車用芯片技術(shù) 射頻前端芯片技術(shù)要求及試驗(yàn)方法第 1 部分：蜂窩移動(dòng)通信征求意見稿

1T/CACCXXXX—XXXX車用芯片技術(shù)射頻前端芯片技術(shù)要求及試驗(yàn)方法第1部分：蜂窩移動(dòng)通信本文件規(guī)定汽車用射頻前端芯片的可靠性要求、制式功能要求、技術(shù)要求，描述了相應(yīng)的試驗(yàn)方法。本文件適用于指導(dǎo)整車廠、零部件供應(yīng)商、軟件供應(yīng)商、第三方測評(píng)機(jī)構(gòu)等企業(yè)，開展汽車用射頻前端芯片的研發(fā)測試和應(yīng)用等。2規(guī)范性引用文件下列文件中的內(nèi)容通過文中的規(guī)范性引用而構(gòu)成本文件必不可少的條款。其中，注日期的引用文件，僅該日期對(duì)應(yīng)的版本適用于本文件；不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改單）適用于本文件。GB/T2423.1-2001《電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)第2部分：試驗(yàn)方法試驗(yàn)A：低溫》（Environmentaltestingforelectricandelectronicproducts—Part2:—TestmethodsTestsA:Cold）GB/T4937.4-2012《半導(dǎo)體器件機(jī)械和氣候試驗(yàn)方法第4部分：強(qiáng)加速穩(wěn)態(tài)濕熱試驗(yàn)（HAST）》（Semiconductordevices-Mechanicalandclimatictestmethods-Part4:Dampheat,steadystate,highlyacceleratedstresstest(HAST)）GB/T4937.12-2018《半導(dǎo)體器件機(jī)械和氣候試驗(yàn)方法第12部分：掃頻振動(dòng)》（Semiconductordevices—Mechanicalandclimatictestmethods—Part12:Vibration,variablefrequency）GB/T4937.19-2018《半導(dǎo)體器件機(jī)械和氣候試驗(yàn)方法第19部分：芯片剪切強(qiáng)度》（Semiconductordevices—Mechanicalandclimatictestmethods—Part19:Dieshearstrength）GB/T4937.21-2018《半導(dǎo)體器件機(jī)械和氣候試驗(yàn)方法第21部分：可焊性》（Semiconductordevices—Mechanicalandclimatictestmethods—Part21:Solderability）GB/T4937.22-2018《半導(dǎo)體器件機(jī)械和氣候試驗(yàn)方法第22部分：鍵合強(qiáng)度》（Semiconductordevices—Mechanicalandclimatictestmethods—Part22:Bondstrength）GB/T4937.23-2023《半導(dǎo)體器件機(jī)械和氣候試驗(yàn)方法第23部分：高溫工作壽命》（Semiconductordevices—Mechanicalandclimatictestmethods—Part23:Hightemperatureoperating life）GB/T4937.26-2023《半導(dǎo)體器件機(jī)械和氣候試驗(yàn)方法第26部分：靜電放電(ESD)敏感度測試 人體模型(HBM)》（Semiconductordevices—Mechanicalandclimatetestmethods—Part26:Electrostaticdischarge(ESD)sensitivitytesting—Humanbodymodel(HBM)）GB/T4937.30-2018《半導(dǎo)體器件機(jī)械和氣候試驗(yàn)方法第30部分：非密封表面安裝器件在可靠性試驗(yàn)前的預(yù)處理》（Semiconductordevices—Mechanicalandclimatictestmethods—Part30:Preconditioningofnon-hermeticsurfacemountdevicespriortoreliabilitytesting）YD/T1214-2006900/1800MHzTDMA數(shù)字蜂窩移動(dòng)通信網(wǎng)通用分組無線業(yè)務(wù)(GPRS)設(shè)備技術(shù)要求:移動(dòng)臺(tái)YD/T1547-2019WCDMA數(shù)字蜂窩移動(dòng)通信網(wǎng)終端設(shè)備技術(shù)要求（第三階段）YD/T2575-2016TD-LTE數(shù)字蜂窩移動(dòng)通信網(wǎng)終端設(shè)備技術(shù)要求（第一階段）YD/T2577-2013LTEFDD數(shù)字蜂窩移動(dòng)通信網(wǎng)終端設(shè)備技術(shù)要求（第一階段）YD/T3627-20195G數(shù)字蜂窩移動(dòng)通信網(wǎng)增強(qiáng)移動(dòng)寬帶終端設(shè)備技術(shù)要求（第一階段）3術(shù)語和定義下列術(shù)語和定義適用于本文件。2T/CACCXXXX—XXXX3.1射頻前端芯片RadioFrequencyFront-endChip將無線電信號(hào)轉(zhuǎn)換成一定的無線電信號(hào)波形,并通過天線實(shí)現(xiàn)電磁波信號(hào)收發(fā)的一種電子元器件。3.2射頻開關(guān)Switch用于控制射頻信號(hào)通道轉(zhuǎn)換的電子元器件。3.3射頻濾波器Filter用于較大的衰減射頻干擾信號(hào)的電子元器件。3.4穩(wěn)定性Stability反映了器件的輸入輸出在不同的條件下所呈現(xiàn)出來的穩(wěn)定性狀態(tài)。3.5魯棒性Ruggedness反映了器件的輸出在不同的條件下所呈現(xiàn)出來的狀態(tài)。3.6功率耐受PowerHandle反映了器件的輸入輸出在不同的功率條件下所呈現(xiàn)出來的狀態(tài)。4縮略語下列縮略語適用于本文件。PC：預(yù)處理（PreconditionTest）THB：溫濕度偏壓測試（TemperatureHumidityBiasTest）HAST：偏壓高加速應(yīng)力試驗(yàn)（HighlyAcceleratedTemperatureandHumilityStressTest）AC：高壓蒸煮試驗(yàn)（AutoClave）UHST：無偏高加速應(yīng)力試驗(yàn)（Un-biasHighacceleratedtemperatureandhumiditystresstest）TH：無偏偏溫濕度試驗(yàn)（TemperatureHumidityTest）TC：溫度循環(huán)試驗(yàn)（TemperatureCycling）PTC：功率溫度循環(huán)試驗(yàn)（PowerTemperatureCycling）HTSL：高溫貯存壽命試驗(yàn)（Hightemperaturestoragelifetest）LTSL：低溫貯存壽命試驗(yàn)（Lowtemperaturestoragelifetest）HTOL：高溫工作壽命試驗(yàn)（HighTemperatureOperatingLife）ELFR：早期失效率試驗(yàn)（EarlyLifeFailureRate）LTOL：低溫工作壽命（LowTemperatureOperatingLife）EDR：非易失性存儲(chǔ)器耐久性、數(shù)據(jù)保持性、工作壽命（EventDataRecorder）WBS：鍵合金球剪切試驗(yàn)（WireBondShear）WBP：鍵合金球拉力試驗(yàn)（WireBondPull）SD：可焊性試驗(yàn)（Solderability）PD：物理尺寸試驗(yàn)（PhysicalDimensions）SBS：錫球剪切（SolderBallShear）T/CACCXXXX—XXXXLI：引腳完整性（LineIntegrity）EM：電遷移（ElectroMigration）TDDB：經(jīng)時(shí)介質(zhì)擊穿（TimeDependentDielectricBreakdown）HCI：熱流子注入效應(yīng)（HotCarrierInjection）NBTI：負(fù)偏壓溫度不穩(wěn)定性（NegativeBiasTemperatureInstability）SM：應(yīng)力遷移（StressMigration）TEST：應(yīng)力測試