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數(shù)字電子22024/5/12數(shù)字電子22.1二極管、三極管開(kāi)關(guān)特性2.1.1二極管開(kāi)關(guān)特性一個(gè)理想的開(kāi)關(guān)應(yīng)具備以下幾個(gè)基本條件:開(kāi)關(guān)接通時(shí)阻抗為零;開(kāi)關(guān)斷開(kāi)時(shí)阻抗為無(wú)窮大;開(kāi)關(guān)在通、斷兩狀態(tài)之間轉(zhuǎn)換速度極快。二極管的主要特點(diǎn)是具有單向?qū)щ娦裕谡驅(qū)〞r(shí),內(nèi)阻很小,相當(dāng)于開(kāi)關(guān)接通;而在反向截止時(shí),內(nèi)阻很大,相當(dāng)于開(kāi)關(guān)斷開(kāi)。因此,二極管可作為開(kāi)關(guān)元件使用。數(shù)字電子21.靜態(tài)特性當(dāng)外加正向電壓超過(guò)一定的數(shù)值UT以后,二極管導(dǎo)通,相當(dāng)于開(kāi)關(guān)閉合。當(dāng)二極管外加反向電壓且小于擊穿電壓時(shí),二極管截止,相當(dāng)于開(kāi)關(guān)斷開(kāi)。
2.1二極管、三極管開(kāi)關(guān)特性
圖2-1二極管的伏安特性曲線(xiàn)數(shù)字電子2在二極管開(kāi)關(guān)電路中,二極管導(dǎo)通壓降與外加電源電壓相比及導(dǎo)通電阻與外電路電阻相比均可忽略,則可近似地認(rèn)為二極管具有理想開(kāi)關(guān)的靜態(tài)開(kāi)關(guān)特性。在數(shù)字電路的分析與估算過(guò)程中,常把
uD<UT=0.7V,看成是硅二極管的截止條件,而且一旦截止之后,就近似認(rèn)為iD≈0,如同斷開(kāi)了的開(kāi)關(guān)。2.1二極管、三極管開(kāi)關(guān)特性數(shù)字電子22.動(dòng)態(tài)特性
在數(shù)字電路中,二極管開(kāi)關(guān)經(jīng)常工作在高速通斷狀態(tài)。由于PN結(jié)中存儲(chǔ)電荷的存在,使二極管開(kāi)關(guān)狀態(tài)轉(zhuǎn)換不能瞬間完成,因此,必須了解二極管開(kāi)關(guān)兩種狀態(tài)之間的快速轉(zhuǎn)換過(guò)程。
當(dāng)外加電壓反向時(shí),它們就會(huì)形成較大的漂移電流。隨著存儲(chǔ)電荷的消散,PN結(jié)厚度逐漸變寬,電阻增大,IR不斷減小,經(jīng)tf時(shí)間后逐漸趨近于零,二極管才轉(zhuǎn)換為截止?fàn)顟B(tài)。
2.1二極管、三極管開(kāi)關(guān)特性圖2-2二極管開(kāi)關(guān)的轉(zhuǎn)換過(guò)程
數(shù)字電子22.1.2雙極型三極管的開(kāi)關(guān)特性雙極型三極管也簡(jiǎn)稱(chēng)為三極管,在數(shù)字電路中,三極管主要工作在截止區(qū)和飽和區(qū),并經(jīng)常在截止區(qū)和飽和區(qū)之間通過(guò)放大區(qū)進(jìn)行快速轉(zhuǎn)換。三極管的這種工作狀態(tài)稱(chēng)為開(kāi)關(guān)工作狀態(tài)。三極管工作于開(kāi)關(guān)狀態(tài)時(shí),其動(dòng)態(tài)范圍遍及三極管輸出特性的整個(gè)區(qū)域。
2.1二極管、三極管開(kāi)關(guān)特性(a)電路(b)工作狀態(tài)圖解
圖2-3三極管的開(kāi)關(guān)工作狀態(tài)數(shù)字電子21.三極管三種工作狀態(tài)的特點(diǎn)以NPN硅三極管共射極電路為例進(jìn)行分析。
2.1二極管、三極管開(kāi)關(guān)特性表2-1三極管截止、放大、飽和的工作條件及特點(diǎn)數(shù)字電子22.1二極管、三極管開(kāi)關(guān)特性2.三極管的動(dòng)態(tài)特性在理想矩形脈沖作用下,其輸出電流iC已不是理想矩形波,與輸入波形相比,在時(shí)間上有推移,而且上升沿和下降沿都變緩慢了。開(kāi)通時(shí)間ton和關(guān)閉時(shí)間toff總稱(chēng)為三極管的開(kāi)關(guān)時(shí)間,即有:ton=td+trtoff=ts+tf通常toff>ton,而且ts>tf,要減小存儲(chǔ)時(shí)間ts,只能采用減輕三極管的飽和程度的方法或采用反向過(guò)驅(qū)動(dòng)基極電流以使Qbs加速消失。
