GBT 20870.10-2023 半導(dǎo)體器件 第16-10部分：單片微波集成電路技術(shù)可接收程序（正式版）

半導(dǎo)體器件第16-10部分：單片微波集成電路技術(shù)可接收程序Semiconductordevices—Part國家市場監(jiān)督管理總局國家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會(huì)1GB/T20870.10—2023/IEC60747-16-10:2004 Ⅲ 12規(guī)范性引用文件 13術(shù)語、定義和縮略語 2 23.2標(biāo)準(zhǔn)值和優(yōu)選值 23.3術(shù)語和定義 23.4縮略語 33.5關(guān)于技術(shù)可接收程序范圍的定義 44器件技術(shù)的定義 44.1器件技術(shù)的范圍 44.2活動(dòng)說明及流程圖 54.3技術(shù)摘要 64.4分包商控制要求 85MMIC的器件設(shè)計(jì) 85.1MMIC的器件設(shè)計(jì)范圍 85.2活動(dòng)說明及流程圖 9 5.4過程的確認(rèn)與控制 6掩模制造 6.1掩模制造的范圍 6.2活動(dòng)說明及流程圖 6.3工藝的確認(rèn)和控制 6.4分包商、供應(yīng)商和內(nèi)部供方 7MMIC的晶圓制造 7.1MMIC的晶圓制造范圍 7.2活動(dòng)說明和流程圖 7.3設(shè)備 7.6工藝的確認(rèn)方法和控制 7.7相互關(guān)系 GB/T20870.10—2023/IEC60748MMIC的晶圓測(cè)試 8.1MMIC的晶圓測(cè)試的范圍 8.2活動(dòng)說明和流程圖 8.4測(cè)試程序 8.5相互關(guān)系 9棵芯片交付的背面工藝 209.1裸芯片交付的背面工藝的范圍 209.2活動(dòng)說明和流程圖 22 229.5工藝的確認(rèn)方法和控制 229.6相互關(guān)系 229.7放行的有效性 10.1MMIC組裝的范圍 2310.2活動(dòng)說明和流程圖 10.4設(shè)備 10.5返工 2510.6工藝的確認(rèn)和控制 2510.7相互關(guān)系 2611.1MMIC測(cè)試的范圍 11.2活動(dòng)說明和流程圖 2611.3設(shè)備 11.4測(cè)試程序 11.6工藝的確認(rèn)和控制 11.7工藝極限驗(yàn)證 11.8產(chǎn)品驗(yàn)證 12工藝表征 12.1工藝表征的識(shí)別 12.2活動(dòng)說明 12.3表征程序 13包裝和運(yùn)輸 13.1活動(dòng)說明和流程圖 ⅢGB/T20870.10—2023/IEC60747-16-10:2013.2接口 13.3放行的有效性 3814撤銷技術(shù)可接收 參考文獻(xiàn) ⅢGB/T20870.10—2023/IEC60747-16- 本文件等同采用IEC60747-16-10:2004《半導(dǎo)體器件第16-10部分單片微波集成電路技術(shù)可接請(qǐng)注意本文件的某些內(nèi)容可能涉及專利。本文件——第16-1部分：微波集成電路放大器。目的在于規(guī)定微波集成電路放大器的術(shù)語、基本額定——第16-2部分：微波集成電路預(yù)分頻器。目的在于規(guī)定微波集成電路預(yù)分頻器的術(shù)語、字母——第16-3部分：微波集成電路變頻器。目的在于規(guī)定微波集成電路變頻器的術(shù)語、基本額定——第16-5部分：微波集成電路振蕩器。目的在于規(guī)定微波集成電路振蕩器的術(shù)語、基本額定——第16-6部分：微波集成電路倍頻器。目的在于規(guī)定微波集成電路倍頻器的術(shù)語、基本額定——第16-7部分：微波集成電路衰減器。目的在于規(guī)定微波集成電路衰減器的術(shù)語、基本額定——第16-8部分：微波集成電路限幅器。目的在于規(guī)定微波集成電路限幅器的術(shù)語、基本額定——第16-9部分：微波集成電路移相器。目的在于規(guī)定微波集成電路移相器的術(shù)語、基本額定——第16-10部分：單片微波集成電路技術(shù)可接收程序。目的在于規(guī)定單該系列標(biāo)準(zhǔn)等同采用IEC60747-16系列標(biāo)準(zhǔn)1半導(dǎo)體器件第16-10部分：單片微波集成電路技術(shù)可接收程序下列文件中的內(nèi)容通過文中的規(guī)范性引用而構(gòu)成本文件必不可少的條款。