芯片設(shè)計(jì)基礎(chǔ)知識(shí)題庫單選題100道及答案解析

芯片設(shè)計(jì)基礎(chǔ)知識(shí)題庫單選題100道及答案解析1.芯片制造過程中，用于光刻的光源通常是（）A.紫外線B.紅外線C.可見光D.X射線答案：A解析：芯片制造光刻過程中通常使用紫外線作為光源，因?yàn)槠洳ㄩL(zhǎng)較短，能夠?qū)崿F(xiàn)更高的分辨率。2.以下哪種材料常用于芯片的絕緣層？（）A.硅B.二氧化硅C.鋁D.銅答案：B解析：二氧化硅具有良好的絕緣性能，常用于芯片的絕緣層。3.在芯片設(shè)計(jì)中，CMOS技術(shù)的主要優(yōu)點(diǎn)是（）A.低功耗B.高速度C.高集成度D.低成本答案：A解析：CMOS技術(shù)的主要優(yōu)點(diǎn)是低功耗。4.芯片中的晶體管主要工作在（）A.截止區(qū)和飽和區(qū)B.截止區(qū)和放大區(qū)C.飽和區(qū)和放大區(qū)D.飽和區(qū)和線性區(qū)答案：A解析：芯片中的晶體管主要工作在截止區(qū)和飽和區(qū)。5.以下哪個(gè)是衡量芯片性能的重要指標(biāo)？（）A.功耗B.面積C.時(shí)鐘頻率D.封裝形式答案：C解析：時(shí)鐘頻率是衡量芯片性能的重要指標(biāo)之一。6.芯片布線過程中，為了減少信號(hào)延遲，通常采用（）A.長(zhǎng)導(dǎo)線B.短而寬的導(dǎo)線C.細(xì)而長(zhǎng)的導(dǎo)線D.彎曲的導(dǎo)線答案：B解析：短而寬的導(dǎo)線電阻小，能減少信號(hào)延遲。7.下列哪種工藝可以提高芯片的集成度？（）A.減小晶體管尺寸B.增加芯片面積C.降低工作電壓D.減少引腳數(shù)量答案：A解析：減小晶體管尺寸可以在相同面積上集成更多的晶體管，從而提高集成度。8.芯片設(shè)計(jì)中，邏輯綜合的主要目的是（）A.優(yōu)化電路性能B.生成門級(jí)網(wǎng)表C.驗(yàn)證功能正確性D.確定芯片布局答案：B解析：邏輯綜合的主要目的是將高級(jí)描述轉(zhuǎn)化為門級(jí)網(wǎng)表。9.以下哪種存儲(chǔ)單元在芯片中速度最快？（）A.SRAMB.DRAMC.FlashD.EEPROM答案：A解析：SRAM的速度通常比DRAM、Flash和EEPROM快。10.芯片測(cè)試中，功能測(cè)試的目的是（）A.檢測(cè)芯片的制造缺陷B.驗(yàn)證芯片的功能是否符合設(shè)計(jì)要求C.評(píng)估芯片的性能D.確定芯片的可靠性答案：B解析：功能測(cè)試主要是驗(yàn)證芯片的功能是否符合設(shè)計(jì)要求。11.在芯片的電源管理中，LDO穩(wěn)壓器的特點(diǎn)是（）A.效率高B.輸出電流大C.噪聲小D.成本低答案：C解析：LDO穩(wěn)壓器的特點(diǎn)是噪聲小。12.芯片的時(shí)鐘樹綜合是為了（）A.減少時(shí)鐘偏差B.降低時(shí)鐘頻率C.節(jié)省功耗D.提高時(shí)鐘精度答案：A解析：時(shí)鐘樹綜合的目的是減少時(shí)鐘偏差，保證各個(gè)模塊同步工作。13.以下哪種封裝技術(shù)可以提供更好的散熱性能？（）A.BGAB.QFPC.DIPD.LGA答案：A解析：BGA封裝技術(shù)可以提供更好的散熱性能。14.芯片設(shè)計(jì)中，時(shí)序分析的主要任務(wù)是（）A.檢查邏輯錯(cuò)誤B.評(píng)估電路速度C.優(yōu)化功耗D.確定布線策略答案：B解析：時(shí)序分析主要是評(píng)估電路的速度是否滿足要求。15.下列哪種工藝可以降低芯片的制造成本？（）A.采用更先進(jìn)的光刻技術(shù)B.提高生產(chǎn)良率C.增加芯片層數(shù)D.增大晶體管尺寸答案：B解析：提高生產(chǎn)良率可以降低芯片的制造成本。16.芯片中的鎖相環(huán)（PLL）主要用于（）A.產(chǎn)生穩(wěn)定的時(shí)鐘信號(hào)B.存儲(chǔ)數(shù)據(jù)C.進(jìn)行邏輯運(yùn)算D.