圖2-4三極管的開(kāi)關(guān)電路及波形數(shù)字電子22.1.3單極型三極管的開(kāi)關(guān)特性以絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管為例。當(dāng)輸入電壓ui為高電平(大于開(kāi)啟電壓)時(shí),MOS管導(dǎo)通,相當(dāng)于開(kāi)關(guān)閉合。當(dāng)輸入電壓ui為低電平時(shí),MOS管截止,相當(dāng)于開(kāi)關(guān)斷開(kāi)。2.1二極管、三極管開(kāi)關(guān)特性圖2-5MOS管開(kāi)關(guān)電路
數(shù)字電子21.與門(mén)電路A、B、C為信號(hào)的輸入端,Z為信號(hào)的輸出端。功能分析:(1)A、B、C都是低電平,
UA=UB=UC=0V,二極管VD1、VD2、VD3都導(dǎo)通,則Z輸出為低電平。若忽略二極管正向?qū)▔航?,則UZ≈0V。(2)A、B是低電平,C是高電平,UA=UB=0V,UC=5V,二極管VD1、VD2導(dǎo)通,二極管VD3截止,則Z輸出低電平,UZ≈0V。(3)A為低電平,B、C為高電平,UA=0V,UB=UC=5V,二極管VD1導(dǎo)通,二極管VD2、VD3截止,則Z輸出低電平,UZ≈0V。(4)A、B、C都是高電平,UA=UB=UC=5V,二極管VD1、VD2、VD3都截止,則Z輸出高電平,UZ≈5V。從上述分析可知,該電路實(shí)現(xiàn)的是與邏輯關(guān)系:只有所有輸入信號(hào)都是高電平時(shí),輸出才是高電平,否則輸出就是低電平,所以它是一種與門(mén)。2.2基本的與、或、非門(mén)電路圖2-6二極管與門(mén)數(shù)字電子2與門(mén)的函數(shù)表達(dá)式Z=A·B·CVHDL語(yǔ)言描述:Z<=AandBandC2.2基本的與、或、非門(mén)電路表2-2圖2-6電路的電位關(guān)系表表2-3與門(mén)的真值表數(shù)字電子22.或門(mén)電路A、B、C為信號(hào)的輸入端,Z為信號(hào)的輸出端。功能分析:(1)A、B、C都是高電平,UA=UB=UC=5V,二極管VD1、VD2、VD3都導(dǎo)通,輸出為高電平,UZ≈5V。(2)A、B、C中有一個(gè)或兩個(gè)是高電平,UA=5V,UB=UC=0V或者UA=UB=5V,UC=0V,與輸入高電平相對(duì)應(yīng)的二極管導(dǎo)通,而與輸入低電平相對(duì)應(yīng)的二極管截止,同樣,輸出為高電平,UZ≈5V。(3)A、B、C都是低電平,UA=UB=UC=0V,二極管VD1、VD2、VD3都截止,輸出低電平,UZ≈0V。通過(guò)上述分析可知,該電路實(shí)現(xiàn)的是或邏輯關(guān)系:只要輸入有高電平,輸出就是高電平,否則輸出就是低電平,所以它是一種或門(mén)。
2.2基本的與、或、非門(mén)電路圖2-7二極管或門(mén)數(shù)字電子2或門(mén)函數(shù)表達(dá)式為Z=A+B+CVHDL語(yǔ)言描述:Z<=AorBorC2.2基本的與、或、非門(mén)電路表2-4或門(mén)邏輯真值表數(shù)字電子23.非門(mén)電路
非門(mén)電路只有一個(gè)輸入端和一個(gè)輸出端,輸入高電平,輸出為低電平;輸入低電平,輸出為高電平,實(shí)現(xiàn)非邏輯功能。因?yàn)樗妮斎肱c輸出之間是反相關(guān)系,故又稱(chēng)為反相器。A、B、C為信號(hào)的輸入端,Z為信號(hào)的輸出端。功能分析:當(dāng)輸入信號(hào)為低電平時(shí),三極管VT在基極偏置電源-VBB的作用下,發(fā)射結(jié)反向偏置,三極管充分截止,輸出高電平;當(dāng)輸入信號(hào)為高電平時(shí),它與基數(shù)電源-VBB共同作用產(chǎn)生足夠的基極電流,三極管飽和導(dǎo)通,輸出低電平。實(shí)現(xiàn)反相器的非邏輯功能。2.2基本的與、或、非門(mén)電路圖2-8三極管反相器
數(shù)字電子22.2基本的與、或、非門(mén)電路非門(mén)的函數(shù)表達(dá)式
VHDL語(yǔ)言描述:Z<=notA表2-5非門(mén)邏輯真值表數(shù)字電子24.復(fù)合門(mén)電路A、B、C為信號(hào)的輸入端,Z為信號(hào)的輸出端。功能分析:當(dāng)輸入端A、B、C都是高電平時(shí),二極管VD1、VD2、VD3均截止,而VD4、VD5和三極管導(dǎo)通,流入三極管的基極電流iB足夠大,三極管飽和導(dǎo)通,輸出低電平,UZ≈0V;當(dāng)輸入端A、B、C中有一個(gè)為低電平時(shí),VD4、VD5和三極管均截止,輸出高電平,UZ≈VCC。
