第五章　第25練　碳、硅　無(wú)機(jī)非金屬材料-2025年高中化學(xué)大一輪復(fù)習(xí)

1．“九秋風(fēng)露越窯開(kāi)，奪得千峰翠色來(lái)”是贊譽(yù)越窯秘色青瓷的詩(shī)句，描繪了我國(guó)古代精美的青瓷工藝品。玻璃、水泥和陶瓷均為硅酸鹽制品，下列有關(guān)說(shuō)法正確的是()A．玻璃是人類最早使用的硅酸鹽制品B．制水泥的原料為純堿、石灰石和石英C．硅酸鹽制品的性質(zhì)穩(wěn)定、熔點(diǎn)較高D．陶瓷的燒制過(guò)程為物理變化2．(2019·全國(guó)卷Ⅰ，7)陶瓷是火與土的結(jié)晶，是中華文明的象征之一，其形成、性質(zhì)與化學(xué)有著密切的關(guān)系。下列說(shuō)法錯(cuò)誤的是()A．“雨過(guò)天晴云破處”所描述的瓷器青色，來(lái)自氧化鐵B．聞名世界的秦兵馬俑是陶制品，由黏土經(jīng)高溫?zé)Y(jié)而成C．陶瓷是應(yīng)用較早的人造材料，主要化學(xué)成分是硅酸鹽D．陶瓷化學(xué)性質(zhì)穩(wěn)定，具有耐酸堿侵蝕、抗氧化等優(yōu)點(diǎn)3．下列關(guān)于硅的說(shuō)法不正確的是()A．硅是非金屬元素，它的單質(zhì)是灰黑色、有金屬光澤的固體B．硅的導(dǎo)電性能介于導(dǎo)體和絕緣體之間，是良好的半導(dǎo)體材料C．硅的化學(xué)性質(zhì)不活潑，常溫下不與任何物質(zhì)發(fā)生反應(yīng)D．加熱到一定溫度時(shí)，硅能與氯氣、氧氣等非金屬反應(yīng)4．(2021·湖北，1)“碳中和”有利于全球氣候改善。下列有關(guān)CO2的說(shuō)法錯(cuò)誤的是()A．CO2是V形的極性分子B．CO2可催化還原為甲酸C．CO2晶體可用于人工增雨D．CO2是侯氏制堿法的原料之一5．硅是構(gòu)成無(wú)機(jī)非金屬材料的一種主要元素，下列有關(guān)硅及其化合物的敘述錯(cuò)誤的是()A．氮化硅陶瓷是一種高溫結(jié)構(gòu)陶瓷，其化學(xué)式為Si3N4B．高純硅可以制成計(jì)算機(jī)、通信設(shè)備等的芯片C．硅可以用來(lái)生產(chǎn)新型無(wú)機(jī)非金屬材料——光導(dǎo)纖維D．二氧化硅為立體網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)，每個(gè)硅原子結(jié)合4個(gè)氧原子6．下列關(guān)于二氧化硅的說(shuō)法正確的是()A．二氧化硅是酸性氧化物，因此能與水反應(yīng)生成硅酸B．二氧化硅制成的光導(dǎo)纖維，由于導(dǎo)電能力強(qiáng)而被用于制造光纜C．二氧化硅能與碳酸鈉固體在高溫時(shí)發(fā)生反應(yīng)D．用二氧化硅制取單質(zhì)硅時(shí)，當(dāng)生成2.24L氣體(標(biāo)準(zhǔn)狀況)時(shí)，得到2.8g硅7．在20世紀(jì)90年代末，科學(xué)家發(fā)現(xiàn)碳有新的單質(zhì)形態(tài)C60存在。后來(lái)人們又相繼得到了C70、C76、C84、C90、C94等另外一些球碳分子。21世紀(jì)初，科學(xué)家又發(fā)現(xiàn)了管狀碳分子和洋蔥狀碳分子，大大豐富了碳元素單質(zhì)的家族。下列有關(guān)碳元素單質(zhì)的說(shuō)法錯(cuò)誤的是()A．金剛石和石墨的熔點(diǎn)肯定比C60高B．熔點(diǎn)：C60＜C70＜C90C．球碳分子、管狀碳分子和洋蔥狀碳分子都不能與O2發(fā)生反應(yīng)D．金剛石以非分子形式的粒子存在，屬于共價(jià)晶體；C60、C70、管狀碳分子和洋蔥狀碳分子以分子形式的粒子存在，屬于分子晶體；這些碳單質(zhì)互為同素異形體8．二氧化硅廣泛存在于自然界中，在日常生活、生產(chǎn)、科研及新型材料等方面有著重要的用途。a～e是對(duì)①～⑤反應(yīng)中SiO2所表現(xiàn)的化學(xué)性質(zhì)或作用進(jìn)行的判斷，其中正確的是()①SiO2＋2NaOH=Na2SiO3＋H2O②SiO2＋2Ceq\o(=,\s\up7(高溫))Si＋2CO↑③SiO2＋4HF=SiF4↑＋2H2O④Na2CO3＋SiO2eq\o(=,\s\up7(高溫))Na2SiO3＋CO2↑⑤SiO2＋3Ceq\o(=,\s\up7(高溫))SiC＋2CO↑a．反應(yīng)①中SiO2作為玻璃的成分被消耗，用于刻蝕玻璃b．反應(yīng)②中SiO2表現(xiàn)出氧化性c．反應(yīng)③中SiO2表現(xiàn)了酸性氧化物的通性d．反應(yīng)④符合用難揮發(fā)性的酸酐制取易揮發(fā)性的酸酐的原理e．反應(yīng)⑤中SiO2未參加氧化還原反應(yīng)A．a(chǎn)ceB．bdeC．cdeD．