放大信號(hào)答案：A解析：鎖相環(huán)（PLL）主要用于產(chǎn)生穩(wěn)定的時(shí)鐘信號(hào)。17.在芯片設(shè)計(jì)流程中，布局布線之后的步驟是（）A.邏輯綜合B.功能仿真C.時(shí)序仿真D.物理驗(yàn)證答案：D解析：布局布線之后進(jìn)行物理驗(yàn)證，檢查設(shè)計(jì)是否符合制造規(guī)則。18.以下哪種EDA工具用于芯片的物理設(shè)計(jì)？（）A.CadenceB.SynopsysC.MentorGraphicsD.以上都是答案：D解析：Cadence、Synopsys、MentorGraphics等都是常用于芯片物理設(shè)計(jì)的EDA工具。19.芯片中的加法器通常采用（）A.串行加法器B.并行加法器C.半加器D.全加器答案：B解析：為了提高速度，芯片中的加法器通常采用并行加法器。20.下列哪種技術(shù)可以提高芯片的可靠性？（）A.冗余設(shè)計(jì)B.降低工作溫度C.減少晶體管數(shù)量D.提高電源電壓答案：A解析：冗余設(shè)計(jì)可以提高芯片的可靠性。21.芯片設(shè)計(jì)中，功耗分析主要考慮（）A.動(dòng)態(tài)功耗B.靜態(tài)功耗C.兩者都考慮D.以上都不對(duì)答案：C解析：功耗分析需要同時(shí)考慮動(dòng)態(tài)功耗和靜態(tài)功耗。22.以下哪種信號(hào)完整性問題在芯片設(shè)計(jì)中較為常見？（）A.串?dāng)_B.反射C.延遲D.以上都是答案：D解析：串?dāng)_、反射和延遲都是芯片設(shè)計(jì)中常見的信號(hào)完整性問題。23.芯片制造的前道工藝不包括（）A.光刻B.刻蝕C.封裝D.薄膜沉積答案：C解析：封裝屬于芯片制造的后道工藝，前道工藝不包括封裝。24.在數(shù)字芯片中，D觸發(fā)器的主要作用是（）A.存儲(chǔ)一位數(shù)據(jù)B.計(jì)數(shù)C.移位D.分頻答案：A解析：D觸發(fā)器主要用于存儲(chǔ)一位數(shù)據(jù)。25.芯片中的乘法器實(shí)現(xiàn)方法通常有（）A.移位相加B.陣列乘法C.兩者都有D.以上都不對(duì)答案：C解析：芯片中的乘法器實(shí)現(xiàn)方法通常有移位相加和陣列乘法。26.以下哪種因素會(huì)影響芯片的工作頻率？（）A.晶體管的導(dǎo)通電阻B.電容的充放電時(shí)間C.布線長(zhǎng)度D.以上都是答案：D解析：晶體管的導(dǎo)通電阻、電容的充放電時(shí)間和布線長(zhǎng)度都會(huì)影響芯片的工作頻率。27.芯片設(shè)計(jì)中的可測(cè)試性設(shè)計(jì)（DFT）主要目的是（）A.降低測(cè)試成本B.提高測(cè)試覆蓋率C.縮短測(cè)試時(shí)間D.以上都是答案：D解析：可測(cè)試性設(shè)計(jì)（DFT）的目的包括降低測(cè)試成本、提高測(cè)試覆蓋率和縮短測(cè)試時(shí)間。28.下列哪種存儲(chǔ)器具有非易失性？（）A.SRAMB.DRAMC.FlashD.以上都不是答案：C解析：Flash存儲(chǔ)器具有非易失性，掉電后數(shù)據(jù)不會(huì)丟失。29.芯片中的譯碼器通常用于（）A.地址解碼B.數(shù)據(jù)編碼C.邏輯運(yùn)算D.信號(hào)放大答案：A解析：譯碼器通常用于地址解碼。30.以下哪種工藝可以提高晶體管的開關(guān)速度？（）A.減小柵極長(zhǎng)度B.增加?xùn)艠O電容C.提高閾值電壓D.增大源漏極電阻答案：A解析：減小柵極長(zhǎng)度可以提高晶體管的開關(guān)速度。31.芯片設(shè)計(jì)中，異步電路的主要缺點(diǎn)是（）A.速度慢B.設(shè)計(jì)復(fù)雜C.功耗高D.易產(chǎn)生競(jìng)爭(zhēng)冒險(xiǎn)答案：D解析：異步電路易產(chǎn)生競(jìng)爭(zhēng)冒險(xiǎn)，這是其主要缺點(diǎn)。32.下列哪種技術(shù)用于解決芯片中的時(shí)鐘skew問題？（）A.時(shí)鐘樹平衡B.增加時(shí)鐘緩沖器C.降低時(shí)鐘頻率D.