膜層()增加。A、內應力B、TCRC、硬度D、均勻性答案：A248.厚膜電阻膜越薄,則其阻值相對()A、越大B、越小C、不變D、與厚度無關答案：A249.芯片共晶焊接工藝中所用的金-銻合金熔點是()。A、280℃B、370℃C、360℃D、320℃答案：C250.鏈帶式封裝爐封焊時多采用()氣氛保護。A、純H2B、純N2C、H2、N2混合D、純He答案：B251.集成電路的組裝順序是()。A、中測→劃片→粘片→鍵合→封裝B、劃片→中測→鍵合→封裝→檢漏C、劃片→鍵合→中測→粘片→封裝D、中測→劃片→組裝→封裝→鍵合答案：A252.佩戴防靜電手環(huán)的目的是()。A、防止污染器件B、防止劃傷器件C、防止器件靜電損傷D、防止人員觸電答案：C253.無尾鍵()情況可以接收。A、在芯片、基片元件或外引線鍵合區(qū)上的無尾鍵合其寬度小于1.2倍或大于5.0倍的引線直徑B、鍵合長度大于0.5倍或小于3.0倍引線直徑C、鍵合壓痕沒覆蓋整個引線寬度的無尾鍵合D、鍵合點周界與引出的金屬化條的兩邊之間均存在交迭或重合現(xiàn)象答案：B254.高方數的薄膜電阻設計成帽狀結構,是為了的需要。A、精度B、調值C、穩(wěn)定性D、可靠性答案：B255.某三極管處于放大狀態(tài)時,其發(fā)射結、集電結所處偏置狀態(tài)是:()A、正向、正向;B、反向、正向;C、正向、反向;D、正向、正向。答案：C256.薄膜電阻方阻越大,熱處理后阻值變化率()。A、越大B、越小C、不變D、與方阻無關答案：A257.超聲鍵合所用的硅鋁絲是含1%硅的冷拉鋁絲,加硅的目的是()。A、提高鋁絲的抗拉強度B、提高鋁絲的抗氧化能力C、提高鋁絲的導通能力D、提高鋁絲機械強度答案：A258.下列再流焊技術屬于局部再流焊的是()。（無答案）A、熱板再流焊B、紅外再流焊C、汽相再流焊D、激光智能再流焊答案：A259.塑封中加入鹵化物是做為()劑。A、著色B、脫膜C、固化D、阻燃答案：D260.激光調值機使用()對電阻進行切割以改變電阻阻值。A、電子束B、粒子束C、激光束D、金剛刀答案：C261.下列清洗劑哪種可以直接用電爐加熱()。A、乙醇B、丙酮C、四氯化碳D、丙醇答案：C262.環(huán)氧樹脂類和聚酰胺類粘合劑都屬于()粘合劑。A、熱塑性B、熱固性C、結構性D、光敏性答案：B263.無氧的氮化鋁基片的熱導率與()基片相當。、A、硅片B、微晶玻璃C、氧化鋁D、氧化鈹答案：D264.用低溫焊料合金裝配的基片,()情況可以接收。A、圍繞基片周界50%或連續(xù)兩側上見到焊料B、圍繞基片周界75%或連續(xù)有三側能見到焊料C、圍繞基片周界75%或連續(xù)有三側見不到焊料D、出現(xiàn)任何剩余的焊料或焊劑答案：B265.在塑封器件存儲中,保護氣體最好采用()。A、H22B、N22C、HeD、H22和N22混合氣體答案：B266.對稱三相負載Y形連接的特點之一是()。A、線電壓=相電壓B、相電壓=3線電壓C、相電流=線電流D、相電流=3線電流答案：C267.兩個完全相同的電阻,它們串聯(lián)的總電阻是并聯(lián)的總電阻的()。A、1/2倍B、2倍C、1/4倍D、4倍答案：D268.平行縫焊的工藝參數有焊接電流、焊接速度、()和焊輪錐頂角。A、焊輪壓力B、焊接時間C、焊接模具D、環(huán)境溫度答案：A269.環(huán)氧樹脂的()較差。A、粘接性B、耐溫性C、耐熱性D、電絕緣答案：B270.一個矩形厚膜電阻長為2000um,寬為500um,則該電阻的方數為()A、2B、5C、4D、10答案：C271.激光焊影響焊接時間的主要原因是()。A、光點大小B、光強C、功率D、電壓答案：C272.