2.2基本的與、或、非門(mén)電路圖2-9DTL與非門(mén)
數(shù)字電子2與非門(mén)的函數(shù)表達(dá)式為VHDL語(yǔ)言描述:Z<=not(AandBandC)2.2基本的與、或、非門(mén)電路表2-6與非門(mén)邏輯真值表
數(shù)字電子2與非門(mén)的函數(shù)表達(dá)式為VHDL語(yǔ)言描述:Z<=not(AorBorC)2.2基本的與、或、非門(mén)電路
表2-7或非門(mén)邏輯真值表
數(shù)字電子2
2.3.1TTL與非門(mén)的工作原理TTL電路即三極管-三極管邏輯電路(Transistor-TransistorLogic),在中、小規(guī)模集成電路中應(yīng)用最為普遍。它們的基本單元電路大多由與非門(mén)組成。現(xiàn)通過(guò)典型TTL與非門(mén)電路的分析,了解TTL門(mén)電路的結(jié)構(gòu)特點(diǎn)及外特性。2.3TTL邏輯門(mén)電路數(shù)字電子21.典型TTL與非門(mén)電路2.3TTL邏輯門(mén)電路圖2-10典型TTL與非門(mén)電路
R1=3kΩR2=750ΩR3=360ΩR4=100ΩR1=3kΩ
數(shù)字電子2電路組成輸入級(jí):多射極三極管VT1和電阻R1構(gòu)成輸入級(jí),VT1可用如圖2-9(b)所示電路來(lái)等效。加到各輸入端的信號(hào)通過(guò)多發(fā)射極三極管的各個(gè)發(fā)射極與集電極實(shí)現(xiàn)“與”功能。中間倒相級(jí):三極管VT2和電阻R2、R3組成電路的中間級(jí)。這一級(jí)的主要作用是從三極管VT2的集電極和發(fā)射極同時(shí)輸出兩個(gè)相位相反的信號(hào),作為三極管VT3和VT5的驅(qū)動(dòng)信號(hào)。具有這種作用的電路稱(chēng)為倒相電路。輸出級(jí):三極管VT3、VT4、VT5和電阻R4、R5構(gòu)成輸出級(jí)。中間級(jí)提供兩個(gè)相位相反的信號(hào),使三極管VT4、VT5總是處于一個(gè)導(dǎo)通另一個(gè)截止的工作狀態(tài)。因此,這種電路結(jié)構(gòu)常稱(chēng)為推拉式輸出電路或圖騰輸出電路。由于TTL電路的輸入、輸出級(jí)都是由三極管組成,故稱(chēng)為三極管-三極管邏輯電路。2.3TTL邏輯門(mén)電路數(shù)字電子22.TTL與非門(mén)的工作原理方法與步驟1)邏輯功能2.3TTL邏輯門(mén)電路圖2-11TTL與非門(mén)的工作情況
數(shù)字電子22.3TTL邏輯門(mén)電路
輸入全部為高電平3.6V時(shí),電源電VCC流過(guò)電阻R1的電流IR1,只能通過(guò)多射極三極管的集電結(jié)給三極管VT2提供基流,使其工作于飽和狀態(tài)。三極管VT2發(fā)射極電流的大部分又給三極管VT5提供基流,使輸出管VT5飽和,輸出低電平UOL=0.3V。由于輸入全部為高電平,輸出管VT5飽和導(dǎo)通,輸出低電平,故常稱(chēng)為導(dǎo)通狀態(tài)或開(kāi)態(tài)。數(shù)字電子22.3TTL邏輯門(mén)電路輸入有低電平時(shí),設(shè)輸入端A為低電平0.3V,其他輸入端為高電平3.6V,故與A端相連的發(fā)射結(jié)為正偏,則VT1的基極電流iB1=IR1。多射極三極管基極電位被箝位在uB1=0.3V+0.7V=1V。這時(shí)多射極三極管的集電極電阻為R2和三極管VT2反偏集電結(jié)電阻之和,其阻值很大,因此,電流iC1很小,多射極三極管處于深度飽和狀態(tài),其飽和壓降UCES1≈0.1V,則uC1=uB2=0.4V,使三極管VT2、VT5截止,輸高出電平。由于uC2≈VCC,故輸出高平UOH≈VCC-uBE3-uBE4≈3.6V。在此狀態(tài)下輸出管VT5截止,故稱(chēng)為截止?fàn)顟B(tài)或關(guān)態(tài)。由以上分析可知,此電路具有與非邏輯功能,其邏輯表達(dá)式為數(shù)字電子22.3TTL邏輯門(mén)電路2)電壓傳輸特性(1)電壓傳輸特性分析①AB段——截止區(qū)對(duì)應(yīng)于輸入電壓