以上都是答案：D解析：時(shí)鐘樹平衡、增加時(shí)鐘緩沖器和降低時(shí)鐘頻率都可以用于解決時(shí)鐘skew問題。33.芯片中的計(jì)數(shù)器通常由（）構(gòu)成。A.觸發(fā)器B.加法器C.譯碼器D.比較器答案：A解析：計(jì)數(shù)器通常由觸發(fā)器構(gòu)成。34.以下哪種EDA工具用于芯片的仿真？（）A.ModelSimB.HSPICEC.VirtuosoD.以上都是答案：D解析：ModelSim、HSPICE、Virtuoso等都可用于芯片的仿真。35.芯片中的緩存（Cache）主要作用是（）A.提高存儲(chǔ)容量B.加快數(shù)據(jù)訪問速度C.降低成本D.增加可靠性答案：B解析：緩存（Cache）的主要作用是加快數(shù)據(jù)訪問速度。36.在芯片設(shè)計(jì)中，建立時(shí)間（setuptime）和保持時(shí)間（holdtime）是用于描述（）A.觸發(fā)器的特性B.計(jì)數(shù)器的特性C.加法器的特性D.乘法器的特性答案：A解析：建立時(shí)間和保持時(shí)間是用于描述觸發(fā)器的特性。37.下列哪種工藝可以減小芯片的面積？（）A.多層布線B.減小晶體管尺寸C.減少引腳數(shù)量D.降低工作電壓答案：B解析：減小晶體管尺寸可以減小芯片的面積。38.芯片中的比較器通常用于（）A.數(shù)據(jù)排序B.數(shù)值比較C.邏輯判斷D.地址選擇答案：B解析：比較器通常用于數(shù)值比較。39.以下哪種因素會(huì)影響芯片的散熱效果？（）A.封裝材料B.工作環(huán)境溫度C.芯片布局D.以上都是答案：D解析：封裝材料、工作環(huán)境溫度和芯片布局都會(huì)影響芯片的散熱效果。40.芯片設(shè)計(jì)中的布線資源主要包括（）A.金屬層B.通孔C.兩者都是D.以上都不是答案：C解析：芯片設(shè)計(jì)中的布線資源包括金屬層和通孔。41.在芯片制造中，離子注入的主要目的是（）A.改變導(dǎo)電類型B.形成絕緣層C.提高表面平整度D.去除雜質(zhì)答案：A解析：離子注入主要用于改變半導(dǎo)體的導(dǎo)電類型。42.下列哪種存儲(chǔ)器適合作為高速緩存？（）A.DRAMB.SRAMC.FlashD.ROM答案：B解析：SRAM速度快，適合作為高速緩存。43.芯片中的移位寄存器可以實(shí)現(xiàn)（）A.數(shù)據(jù)存儲(chǔ)B.數(shù)據(jù)移位C.計(jì)數(shù)D.以上都是答案：D解析：移位寄存器可以實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)、數(shù)據(jù)移位和計(jì)數(shù)等功能。44.以下哪種技術(shù)可以提高芯片的抗干擾能力？（）A.電源濾波B.增加屏蔽層C.優(yōu)化布線D.以上都是答案：D解析：電源濾波、增加屏蔽層和優(yōu)化布線都可以提高芯片的抗干擾能力。45.芯片中的編碼器通常用于（）A.數(shù)據(jù)壓縮B.數(shù)據(jù)加密C.數(shù)據(jù)編碼D.地址編碼答案：C解析：編碼器通常用于數(shù)據(jù)編碼。46.在芯片設(shè)計(jì)中，時(shí)鐘抖動(dòng)（clockjitter）會(huì)導(dǎo)致（）A.數(shù)據(jù)錯(cuò)誤B.功耗增加C.速度降低D.以上都是答案：D解析：時(shí)鐘抖動(dòng)可能導(dǎo)致數(shù)據(jù)錯(cuò)誤、功耗增加和速度降低等問題。47.下列哪種工藝可以提高芯片的性能？（）A.采用新材料B.優(yōu)化電路結(jié)構(gòu)C.提高集成度D.以上都是答案：D解析：采用新材料、優(yōu)化電路結(jié)構(gòu)和提高集成度都可以提高芯片的性能。48.芯片中的數(shù)據(jù)選擇器通常用于（）A.數(shù)據(jù)多路選擇B.數(shù)據(jù)分配C.邏輯運(yùn)算D.信號(hào)放大答案：A解析：數(shù)據(jù)選擇器用于數(shù)據(jù)的多路選擇。49.以下哪種因素會(huì)影響芯片的穩(wěn)定性？