超聲鍵合法的機理是()。即利用機械的高頻振動(超聲能量),使焊絲在焊點上摩擦;通過自上而下的壓力發(fā)生塑性變形,破壞表面氧化層并暴露新鮮表面達到迅速冷焊。A、塑性流動B、摩擦C、塑性流動和摩擦的結合D、低溫擴散答案：C273.一般MOS型集成電路的隔離是()。A、與絕大多數雙極型集成電路一樣的PN結隔離B、介質隔離C、介質隔離和PN結隔離D、自隔離答案：D274.共晶粘片時,焊料尺寸應該在芯片尺寸的()。A、60%B、80%C、90%D、50%答案：B275.單組份導電膠的保存溫度應該在()溫度下保存。A、25℃B、50℃C、5℃~10℃D、-40℃答案：D276.在密封工藝中,防靜電工作臺面要鋪設金屬板和防靜電臺布,并將臺面鋪設物良好接地,通常接地電阻小于10Ω.你認為()。A、對B、不對C、不用D、無所謂答案：A277.目前有機硅樹脂類三防漆可以耐受的溫度范圍為()。A、-45℃~80℃B、-55℃~125℃C、-65℃~200℃D、-65℃~300℃答案：C278.用粘合劑裝配的元件,()情況可以接收。A、粘合劑流列元件頂部B、鍵合區(qū)上有粘合劑C、在襯底鍵合區(qū)上有變色的粘合劑材料D、在粘附處,粘合帶的寬度,大于粘合帶最大寬度50%沒有粘合劑答案：D279.膜漿料的高溫燒結峰值溫度保持時間一般為()。A、10minB、30minC、50minD、60min答案：A280.無氧的氮化鋁基片的熱導率與()基片相當。、A、硅片B、微晶玻璃C、氧化鋁D、氧化鈹答案：D281.外引線強度指,任一限外引線能承受()的靜負荷,能承受不小于2次的小彎曲。A、巨大的B、與引線截面積相適應的C、2KgD、3Kg答案：B282.互補型MOS(CMOS)電路中互補的意思是指()。A、P溝道MOS管和N溝道MOS管配合工作B、P型襯底和N型擴散區(qū)配合工作C、N型襯底和P型擴散區(qū)配合工作D、多數載流子和少數載流子配合工作答案：A283.在機械圖樣中的直線尺寸規(guī)定的單位是()。A、毫米B、厘米C、分米D、米答案：A284.金絲球焊鍵合,()情況可以接收。A、在芯片、基片、外引線鍵合上,金絲球直徑小于兩倍或大于5倍引線直徑B、其引出端完全落在鍵合球周界內的金絲球鍵合C、其引線中心引出端,不完全落在鍵合區(qū)邊界內的金絲球鍵合D、鍵合伸入到從鍵合區(qū)引出的金屬條上,而且鍵合點周界與該金屬條的兩邊交迭重合答案：B285.超聲壓焊的機理是()。A、塑性流動B、磨擦C、塑性流動和磨擦的結合D、機械壓合答案：C286.塑封中不能做為填充劑的有()。A、石英粉B、云母粉C、玻璃纖維D、洛巴蠟答案：D287.在噴砂過程中,除了要關注模塊表面粗糙度,還需要關注()。A、表面平整度B、模塊尺寸C、金屬凸點高度D、A、B和C答案：D288.首批粘結劑必須記錄紅外光譜曲線,超過一個貯存期,必須再次記錄,其主要峰值超過()偏差就不得使用。A、1%B、5%C、10%D、20%答案：C判斷題1.密封的目的是確定具有內空腔的微電子器件和半導體器件封裝的氣密性。（）A、正確B、錯誤答案：A2.由于空洞或對準不良，使玻璃鈍化層覆蓋電阻的面積應大于90%電阻面積，為不合格。()A、正確B、錯誤答案：B3.要保證鍵合絲質量。一般鋁和金鍵合絲保存時間必須在6～8個月之間。()A、正確B、錯誤答案：A4.低熔玻璃熔融過程中，固體物質消失所用時間不長。（）A、正確B、錯誤答案：A5.混合電路裝配所使用的半導體器件表面的鈍化層可以保護芯片有源表面免受顆粒、潮氣、殘余離子和一般操作的損壞，但是它很薄，且有時有針孔，所以不能認為是防潮密封的。（）A、正確B、錯誤答案：A6.