ui<0.6V的區(qū)間。多射極三極管工作于深度飽和狀態(tài),故三極管VT2、VT5截止,VT3、VT4導(dǎo)通,輸出高電平UOH≈3.6V。由于在此區(qū)間輸出管VT5截止,所以叫截止區(qū)。②BC段——線(xiàn)性區(qū)。對(duì)應(yīng)于輸入電壓
ui在0.6~1.3V之間。在曲線(xiàn)的B
點(diǎn)ui=0.6V,uB2≈0.7V,三極管VT2開(kāi)始導(dǎo)通進(jìn)入放大狀態(tài),但輸出管VT5仍截止??梢?jiàn)在BC段,輸出電壓uo隨著輸入電壓ui的變化而線(xiàn)性變化,負(fù)號(hào)表示ui的增加使uo下降,R2/R3為BC段下降的斜率。所以BC段又稱(chēng)線(xiàn)性區(qū)。圖2-12TLL與非門(mén)的電壓傳輸特性曲線(xiàn)
數(shù)字電子22.3TTL邏輯門(mén)電路③CD段——過(guò)渡區(qū)。在輸入電壓ui>1.3V以后,輸出管VT5開(kāi)始導(dǎo)通。隨著ui的增加,一方面輸出管VT5的基極電流急劇增加,另一方面三極管VT2的集電極電位uC2(uB3)急劇下降,使三極管VT3、VT4趨于截止。這兩個(gè)因素促使輸出電壓uo急劇下降。當(dāng)ui達(dá)到1.4V左右時(shí),輸出管VT5進(jìn)入飽和狀態(tài),輸出低電平UOL=0.3V。CD段是從VT5開(kāi)始導(dǎo)通到飽和為止,電路完成了從關(guān)態(tài)向開(kāi)態(tài)的過(guò)渡,故CD段又稱(chēng)為過(guò)渡區(qū)。④CE段——飽和區(qū)。輸出管VT5進(jìn)入飽和狀態(tài)后,輸入電壓ui再繼續(xù)增加,輸出電壓已不再變化,保持輸出為低電平。但電路內(nèi)部的工作狀態(tài)仍在繼續(xù)變化,隨著輸入電壓ui的升高,多射極三極管的發(fā)射結(jié)逐漸由正偏轉(zhuǎn)入反偏,這時(shí)IR1全部流入三極管VT2的基極,VT2進(jìn)入飽和狀態(tài),uC2(uB3)下降到1V,三極管VT4截止。由于在DE段三極管VT2、VT5均處于飽和狀態(tài),因此也稱(chēng)為飽和區(qū)。數(shù)字電子22.3TTL邏輯門(mén)電路(2)關(guān)門(mén)電平、開(kāi)門(mén)電平、閾值電壓及噪聲容限①關(guān)門(mén)電平和開(kāi)門(mén)電平。使電路的輸出電平達(dá)到標(biāo)準(zhǔn)高電平USH時(shí),所對(duì)應(yīng)的最大輸入低電平,稱(chēng)為關(guān)門(mén)電平,用UOFF表示。顯然只有當(dāng)ui<UOFF時(shí),輸出才是高電平UOH。使電路的輸出電平達(dá)到標(biāo)準(zhǔn)低電平USL時(shí),所對(duì)應(yīng)的最小輸入高電平稱(chēng)為開(kāi)門(mén)電平,用UON表示。顯然只有當(dāng)ui>UON時(shí),輸出才是低電平UOL相當(dāng)于電壓傳輸特性曲線(xiàn)中D點(diǎn)對(duì)應(yīng)的輸入電壓值。由于電壓傳輸特性曲線(xiàn)中對(duì)應(yīng)UOFF和UON處是很陡的,因此,技術(shù)規(guī)范確定由“輸入低電平最大值UiLmax”代替UOFF,由“輸入高電平最小值UiHmin”代替UON。當(dāng)ui<UiLmax時(shí)電路處于關(guān)態(tài),輸出高電平;當(dāng)ui>UiHmin時(shí)電路處于開(kāi)態(tài),輸出低電平。數(shù)字電子22.3TTL邏輯門(mén)電路②閾值電壓UT。從電壓傳輸特性看出UOFF和UON是很接近的。有時(shí)為了分析簡(jiǎn)單,常常把它們看做近似相等,并用“門(mén)坎電平”或“閾值電壓”即UT表示。并定義為過(guò)渡區(qū)的中點(diǎn)所對(duì)應(yīng)的輸入電壓值。③噪聲容限(NoiseMargin)。在集成門(mén)電路中,經(jīng)常以噪聲容限的數(shù)值來(lái)定量地說(shuō)明門(mén)電路抗干擾能力的大小。由于輸入低電平和高電平的抗干擾能力不同,因此,有低電平噪聲容限UNL和高電平噪聲容限UNH之分。當(dāng)輸入為低電平時(shí),雖有外來(lái)正向干擾,但只要不超過(guò)UOFF,電路的關(guān)態(tài)就不會(huì)受到破壞,故UNL=UOFF-USL當(dāng)輸入為高電平時(shí),加上外來(lái)干擾,只要不低于UON就不會(huì)破壞電路的開(kāi)態(tài),則UNH=USH-UON圖2-13輸入端電阻R的大小對(duì)
