NMOS放大器電路模型詳解(三)_第1頁
NMOS放大器電路模型詳解(三)_第2頁
NMOS放大器電路模型詳解(三)_第3頁
NMOS放大器電路模型詳解(三)_第4頁
NMOS放大器電路模型詳解(三)_第5頁
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NMOS放大器電路模型詳解(三)期我們介紹了NMOS當(dāng)作為放大器時的等效電路是什么?包括大信號模型和小信號模型,模型中當(dāng)V_DS>V_GS-V_TH時,我們把NMOS當(dāng)成一個理想的壓控電流源,實(shí)際上由于溝道長度的變化會隨著V_DS略微改變,如果考慮這個因素就需要溝道長度修正模型本期內(nèi)容溝道長度修正原理回顧溝道長度修正電路模型1、溝道長度修正原理回顧在MOSFET理解與應(yīng)用:Lec4—MOS管工作在哪個區(qū),看這個你就懂了中我們講過,當(dāng)V_DS>V_GS-V_TH時,溝道中出現(xiàn)夾斷效應(yīng),溝道的長度對略微減小。很多場景我們可以忽略這個長度的變化,但是當(dāng)精度要求比較高的時候,我們就需要把溝道長度的變化考慮進(jìn)來。看下面式子因?yàn)闇系赖挠行чL度L會隨著V_DS的增大而略微減小,所以I_D會隨著V_DS的增大而略微增大。我們可以用下面式子來表示I_D這里如果不考慮溝道長度變化,V_A為無窮大,考慮溝道長度變化時,V_A為有限值。I_D隨V_DS的變化的伏安特性曲線為:Fig.12、溝道長度修正電路模型其中,r_0為GS兩端的等效電阻,等于V_A除以流過MOS管溝道的總電流,從表達(dá)式可以看成通過MOS管的電流越大,等效的電阻就越小,對MOS管的影響就越大(理想壓控電流源r_0為無窮大)。更新我們的大信號模型和小信號模型為:Fig.2Fig.3舉例:總結(jié),通過大信號模型工作狀態(tài)V_GS,V_DS計算出來,判斷MOS管是否工作在飽和區(qū),然后將g_m和r_0計算出來帶入到小信號模型中,計算放大倍數(shù),輸入輸出阻抗等參數(shù)。到此為

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