超聲鍵合最佳狀態(tài)主要是壓力、功率、劈刀形狀三種工藝參數是否匹配來決定。()A、正確B、錯誤答案：B7.四探針法是用來測量高精度的大阻值電阻的。（）A、正確B、錯誤答案：B8.接收H級元器件粘接粘附元件與基片邊緣之間的間距小于76μm（）A、正確B、錯誤答案：B9.金絲與蒸發(fā)鋁膜之間的鍵合的缺點，主要是由于兩種不同金屬之間的鍵合引起的。()A、正確B、錯誤答案：A10.由于硅鋁絲和芯片金屬化層的壓點是實行鋁－鋁鍵合，所以獲得不理想的鍵合強度。(超聲鍵合時由于超聲功率太小，則在鍵合點上不能形成功率圈，這種鍵合只能是一種壓接觸。()A、正確B、錯誤答案：A11.粘接劑的電導率和電參數的穩(wěn)定性如何。（）A、正確B、錯誤答案：A12.薄膜電阻激光調值切縫內不允許有碎屑顆粒。（）A、正確B、錯誤答案：A13.在鍵合過程中，不利用超聲鍵合，很難除去鋁膜上堅硬的氧化膜。()A、正確B、錯誤答案：A14.器件從一個受控的環(huán)境傳送到另一個受控環(huán)境時，應放在容器中。（）A、正確B、錯誤答案：B15.激光加工機可以不采用任何防護，直視激光。（）A、正確B、錯誤答案：B16.高溫介質印刷位置準確，印刷套偏不得大于50μm。()A、正確B、錯誤答案：A17.設置的非破壞性鍵合拉力通常為最小鍵合強度的50％。()A、正確B、錯誤答案：B18.芯片、基片、元件、電路的傳遞必須使用帶蓋的器皿，不準暴露在周圍環(huán)境中。（）A、正確B、錯誤答案：A19.鍵合引線所用的硅鋁絲中加入硅的目的是為了增加絲的抗氧化能力。()A、正確B、錯誤答案：B20.電阻率位于絕緣體和導體之間的材料叫做半導體。（）A、正確B、錯誤答案：A21.混合集成電路薄膜和厚膜電阻器的主要優(yōu)點在于它們能被微調到精確值。（）A、正確B、錯誤答案：A22.三不放過原則是：原因找不出不放過，責任查不清不出不放過，糾正措施不落實不放過。（）A、正確B、錯誤答案：A23.質量問題歸零五條內容是：“定位準確，機理清楚、問題復現(xiàn)、措施有效、舉一反三”。()A、正確B、錯誤答案：A24.立式平面研磨機的研磨盤應在每班生產前進行修整。（）A、正確B、錯誤答案：B25.玻璃結晶的速度與粒度無關。（）A、正確B、錯誤答案：B26.填銀的粘接劑過多的流出能立刻短路或隨著時間的推移因銀遷移造成短路。（）A、正確B、錯誤答案：A27.在芯片基片外引線鍵合區(qū)上的金絲球焊鍵合，其直徑小于兩倍或大于5倍的引線直徑可以通過。()A、正確B、錯誤答案：B28.S中素養(yǎng)的目的要：培養(yǎng)好習慣、遵守規(guī)則、營造團隊精神。（）A、正確B、錯誤答案：A29.激光加工基片第一次后，取出基片，第二次放入仍可加工。()A、正確B、錯誤答案：A30.銀漿燒結是一種流傳較廣的方法，它適用于大功率晶體管。（）A、正確B、錯誤答案：B31.鍵合引線所用的鋁絲越純越好。()A、正確B、錯誤答案：B32.在將絲網組件從印刷臺上取下之前，必須先拆卸刮板以及返料刀。（）A、正確B、錯誤答案：A33.實驗室稀釋流酸時，是將水慢慢地傾倒于硫酸中，并用玻璃棒不停地攪拌。（）A、正確B、錯誤答案：A34.電阻率位于絕緣體和導體之間的材料叫做半導體。（）A、正確B、錯誤答案：A35.由于硅鋁絲和芯片金屬化層的壓點是實行鋁－鋁鍵合，所以獲得不理想的鍵合強度。(超聲鍵合時由于超聲功率太小，則在鍵合點上不能形成功率圈，這種鍵合只能是一種壓接觸。（）A、正確B、錯誤答案：A36.經過高精密的氦質譜儀檢漏，合格的產品即可判為最后合格產品。（）A、正確B、錯誤答案：B37.一個鍵合點上有兩根引線，不影響質量與性能，可以通過。