與非門(mén)工作狀態(tài)的影響
數(shù)字電子22.3TTL邏輯門(mén)電路(3)開(kāi)門(mén)電阻、關(guān)門(mén)電阻
①關(guān)門(mén)電阻ROFF。與非門(mén)處于關(guān)態(tài),輸出高電平時(shí),輸入端所接電阻R的最大值稱(chēng)為關(guān)門(mén)電阻。設(shè)UOFF=1V,并把VCC=5V、uBE1=0.7V、R1=3kΩ代入上式,求得R≤0.9kΩ,顯然,當(dāng)R≤0.9kΩ時(shí),uR≤UOFF,電路處于關(guān)態(tài),所以關(guān)門(mén)電阻ROFF=0.9kΩ。②開(kāi)門(mén)電阻RON。與非門(mén)處于開(kāi)態(tài),輸出低電平時(shí),輸入端所接電阻R的最小值稱(chēng)為開(kāi)門(mén)電阻。設(shè)UON=1.8V,并將VCC=5V、uBE1=0.7V、R1=3kΩ代入上式,求得R≥2kΩ。顯然,當(dāng)R≥2kΩ時(shí),uR≥UON,電路處于開(kāi)態(tài),輸出低電平,所以開(kāi)門(mén)電阻RON=2kΩ。數(shù)字電子22.3TTL邏輯門(mén)電路3)與非門(mén)輸出、輸入端等效電路(1)輸出端等效電路:①開(kāi)態(tài)TTL與非門(mén)輸出端等效電路此時(shí)輸出管VT5飽和,三極管VT4截止。輸出電阻為輸出管VT5,飽和電阻約為10~20Ω,一般可忽略不計(jì)。因此,TTL的輸出可近似看做是內(nèi)阻Ro=0、電壓為0.3V的等效電源,其等效電路如圖2-14(a)所示。②關(guān)態(tài)TTL與非門(mén)輸出端等效電路此時(shí)輸出管VT5截止,三極管VT3、VT4導(dǎo)通。輸出可以近似看做是內(nèi)阻Ro=100Ω、電壓為3.6V的等效電源,其等效電路如圖2-14(b)所示。
圖2-14TTL與非門(mén)輸出端等效電路
數(shù)字電子22.3TTL邏輯門(mén)電路(2)輸入端等效電路:①輸入為低電平時(shí),TTL射極三極管的發(fā)射結(jié)為正偏,有電流流出發(fā)射極,如圖2-15(a)所示。②輸入為高電平時(shí),TTL射極三極管的發(fā)射結(jié)為反偏,近似無(wú)電流流出發(fā)射極,相當(dāng)于開(kāi)路,如圖2-15(b)所示。圖2-15TTL與非門(mén)輸入端等效電路
數(shù)字電子22.3TTL邏輯門(mén)電路
2.3.2TTL與非門(mén)的主要參數(shù)1.輸入特性及有關(guān)參數(shù)所謂輸入特性是指門(mén)電路輸入電流和輸入電壓之間的關(guān)系。它反映電路對(duì)前級(jí)信號(hào)源的影響并關(guān)系到如何正確地進(jìn)行門(mén)電路之間以及門(mén)電路與其他電路之間的連接問(wèn)題。1)輸入伏安特性輸入電流以流入輸入端為正。圖2-16TTL與非門(mén)的輸入伏安特性
數(shù)字電子22.3TTL邏輯門(mén)電路(1)輸入短路電流IIS。ui=0時(shí)的輸入電流稱(chēng)為輸入短路電流。測(cè)試時(shí),被測(cè)的輸入端接地,其他輸入端懸空。IIS的典型值為1.5mA左右,不得大于2.2mA。(2)輸入漏電流IIH。與非門(mén)一個(gè)輸入端為高電平,其余輸入端接地時(shí),流入高電平輸入端的電流稱(chēng)為輸入漏電流。IIH的典型值為10μA,不得超過(guò)70μA。這個(gè)電流可包含兩部分:一是VT1管倒置狀態(tài)下的發(fā)射極電流;二是VT1管各發(fā)射極之間的交叉漏電流。
圖2-17IIS的計(jì)算
數(shù)字電子22.3TTL邏輯門(mén)電路2)輸入負(fù)載特性當(dāng)輸入端對(duì)地接上電阻Ri時(shí),ui隨Ri變化的關(guān)系。在具體使用門(mén)電路時(shí),往往需要在輸入端與地之間或者輸入端與信號(hào)之間接入電阻。
圖2-18TTL門(mén)電路輸入端接電阻時(shí)的等效電路圖2-19TTL與非門(mén)的輸入負(fù)載特性
數(shù)字電子22.3TTL邏輯門(mén)電路2.輸出特性及有關(guān)參數(shù)1)輸出高電平時(shí)的輸出特性當(dāng)iL<5mA時(shí),VT3,VT4管所組成的射極輸出器工作在放大區(qū),其輸出電阻很小,隨著iL增大,UOH基本上恒定。當(dāng)iL>5mA以后,VT3管已深度飽和,則有式中,UCES3在VT3深飽和時(shí),約為0.1V。上式說(shuō)明,當(dāng)iL>5mA以后UOH將隨iL的增加而呈線(xiàn)性下降。圖2-20與非門(mén)輸出高電平時(shí)的輸出特性曲線(xiàn)
