SJ∕T 2658.9-2015 半導體紅外發(fā)射二極管測量方法 第9部分：輻射強度空間分布和半強度角

ICS31.080備案號：52036-2015SJ/T2658.9—2015半導體紅外發(fā)射二極管測量方法第9部分：輻射強度空間分布和半強度角Measuringmethodforsemiconductorinfrared-emittingdiode—Part9:Spatialdistributionofradiantintensityandhalf-intensityangleISJ/T2658.9—2015SJ/T2658《半導體紅外發(fā)射二極管測量方法》已經或計劃發(fā)布以下部分： 第2部分：正向電壓； 第3部分：反向電壓和反向電流：——第4部分：總電容；——第8部分；輻射強度——第9部分：輻射強度空間分布和半強度角；——第12部分：峰值發(fā)射波長和光譜輻射帶寬；——第16部分：光電轉換效率本部分按照CBTL1—2009《標準化工作導則第1部分：標準的結構和編寫》給出的規(guī)則起草。本部分代替SJ2638.9—1986《半導體紅外發(fā)光二極管測試方法輻射強度空間分布和半強度角的測試方法》,除編輯性修改外主要技術變化如下：——修改了輻射強度空間分布和半強度角的測量原理圖(見圖1——細化了輻射強度空間分布和半強度角的測量步驟(見5.2)——補充了輻射強度空間分布和半強度角測量方法的規(guī)定條件(見5.3)。本部分由工業(yè)和信息化部電子工業(yè)標準化研究院歸口。本部分起草單位：工業(yè)和信息化部電子工業(yè)標準化研究院。本部分主要起草人：張戈、趙英。本部分所代替標準的歷次版本發(fā)布情況為：1SJ/T2658.9—2015第9部分：輻射強度空間分布和半強度角1范圍本部分規(guī)定了半導體紅外發(fā)射二極管(以下簡稱器件)輻射強度空間分布和半強度角的測量原理圖、測量步驟以及規(guī)定條件。本部分適用于半導體紅外發(fā)射二極管。2規(guī)范性引用文件凡是不注日期的引用文件，其最新版本(包括所有的修改單)適用于本文件。GB/T2900.65—2004電工術語：照明GB/T15651—1995半導體器件分立器件和集成電路第5部分：光電子器件SJ/T2658.1半導體紅外發(fā)射二極管測量方法第1部分：總則SJ/T2658.8半導體紅外發(fā)射二極管測量方法第8部分：輻射強度CIE127:1997技術報告LED測量3術語和定義GB/T2900.65—2004和GB/T15651—1995界定的以及下列術語和定義適用于本文件。3.1器件在規(guī)定的正向工作電流下，垂直和平行p-n結方向的輻射強度隨空間角的分布。測量輻射強度空間分布和半強度角的一般要求應符合SJ/T2658.1的規(guī)定。5測量方法5.1測量原理圖輻射強度空間分布和半強度角的測量原理圖見圖1。2說明：G電流源b:A——電流表；D?,D?——消除雜散光光欄，D?,D?不應限制探測立體角；d——被測LED器件與光闌D?之間的距離Z軸被測器件的光軸；被測器件應定位在一種裝置上(如：旋裝中心位于系統(tǒng)光軸上的角度盤上，角度盤應該有定夠的角度刻度精度),要求如下：a)被測器件位可準確重復；b)變化角度0、器件光學窗口的中心能保持固定服位于旋轉中心c)能測量夾角d)能繞被測器件之軸旋轉；e)能測量關于X軸的旋轉角。要求的幅度、寬度和重復頻率的電流脈沖e探測器響應時間相對于脈沖寬度應足夠小，系統(tǒng)應是一個峰值測量儀器a)標準條件A:d為316mm,立體角為0.001sr,平面角(金角)為20b)標準條件B:d為100mm,立體角為0.01sr,平面角(全角)為6.5°。圖1輻射強度空間分布和半強度角的測量原理圖5.2測量步驟輻射強度空間分布和半強度角的測量按下列步驟進行：a)按圖1連接測量系統(tǒng)，系統(tǒng)光軸對準被測器件的機械軸(或按SJ/T2658.8中5.2任意選擇一種狀態(tài)),定義為θ=0;b)調節(jié)恒流源，使工作電流IF為規(guī)定值，測量光探測器(PD)的信號，把輻射強度數(shù)值設為Ivoc)從0°至±90°旋轉角度盤，按規(guī)定的角度間隔測量各個角度時的輻射強度數(shù)值Iv(θ),得到比值Iv(θ)/Ivo與θ之間的關系，優(yōu)先采用極坐標圖來表示，即為輻射強度空間分布圖，如果采