()A、正確B、錯誤答案：B38.通常認為1mm以下厚度的膜為薄膜，以上者為厚膜。()A、正確B、錯誤答案：A39.超期焊膏經過驗證可延期使用1年。（）A、正確B、錯誤答案：B40.用乙醇或丙酮清洗用具時，可以在電爐上直接加熱。()A、正確B、錯誤答案：B41.絕緣材料擴展超出上層和下層金屬化的寬度應大于76μm。()A、正確B、錯誤答案：A42.所有方阻的電阻在印刷完畢后才能進行燒結操作。（）A、正確B、錯誤答案：A43.導體膜層上不得有纖維毛、氣泡、明顯凹凸不平（絲網痕跡除外）。()A、正確B、錯誤答案：A44.SMT流程是送板系統(tǒng)-錫膏印刷機-高速貼片機-再流焊-收板機。（）A、正確B、錯誤答案：A45.調值時激光機尾氣排風管道口與基片表面的距離應小于15cm。（）A、正確B、錯誤答案：B46.等離子清洗能清除表面所有沾污。（）A、正確B、錯誤答案：B47.人體的安全電壓應低于或等于36V。()A、正確B、錯誤答案：A48.鍵合引線所用的鋁絲純度不做要求。()A、正確B、錯誤答案：B49.超過適用期的焊膏可以重復使用。（）A、正確B、錯誤答案：B50.刻線文件制作過程中，不允許對圖形進行刪減、增加以及圖形邊緣相對距離變化。（）A、正確B、錯誤答案：A51.內部水汽含量試驗目的是測定金屬或陶瓷器件內部氣體中的水汽含量。（）A、正確B、錯誤答案：A52.在P型半導體中，自由電子的數目比空穴數目多得多，故自由電子稱為多數載流子，空穴稱為少數載流子；而在N型半導體中，多數載流子是空穴，少數載流子是電子。（）A、正確B、錯誤答案：B53.混合集成電路設計時選用元器件重點考慮的是是否能滿足電路功能和性能指標，而與混合電路的生產成本和進度無關。（）A、正確B、錯誤答案：B54.氦質譜檢漏儀由真空系統(tǒng)、真空測量、質譜室、離子流放大器和控制部分組成。（）A、正確B、錯誤答案：A55.焊膏從冰箱中取出后可立即使用。（）A、正確B、錯誤答案：B56.軟刀是不需要進行磨刀操作的。（）A、正確B、錯誤答案：B57.用乙醇清洗用具時可以在電爐直接加熱。（）A、正確B、錯誤答案：B58.環(huán)氧樹脂粘片材料的粘接強度隨著溫度的升高而降低。（）A、正確B、錯誤答案：A59.磨切后模塊尺寸滿足外形加工圖紙就應判定為合格。（）A、正確B、錯誤答案：B60.K級混合集成電路的高放大倍數檢驗應在75～150倍條件下進行。（）A、正確B、錯誤答案：B61.混合集成電路或基片在各工序完成后應及時傳入下道工序，暫不傳入下道工序或暫不執(zhí)行操作的電路或基片，應保存在干燥塔或干燥柜內。（）A、正確B、錯誤答案：A62.一個鍵合點焊頭，塔放在另一個鍵合點焊頭頂部的鍵合稱為二次鍵合。()A、正確B、錯誤答案：B63.停爐過程中，應先關閉再流焊爐電源，再關排風電源，最后關UPS后備電源（）A、正確B、錯誤答案：B64.因為氫氣有毒，所以使用時要嚴格遵守氣體操作規(guī)程。（）A、正確B、錯誤答案：B65.6S中素養(yǎng)目的要：培養(yǎng)好習慣、遵守規(guī)則、營造團隊精神。（）A、正確B、錯誤答案：A66.磨切后頂面漏膠膜是因為磨切過量。（）A、正確B、錯誤答案：B67.混合集成電路薄膜和厚膜電阻器的主要優(yōu)點在于它們能被微調到精確值。（）A、正確B、錯誤答案：A68.要保證鍵合絲的質量，一般鋁合金絲要保存1～2年。()A、正確B、錯誤答案：B69.檢驗分為自檢、互檢和專檢，操作者對于所做工步必須100%自檢。（）A、正確B、錯誤答案：A70.金屬Au的電阻率比金屬Ag的電阻率低。（）A、正確B、錯誤答案：B71.封裝外殼的金屬引線、管帽、底座多采用化學鍍鎳。