其中，注日期的引用文ISO1000SI單位及其倍數(shù)單位和一些其他單位應(yīng)用的建議(SIunitsandrecommendationsfortheuseoftheirmultiplesandcertainotherunits)IEC60027(所有部分)電工技術(shù)用字母符號(hào)(LettersymbolstobeusedinelectrIEC60050國際電工詞匯(InternationalElIEC60068(所有部分)環(huán)境試驗(yàn)(Environmentaltesting)IEC60191-2半導(dǎo)體器件的機(jī)械標(biāo)準(zhǔn)化第2部分：尺寸(Mechanicalstandardisationofsemicon-IEC60747-1半導(dǎo)體器件分立器件和集成電路第1部分：總則(Semiconductordevices—Dis-IEC60747-16-2半導(dǎo)體器件第16-2部分：微波集成電路預(yù)分頻器(Semiconductordevices—Part16-2:MicrowaveintegratedciIEC60747-16-3半導(dǎo)體器件第16-3部分：微波集成電路變頻器(Semiconductordevices—Part16-3;MicrowaveintegratedcircuitIEC60747-16-4半導(dǎo)體器件第16-4部分：微波集成電路開關(guān)(Semiconductordevices—PartQC001002-3:2005電子元器件IEC質(zhì)量評(píng)定體系(IECQ)程序規(guī)則QualityAssessmentS第3部分：批準(zhǔn)程序(IECofprocedure—Part3:2QC001005:2000電子元器件IEC質(zhì)量評(píng)定體系(IECQ)程序規(guī)則-經(jīng)IECQ-CECC體系，包括ISO9000批準(zhǔn)的企業(yè)、產(chǎn)品和服務(wù)的登記表(IECQualityAssessmentSystemforElectronicComponent(IECQ)-Registeroffirms,productsandservicesapprovedundertheISO1000:SI單位及其倍數(shù)單位和一些其他單位應(yīng)用的建議技術(shù)可接收允許定制器件或工藝來適應(yīng)每個(gè)客戶。因優(yōu)選值的傳統(tǒng)概念應(yīng)用可以有一定局限3ASIC——專用集成電路(ApplicationSpecificIntegratedCircuit);CAE——計(jì)算機(jī)輔助工程(ComputerAidedEngineering);CECC——?dú)W洲電工標(biāo)準(zhǔn)化委員會(huì)電子元器件委員會(huì)(CENELECElectronicComponentsCom-CMB——合同管理處(ContractManagementBrCpk——關(guān)鍵過程能力指數(shù)(Indexofcriticalprocesscapability);DyePenetrant(ZYGLO)——染料浸透(即熒EDP——電子數(shù)據(jù)處理(ElectronicDataProcessing);EFR——電氣故障率(ElectricalFailureRate);ERC——電氣規(guī)則檢查(ElectricalRulesCheck);GaAs——砷化鎵(GalliumArsenideHBT——異質(zhì)結(jié)雙極晶體管(Hetero-junctionBipolarTrISO9000—ISO國際質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn)(ISOInternationalQualityRules);JFET——結(jié)型場效應(yīng)管(JunctionFieldEffectTransistor);LRM——延遲線反射匹配(LineReflectMatch);LVS——布局與原理圖(LayoutVersusSchemMESFET—金屬半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(MetalSemiconductorFieldEffectTransistor);MMIC——單片微波集成電路(MonolithicMicrowaveIntegratedCircuits);MODFET——調(diào)制摻雜場效應(yīng)晶體管(ModulationDopedF4NMOS——N溝道金屬氧化物硅(MetalOxideSiliconNchannel);OS——操作系統(tǒng)(OperatingSystemPAS可公開提供規(guī)范(PubliclyAvailableSpecification);PCM工藝控制監(jiān)測(cè)(ProcessControlMonitor);PMOSP溝道金屬氧化物硅(MetalOxideSiliconPchannel);QCI質(zhì)量一致性檢驗(yàn)(QualityConformanceInspectQML——合格制造廠目錄(QualifiedManufacturerList);RIE——反應(yīng)離子蝕刻(ReactivelonEtching);SEC標(biāo)準(zhǔn)評(píng)價(jià)電路(StandardEvaluationCircuit);SEM—掃描電子顯微鏡(ScanningElectronMicroscope);SOI絕緣襯底上的硅(TCI技術(shù)一致性檢查(TechnologyConforTCV可靠性表征結(jié)構(gòu)(TechnologyCharacterizationVehicTDDB時(shí)間相關(guān)(電)介質(zhì)擊穿(TimeDependentDielectricTQM全面質(zhì)量管理(TotalQualityManagement);TRB技術(shù)審查機(jī)構(gòu)(TechnologyReviewBoard);TRL直通反射延遲線(ThruReflectLine)。VT場效應(yīng)管的閾值電壓(ThresholdVoltageforFET);有關(guān)技術(shù)批準(zhǔn)的定義，見QC001002-3:2005的第6章。系列器件的技術(shù)可接收規(guī)定范圍應(yīng)包括器件的設(shè)計(jì)、制造工藝及接口。控制方對(duì)接口的整體管理5本部分的相關(guān)條款對(duì)技術(shù)可接收中所列的過程和接口有更詳細(xì)的要求。所有的活動(dòng)(工藝)都應(yīng)包括在相關(guān)流程圖中。這些信息可包括不同類型器集成電路的設(shè)計(jì)和制造周期可涉及一個(gè)或多個(gè)有資質(zhì)的公司或制造廠，這些公司或制造廠在MMIC的設(shè)計(jì)、開發(fā)或規(guī)范是根據(jù)客戶的特定需求來進(jìn)行的，客戶可以是外部客戶(例如某特定MMIC的用戶),也可以是內(nèi)部部門。主承包商是負(fù)責(zé)管理MMIC達(dá)到規(guī)定要求之前的所有任務(wù)的機(jī)構(gòu)。6晶圓測(cè)試測(cè)試技術(shù)可接收技術(shù)摘要應(yīng)通過技術(shù)可接收申報(bào)文將在QC001005-2000中發(fā)布的信息、公司的注冊(cè)者、IECQ-CECC系統(tǒng)可接收的產(chǎn)品和服務(wù)、7柵極材料：襯底材料：(如8)*等)(如陶瓷/環(huán)氧/塑料等)支架/引線框架：(如銅/合金42等)*芯片安裝：8鍵合：(如在55℃下>x年或在125℃下>1000h)(如在55℃/相對(duì)濕度60%下>x年或在85℃/相對(duì)濕度85%下1000h)(如-65℃~+150℃)等預(yù)期失效率(在特定環(huán)境下):當(dāng)4.1中定義的技術(shù)工藝分包時(shí)，應(yīng)規(guī)定控制的程序和判斷標(biāo)準(zhǔn)。這可以通過性能符合IECQ-CECC200000系列中適用的PAS(公開規(guī)范)要求來證明，也可以通過該工藝完全滿足TADD中確定的或引用的標(biāo)準(zhǔn)來證明。該判斷標(biāo)準(zhǔn)應(yīng)能證明其符合可靠性和環(huán)境適應(yīng)——IECQ-CECC工藝和可接收或技術(shù)可接收證書參考(適用時(shí));TADD中應(yīng)包括與申請(qǐng)可接收的技術(shù)有關(guān)的設(shè)計(jì)9IC設(shè)計(jì)中心負(fù)責(zé)按照客戶提出的產(chǎn)品或規(guī)范要求設(shè)計(jì)集成電路，通常采用把接收到的數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換成IC規(guī)范的方式。