前后功能/參數(shù)（StressTest）HBM：電放電人體模型試驗(yàn)（Human-BodyModel）CDM：靜電放電充電裝置模型試驗(yàn)（ChargedDeviceModel）LU：高溫閂鎖試驗(yàn)（LatchUp）ED：電分配（ElectricityDistribution）FG：故障等級(jí)（FaultGrade）CHAR：特性描述（Characteristics）SC：短路特性描述（CircuitShort）SER：軟誤差率（SoftErrorRate）LF：無鉛（Lead-Free）PAT：過程平均測試（ProcessAverageTest）SBA：統(tǒng)計(jì)式良率分析(StatisticalBinAnalysis）MS：機(jī)械沖擊（mechanicalshock）VFV：變頻振動(dòng)（Variablefrequencyvibration）CA：恒定加速度（ConstantAcceleration）GFL：粗/細(xì)檢漏測試（GroundFaultLocator）DROP：包裝跌落（DropTest）LT：封蓋扭矩測試（LidTorque）DS：芯片剪切試驗(yàn)（DieShear）IWV：內(nèi)部水汽含量測試（IntegratedWaterVapor）2G：第二代通信技術(shù)（SecondGeneration）3G：第三代通信技術(shù)（3rdGeneration）4G：第四代通信技術(shù)（4thGeneration）5G：第五代通信技術(shù)（5thGeneration）PA：功率放大器（PowerAmplifier）ACLR:鄰道功率泄露比（AdjacentChannelLeakageRatio）QAM:正交調(diào)制（QuadratureAmplitudeModulation）EVM:矢量誤差（ErrorVectorMagnitude）VSWR:電壓駐波比（VoltageStandingWaveRatio）EVB：評(píng)估板（EvaluationBoard）OIP3：輸出三階交叉截止點(diǎn)（OutputThirdOrderInterceptPoint）IIP3：輸入三階交叉截止點(diǎn)（InputThirdOrderInterceptPoint）5可靠性要求5.1總則以下為可靠性要求中應(yīng)遵循的原則：——“-”為可選項(xiàng)。5.2加速環(huán)境應(yīng)力測試要求加速環(huán)境應(yīng)力測試應(yīng)滿足表1以下要求。4T/CACCXXXX—XXXX對(duì)于芯片功率大于1W或溫升大于40oC或驅(qū)動(dòng)感性負(fù)載的工況，在符合其中一種情況下應(yīng)滿足PTC要求，其他情況不涉及。PTC測試按照Grade等級(jí)，實(shí)驗(yàn)要求分組如下：——Grade0:環(huán)境溫度-40oCto+150oC，1000個(gè)循環(huán)；——Grade1:環(huán)境溫度-40oCto+125oC，1000個(gè)循環(huán)；——Grade2:環(huán)境溫度-40oCto+105oC，1000個(gè)循環(huán)；——Grade3:環(huán)境溫度-40oCto+85oC，1000個(gè)循環(huán)。表1加速環(huán)境應(yīng)力測試要求3●3●3●3●1 1●1●5.3加速壽命模擬測試要求加速壽命模擬測試應(yīng)滿足表2要求。表2加速壽命模擬測試要求3●3●1—5T/CACCXXXX—XXXX3—5.4封裝組裝整合測試要求封裝組裝整合測試應(yīng)滿足表3要求?！狟GA&Flip-ChipBGA封裝類芯片應(yīng)滿足SBS要求，其他封裝類芯片不涉及；——QFN封裝應(yīng)滿足LI要求，其他封裝類芯片不涉及。表3封裝組裝整合測試要求最少5個(gè)器件中的30●環(huán)●1●3●3●1●5.5晶圓可靠性測試要求晶圓可靠性測試應(yīng)滿足表4要求。表4晶圓可靠性測試要求——————————6T/CACCXXXX—XXXX—————性——————————5.6電氣特性確認(rèn)測試要求電氣特性確認(rèn)測試應(yīng)滿足表5要求。表5電氣特性確認(rèn)測試要求●1●1●1●3————————3—1——7T/CACCXXXX—XXXX—5.7缺陷篩選測試要求缺陷篩選測試應(yīng)滿足表6要求。