（）A、正確B、錯誤答案：B72.焊膏屬觸變流體，基本上與塑性材料相同。（）A、正確B、錯誤答案：B73.工藝圖紙沒有簽署完畢，口頭通知即可加工產品。()A、正確B、錯誤答案：A74.低熔玻璃熔融過程的三個階段可以在同一時間開始，而在不同時間結束。（）A、正確B、錯誤答案：A75.塑封的長期失效模式是金屬化系統(tǒng)發(fā)生腐蝕斷條。（）A、正確B、錯誤答案：A76.玻璃的粘度隨轉化溫度升高而呈線性降低。（）A、正確B、錯誤答案：B77.厚膜電路可以不用測量低溫溫度系數。（）A、正確B、錯誤答案：B78.操作人員每調值60片基片應獨立完成一次自檢。（）A、正確B、錯誤答案：B79.平行封焊中加在圓錐電極度上的脈沖是一個100-200s的長觸發(fā)。（）A、正確B、錯誤答案：B80.當沒有壓縮空氣時，可以在激光加工機上加工產品。（）A、正確B、錯誤答案：B81.混合電路中不允用導電膠連接兩根鍵合引線。()A、正確B、錯誤答案：A82.鎳鉻電阻器的面電阻率與膜厚成正比。（）A、正確B、錯誤答案：B83.半導體的導電性可以通過摻入微量雜質來控制。()A、正確B、錯誤答案：A84.MOS集威電路的包裝盒應具備良好的靜電屏蔽式引線短路。（）A、正確B、錯誤答案：A85.拒收引線上存在裂口、彎曲、割口、卷曲、切傷、刻痕或頸縮，使引線直徑減少了25%以上。()A、正確B、錯誤答案：A86.超聲壓焊的可靠性主要是由壓力、溫度、時間決定的。()A、正確B、錯誤答案：B87.三維封裝疊層存儲器通過對單片存儲器的垂直疊片及立體互聯(lián)，可以實現(xiàn)存儲容量及位寬的擴展。（）A、正確B、錯誤答案：A88.燒結爐所有溫區(qū)顯示值低于250℃之后方可關機。（）A、正確B、錯誤答案：A89.一個鍵在另一個鍵上面所形成的單一金屬鍵合，叫做復合鍵合。()A、正確B、錯誤答案：A90.陶瓷外殼封裝只能采用熔封、平行封焊。（）A、正確B、錯誤答案：B91.對于高方阻的厚膜電阻器，玻璃占主導地位，因此TCR為正。（）A、正確B、錯誤答案：B92.一個生產批應由在同一生產線上、采用相同的原材料、相同型號設備、相同制造技術和控制下生產的同一型號的電路組成。（）A、正確B、錯誤答案：A93.混合集成電路按膜厚及制造技術，通常分為薄膜混合集成電路和厚膜混合集成電路。（）A、正確B、錯誤答案：A94.封裝模塊生產線上使用的灌封膠、膠膜等都在電子防潮柜中保存。（）A、正確B、錯誤答案：B95.導體材料的電阻率越高，則導體的導電性能越好。（）A、正確B、錯誤答案：B96.模塊研磨功能面研磨要求和非功能研磨要求一樣。（）A、正確B、錯誤答案：B97.混合集成電路薄膜和厚膜電阻器的主要優(yōu)點在于它們能被微調到精確值。（）A、正確B、錯誤答案：A98.在半導體中存在價帶、禁帶和導帶，價帶中的電子可以躍遷到導帶中去。()A、正確B、錯誤答案：A99.晶圓繃到繃片環(huán)上后，可以隨意放置，不怕劃傷。（）A、正確B、錯誤答案：B100.固化過程中斷電，來電后將烘箱直接運行之前程序即可。（）A、正確B、錯誤答案：B101.鍵合引線所用的硅鋁絲中加入硅的目的是為了降低鋁絲的密度。()A、正確B、錯誤答案：B102.鍵合引線所用的金絲化學穩(wěn)定性好，延展性好。()A、正確B、錯誤答案：A103.國家標準的代號為GB或GB/T。（）A、正確B、錯誤答案：A104.三維封裝疊層存儲器生產過程中使用的模具也必須有相應的質量控制措施，同時必須規(guī)定模具的使用壽命。()A、正確B、錯誤答案：A105.未能一次使用完畢的焊料，下次可繼續(xù)使用。()A、正確B、錯誤答案：B106.