半導(dǎo)體技術(shù)導(dǎo)論智慧樹知到期末考試答案章節(jié)答案2024年南京理工大學(xué)

半導(dǎo)體技術(shù)導(dǎo)論智慧樹知到期末考試答案+章節(jié)答案2024年南京理工大學(xué)為解決當(dāng)前高端芯片制造“卡脖子”問題，需大力發(fā)展高精度光刻技術(shù)。以下______方法不能用來直接提高半導(dǎo)體光刻工藝的精度？（）

答案:使用步進(jìn)式光刻機(jī)光刻技術(shù)中的反刻工藝，通常應(yīng)用于（）的情況。

答案:光刻的材料難以腐蝕光纖材質(zhì)通常分為兩層以上，不同層材料的折射率不同。

答案:對芯片電極與封裝外殼上的電極通過金屬線連接。

答案:對硅原子最外層有4個電子，可以與4個相鄰的原子組成共價鍵。

答案:對[100]晶向和[110]晶向是等效的。

答案:錯硅基太陽能電池因其光電轉(zhuǎn)換效率最高而占有最大的市場份額。

答案:錯一片晶圓經(jīng)過加工、測試合格后，就可以直接作為芯片使用。

答案:錯擴(kuò)散電流方向可以從載流子濃度低的區(qū)域指向濃度高的區(qū)域。

答案:錯pn結(jié)平衡狀態(tài)下，器件內(nèi)的擴(kuò)散電流和漂移電流相互抵消。

答案:對在制作半導(dǎo)體器件電極時，通常希望金屬與半導(dǎo)體之間形成歐姆接觸。

答案:對在硅中摻雜硼元素，硼元素屬于施主。

答案:錯pn結(jié)處于反偏狀態(tài)下時，電流為0。

答案:錯提高光刻最小線寬可以通過提升介質(zhì)的介電常數(shù)實現(xiàn)。

答案:對激光器工作的兩個基本條件是：諧振腔和集居數(shù)反轉(zhuǎn)。

答案:對太陽能電池本身就是一個pn結(jié)。

答案:對通常來說，某種材料中電子的移動速率高于空穴的移動速率。

答案:對在硅基底上鍍鋁只能用濺射法，不能使用熱蒸鍍法。

答案:錯在CMOS工藝中，通常采用SiO2作為摻雜工藝的掩膜層材料。

答案:對離子注入法摻雜工藝通常會破壞晶體結(jié)構(gòu)，所以在低溫下進(jìn)行以減小此類影響。

答案:錯在化學(xué)氣象沉積中，反應(yīng)物可以是固體。

答案:錯離子注入法摻雜工藝通常無法精確控制摻雜深度。

答案:錯晶圓表面需要打磨，通常使用CMP方法拋光。

答案:對通常利用半導(dǎo)體制程中用到的掩膜版數(shù)量來指代半導(dǎo)體制程的步驟數(shù)量。

答案:對晶格常數(shù)通常用來描述晶體分子的最小尺寸。

答案:對在鍺中摻雜砷元素，砷元素屬于受主。

答案:錯面心立方結(jié)構(gòu)可由簡單立方結(jié)構(gòu)組合而成。

答案:錯金剛石結(jié)構(gòu)與閃鋅礦結(jié)構(gòu)主要差異在于晶格內(nèi)元素種類與晶格邊緣的元素種類差異。

答案:對半導(dǎo)體電導(dǎo)率與載流子遷移率成反比。

答案:錯體心立方晶體在（110）晶面上有4個角原子，1個中心原子。

答案:對異質(zhì)結(jié)兩端半導(dǎo)體材料可以同為n型半導(dǎo)體。

答案:對XPS只能檢測元素種類，無法標(biāo)定元素含量。

答案:錯世界上第一臺激光器是一臺（）激光器。

答案:紅寶石有A和B兩種單質(zhì)晶體，我們知道A的晶格常數(shù)是4?，帶隙是1.2eV，B的晶格常數(shù)是3?，其帶隙有可能是

eV。

答案:2.1半導(dǎo)體市場分工細(xì)化后，半導(dǎo)體器件制造主要在（）環(huán)節(jié)中進(jìn)行。

答案:代工南京tsmc生產(chǎn)線晶片尺寸為：

答案:12英寸以下何種情況會形成肖特基接觸？

答案:金屬Φm>n型半導(dǎo)體Φs激光器中諧振腔的長度通常需要滿足（）的整數(shù)倍。

答案:λ/2當(dāng)一個PNP型BJT工作在電流放大模式下時，其_____的pn結(jié)上的電壓方向是反向偏置的。

答案:集電極到基極激光工作的基本原理是基于：

答案:受激輻射硅晶體是_______晶體結(jié)構(gòu)。

答案:金剛石pn結(jié)的接觸電勢差與下列哪個參數(shù)無關(guān)？

答案:載流子遷移率室溫下絕緣體中價帶電子無法從價帶躍遷至導(dǎo)帶。