數(shù)字電子22.3TTL邏輯門(mén)電路2)輸出低電平時(shí)的輸出特性
因?yàn)閂T5管處于深度飽和狀態(tài),c、e間的內(nèi)阻很小,一般只有十幾歐姆,所以當(dāng)iL增加時(shí),UOH上升得很慢,而且UOH與iL基本上是線(xiàn)性關(guān)系。3)有關(guān)參數(shù)(1)輸出高電平UOH。當(dāng)輸入端中任何一個(gè)接低電平時(shí),輸出均應(yīng)得到高電平。因?yàn)檫@個(gè)數(shù)據(jù)是在空載下測(cè)出的,所以若從輸出特性看,它位于輸出特性曲線(xiàn)的起始點(diǎn)。(2)輸出低電平UOL。UOL表示輸入端全部為高電平時(shí),輸出的低電平值。測(cè)定UOL時(shí),應(yīng)當(dāng)在額定的負(fù)載下進(jìn)行,而且負(fù)載電流是從外部流入輸出級(jí)VT5管的。圖2-21與非門(mén)輸出低電平時(shí)的輸出特性曲線(xiàn)
數(shù)字電子22.3TTL邏輯門(mén)電路3.瞬時(shí)特性及有關(guān)參數(shù)1)瞬時(shí)特性波形
所謂瞬時(shí)特性是指若在門(mén)電路的輸入端加一個(gè)理想的矩形波,實(shí)驗(yàn)和理論分析都證明,在輸出端得到的脈沖不但要比輸入脈沖滯后,而且波形的邊沿也要變壞。這是因?yàn)樵赥TL電路中,二極管和三極管的狀態(tài)轉(zhuǎn)換都需要一定的時(shí)間,而且還有二極管、三極管以及電阻等元器件的寄生電容存在。圖2-22TTL與非門(mén)的傳輸時(shí)間
數(shù)字電子22.3TTL邏輯門(mén)電路2)平均傳輸延遲時(shí)間tpd通常規(guī)定:把從輸入電壓正跳變開(kāi)始到輸出電壓下降為1.5V這一段時(shí)間稱(chēng)為導(dǎo)通傳輸時(shí)間tphl;從輸入電壓負(fù)跳變開(kāi)始到輸出電壓上升到1.5V這一段時(shí)間稱(chēng)為截止傳輸時(shí)間tplh。手冊(cè)上則給出平均傳輸時(shí)間為電路的tpd越小,說(shuō)明它的工作速度越快,TTL與非門(mén)的tpd大約為30ns。
數(shù)字電子22.3TTL邏輯門(mén)電路4.TTL與非門(mén)的扇出系數(shù)和電源電流1)扇出系數(shù)NN表示同一型號(hào)的與非門(mén)作為負(fù)載時(shí),一個(gè)與非門(mén)能夠驅(qū)動(dòng)同類(lèi)與非門(mén)的最大數(shù)目。它表示門(mén)電路帶負(fù)載的能力。設(shè)額定灌電流為IL、輸入短路電流為IIS,則一般希望N越大越好。典型的數(shù)值為N≥8。2)電源電流ICC與非門(mén)的邏輯狀態(tài)不同,電源所供給的電流也不同。ICCL是指門(mén)電路輸出為低電平UOL時(shí)電源所提供的電流。ICCH是指門(mén)電路輸出為高電平UOH時(shí)電源所提供的電流。
數(shù)字電子22.3TTL邏輯門(mén)電路由于TTL與非門(mén)的產(chǎn)品種類(lèi)繁多,所以不同型號(hào)的產(chǎn)品,乃至同一型號(hào)而不同產(chǎn)地的產(chǎn)品,在主要指標(biāo)上都有一定的差異,使用時(shí)應(yīng)以生產(chǎn)單位的產(chǎn)品說(shuō)明為準(zhǔn)。
表2-8TTL與非門(mén)的主要指標(biāo)數(shù)字電子22.3TTL邏輯門(mén)電路
2.3.3TTL的其他類(lèi)型門(mén)電路1.集電極開(kāi)路與非門(mén)在門(mén)電路組合成各種邏輯電路時(shí),如能將輸出端直接并聯(lián),有時(shí)大大簡(jiǎn)化電路。又因?yàn)檫@些電路無(wú)論輸出為高電平還是低電平時(shí),輸出電阻都很小,所以不能將輸出端直接并聯(lián)。若一個(gè)門(mén)的輸出是高電平而另一個(gè)門(mén)的輸出是低電平,則輸出端并聯(lián)后必將有很大的電流從截止門(mén)的VT4管流到導(dǎo)通門(mén)的VT5管,這個(gè)電流遠(yuǎn)遠(yuǎn)超過(guò)正常工作電流,甚至?xí)归T(mén)電路損壞。圖2-23TTL與非門(mén)輸出端直接相連的情況
數(shù)字電子22.3TTL邏輯門(mén)電路