人體的安全電壓應低于或等于220V。()A、正確B、錯誤答案：B107.在芯片、基片、外引線鍵合區(qū)上的金絲球焊鍵合，其直徑小于或大于五倍的引線直徑不能通過。()A、正確B、錯誤答案：A108.鍵合引線所用的硅鋁絲中加入硅的目的是為了降低鋁絲的密度。()A、正確B、錯誤答案：B109.固化性能，即獲得固化所需溫度和時間，還包括固化后需有一定粘接強度和盡可能小的收縮率，以減少應力產生。另外固化時不應有氣體放出，避免產生針孔。（）A、正確B、錯誤答案：A110.電阻率介于10－4～106Ω·cm之間的材料為半導體。（）A、正確B、錯誤答案：B111.導體修補處表面應光滑平整，邊沿整齊，修補處厚度可以超過原導體厚度的2倍；鍵合區(qū)及粘接區(qū)部位可以進行手工修復。()A、正確B、錯誤答案：B112.鍵合引線不允許交叉，引線不允許跨鍵。()A、正確B、錯誤答案：A113.烘箱運行過程中可開啟烘箱門取放電路模塊。（）A、正確B、錯誤答案：B114.焊料金屬表面的潤濕難易用潤濕角來描述。（）A、正確B、錯誤答案：A115.厚膜工藝優(yōu)于薄膜工藝的優(yōu)點之一是能制造多層（可達到7層）互連電路。（）A、正確B、錯誤答案：A116.再流焊焊料邊界不在焊盤之內，或焊料在焊盤之內但其邊界距焊盤邊界小于50μm。(僅適用金焊盤)（）A、正確B、錯誤答案：A117.二次擊穿”是指二極管的雪崩擊穿。（）A、正確B、錯誤答案：B118.在半導體中存在價帶、禁帶和導帶，價帶中的電子可以躍遷到導帶中去。()A、正確B、錯誤答案：A119.堆疊前不需要對器件、銅箔等組件進行清洗。（）A、正確B、錯誤答案：B120.拒收基片安裝偏斜后，使基片金屬化層與管座引線柱之間的間距，對于薄膜小于3μm，對于厚膜小于25μm。（）A、正確B、錯誤答案：A121.圖形邊緣線條距模塊邊緣距離一般應大于100μm，若凸點離邊緣過近，優(yōu)先保證凸點網絡的正確性。（）A、正確B、錯誤答案：A122.銅線可在固定線圈時抽頭之間互相纏繞，但不可扭轉，可以彎曲。（）A、正確B、錯誤答案：A123.鍵合引線不允許交叉，也不允許跨鍵。()A、正確B、錯誤答案：A124.復合鍍層出現(xiàn)剝落、脫皮、起泡、有腐蝕斑、局部露底等現(xiàn)象是不可接受的。()A、正確B、錯誤答案：A125.過程記錄的填寫必須具有可追溯性。（）A、正確B、錯誤答案：A126.混合電路在封裝目檢前，所有工序(光刻除外)應在100000級粒子數的環(huán)境中進行。()A、正確B、錯誤答案：A127.切割過程中時只需要注意模塊尺寸即可。（）A、正確B、錯誤答案：B128.T08A表示金屬圓8線外殼，底座帶有陶瓷支柱。（）A、正確B、錯誤答案：B129.金硅燒結粘貼法是貼裝芯片到互連基片上或貼裝基片到外殼底座上的常用方法。（）A、正確B、錯誤答案：A130.激光加工機開啟時不需要觀察冷水機溫度是否在標準范圍內。（）A、正確B、錯誤答案：B131.輻射、對流兩種散熱方式在集成電路的散熱過程中不會發(fā)生。（）A、正確B、錯誤答案：B132.標識應具有唯一性，全過程應一致。（）A、正確B、錯誤答案：A133.氰酸鹽酯粘接劑具有比環(huán)氧樹脂更高的熱穩(wěn)定性。（）A、正確B、錯誤答案：A134.半導體中載流子的不均勻分布是由摻雜分布不均勻和光、電、熱等的注入兩種因素產生的。()A、正確B、錯誤答案：A135.溫度循環(huán)的目的是測定器件承受極端高溫和極端低溫的能力，以及極端高溫和極端低溫交替變化對器件的影響。（）A、正確B、錯誤答案：A136.產品的可靠性與設計密切相關，而與生產狀態(tài)和工藝控制無關。