答案:錯體心立方結(jié)構(gòu)可由簡單立方結(jié)構(gòu)組合而成。

答案:錯光刻技術(shù)中的反刻工藝也稱之為剝離工藝。

答案:對作為放大器使用的BJT通常采用共基極接入電路。

答案:錯本征半導(dǎo)體的電導(dǎo)率通常小于摻雜后的半導(dǎo)體電導(dǎo)率。

答案:對本征半導(dǎo)體中電子和空穴的載流子濃度不同。

答案:錯半導(dǎo)體材料中，施主能級通常接近導(dǎo)帶底。

答案:對硅是直接帶隙半導(dǎo)體。

答案:錯發(fā)光半導(dǎo)體材料的禁帶寬度與發(fā)光顏色有關(guān)。

答案:對肖特基接觸也稱之為整流接觸。

答案:對PIN型光探測器通常靈敏度要高于APD光探測器。

答案:錯離子注入法摻雜工藝通常無法精確控制摻雜區(qū)域。

答案:錯金剛石結(jié)構(gòu)和閃鋅礦結(jié)構(gòu)最主要的差別在于晶格中原子排列順序不同。

答案:錯擴(kuò)散法摻雜工藝通常是在高溫下進(jìn)行，溫度變化速度對摻雜效果沒有影響。

答案:錯載流子遷移率與溫度成正比。

答案:對n型半導(dǎo)體中載流子只有電子沒有空穴。

答案:錯自然界中一種物質(zhì)只能有一種晶體形態(tài)。

答案:錯硅是直接能帶隙材料。

答案:錯半導(dǎo)體材料的載流子濃度與溫度有關(guān)。

答案:對

答案:對采用SOI技術(shù)最大的優(yōu)勢是可以減少反向漏電流。

答案:對{111}晶面族不包含(1-1-1)晶面。

答案:錯增強(qiáng)型場效應(yīng)晶體管在柵極不加偏壓時，溝道處于導(dǎo)通狀態(tài)。

答案:錯硅是間接帶隙半導(dǎo)體材料。

答案:對太陽能電池可以吸收太陽光譜中所有高于半導(dǎo)體禁帶寬度的能量。

答案:對導(dǎo)體其實就是禁帶寬度比較小的半導(dǎo)體。

答案:錯半導(dǎo)體的禁帶寬度通常大于絕緣體的禁帶寬度。

答案:錯半導(dǎo)體材料中的價帶電子通過一定能量的激發(fā)可以從價帶躍遷到導(dǎo)帶。

答案:對以下著名半導(dǎo)體廠商，______目前是晶圓代工模式的代表廠商。

答案:TSMC生產(chǎn)單晶硅晶圓的原材料是：

答案:石英砂以下器件中哪種不屬于光電半導(dǎo)體器件范疇？

答案:pn結(jié)硅晶體中的費(fèi)米能級向高能級移動，可能對應(yīng)以下情況發(fā)生

答案:導(dǎo)帶電子濃度增加一般說的14nm工藝線指的是MOSFET中的________達(dá)到了14nm量級。

答案:柵極寬度以下晶體硅生長過程中的產(chǎn)物中哪種是單晶體？

答案:晶錠有A和B兩種單質(zhì)晶體，我們知道A的晶格常數(shù)是4?，帶隙是1.2eV，B的晶格常數(shù)是5?，其帶隙有可能是___

__eV。

答案:1南京tsmc工藝技術(shù)節(jié)點為：

答案:12nmGaAs晶體是_______結(jié)構(gòu)。

答案:閃鋅礦太陽能電池工作在pn結(jié)電流電壓特性曲線的第（）象限

答案:IV以下哪個參數(shù)無法通過霍爾測量測得？

答案:半導(dǎo)體禁帶寬度以下技術(shù)除了____以外都是半導(dǎo)體常用的形貌表征技術(shù)。

答案:XRD在CMOS工藝中，最為昂貴的步驟是：

答案:光刻柵極電壓VG、漏極電壓VD、閾值電壓VT三者處于以下何種關(guān)系時，F(xiàn)ET的溝道處于截止?fàn)顟B(tài)？

答案:如下圖所示的能帶結(jié)構(gòu)，代表的是＿＿＿半導(dǎo)體。――――――――EC＿＿＿＿＿＿＿＿EF――――――――EV

答案:n型當(dāng)pn結(jié)作為光電二極管使用時，經(jīng)常加反向偏置作為電流源，這時它工作在I-V曲線的第__象限。

答案:三一般情況下，以下沉積方式中腔體氣壓最低的是：

答案:MBEMOSFET的飽和漏極電流由（）電壓決定。

答案:源極為解決當(dāng)前高端芯片制造“卡脖子”問題，需大力發(fā)展高精度光刻技術(shù)。光刻技術(shù)中的反刻工藝，通常應(yīng)用于（

）的情況。

答案:光刻的材料難以腐蝕超晶格結(jié)構(gòu)通常以（）為基本結(jié)構(gòu)單元。

答案:異質(zhì)結(jié)