解決這個(gè)問(wèn)題的方法就是把輸出級(jí)改為集電極開(kāi)路的三極管結(jié)構(gòu),做成集電極開(kāi)路輸出的門(mén)電路(OpenCollectorGate),簡(jiǎn)稱(chēng)為OC門(mén)。將OC門(mén)輸出連在一起時(shí),再通過(guò)一個(gè)電阻接外電源,這樣可以實(shí)現(xiàn)“線(xiàn)與”邏輯關(guān)系。只要電阻的阻值和外電源電壓的數(shù)值選擇得當(dāng),就能做到既保證輸出的高、低電平符合要求,而且輸出三極管的負(fù)載電流又不至于過(guò)大。圖2-24集電極開(kāi)路與非門(mén)
數(shù)字電子22.3TTL邏輯門(mén)電路下面討論外接負(fù)載電阻RL的選擇問(wèn)題。假定n個(gè)OC門(mén)連接成“線(xiàn)與”邏輯,帶m個(gè)與非門(mén)負(fù)載。當(dāng)所有OC門(mén)都處于截止?fàn)顟B(tài)時(shí),“線(xiàn)與”后輸出為高電平。為了保證輸出高電平不低于規(guī)定值,RL不能選得太大,其最大值為式中,UOH為OC門(mén)輸出高電平的額定值,IOH為OC門(mén)輸出管截止時(shí)的漏電流;IIH為負(fù)載門(mén)每個(gè)輸入端高電平時(shí)的輸入漏電流;M為負(fù)載門(mén)的輸入端數(shù)。圖2-25“線(xiàn)與”電路中OC門(mén)輸出高電平時(shí)的情況
數(shù)字電子22.3TTL邏輯門(mén)電路當(dāng)OC門(mén)中有一個(gè)處于導(dǎo)通狀態(tài)時(shí),“線(xiàn)與”輸出為低電平,所有負(fù)載門(mén)的電流全部流入唯一導(dǎo)通的門(mén),當(dāng)OC門(mén)輸出低電平時(shí)的情況,這時(shí)輸出低電平應(yīng)低于規(guī)定值。計(jì)算出RL的最小值為式中,ILM為每一個(gè)OC門(mén)所允許的最大負(fù)載電流;IIL即IIS為每一個(gè)負(fù)載門(mén)的輸入短路電流;而m應(yīng)為負(fù)載門(mén)的個(gè)數(shù)。最后選定的RL值,應(yīng)當(dāng)在RLmin和RLmax之間。圖2-26“線(xiàn)與”電路中OC門(mén)輸出低電平時(shí)的情況
數(shù)字電子22.3TTL邏輯門(mén)電路2.三態(tài)門(mén)利用OC門(mén)雖然可以實(shí)現(xiàn)“線(xiàn)與”的功能,但由于外接負(fù)載電阻RL的選擇要受到一定的限制而不能取得太小,因此限制了工作速度。為了改進(jìn)這一點(diǎn),產(chǎn)生了一種新的TTL門(mén)電路,即三態(tài)與非門(mén),簡(jiǎn)稱(chēng)為三態(tài)門(mén)。它的輸出除了具有一般與非門(mén)的兩種狀態(tài)外,還可以呈現(xiàn)高阻狀態(tài),或稱(chēng)開(kāi)路狀態(tài)。它是由一個(gè)與非門(mén)和一個(gè)二極管構(gòu)成的,C為控制端,A、B為數(shù)據(jù)輸入端。圖2-27三態(tài)與非門(mén)電路圖
數(shù)字電子22.3TTL邏輯門(mén)電路工作原理:
當(dāng)C為高電平時(shí),二極管VD截止,三態(tài)門(mén)的輸出狀態(tài)將完全取決于數(shù)據(jù)輸入端,F(xiàn)=,這種狀態(tài)稱(chēng)為三態(tài)門(mén)的工作狀態(tài)。當(dāng)C為低電平時(shí),三極管VT2、VT5截止,同時(shí),由于二極管VD的導(dǎo)通將uB3鉗位在1V左右,使VT4管也截止。這時(shí)從輸出端看進(jìn)去,電路處于高阻狀態(tài),這就是三態(tài)門(mén)的第三狀態(tài)。
當(dāng)C=1時(shí)電路為工作狀態(tài),所以稱(chēng)為控制端高電平有效。三態(tài)門(mén)的控制端C也可以是低電平有效,即C為低電平時(shí),三態(tài)門(mén)為工作狀態(tài);C為高電平時(shí),三態(tài)門(mén)為高阻狀態(tài)。數(shù)字電子22.3TTL邏輯門(mén)電路
三態(tài)門(mén)應(yīng)用于總線(xiàn)傳輸?shù)囊粋€(gè)例子。
