微納加工技術(shù)智慧樹知到期末考試答案章節(jié)答案2024年哈爾濱工業(yè)大學(xué)

微納加工技術(shù)智慧樹知到期末考試答案+章節(jié)答案2024年哈爾濱工業(yè)大學(xué)離子在固體材料中散射，增大能量或減小離子質(zhì)量，會(huì)增加離子穿透深度。（）

答案:對如果襯底材料是晶體，在某原子排列稀疏的方向上，離子可能“長驅(qū)直入”，這就是溝道效應(yīng)。（）

答案:對雪花的形成過程是一種自組裝形成過程。（）

答案:對投影式曝光包括1:1投影式曝光和縮小投影曝光系統(tǒng)。（）

答案:對溝道效應(yīng)不僅發(fā)生在晶體襯底材料中，還常發(fā)生在非晶襯底材料中。（）

答案:錯(cuò)矢量掃描曝光的電子束不只在曝光圖形部分掃描。（）

答案:錯(cuò)溶脫剝離的關(guān)鍵是光刻膠厚度遠(yuǎn)厚于沉積薄膜的厚度、側(cè)壁沉積少和襯底不經(jīng)歷高溫加熱。（）

答案:對光學(xué)曝光是最早用于半導(dǎo)體集成電路的微細(xì)加工技術(shù)。（）

答案:對熱壓成型是直接將模板浮雕圖形轉(zhuǎn)移到聚合物襯底材料上。（）

答案:對刻蝕法圖形轉(zhuǎn)移的基本要求是能夠?qū)⒐饪棠z掩模圖形完好地轉(zhuǎn)移到襯底材料中，并具有一定的深度和剖面形狀。（）

答案:對CVD是半導(dǎo)體工業(yè)中應(yīng)用最為廣泛的用來沉積多種材料的技術(shù)，包括大范圍的絕緣材料，大多數(shù)金屬材料和金屬合金材料。（）

答案:對聚焦離子束曝光技術(shù)，由于離子質(zhì)量遠(yuǎn)大于電子，在抗蝕劑中的散射范圍遠(yuǎn)小于電子，幾乎沒有背散射效應(yīng)。（）

