模擬電子技術(shù)項(xiàng)目化教程(第2版)課件 2.20 場(chǎng)效應(yīng)管的參數(shù)與模型_第1頁(yè)
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場(chǎng)效應(yīng)管的參數(shù)與模型主講:李華1.場(chǎng)效應(yīng)管的主要參數(shù)1)夾斷電壓UGS(off)(耗盡型)定義:當(dāng)uDS為常量時(shí),使漏極電流iD為規(guī)定的微小電流時(shí)的柵—源電壓。2)開(kāi)啟電壓UGS(th)(增強(qiáng)型)定義:當(dāng)uDS為常量時(shí),使漏極電流iD為規(guī)定的微小電流時(shí)的柵—源電壓。3)飽和漏極電流IDSS定義:結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管或者耗盡型MOS管在uDS為常量、uGS=0時(shí),發(fā)生預(yù)夾斷時(shí)的漏極電流。4)低頻跨導(dǎo)gm定義:當(dāng)uDS為固定值時(shí),漏極電流的微小變化量與此時(shí)柵—源電壓uGS的微小變化量之比場(chǎng)效應(yīng)管的參數(shù)與模型gm反映了柵—源電壓uGS對(duì)漏極電流iD為的控制能力,是表征場(chǎng)效應(yīng)管放大能力的重要參數(shù)2.場(chǎng)效應(yīng)管的極限參數(shù)場(chǎng)效應(yīng)管的參數(shù)與模型1)最大漏極電流IDM:為管子工作時(shí)允許的最大漏極電流。2)最大漏極功耗PDM:PDM=uDSiD,受管子最高工作溫度限制。

3)漏源擊穿電壓U(BR)DS:

漏源間能承受的最大電壓。4)柵源擊穿電壓U(BR)GS:柵源間能承受的最大電壓。3.場(chǎng)效應(yīng)管的小信號(hào)模型條件:低頻小信號(hào)等效方法:將場(chǎng)效應(yīng)管看成一個(gè)二端口網(wǎng)絡(luò),柵極與源極之間看成輸入端口;漏極與源極之間看成輸出端口。以N溝道增強(qiáng)型MOS管為例,可認(rèn)為柵極電流為零,柵極和源極之間只有電壓存在。場(chǎng)效應(yīng)管的參數(shù)與模型4.場(chǎng)效應(yīng)管與三級(jí)管的比較1)導(dǎo)電機(jī)理。場(chǎng)效應(yīng)管稱(chēng)為單級(jí)型器件;三級(jí)管稱(chēng)為雙極型器件。2)結(jié)構(gòu)對(duì)稱(chēng)性。場(chǎng)效應(yīng)管的結(jié)構(gòu)具有對(duì)稱(chēng)性;三級(jí)管的結(jié)構(gòu)沒(méi)有對(duì)稱(chēng)性。3)控制方式。場(chǎng)效應(yīng)是電壓控制型器件;三級(jí)管是電流控制型器件。4)放大能力。場(chǎng)效應(yīng)管放大能力較弱;三級(jí)管放大能力較強(qiáng)。5)直流輸入電阻。場(chǎng)效應(yīng)管的直流輸入電阻大;三級(jí)管的直流輸入電阻較小。6)穩(wěn)定性及噪聲。場(chǎng)效應(yīng)管具有較好的溫度穩(wěn)定

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