答案:錯MBE只能用于III-V族化合物的生長。

答案:錯半導(dǎo)體材料通過摻雜可以改變其電導(dǎo)率。

答案:對CCD只能分辨光的有無，而無法分辨光的強(qiáng)弱。

答案:錯半導(dǎo)體電導(dǎo)率通常低于絕緣體。

答案:錯集成電路中只能制造二極管和三極管，而無法制造電阻。

答案:錯半導(dǎo)體材料的載流子濃度與態(tài)密度有關(guān)。

答案:對導(dǎo)體的價帶和導(dǎo)帶都是重疊的。

答案:錯通常來說，半導(dǎo)體材料中載流子濃度越高，電導(dǎo)率越低。

答案:錯摩爾定律認(rèn)為：每12個月左右，集成電路的集成度將提升1倍，相應(yīng)的價格下降一半。

答案:錯目前我國半導(dǎo)體制造工藝主要受制于EUV光刻機(jī)。利用EUV光源進(jìn)行光刻相較于普通UV可以得到更高的光刻精度，主要因為EUV的能量更小。（

）

答案:錯半導(dǎo)體材料中，導(dǎo)帶電子與價帶空穴復(fù)合時釋放出光能，其能量可以小于禁帶寬度。

答案:錯MOSFET的溝道處于導(dǎo)通狀態(tài)時，源漏極電壓與漏極電流無關(guān)。

答案:錯TEM觀測與SEM相同，對樣品厚度沒有要求。

答案:錯通常晶體的晶格常數(shù)越大，其帶隙寬度也越大。

答案:錯半導(dǎo)體材料沒有非晶體形態(tài)。

答案:錯面心立方晶體在（100）晶面上有4個角原子，1個中心原子。

答案:對晶體的重要特征是均勻性，所以晶體一般都是各向同性的。

答案:錯[100]晶向和[010]晶向是等效的。

答案:對溫度越高，擴(kuò)散速度越快。

答案:對MOSFET開關(guān)的基本工作原理是通過柵極電壓來控制源極和漏極之間的導(dǎo)電溝道的通斷。

答案:對共價鍵的鍵結(jié)能通常大于離子鍵的鍵結(jié)能。

答案:對pn結(jié)處于反偏狀態(tài)下時，載流子擴(kuò)散電流不變，漂移電流變小。

答案:錯單晶硅和多晶硅的電學(xué)性能相同。

答案:錯半導(dǎo)體電導(dǎo)率通常低于導(dǎo)體。

答案:對p型半導(dǎo)體中載流子既有電子也有空穴，只是濃度不同。

答案:對pn結(jié)處于偏壓狀態(tài)下時，載流子的擴(kuò)散電流和漂移電流不再平衡。

答案:對目前我國半導(dǎo)體制造工藝主要受制于EUV光刻機(jī)。提高光刻最小線寬還可以通過提升介質(zhì)的介電常數(shù)實現(xiàn)。（）

答案:對離子注入法摻雜工藝通常無法精確控制摻雜濃度。

答案:錯光探測器在pn結(jié)電流電壓特性曲線中的工作區(qū)間與太陽能電池相同。

答案:錯通常來說，光探測器的靈敏度越高，響應(yīng)時間也就越短。

答案:錯在鍺中摻入硼元素，可以改變空穴濃度，同時，電子濃度也發(fā)生變化。

答案:對半導(dǎo)體的禁帶寬度通常大于導(dǎo)體的禁帶寬度。

答案:對III-V族化合物可通過MBE沉積。

答案:對異質(zhì)結(jié)兩端半導(dǎo)體材料的禁帶寬度可以相同。

答案:錯pn結(jié)平衡狀態(tài)下，器件內(nèi)空穴總電流和電子總電流均為0

答案:對光電探測器的靈敏度主要取決于其暗電流大小。

答案:對在化學(xué)氣象沉積中，反應(yīng)原料可以是固體。

答案:錯通過負(fù)光刻膠定義的圖形與所需要制備的圖形相反。

答案:對硅的費(fèi)米能級被電子占據(jù)的幾率在300K時是1/2。硅工藝中進(jìn)行摻雜的兩種常用工藝是擴(kuò)散和離子注入。

答案:對AFM的探針針尖與樣品表面直接接觸，所以測量時會損傷樣品。

答案:錯以下哪種檢測方式不涉及X射線？

答案:SIMSTEM可觀測厚度1微米以上的樣品。

答案:錯通常TEM觀測的分辨率要高于SEM。

答案:對AFM可觀測樣品內(nèi)部形貌特征。

答案:錯SEM觀測的主要原理是搜集入射電子激發(fā)的二次電子進(jìn)行逐點成像的。

答案:對以下常用來檢測樣品表面晶體結(jié)構(gòu)的方法是（）？