表6缺陷篩選測試要求———————●5.8腔體封裝完整性測試要求腔體封裝完整性測試應(yīng)滿足表7要求。表7腔體封裝完整性測試要求1●1●1—1 1——1 1—1 6制式功能要求在制式功能要求的評(píng)估過程中，應(yīng)以通信終端整體考慮制式要求，應(yīng)至少應(yīng)滿足4G制式，其他移動(dòng)通信制式可由供需雙方協(xié)商確定。6.12G制式的功能要求8T/CACCXXXX—XXXX全球移動(dòng)通訊系統(tǒng)芯片（以下簡稱“芯片”）GSM制式的功能包含“GSM電路交互業(yè)務(wù)與功能”與“GPRS業(yè)務(wù)與功能”兩部分。各層的功能描述，應(yīng)符合YD/T1214-2006中的要求。6.23G制式的功能要求芯片3G制式的功能包含物理層功能，應(yīng)符合YD/T1547-2019中的要求。6.34G制式的功能要求芯片4G制式的功能包含物理層功能，應(yīng)符合YD/T2575-2016中的要求。6.45G制式的功能要求芯片5G制式的功能包含物理層功能，應(yīng)符合YD/T3627-2019中的要求。7技術(shù)要求射頻前端芯片根據(jù)功能可以分成發(fā)射和接收兩部分，主要包括：射頻信號(hào)增益和功率放大、射頻頻段切換、雜散信號(hào)抑制等重要性能指標(biāo)。射頻前端芯片包括功率放大器，低噪聲放大器，射頻開關(guān)，濾波器等。由于不同類型的器件主要關(guān)注點(diǎn)不同，分解測試指標(biāo)如下。7.1功率放大器技術(shù)要求7.1.1性能要求性能測試反應(yīng)的是在負(fù)載50Ω條件下的性能表現(xiàn)，至少應(yīng)包括頻段、輸出功率，EVM、ACLR、PAE、工作電流、增益、諧波、TXNoise等指標(biāo),且應(yīng)符合以下要求：——EVM指標(biāo)對(duì)于涉及到QAM256調(diào)制方式的，應(yīng)小于2.5%；——ACLR指標(biāo)應(yīng)在相應(yīng)的功率等級(jí)(PC2,PC3)基礎(chǔ)上增加至少3dB的裕量；——頻段、輸出功率、PAE、工作電流、增益、諧波、TXNoise指標(biāo)可由供需雙方協(xié)商確認(rèn)；——極端溫度環(huán)境下應(yīng)回退功率進(jìn)行測試，輸出功率回退標(biāo)準(zhǔn)1dB~1.5dB。7.1.2穩(wěn)定性要求穩(wěn)定性應(yīng)滿足以下要求：通過標(biāo)準(zhǔn)：雜散功率應(yīng)低于-36dBm。7.1.3魯棒性要求魯棒性應(yīng)符合以下要求：通過標(biāo)準(zhǔn)：確保測試完畢后器件不燒毀且電性能不發(fā)生明顯變化。7.2低噪聲放大器技術(shù)要求主要技術(shù)指標(biāo)至少應(yīng)包含在不同環(huán)境溫度下的直流特征，散射參數(shù)（即S參數(shù)，包括：增益、回波損耗、反向隔離）、輸入P1dB、噪聲系數(shù)、輸出三階交叉截止點(diǎn)（IIP3）、切換時(shí)間等。具體指標(biāo)要求可由供需雙方協(xié)商確定。7.3射頻開關(guān)技術(shù)要求主要技術(shù)指標(biāo)要求包含在不同環(huán)境溫度下的散射參數(shù)（即S參數(shù)，插入損耗、隔離、回波損耗）、耐受功率、諧波、切換時(shí)間、0.1dB壓縮點(diǎn)。具體指標(biāo)要求可由供需雙方協(xié)商確定。7.4濾波器技術(shù)要求主要技術(shù)指標(biāo)要求包含在不同環(huán)境溫度下的散射參數(shù)（即S參數(shù)）測試以及耐受功率,其中S參數(shù)測試包括：插損、回波損耗、通帶紋波、群延時(shí)、帶寬、阻帶抑制。具體指標(biāo)要求可由供需雙方協(xié)商確定。T/CACCXXXX—XXXX8實(shí)驗(yàn)方法8.1功率放大器實(shí)驗(yàn)方法功率放大器試驗(yàn)方法應(yīng)符合7.1技術(shù)要求，按照以下方法進(jìn)行驗(yàn)證：——PA性能驗(yàn)證試驗(yàn)方法及典型連接見附錄A；——穩(wěn)定性驗(yàn)證試驗(yàn)方法及典型連接見附錄B；——魯棒性驗(yàn)證試驗(yàn)方法及典型連接見附錄C。