然后進(jìn)入根據(jù)產(chǎn)品數(shù)據(jù)、規(guī)范和制造所需計(jì)算機(jī)文件(或同等文件)的設(shè)計(jì)和仿真階a)可行性應(yīng)核實(shí)是否有足夠的設(shè)備和設(shè)計(jì)/制造能力來滿足所需的生產(chǎn)批的數(shù)b)工藝設(shè)計(jì)1)物理特性(電路設(shè)計(jì)要求);c)設(shè)計(jì)服務(wù)和支持3)工藝規(guī)則(晶圓制造和組裝);d)電路設(shè)計(jì)工具1)線性仿真(頻域);e)改造或適應(yīng)現(xiàn)有設(shè)計(jì)任何未說明的活動(dòng)應(yīng)參照相關(guān)文件和接口控制說明。信息(適規(guī)則);設(shè)計(jì)規(guī)范原型導(dǎo)入布局布局晶圓制造組裝——制造(掩模制造及/或預(yù)制); ——組裝(包括外殼的供應(yīng)商); 原型設(shè)計(jì)(適用時(shí));設(shè)計(jì)中心負(fù)責(zé)確定技術(shù)的設(shè)計(jì)和制造規(guī)則的應(yīng)用。它還負(fù)責(zé)規(guī)定正設(shè)計(jì)中心(負(fù)責(zé)實(shí)現(xiàn)電路內(nèi)的可測(cè)性和測(cè)試元件組的生成)與實(shí)現(xiàn)、b)定義——目前，透明度低的軟件用于全定制設(shè)計(jì)，軟件只是布局/仿真等的工具，由設(shè)計(jì)師作出所有這會(huì)導(dǎo)致一些問題主要由軟件供應(yīng)商來解決。為識(shí)別透明性/可移植性的程度，需要注意以下2)MMIC設(shè)計(jì)師的資質(zhì)水平將根據(jù)透明性/可移植性的級(jí)別而有所不同。如，他們可以接受過5)設(shè)計(jì)軟件的版本可在設(shè)計(jì)過程中進(jìn)行部設(shè)計(jì)分包可依據(jù)4.4的規(guī)定。 本節(jié)規(guī)定了晶圓制造過程中用于確定電路器件的掩模制造要求，并對(duì)工藝確認(rèn)和分包商提出了掩模制造可由MMIC晶圓制造公司或獨(dú)立公司單獨(dú)完成。無論哪種情況，都應(yīng)同等對(duì)待活動(dòng)要——CAD數(shù)據(jù)和規(guī)則；——掩模制造內(nèi)部TRB的名稱；掩模制造分包可依據(jù)4.4的規(guī)定。7MMIC的晶圓制造a)從合格任務(wù)或制造廠接收和使用合適的掩模和/或CAD數(shù)據(jù)，或要監(jiān)控的關(guān)鍵操作應(yīng)基于工藝經(jīng)驗(yàn)和知識(shí)來確定，應(yīng)使用公認(rèn)的SPC方法分析來自工藝線的數(shù)技術(shù)審查機(jī)構(gòu)TRB),能夠向監(jiān)督檢查機(jī)構(gòu)(SI)(直接或通過控制方)b)晶圓工藝技術(shù)(每層):——制造地點(diǎn) 來料來料100%按規(guī)范預(yù)測(cè)試劃片質(zhì)量保證封裝貯存——重要的(該過程已用于有資格的產(chǎn)品性能只有在能夠證明不影響產(chǎn)品質(zhì)量和可靠性的情應(yīng)規(guī)定用于確認(rèn)和控制工藝的程序。使用基于測(cè)試數(shù)據(jù)和工藝知識(shí)的統(tǒng)計(jì)TRB應(yīng)基于PCM電測(cè)試創(chuàng)建并證明計(jì)劃的有效性。如適用，還應(yīng)使用目檢準(zhǔn)則。該計(jì)劃可以是制造商使用晶圓制造數(shù)據(jù)分析系統(tǒng)，來監(jiān)控工藝關(guān)鍵點(diǎn)并管理成品率和鍵操作由制造商根據(jù)經(jīng)驗(yàn)和工藝知識(shí)來決定。根據(jù)適當(dāng)?shù)腟PC方法對(duì)來自工藝線的數(shù)據(jù)(SPC指南刊載于CECC00016:CECC系統(tǒng)中使用統(tǒng)計(jì)過程控制(SPC)的基本要求，可從IECQ-在批準(zhǔn)階段，制造商應(yīng)生產(chǎn)電路、進(jìn)行測(cè)試和基準(zhǔn)，以證明其在質(zhì)量、可靠對(duì)7.2.2中說明的技術(shù)流程圖進(jìn)行整體審核，以驗(yàn)證其符合性。