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文檔簡(jiǎn)介
本章重點(diǎn)內(nèi)容
PN結(jié)及其單向?qū)щ娞卣?/p>
半導(dǎo)體二極管伏安特征曲線二極管在實(shí)際中應(yīng)用三極管結(jié)構(gòu)和工作原理三極管放大作用三極管測(cè)量1.1
PN結(jié)1.1.1本征半導(dǎo)體
空穴自由電子abc+4+4+4+4+4+4+4+4+4共價(jià)鍵兩個(gè)價(jià)電子價(jià)電子+4(a)硅和鍺原子簡(jiǎn)化結(jié)構(gòu)模型(b)晶體共價(jià)鍵結(jié)構(gòu)及電子空穴正確產(chǎn)生圖1.1硅、鍺原子結(jié)構(gòu)模型及共價(jià)鍵結(jié)構(gòu)示意圖
第1章
半導(dǎo)體器件第1頁1.1.2雜質(zhì)半導(dǎo)體1.N型半導(dǎo)體2.P型半導(dǎo)體
磷原子自由電子+4+4+4+4+5+4+4+4+4電子一空穴對(duì)圖1.2N型半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)第2頁空穴硼原子+4+4+4+4+3+4+4+4+4電子一空穴對(duì)圖1.3P型半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)3.PN結(jié)形成
內(nèi)電場(chǎng)P區(qū)N區(qū)P區(qū)N區(qū)空間電荷區(qū)圖1.4PN結(jié)形成第3頁4.PN結(jié)單向?qū)щ娞卣?1)PN結(jié)正向?qū)ㄌ卣鱎外電場(chǎng)內(nèi)電場(chǎng)IR空穴(多數(shù))電子(多數(shù))NP變薄NP變厚IR≈0R外電場(chǎng)內(nèi)電場(chǎng)電子(少數(shù))空穴(少數(shù))
(a)
正向偏置
(b)反向偏置 圖1.5PN結(jié)導(dǎo)電特征
(2)PN結(jié)反向截止特征
1.2半導(dǎo)體二極管1.2.1半導(dǎo)體二極管結(jié)構(gòu)及其在電路中符號(hào)第4頁-外殼(陰極)(陽極)PN陽極引線陰極引線VD-+(陰極)(a)結(jié)構(gòu)(b)電路符號(hào)(c)實(shí)物外形圖1.6二極管結(jié)構(gòu)、符號(hào)及外形uv/V
015105
(μA)iv/mA
ABB′A′-5IR0.20.40.60.8
C′D′DC-30-U(BR)硅鍺圖1。.7二極管伏安特征曲線1.2.2半導(dǎo)體二極管伏安特征第5頁1.正向特征2.反向特征
3.反向擊穿特征
4.溫度對(duì)特征影響
1.2.3半導(dǎo)體二極管主要參數(shù)
1.最大整流電流IF2.最大反向工作電壓URM3.反向飽和電流IR
4.二極管直流電阻R5.最高工作頻率fM1.2.4半導(dǎo)體二極管命名及分類1.半導(dǎo)體二極管命名方法
第6頁用數(shù)字表示電極數(shù)目用字母表示材料和極性用字母表示類型用數(shù)字表示序號(hào)用數(shù)字表示規(guī)格圖1.8半導(dǎo)體器件型號(hào)組成2.半導(dǎo)體二極管分類
1.2.5二極管判別及使用注意事項(xiàng)
1.二極管判別(用萬用表進(jìn)行檢測(cè))(1)二極管正、負(fù)極性及好壞判斷(2)二極管好壞判別
(3)硅二極管和鍺二極管判斷(4)普通二極管和穩(wěn)壓管判別
第7頁2.二極管使用注意事項(xiàng)1.2.6幾個(gè)慣用特殊二極管1.穩(wěn)壓二極管(1).穩(wěn)壓二極管工作特征
(a)伏安特征(b)符號(hào)圖1.9穩(wěn)壓二極管特征曲線和符號(hào)0IA(Izmin)IZIA(Izmax)I/mAΔUZU/VBAUZΔIZUBUAVD第8頁(2).穩(wěn)壓管主要參數(shù)
2.發(fā)光二極管(1).普通發(fā)光二極管
(2).紅外線發(fā)光二極管
3.激光二極管
4光電二極管5變?nèi)荻O管
(a)壓控特征曲線(b)電路符號(hào)圖1.10變?nèi)荻O管壓控特征曲線和電路符號(hào)80604020CJ/pF2468101214U/V0VD第9頁1.3半導(dǎo)體三極管1.3.1
三極管結(jié)構(gòu)及類型半導(dǎo)體三極管是由兩個(gè)背靠背PN結(jié)組成。在工作過程中,兩種載流子(電子和空穴)都參加導(dǎo)電,故又稱為雙極型晶體管,簡(jiǎn)稱晶體管或三極管。
兩個(gè)PN結(jié),把半導(dǎo)體分成三個(gè)區(qū)域。這三個(gè)區(qū)域排列,能夠是N-P-N,也能夠是P-N-P。所以,三極管有兩種類型:NPN型和PNP型。第10頁NPN型PNP型箭頭方向表示發(fā)射結(jié)加正向電壓時(shí)電流方向第11頁1.3.2電流分配和電流放大作用(1)產(chǎn)生放大作用條件內(nèi)部:a)發(fā)射區(qū)雜質(zhì)濃度>>基區(qū)>>集電區(qū)b)基區(qū)很薄外部:發(fā)射結(jié)正偏,集電結(jié)反偏(2)三極管內(nèi)部載流子傳輸過程a)發(fā)射區(qū)向基區(qū)注入電子,形成發(fā)射極電流iEb)電子在基區(qū)中擴(kuò)散與復(fù)合,形成基極電流iBc)集電區(qū)搜集擴(kuò)散過來電子,形成集電極電流iC(3)電流分配關(guān)系:iE=iC+iB
第12頁試驗(yàn)表明IC比IB大數(shù)十至數(shù)百倍,因而有。IB即使很小,但對(duì)IC有控制作用,IC隨IB改變而改變,即基極電流較小改變能夠引發(fā)集電極電流較大改變,表明基極電流對(duì)集電極含有小量控制大量作用,這就是三極管電流放大作用。1.3.3三極管特征工作狀態(tài)及接法1.輸入特征曲線與二極管類似第13頁2.輸出特征曲線(1)放大區(qū):發(fā)射極正向偏置,集電結(jié)反向偏置(2)截止區(qū):發(fā)射結(jié)反向偏置,集電結(jié)反向偏置
(3)飽和區(qū):發(fā)射結(jié)正向偏置,集電結(jié)正向偏置此時(shí)
第14頁1.3.4三極管主要參數(shù)1、電流放大系數(shù)β:iC=βiB2、極間反向電流iCBO、iCEO:iCEO=(1+β)iCBO3、極限參數(shù)
(1)集電極最大允許電流ICM:下降到額定值2/3時(shí)所允許最大集電極電流。(2)反向擊穿電壓U(BR)CEO:基極開路時(shí),集電極、發(fā)射極間最大允許電壓。(3)集電極最大允許功耗PCM。
第15頁
(a)(b)(c)圖1.17
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