8.2低噪聲放大器試驗(yàn)方法低噪聲放大器試驗(yàn)方法應(yīng)符合7.2技術(shù)要求，按照以下方法進(jìn)行驗(yàn)證：——增益、回波損耗、反向隔離等S參數(shù)相關(guān)指標(biāo)測試試驗(yàn)方法見附錄D；——P1dB測試試驗(yàn)方法見附錄D，此時(shí)的網(wǎng)絡(luò)分析儀應(yīng)工作在功率掃描模式，并在測試前進(jìn)行功率校準(zhǔn)；——噪聲系數(shù)可選擇冷源法和Y因子法，不做要求；——IIP3試驗(yàn)方法見附錄E；——切換時(shí)間試驗(yàn)方法見附錄G。8.3射頻開關(guān)試驗(yàn)方法射頻開關(guān)試驗(yàn)方法應(yīng)符合7.3技術(shù)要求，按照以下方法進(jìn)行驗(yàn)證：——插入損耗、隔離、回波損耗等S參數(shù)相關(guān)指標(biāo)測試試驗(yàn)方法見附錄D；——PowerHandle、諧波、P0.1dB測試試驗(yàn)方法見附錄F；——切換時(shí)間，試驗(yàn)方法見附錄G。8.4濾波器試驗(yàn)方法濾波器試驗(yàn)方法應(yīng)符合7.4技術(shù)要求，按照以下方法進(jìn)行驗(yàn)證：——S參數(shù)相關(guān)指標(biāo)測試試驗(yàn)方法見附錄D；——PowerHandle試驗(yàn)方法見附錄F。T/CACCXXXX—XXXXPA性能試驗(yàn)方法A.1采用圖A.1中描述的性能測試典型連接，來對(duì)PA性能試驗(yàn)方法進(jìn)行說明。圖A.1PA性能測試典型連接示例A.2測試條件溫度:按照車規(guī)級(jí)芯片要求（AEC-Q100[18]溫度等級(jí)）。A.3測試步驟PA性能試驗(yàn)方法測試步驟如下：a)系統(tǒng)校準(zhǔn)，主要包括輸入端插損，輸出端插損；b)連接被測件，并提供電源和控制信號(hào)；c)矢量信號(hào)分析儀記錄測試數(shù)據(jù)如輸出功率，ACLR、EVM等；d)電源記錄電流測試數(shù)據(jù)，注意時(shí)分信號(hào)需要考慮占空比的影響。T/CACCXXXX—XXXX穩(wěn)定性性能試驗(yàn)方法B.1概述穩(wěn)定性測試反映的是PA輸入、輸出在不同的電壓駐波比條件下所呈現(xiàn)出來的穩(wěn)定性狀態(tài)。圖B.1穩(wěn)定性性能試驗(yàn)典型連接示例B.2測試條件——負(fù)載VSWR：模組端口電壓駐波比=6:1、天線端口電壓駐波比=10:1；——各相位停留時(shí)間：≥3s；——VCC：典型工作電壓；——Temperature:按照車規(guī)級(jí)芯片要求（AEC-Q100溫度等級(jí)）。B.3測試步驟穩(wěn)定性性能試驗(yàn)方法測試步驟如下：a)對(duì)應(yīng)測試溫度的負(fù)載50Ω條件下，確定在輸出功率=額定功率情況下對(duì)應(yīng)的輸入功率Pin；b)輸入信號(hào)采用實(shí)際工作所需調(diào)制波形；c)將負(fù)載VSWR設(shè)定為目標(biāo)值，輸入剛才的Pin功率，并轉(zhuǎn)動(dòng)負(fù)載相位；d)記錄雜散測試結(jié)果。T/CACCXXXX—XXXX魯棒性試驗(yàn)方法C.1概述魯棒性測試反映的是PA輸出在不同的電壓駐波比條件下所呈現(xiàn)出來的穩(wěn)定性狀態(tài)。圖C.1魯棒性試驗(yàn)典型連接示例C.2測試條件——負(fù)載VSWR：模組端口電壓駐波比=6:1、天線端口電壓駐波比=10:1；——負(fù)載相位:0-360°,步進(jìn)30°;——各相位停留時(shí)間≥3s；——VCC：典型工作電壓最大值+0.5V；——溫度：按照車規(guī)級(jí)芯片要求（AEC-Q100溫度等級(jí)）。C.3測試步驟魯棒性試驗(yàn)方法測試步驟如下：a)對(duì)應(yīng)測試溫度的負(fù)載50Ω條件下，確定在輸出功率=額定功率+2的情況下，對(duì)應(yīng)的輸入功率或輸入功率=0dBm(兩者取最大)；b)輸入信號(hào)采用實(shí)際工作所需調(diào)制波形；c)將負(fù)載VSWR設(shè)定為目標(biāo)值，輸入步驟a中確認(rèn)的輸入功率，并轉(zhuǎn)動(dòng)負(fù)載相位；d)記錄工作電流。