7.2.2中的關(guān)(關(guān)鍵點(diǎn)刊載于指南文件CECC00809;IC和ASIC生產(chǎn)線審核調(diào)查問卷，可從IECQ-CECC秘書晶圓制造工藝由標(biāo)準(zhǔn)評(píng)價(jià)電路(SEC)、可靠性表征結(jié)構(gòu)(TCV)和工藝控制監(jiān)測(cè)(PCM)監(jiān)控晶圓制造分包可依據(jù)4.4的規(guī)定。 應(yīng)提供所用的測(cè)試設(shè)備的信息及預(yù)期范圍。設(shè)備的維護(hù)和校準(zhǔn)程序應(yīng)包括在內(nèi)。宜包括：晶圓測(cè)試分包可依據(jù)4.4的規(guī)定。與申請(qǐng)可接收的技術(shù)有關(guān)的裸芯片傳遞的背面工藝信息宜包括在TADD中，要監(jiān)控的關(guān)鍵操作應(yīng)基于經(jīng)驗(yàn)和背面工藝知識(shí)來確定。應(yīng)使用全面質(zhì)量管理TQM方法，即晶圓制造中心負(fù)責(zé)自身質(zhì)量，建立組織和資源(包應(yīng)規(guī)定單片微波集成電路裸芯片傳遞的背面工藝活動(dòng)，包括用于確認(rèn)和控制工藝和分包商的所有 合格應(yīng)規(guī)定背面工藝設(shè)備和預(yù)定范圍的信息。維修和校準(zhǔn)方案宜包括在內(nèi)。所有成品制造商用設(shè)備宜符合7.3的要求。應(yīng)規(guī)定用于確認(rèn)和控制工藝的程序。應(yīng)規(guī)定使用基于測(cè)試數(shù)據(jù)和工藝知識(shí)的統(tǒng)計(jì)方法，確定控制TRB在質(zhì)量控制方面的直接責(zé)任，允許對(duì)組裝和封裝的工藝裸芯片傳遞的背面工藝分包可依據(jù)4.4的規(guī)定。應(yīng)規(guī)定放行期限的有效期。應(yīng)提供證據(jù)以確保在此期間放行的產(chǎn)品符合IECQ-CECC/客戶/應(yīng)用制它(如通過TRB),并能夠通過可見的結(jié)果向SI證明。——光學(xué)選擇(顯微鏡或自動(dòng)設(shè)備);——共晶芯片連接(釬焊);——封裝(密封或模塑);產(chǎn)品來料產(chǎn)品來料工劃片立100%最終檢驗(yàn)+測(cè)試采樣章發(fā)送晶圓來料根據(jù)質(zhì)量質(zhì)量保證質(zhì)量部門 TRB調(diào)查的供應(yīng)商的質(zhì)量計(jì)劃和更改報(bào)告的說明 應(yīng)規(guī)定組裝設(shè)備和預(yù)定范圍的信息。維護(hù)和校準(zhǔn)程序應(yīng)包括在內(nèi)。用于成符合7.3中規(guī)定的要求。文件應(yīng)規(guī)定所有允許的返工工藝/階段及其使用、性能和滿意完成的標(biāo)準(zhǔn)。如果組裝批次要返在組裝工藝中不允許返修。MMIC組裝中，返修被重新定義為“為糾正不合格或錯(cuò)誤而進(jìn)行應(yīng)規(guī)定用于確認(rèn)和控制工藝的程序。使用基于過程的經(jīng)驗(yàn)和知識(shí)的統(tǒng)計(jì)方組裝分包可依據(jù)4.4的規(guī)定。每個(gè)批準(zhǔn)的封裝系列或類型的芯片，其允許可接收的安裝、鍵合和封裝所需的封裝特性應(yīng)予以 本節(jié)的目的是確定界定測(cè)試工藝能力限度的要素、合適的質(zhì)量程序和SI批準(zhǔn)和鑒定所涵蓋的要點(diǎn)。這些測(cè)試應(yīng)包括部分或全部成品(可以包括晶圓)的測(cè)試工廠也可以為最終測(cè)試和/或工藝表征開發(fā)軟件工具和程序。但是，這些活動(dòng)也可以作為與申請(qǐng)可接收的技術(shù)相關(guān)的測(cè)試中心信息應(yīng)包括在TADD中。應(yīng)使用全面質(zhì)量管理TQM方法，即測(cè)試中心負(fù)責(zé)自身質(zhì)量，建立組織和資源(包括TRB)來管 -—產(chǎn)品的標(biāo)記。預(yù)老煉終點(diǎn)測(cè)試特殊標(biāo)記拒收批接收應(yīng)規(guī)定所用的測(cè)試設(shè)備和預(yù)定范圍的信息。驗(yàn)證、維護(hù)和校準(zhǔn)程序應(yīng)包括在內(nèi)。