答案:對模壓指微米尺寸以上的圖形轉(zhuǎn)移，一般以熱壓為主。（）

答案:對一般來說，化學(xué)濕法腐蝕的設(shè)備成本大大低于干法刻蝕。（）

答案:對通過自組裝過程形成的個(gè)體是疏松無序的狀態(tài)。（）

答案:錯(cuò)大數(shù)值孔徑是高分辨率成像的必要條件。（）

答案:對溶脫剝離法是最普通的圖形轉(zhuǎn)移技術(shù)之一，尤其適用于金屬薄膜的制作。（）

答案:對壓印的對準(zhǔn)與傳統(tǒng)接觸式光學(xué)曝光的對準(zhǔn)相似，但對準(zhǔn)精度更高。（）

答案:對Bosch工藝就是交替進(jìn)行襯底刻蝕和邊壁鈍化。（）

答案:對微納加工過程對環(huán)境的要求不高，不需要特殊的潔凈環(huán)境。（）

答案:錯(cuò)塑料微成型技術(shù)包括（）。

答案:熱壓###澆鑄###注塑離子在材料中的碰撞包括（）。

答案:非彈性碰撞###彈性碰撞原子力顯微鏡工作模式包括（）。

答案:非接觸模式###接觸模式紫外光固化納米壓印技術(shù)的過程包括（）。

答案:清除殘留層###壓印###紫外固化###脫?？涛g方法包括：（）。

答案:其他腐蝕###化學(xué)濕法腐蝕###等離子體干法腐蝕光刻膠的分類包括（）。

答案:負(fù)型光刻膠###正型光刻膠熱蒸發(fā)式薄膜沉積方向性好，但沉積速率取決于（）。

答案:蒸發(fā)源與襯底的相對位置###蒸發(fā)源種類###蒸發(fā)源與襯底的距離光學(xué)曝光技術(shù)包括（）。

答案:投影式曝光###掩膜對準(zhǔn)式曝光微納加工的基本過程包含（）。

答案:光刻###薄膜沉積###刻蝕電子束曝光的鄰近效應(yīng)校正包括（）。

答案:圖形尺寸補(bǔ)償###背景曝光補(bǔ)償###劑量校正電子束與固體間的主要相互作用為（）。

答案:彈性碰撞和非彈性碰撞極紫外光刻技術(shù)使用（）在真空環(huán)境下產(chǎn)生紫外波長。

答案:激光等離子體刻蝕在微納加工領(lǐng)域的主要應(yīng)用是（）。

答案:去除光刻膠未遮擋的襯底每立方英尺內(nèi)0.5μm顆粒數(shù)量小于（）的為百級(jí)超凈間。

答案:100垂直抽減法利用的是SOI的（）的各向異性化學(xué)腐蝕和另一面的反應(yīng)離子深刻蝕。

答案:正面（）技術(shù)可用于制備透射電鏡樣品。

答案:FIB納米球陣列法利用的是納米小球的（）。

答案:間隙h線曝光波長比i線曝光波長（）。

答案:長電子束曝光是通過抗蝕劑聚合物分子對電子能量的（）實(shí)現(xiàn)的。

答案:吸收“電子鄰近效應(yīng)”的產(chǎn)生是由于電子（）對曝光圖形的影響造成的。

答案:散射硫醇類分子在表面形成SAM后可以實(shí)現(xiàn)固體表面功能化。（）

答案:對氫鍵是一種特殊的鍵，它具有一定的共價(jià)鍵特性即具有飽和性和方向性，但鍵合力遠(yuǎn)小于共價(jià)鍵。（）

答案:對目前，分子自組裝納米加工的優(yōu)勢是（）。

答案:組裝結(jié)構(gòu)為分子尺度###低成本傳統(tǒng)的平面集成電路加工技術(shù)是（）技術(shù)，分子自組裝是（）技術(shù)。

答案:top-down;bottom-up橫向添加法用來獲得窄間隙結(jié)構(gòu)，橫向抽減法用來獲得窄線條結(jié)構(gòu)。（）

答案:對側(cè)壁沉積法中，沉積時(shí)應(yīng)選擇各向同性沉積，而刻蝕時(shí)應(yīng)選擇方向性好的各向異性刻蝕。（）

答案:對側(cè)壁沉積法獲得側(cè)壁時(shí)用到了（）

答案:刻蝕清除頂部和底部的二氧化硅###光刻和刻蝕制作支撐結(jié)構(gòu)###熱氧化或CVD沉積薄膜氧化削尖工藝依賴于氫氟酸能腐蝕（）而不能腐蝕（）。

答案:二氧化硅，硅垂直抽減法制作納米通道和氧化橫向抽減法的氧化削尖都用到了熱氧化的工藝。（）

答案:對濕法腐蝕二氧化硅的特點(diǎn)是（）。

答案:各向同性傳統(tǒng)機(jī)械加工中的噴粉工藝一般噴的是（）粉末。

答案:氧化鋁反應(yīng)離子刻蝕是離子轟擊輔助的化學(xué)反應(yīng)過程，其主要過程可以概括為（）。

答案:離子反應(yīng)###物理濺射###產(chǎn)生自由基###自由基反應(yīng)飛秒激光加工是熱加工。（）

答案:錯(cuò)與等離子體刻蝕不同，離子濺射刻蝕方法中等離子體產(chǎn)生區(qū)和樣品刻蝕區(qū)是分開的。（）

答案:對薄膜沉積方法有（）等。

答案:物理氣相沉積###分子束外延###化學(xué)氣相沉積圖形轉(zhuǎn)移分為（）。

答案:刻蝕法圖形轉(zhuǎn)移###沉積法圖形轉(zhuǎn)移沉積合金薄膜時(shí)，濺射法更優(yōu)于熱蒸發(fā)法。（）

答案:對濺射法成膜質(zhì)量好，而且襯底溫升較低，但方向性不如熱蒸發(fā)沉積。（）

答案:對溶脫剝離是薄膜沉積方法的目的之一。（）

答案:對正坡度印模結(jié)構(gòu)最適于脫模，零坡度視印模側(cè)壁的表面粗糙度而定。（）

答案:對紫外光固化納米壓印一般采用透明的印模。（）

答案:對便于脫模，最易實(shí)施的方法是（）。

答案:模板內(nèi)涂鍍高抗粘連的材料熱壓納米壓印技術(shù)工藝流程為（）。

答案:反應(yīng)離子刻蝕去殘膠###脫模###壓印納米壓印包括陽模壓印和陰模壓印，陰模壓印相對容易。（）

答案:錯(cuò)與STM相比，用AFM進(jìn)行掃描探針局部氧化加工更合適。（）

答案:對STM通過（）對抗蝕劑曝光。

答案:場致發(fā)射電子蘸筆納米探針加工受（）等因素影響。

答案:表面化學(xué)吸附性###探針駐留時(shí)間###表面晶粒尺寸###環(huán)境濕度當(dāng)AFM以STM方式工作時(shí)，也可以用AFM實(shí)現(xiàn)對抗蝕劑的曝光。（）

答案:對掃描探針顯微鏡工作模式包括（）。

答案:恒定電流模式###恒定間距模式離子源按工作原理可分為（）。

答案:場致電離型離子源###液態(tài)金屬離子源###電子轟擊型離子源###氣體放電型離子源垂直入射的離子可以獲得最大的離子濺射產(chǎn)額。（）

答案:錯(cuò)聚焦離子束系統(tǒng)的聚焦系統(tǒng)與電子束系統(tǒng)大致相同。（）

答案:對LMIS穩(wěn)定發(fā)射的關(guān)鍵是液態(tài)金屬與鎢絲的良好浸潤。（）

答案:對聚焦離子束系統(tǒng)存在空間電荷效應(yīng)，可利用較小的發(fā)射電流來比避免該問題。（）

答案:對先進(jìn)的電子束曝光機(jī)主要適用于（）以下的超微細(xì)加工。

答案:0.5微米電子槍包括發(fā)射電子的陰極和對發(fā)射電子聚束的電子透鏡。（）

答案:對曝光平面電子束斑包含各種像差，（）為主要像差。

答案:色差###球差電子束曝光的曝光效率（）光學(xué)曝光。

答案:遠(yuǎn)小于光柵掃描是對整個(gè)曝光場掃描，但電子束曝光快門只在曝光圖形部分打開。（）

答案:對接觸式曝光分為（）。

答案:軟接觸###硬接觸光學(xué)曝光的目的是把掩模上的圖形成像到（）上。

答案:光刻膠分辨率就是能夠清晰分辨出間隔很近的特征圖形的能力。（）

答案:對軟接觸通過調(diào)整（）實(shí)現(xiàn)。

答案:壓力大小正膠在感光時(shí)，使聚合物發(fā)生交聯(lián)。（）

答案:錯(cuò)光刻工藝的基本要素主要包括（）。

答案:光刻膠###對準(zhǔn)系統(tǒng)###光源間接加工技術(shù)能夠繞過現(xiàn)有設(shè)備加工