T/CACCXXXX—XXXX散射參數(shù)(S參數(shù))試驗(yàn)方法D.1概述采用圖D.1中描述的散射參數(shù)（S參數(shù)）測試典型連接，來對(duì)散射參數(shù)（S參數(shù)）試驗(yàn)方法進(jìn)行說圖D.1散射參數(shù)（S參數(shù)）測試典型連接示例D.2測試步驟散射參數(shù)試驗(yàn)方法測試步驟如下：a)根據(jù)矢量網(wǎng)絡(luò)分析儀的使用說明，設(shè)置對(duì)應(yīng)的測試模式、頻率、功率、中頻濾波器帶寬；b)對(duì)矢量網(wǎng)絡(luò)分析儀進(jìn)行校準(zhǔn)；c)提取EVB參數(shù)，并得到相對(duì)應(yīng)的S參數(shù)文件；d)對(duì)矢量網(wǎng)絡(luò)分析儀執(zhí)行去嵌入操作；e)將被測件連接至矢量網(wǎng)絡(luò)分析儀；f)讀取矢量網(wǎng)絡(luò)分析儀相應(yīng)的結(jié)果。T/CACCXXXX—XXXX輸入三階交叉截止點(diǎn)（IIP3）試驗(yàn)方法E.1概述在射頻和微波多載波通訊系統(tǒng)中，三階交調(diào)截取點(diǎn)IIP3是一個(gè)衡量線性度或失真的重要指標(biāo)。當(dāng)放大器輸入為雙載頻或多載頻時(shí)，其輸出會(huì)變得異常復(fù)雜，其中即會(huì)產(chǎn)生諧波分量，也會(huì)產(chǎn)生互調(diào)成分，也叫交調(diào)成分。在這些交調(diào)成分中，階次越高的其值越小，因此測試者較為關(guān)心的是較低次的二階和三階交調(diào)。二階交調(diào)為：f1±f2…………（E.1）三階交調(diào)為：2f1-f2或2f2-f1………（E.2）f1：第一個(gè)輸入載頻頻率f2：第二個(gè)輸入載頻頻率三階交調(diào)比較靠近載頻，且在放大器1dB增益壓縮點(diǎn)以下，輸入載頻增加1dB，輸出三階交調(diào)增加3dB，而輸出功率則只增加1dB，對(duì)于系統(tǒng)性能的影響很大。圖E.1三階交調(diào)截取點(diǎn)定義圖如圖E.1所示，假設(shè)輸入功1使放大器工作在線性工作區(qū)，對(duì)應(yīng)的輸出功率為P2，那么：P2+A=OIP3………（E.3）又因?yàn)槿A交調(diào)信號(hào)輸出功率的斜率是基頻輸出功率斜率的三倍，因此：A=(P2-P3)/2………（E.4）可得：OIP3=(P2-P3)/2+P2…………………（E.5）IIP3=OIP3-Gain……（E.6）P1:輸入功率P2:基頻輸出功率T/CACCXXXX—XXXXP3:三階交調(diào)信號(hào)輸出功率A:基頻輸出功率與輸出三階交調(diào)點(diǎn)功率差值Gain:增益OIP3:輸出三階交調(diào)點(diǎn)IIP3:輸入三階交調(diào)點(diǎn)E.2測試方法采用圖E.2中描述的三階交調(diào)截取點(diǎn)測試典型連接，來對(duì)三階交調(diào)截取點(diǎn)試驗(yàn)方法進(jìn)行說明。圖E.2三階交調(diào)截取點(diǎn)測試典型連接示例E.3測試步驟輸入三階交叉截止點(diǎn)試驗(yàn)方法測試步驟如下：a)給放大器輸入兩個(gè)頻率不同功率相同的激勵(lì)信號(hào)；b)利用頻譜分析模塊觀察放大器的輸出信號(hào)的頻譜；c)測量輸出信號(hào)中三階交調(diào)的功率電平；d)觀察三階交調(diào)電平隨輸入兩載頻信號(hào)功率電平的變化情況。T/CACCXXXX—XXXX耐受功率試驗(yàn)方法F.1概述采用圖F.1中描述的耐受功率測試典型連接，來對(duì)耐受功率試驗(yàn)方法進(jìn)行說明。圖F.1耐受功率測試典型連接示例F.2測試步驟耐受功率試驗(yàn)方法測試步驟如下：a)按圖示連接儀表及被測件；b)校準(zhǔn)，修正被測件兩端誤差；c)功率探頭讀取基波功率；d)矢量信號(hào)分析儀讀取不同頻率下（nf0）的信號(hào)功率。T/CACCXXXX—XXXX切換時(shí)間試驗(yàn)方法G.1概述采用圖G.1中描述的切換時(shí)間測試典型連接，來對(duì)切換時(shí)間試驗(yàn)方法進(jìn)行說明。