（）A、正確B、錯誤答案：B137.選擇貼裝芯片粘接劑的基本考慮是：在高溫下、高溫老練后和加功率時，具有良好的穩(wěn)定性。（）A、正確B、錯誤答案：A138.劃片應無毛剌，無裂片，無劃傷。()A、正確B、錯誤答案：A139.化學試劑用做清洗時，對純度沒有什么要求。（）A、正確B、錯誤答案：B140.激光加工陶瓷片時，必須做到任務、圖紙、程序、參數四對照。()A、正確B、錯誤答案：A141.導電膠ME8512用前應在15℃～30℃下放置0.5h，攪拌2min，可適用時間為5h。()A、正確B、錯誤答案：B142.人體的安全電壓應低于或等于36V。()A、正確B、錯誤答案：A143.只有關鍵工序有首件管理要求。（）A、正確B、錯誤答案：B144.觸電分為電傷和電擊兩大類。（）A、正確B、錯誤答案：A145.金導帶和基片邊緣之間間隔應大于25um。（）A、正確B、錯誤答案：A146.塑封中的鋁腐蝕通常首先發(fā)生在芯片表面沒有鈍化層保護的壓焊區(qū)部位。（）A、正確B、錯誤答案：A147.經篩選而返工的電路，不需要100%重新篩選。()A、正確B、錯誤答案：B148.低熔玻璃熔融過程中，氣林夾雜物的排出所需時間僅由封接體高度決定。（）A、正確B、錯誤答案：B149.烘箱內放置層架不應過密，最多放置3層。（）A、正確B、錯誤答案：A150.噴砂處理時為了增加模塊表面粗糙度，提高鍍層結合力，所以表面粗糙度越大越好。（）A、正確B、錯誤答案：B151.返工返修后的產品可作為合格品進行交付。（）A、正確B、錯誤答案：A152.導電膠ME8512用前應在15℃～30℃下放置10min，攪拌2min，可適用時間為3h。()A、正確B、錯誤答案：B153.防靜電手鐲和地線之間應有一個10MΩ左右的電阻。（）A、正確B、錯誤答案：B154.堆疊后固化時，頂面壓力越大越好。（）A、正確B、錯誤答案：B155.混合電路裝配所使用的半導體器件表面的鈍化層可以保護芯片有源表面免受顆粒、潮氣、殘余離子和一般操作的損壞，但是它很薄，且有時有針孔，所以不能認為是防潮密封的。（）A、正確B、錯誤答案：A156.在組裝壓焊過程中，防靜電措施有設備接地，操作人員要穿防靜電工作服，要戴防靜電手鐲。（）A、正確B、錯誤答案：A157.對灌封膠進行離心脫泡時必須要將針筒頂端的膠塞拔出。（）A、正確B、錯誤答案：A158.氫氣燒結工序屬于Ⅲ級危險點，禁止放置易燃物品。（）A、正確B、錯誤答案：A159.在對復合鍍后的模塊進行外觀檢時，對側面露出的金屬凸點形狀可以不做要求。（）A、正確B、錯誤答案：B160.混合電路中不允用導電膠連接兩根鍵合引線。()A、正確B、錯誤答案：A161.檢漏技術分為粗檢和細檢兩種。（）A、正確B、錯誤答案：A162.超聲壓焊的可靠性主要是由壓力、超聲功率、時間決定的。()A、正確B、錯誤答案：A163.陶瓷外殼是在氫氣保護下，經高溫焙燒而成的。（）A、正確B、錯誤答案：A164.常用的導電膠是填充了金顆粒的環(huán)氧樹脂。()A、正確B、錯誤答案：B165.工作環(huán)境不符合環(huán)境凈化要求時應停止工作。（）A、正確B、錯誤答案：A166.焊膏的流變性是制約其特性的主要特性。（）A、正確B、錯誤答案：A167.鍵合引線不允許交叉，但引線可以跨鍵。()A、正確B、錯誤答案：B168.四探針法是用來測量高精度的大阻值電阻的。（）A、正確B、錯誤答案：B169.熔點在400℃以下的為軟焊料。（）A、正確B、錯誤答案：A170.影響產品質量的一般因素是人、材料、設備、方法、環(huán)境。()A、正確B、錯誤答案：A171.產品的可靠性與設計密切相關，而與生產狀態(tài)和工藝