a(chǎn)b9．純二氧化硅可用下列流程制得。下列說(shuō)法不正確的是()A．X可用作木材防火劑B．步驟Ⅱ的反應(yīng)是Na2SiO3＋H2SO4=H2SiO3↓＋Na2SO4C．步驟Ⅱ中的稀硫酸可用CO2來(lái)代替D．SiO2既能與NaOH溶液反應(yīng)，又能與氫氟酸反應(yīng)，所以SiO2是兩性氧化物10．由粗硅制備硅烷(SiH4)的基本流程如圖所示：已知：反應(yīng)Ⅰ的化學(xué)方程式為Si＋3HCleq\o(=,\s\up7(△))SiHCl3＋X，反應(yīng)Ⅱ的化學(xué)方程式為SiHCl3＋Yeq\o(=,\s\up7(高溫))Si＋3HCl。下列說(shuō)法不正確的是()A．X和Y為同一種物質(zhì)B．SiH4的穩(wěn)定性比NH3弱C．流程中的4個(gè)反應(yīng)有3個(gè)屬于氧化還原反應(yīng)D．反應(yīng)Ⅳ中SiH4、NH3兩種氣體在常溫、常壓下體積比為4∶111．科學(xué)家最新研制的利用氯化氫和氫氣生產(chǎn)高純硅的工藝流程如圖所示：容器①中進(jìn)行的反應(yīng)為①Si(粗)＋3HCl(g)eq\o(=,\s\up7(△))SiHCl3(l)＋H2(g)；容器②中進(jìn)行的反應(yīng)為②SiHCl3＋H2eq\o(=,\s\up7(高溫))Si(純)＋3HCl。下列說(shuō)法不正確的是()A．該工藝流程的優(yōu)點(diǎn)是部分反應(yīng)物可循環(huán)使用B．①和②互為可逆反應(yīng)C．該流程中需要隔絕空氣D．粗硅制備不能通過(guò)SiO2eq\o(→,\s\up7(HClaq))SiCl4eq\o(→,\s\up7(H2),\s\do5(高溫))Si實(shí)現(xiàn)12.Ag催化刻蝕Si晶片的反應(yīng)原理示意圖如圖，刻蝕溶液由一定濃度的HF和H2O2混合而成，刻蝕時(shí)間為2～16min，由Ag薄膜覆蓋的硅晶片部分逐漸被刻蝕掉，剩余部分就形成了硅納米線。下列說(shuō)法不正確的是()A．Ag薄膜附近隨著反應(yīng)的進(jìn)行，pH逐漸減小B．Si極發(fā)生的反應(yīng)為Si＋2H2O－4e－=SiO2＋4H＋，SiO2＋6HF=H2SiF6＋2H2OC．該刻蝕的總反應(yīng)可表示為Si＋6HF＋2H2O2=H2SiF6＋4H2OD．該刻蝕過(guò)程是由微小的Si、Ag、HF和H2O2的原電池組成13．(2023·河北邢臺(tái)高三校聯(lián)考)硅的提純是電子工業(yè)一項(xiàng)十分重要的工作，可用粗硅與干燥的HCl氣體反應(yīng)制SiHCl3(其中含有BCl3、SiCl4)，SiHCl3與過(guò)量H2在1000～1100℃反應(yīng)制得純硅。有關(guān)物質(zhì)的物理性質(zhì)見(jiàn)下表：物質(zhì)SiCl4BCl3SiHCl3沸點(diǎn)/℃57.612.533.0熔點(diǎn)/℃－70.0－107－127回答下列問(wèn)題：(1)基態(tài)Si原子核外電子共有________種運(yùn)動(dòng)狀態(tài)；粗硅與HCl反應(yīng)完全后的混合物冷卻到標(biāo)準(zhǔn)狀況，可通過(guò)________(填操作名稱)提純得到SiHCl3。(2)已知在有HF存在的條件下，硅可以和濃硝酸反應(yīng)生成六氟合硅酸eq\b\lc\(\rc\)(\a\vs4\al\co1(H2SiF6))，該反應(yīng)的化學(xué)方程式為_(kāi)______________________________________________________________________________________________________________________________________________________。(3)實(shí)驗(yàn)室可以采用如圖裝置(夾持、尾氣處理裝置及部分加熱裝置均略去)用SiHCl3與過(guò)量干燥H2反應(yīng)制取純硅。①儀器a的名稱為_(kāi)_________，裝置B中的試劑為_(kāi)_______。②將裝置C水浴加熱，該加熱方式的優(yōu)點(diǎn)是________________________________________________________________________________________________________________________。③為保證實(shí)驗(yàn)安全，加熱裝置D前必須完成的操作是：ⅰ.檢驗(yàn)裝置的氣密性；ⅱ.____________________________________________________________________________________________________________________________