圖G.1切換時(shí)間測試典型連接示G.2測試步驟切換時(shí)間試驗(yàn)方法測試步驟如下：a)設(shè)置矢量信號(hào)源的輸出頻率和幅度；b)設(shè)置示波器的觸發(fā)信號(hào)電壓值；c)設(shè)置控制信號(hào)產(chǎn)生器發(fā)出控制信號(hào)來改變被測件開關(guān)切換的狀態(tài)，從示波器讀出開啟、關(guān)閉T/CACCXXXX—XXXX參考文獻(xiàn)[1]YD/T1215-2006900/1800MHzTDMA數(shù)字蜂窩移動(dòng)通信網(wǎng)通用分組無線業(yè)務(wù)（GPRS）設(shè)備測試方法：移動(dòng)臺(tái)[2]YD/T1548.1-2019WCDMA數(shù)字蜂窩移動(dòng)通信網(wǎng)終端設(shè)備測試方法(第三階段)第1部分：基本功能、業(yè)務(wù)和性能測試[3]YD/T1844-2009WCDMA/GSM(GPRS)雙模數(shù)字移動(dòng)通信終端技術(shù)要求和測試方法(第三階段)[4]YD/T2218.1-20112GHzWCDMA數(shù)字蜂窩移動(dòng)通信網(wǎng)終端設(shè)備測試方法（第四階段）第1部分：高速分組接入（HSPA）的基本功能、業(yè)務(wù)和性能測試[5]YD/T2220-2011WCDMA/GSM(GPRS)雙模數(shù)字移動(dòng)通信終端技術(shù)要求和測試方法（第四階段）[6]YD/T2576.2-2013TD-LTE數(shù)字蜂窩移動(dòng)通信網(wǎng)終端設(shè)備測試方法（第一階段）第2部分：無線射頻測試[7]YD/T2576.3-2013TD-LTE數(shù)字蜂窩移動(dòng)通信網(wǎng)終端設(shè)備測試方法（第一階段）第3部分：無線資源管理[8]YD/T2576.4-2013TD-LTE數(shù)字蜂窩移動(dòng)通信網(wǎng)終端設(shè)備測試方法（第一階段）第4部分：協(xié)議一致性測試[9]YD/T2578.2-2013LTEFDD數(shù)字蜂窩移動(dòng)通信網(wǎng)終端設(shè)備測試方法（第一階段）第2部分：無線射頻測試[10]YD/T2578.3-2013LTEFDD字蜂窩移動(dòng)通信網(wǎng)終端設(shè)備測試方法（第一階段）第3部分：無線資源管理[11]YD/T2578.4-2013LTEFDD數(shù)字蜂窩移動(dòng)通信網(wǎng)終端設(shè)備測試方法（第一階段）第4部分：協(xié)議一致性測試[12]YD/T2595-2013TD-LTE/LTEFDD/TD-SCDMA/WCDMA/GSM(GPRS)多模單待終端設(shè)備技術(shù)要求[13]YD/T2684-2013TD-LTE/LTEFDD/TD-SCDMA/WCDMA/GSM(GPRS)多模單待終端設(shè)備測試方法[14]YD/T4002-20215G數(shù)字蜂窩移動(dòng)通信網(wǎng)增強(qiáng)移動(dòng)寬帶終端設(shè)備測試方法（第一階段）[15]AEC-Q001-Rev-D:GuidelinesforPartAverageTesting(providesguidelinesforusingstatisticaltechniquesandextendedoperatingconditionstoestablishparttestlimits;thisapproachcouldbeusedtoprovide"KnownGoodDie.")[16]AEC-Q003-Rev-A:GuidelinesforCharacterizingtheElectricalPerformanceofIntegratedCircuitProducts[17]AEC-Q005-Rev-A:Pb-FreeTestRequirements(Containsasetoftestsanddefinestheminimumrequirementsforqualificationofleadfree(Pb-free)metallurgyforcomponentstobeusedinanyautomotiveelectronicsapplication)[18]AEC-Q100-005-Rev-D1:Non-VolatileMemoryProgram/EraseEndurance,DataRetention,andOperationalLifeTest[19]AEC-Q100-007-Rev-B:FaultSimulationandTestGrading[20]