答案:XRDEDX通常是加裝在SEM中配合使用的。

答案:對表面不導(dǎo)電的樣品無法用SEM進(jìn)行觀測。

答案:錯業(yè)界常用SIMS作為半導(dǎo)體摻雜濃度分布的檢測方式。

答案:對以下哪種材料無法通過分子束外延生長法制備？

答案:IGZO通過擴(kuò)散方式摻雜對雜質(zhì)濃度和摻雜深度的控制精度比通過離子注入的方式摻雜要高。

答案:錯利用正光刻膠曝光、顯影、蝕刻的過程中，掩膜版上透光圖案對應(yīng)的基底部位將被蝕刻掉。

答案:對利用氫氟酸蝕刻SiO2薄膜具有各向異性。

答案:錯化學(xué)氣相沉積法的反應(yīng)原料是氣體，反應(yīng)物是固體，副產(chǎn)物也可以是固體

答案:錯化學(xué)氣相沉積法和物理氣相沉積法最主要的區(qū)別在于前者需要在真空環(huán)境下進(jìn)行。

答案:錯以下哪種不屬于化學(xué)氣相沉積法

答案:DPCVD12英寸硅晶片是指硅晶片的（）是12英寸。

答案:直徑利用液封直拉法得到的晶錠可以直接切割成晶片。

答案:錯邏輯電路的基本元件是MOS管。

答案:對以下半導(dǎo)體產(chǎn)線上最昂貴的設(shè)備是（）？

答案:曝光顯影機(jī)摩爾定律是指集成電路的集成度每12個月提升一倍。

答案:錯半導(dǎo)體代工廠中主要進(jìn)行集成電路設(shè)計。

答案:錯半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)涉及的知識領(lǐng)域主要是物理學(xué)和材料學(xué)，與化學(xué)無關(guān)。

答案:錯目前量產(chǎn)的半導(dǎo)體器件節(jié)點尺寸是（）？

答案:5nm在CMOS工藝中，通常采用對光刻膠曝光顯影來實現(xiàn)所設(shè)計結(jié)構(gòu)的圖案制備。

答案:對目前半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)分工越來越細(xì)，主要是由于技術(shù)越來越復(fù)雜，產(chǎn)品需求量越來越大。

答案:對早期的半導(dǎo)體公司大多成立于美國的硅谷。

答案:對Voc是指短路電壓。

答案:錯LED的壽命通常比白熾燈長。

答案:對半導(dǎo)體光探測器本質(zhì)是一個pn結(jié)，這類器件工作在pn結(jié)電流電壓特性曲線的第（）象限？

答案:III太陽能電池可以吸收太陽光的所有能量。

答案:錯以下幾種太陽能電池中，效率最高的是（）？

答案:GaAs太陽能電池對于同種半導(dǎo)體材料，通常PIN型光探測器的靈敏度要高于APD光探測器。

答案:錯太陽能電池上表面的電極會遮擋電池吸收的陽光。

答案:對半導(dǎo)體激光器中沒有諧振腔結(jié)構(gòu)。

答案:錯以下哪種LED量產(chǎn)最晚？

答案:藍(lán)光LED光探測器設(shè)計的標(biāo)準(zhǔn)是：半導(dǎo)體材料的禁帶寬度只要高于被探測光能量即可。

答案:錯金屬與n型半導(dǎo)體接觸形成歐姆接觸，此時金屬的功函數(shù)應(yīng)當(dāng)大于半導(dǎo)體的功函數(shù)。

答案:錯通常，超晶格結(jié)構(gòu)是基于異質(zhì)結(jié)設(shè)計的。

答案:對MOSFET的柵極氧化層采用High-K材料的目的是增加?xùn)艠O電容。

答案:錯平衡狀態(tài)下pn結(jié)的能帶圖中，p區(qū)和n區(qū)的費(fèi)米能級是分開的。

答案:錯歐姆接觸也稱為整流接觸。

答案:錯MOSFET的飽和漏極電流大小是由漏極電壓決定的。

答案:錯通常情況下，pn結(jié)p區(qū)和n區(qū)的半導(dǎo)體材料不相同。

答案:錯pn結(jié)加反偏壓時，總電流為0。

答案:錯BJT可用于恒定電流源的設(shè)計。

答案:對n型增強(qiáng)型MOSFET的基底是n型半導(dǎo)體。

答案:錯在半導(dǎo)體中的空穴流動就是電