它可以實(shí)現(xiàn)用同一根導(dǎo)線(xiàn),輪流傳送幾個(gè)不同的數(shù)據(jù)或控制信號(hào)。這里,LM稱(chēng)為總線(xiàn),我們令C1、C2、C3輪流接低電平,數(shù)據(jù)A1B1、A2B2、A3B3就輪流地按“與非”邏輯關(guān)系送到總線(xiàn)上。為了能正常工作,任何時(shí)間內(nèi)只能有一個(gè)門(mén)工作,其他門(mén)均處于高阻狀態(tài)。圖2-28三態(tài)門(mén)應(yīng)用于總線(xiàn)傳輸
數(shù)字電子22.3TTL邏輯門(mén)電路3.異或門(mén)異或門(mén)的函數(shù)表達(dá)式VHDL語(yǔ)言描述:L<=AxorB
圖2-29集成異或門(mén)
數(shù)字電子22.3TTL邏輯門(mén)電路4.與或非門(mén)與或非門(mén)的函數(shù)表達(dá)式:
圖2-30TTL與或非門(mén)電路
數(shù)字電子22.4CMOS集成門(mén)電路
2.4.1CMOS反相器
工作原理:當(dāng)輸入信號(hào)ui為高電平時(shí),對(duì)VT1管而言,柵極和源極之間的電壓uGS1=0V,VT1截止,漏極與源極之間呈高阻狀態(tài);對(duì)VT2管而言,uGS2=VDD,VT2導(dǎo)通,漏極與源極之間呈低阻狀態(tài),所以輸出為低電平,即uo≈0V。當(dāng)輸入為低電平,即ui=0V時(shí),uGS1=-VDD,P溝道MOS管VT1導(dǎo)通;uGS2=0V,VT2截止,所以輸出為高電平,即uo=VDD。上述反相器所實(shí)現(xiàn)的邏輯關(guān)系為邏輯非,邏輯表達(dá)式為可見(jiàn),在CMOS反相器中,無(wú)論電路處于哪一種工作狀態(tài),總有一個(gè)MOS管截止,另一個(gè)MOS管導(dǎo)通,因此靜態(tài)電流近似為零,電路的功耗很小。圖2-31CMOS反相器
數(shù)字電子22.4CMOS集成門(mén)電路
2.4.2CMOS與非門(mén)工作原理:當(dāng)輸入端A、B中有一個(gè)為低電平時(shí),該輸入端所對(duì)應(yīng)的PMOS管導(dǎo)通,NMOS管截止,輸出為高電平;只有當(dāng)輸入端A、B都是高電平時(shí),兩個(gè)NMOS管都導(dǎo)通,兩個(gè)PMOS管都截止,輸出為低電平。電路具有與非的邏輯功能,其邏輯表達(dá)式為圖2-32CMOS與非門(mén)
數(shù)字電子22.4CMOS集成門(mén)電路
2.4.3CMOS或非門(mén)工作原理:當(dāng)輸入端A、B只要有一個(gè)為高電平時(shí),該輸入端所對(duì)應(yīng)的NMOS管導(dǎo)通,PMOS管截止,輸出為低電平;只有當(dāng)A、B全為低電平時(shí),兩個(gè)并聯(lián)的NMOS管都截止,兩個(gè)串聯(lián)的PMOS管都導(dǎo)通,輸出為高電平。因此,該電路具有或非邏輯功能,其邏輯表達(dá)式為顯然,N個(gè)輸入端的或非門(mén)必須有N個(gè)NMOS管并聯(lián)和N個(gè)PMOS管串聯(lián)。CMOS或非門(mén)不存在輸出低電平隨輸入端數(shù)目增加而增加的問(wèn)題,因此,在CMOS電路中或非門(mén)結(jié)構(gòu)用得最多。圖2-33CMOS或非門(mén)
數(shù)字電子22.5CMOS集成門(mén)電路
2.5.1CMOS與TTL電路性能比較兩類(lèi)電路在功耗和速度上有很大差別。CMOS電路所消耗的功率約為相應(yīng)的TTL電路的十萬(wàn)分之一,而TTL電路的速度比CMOS電路快五倍。在高速信號(hào)處理和許多接口應(yīng)用中,TTL電路仍占有重要地位,而CMOS電路則能夠很好地與微處理器相連。CMOS電路需要的輸入電流幾乎可以忽略,因?yàn)檩斎胄盘?hào)所驅(qū)動(dòng)的是絕緣柵極;而一個(gè)典型的TTL門(mén)電路,在輸入信號(hào)為0態(tài)時(shí),需要1.6mA左右的輸入電流。另一方面,CMOS電路不能提供太大的輸出電流;而一個(gè)TTL電路的輸出端卻可以吸收16mA的電流。CMOS電路所用的電源電壓范圍很大(3~18V均可工作),與經(jīng)常工作在12~15V的模擬電路相接十分方便。如果將電源電壓加倍,例如,由5V變?yōu)?0V,CMOS門(mén)電路的工作速度會(huì)提高,傳輸時(shí)間僅為T(mén)TL電路的兩倍左右。數(shù)字電子22.5CMOS集成門(mén)電路
2.5.2TTL與CMOS接口電路1.
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