所有用于原型或成品測(cè)試的設(shè)備應(yīng)符合7.3中規(guī)定的要求?！涌诤吞囟üぞ叩拇_認(rèn)(使用參考樣本); 對(duì)傳遞給測(cè)試人員的數(shù)據(jù)進(jìn)行確認(rèn)(測(cè)試人員應(yīng)規(guī)定測(cè)試程序的處理、控制和使用的詳細(xì)程序要求，包括以前未提供的信息(即確認(rèn)和符合程可接收評(píng)審應(yīng)證明所進(jìn)行的操作與最初規(guī)范的符合性。如果與產(chǎn)品技術(shù)規(guī)范相比，發(fā)現(xiàn)不符合——測(cè)試程序(探針或最終測(cè)試);——最大額定參數(shù) 標(biāo)準(zhǔn)評(píng)價(jià)電路(SEC)(可選)作情況及電路布局符合設(shè)計(jì)規(guī)則的情況下，加速老煉試驗(yàn)對(duì)每種失效機(jī)理給出平均失效時(shí)間MTF(Mean-Time-to-Failure)的估計(jì)值和失效時(shí)間分布。從MTF和失效分布能預(yù)測(cè)最壞情況下的工作壽命或最壞情況下的失效率。測(cè)試結(jié)構(gòu)應(yīng)選擇已鈍化的完整晶圓。加速老煉日期和TCV應(yīng)采用適用于合格電路技術(shù)的應(yīng)力老煉監(jiān)測(cè)結(jié)構(gòu)。器件的退化應(yīng)同時(shí)以gm(正向跨導(dǎo))和如果在類似的設(shè)備上沒有能用的數(shù)據(jù)來確定要使用的應(yīng)力溫度，則應(yīng)使用步進(jìn)應(yīng)力。步進(jìn)應(yīng)力宜使用至少6個(gè)TCV,試驗(yàn)中有相同的偏置和射頻輸入功率，從150℃基板溫度開始，進(jìn)行步進(jìn)25℃,在每一個(gè)溫度至少24h,試驗(yàn)中每一步之間進(jìn)行電測(cè)試。使用恒定溫度和增加偏置或射頻輸入功率的類似步進(jìn)應(yīng)力試驗(yàn)也可用于驗(yàn)證偏置條使用的穩(wěn)態(tài)應(yīng)力最高溫度應(yīng)當(dāng)基于至少100h的預(yù)期中位壽命。如果使用步進(jìn)應(yīng)力試驗(yàn)，穩(wěn)態(tài)應(yīng)力底板最高溫度應(yīng)比步進(jìn)應(yīng)力試驗(yàn)底板溫度低至少20℃,該步進(jìn)應(yīng)力試驗(yàn)底板溫度在24h內(nèi)產(chǎn)生50%失效。此外，如果知道當(dāng)器件溫度上升到某溫度以上時(shí)，主要失效機(jī)理變應(yīng)至少有三個(gè)溫度的穩(wěn)態(tài)應(yīng)力。第二個(gè)溫度至少應(yīng)比最高溫度低15℃,第三個(gè)溫度至少應(yīng)比第二個(gè)溫度低15℃。此外，如果三個(gè)底板中的最低溫度高于200℃,第四個(gè)樣本TCV應(yīng)工作在比器件的最高工作溫度高50℃以上的底板溫度上(或者，如果沒有指定，則在底板溫度為150℃上)至少2000h,來驗(yàn)證外推工作范圍的有效性。在這個(gè)溫度，預(yù)計(jì)很少出現(xiàn)失效，MTF分析方法只能很肯定中值壽命大于2000h。(如果失效激活能是0.5eV,在溝道溫度200℃下的2000h壽命對(duì)應(yīng)在器件最高工作溫度150℃下的1年，或如果失效激活能是2eV,則是32年)。速試驗(yàn)。對(duì)數(shù)據(jù)的分析類似于對(duì)溫度的依賴性，只是對(duì)每個(gè)變量的函數(shù)依賴性可以不同。當(dāng)和無源器件可以只采用直流應(yīng)力。通用的功率器件、不含F(xiàn)ET的電路應(yīng)采用連續(xù)波射頻應(yīng)TCV應(yīng)具有表征最壞情況下的金屬電遷移的結(jié)構(gòu)：應(yīng)依據(jù)技術(shù)允許的最差情況的電流和溫度幾何布局形狀確定電遷移的電流密度和溫度加速因子及結(jié)構(gòu)應(yīng)具有電容面積和周長主導(dǎo)的結(jié)構(gòu)。應(yīng)確定最壞情況下的TDDB的電場和溫度加速因子，獲得制造商應(yīng)有規(guī)定工藝中每種晶圓類型的電特性的工藝控制監(jiān)測(cè)。PCM測(cè)試結(jié)構(gòu)能合并到一個(gè)器件芯片的網(wǎng)格(切口)