（）A.電源電壓波動(dòng)B.溫度變化C.電磁干擾D.以上都是答案：D解析：電源電壓波動(dòng)、溫度變化和電磁干擾都會(huì)影響芯片的穩(wěn)定性。50.芯片設(shè)計(jì)中的功耗優(yōu)化技術(shù)包括（）A.門控時(shí)鐘B.多閾值電壓C.電源管理D.以上都是答案：D解析：門控時(shí)鐘、多閾值電壓和電源管理都是常見的功耗優(yōu)化技術(shù)。51.在芯片制造中，化學(xué)氣相沉積（CVD）常用于（）A.生長(zhǎng)薄膜B.刻蝕C.光刻D.離子注入答案：A解析：化學(xué)氣相沉積（CVD）常用于生長(zhǎng)薄膜。52.下列哪種邏輯門的功耗最低？（）A.CMOS門B.TTL門C.ECL門D.NMOS門答案：A解析：CMOS門的功耗相對(duì)較低。53.芯片中的三態(tài)門可以實(shí)現(xiàn)（）A.高阻態(tài)B.數(shù)據(jù)傳輸C.邏輯運(yùn)算D.以上都是答案：D解析：三態(tài)門可以實(shí)現(xiàn)高阻態(tài)、數(shù)據(jù)傳輸和邏輯運(yùn)算等功能。54.以下哪種技術(shù)可以減少芯片的電磁輻射？（）A.地線布局B.屏蔽線使用C.降低工作頻率D.以上都是答案：D解析：地線布局、屏蔽線使用和降低工作頻率都可以減少芯片的電磁輻射。55.芯片中的奇偶校驗(yàn)器主要用于（）A.檢測(cè)數(shù)據(jù)錯(cuò)誤B.數(shù)據(jù)加密C.數(shù)據(jù)壓縮D.地址譯碼答案：A解析：奇偶校驗(yàn)器主要用于檢測(cè)數(shù)據(jù)錯(cuò)誤。56.在芯片設(shè)計(jì)中，信號(hào)完整性分析通常在（）階段進(jìn)行。A.前端設(shè)計(jì)B.后端設(shè)計(jì)C.測(cè)試階段D.生產(chǎn)階段答案：B解析：信號(hào)完整性分析通常在后端設(shè)計(jì)階段進(jìn)行。57.下列哪種工藝可以提高芯片的集成密度？（）A.減小線寬B.增加金屬層數(shù)C.優(yōu)化晶體管結(jié)構(gòu)D.以上都是答案：D解析：減小線寬、增加金屬層數(shù)和優(yōu)化晶體管結(jié)構(gòu)都可以提高芯片的集成密度。58.芯片中的分頻器可以實(shí)現(xiàn)（）A.降低時(shí)鐘頻率B.產(chǎn)生不同頻率的時(shí)鐘C.計(jì)數(shù)D.數(shù)據(jù)選擇答案：B解析：分頻器可以產(chǎn)生不同頻率的時(shí)鐘。59.以下哪種因素會(huì)影響芯片的可靠性？（）A.靜電放電B.輻射C.濕度D.以上都是答案：D解析：靜電放電、輻射和濕度都會(huì)影響芯片的可靠性。60.芯片設(shè)計(jì)中的時(shí)序收斂是指（）A.滿足建立時(shí)間和保持時(shí)間要求B.優(yōu)化電路性能C.降低功耗D.減少面積答案：A解析：時(shí)序收斂是指滿足建立時(shí)間和保持時(shí)間等時(shí)序要求。61.在芯片制造中，光刻膠的作用是（）A.保護(hù)芯片B.形成圖案C.增強(qiáng)導(dǎo)電性D.提高散熱答案：B解析：光刻膠在光刻過程中用于形成圖案。62.下列哪種存儲(chǔ)單元的集成度最高？（）A.DRAMB.SRAMC.FlashD.ROM答案：A解析：DRAM的集成度通常最高。63.芯片中的譯碼器可以分為（）A.二進(jìn)制譯碼器B.十進(jìn)制譯碼器C.兩者都是D.以上都不是答案：C解析：芯片中的譯碼器可以分為二進(jìn)制譯碼器和十進(jìn)制譯碼器。64.以下哪種技術(shù)可以提高芯片的抗噪聲能力？（）A.差分信號(hào)傳輸B.增加屏蔽層C.優(yōu)化電源布線D.以上都是答案：D解析：差分信號(hào)傳輸、增加屏蔽層和優(yōu)化電源布線都可以提高芯片的抗噪聲能力。65.芯片設(shè)計(jì)中，布線的基本原則包括（）A.最短路徑B.最小電容C.最小電阻D.以上都是答案：D解析：芯片布線需要考慮最短路徑、最小電容和最小電阻等原則。66.在芯片制造過程中，退火的主要目的是（）A.消除應(yīng)力B.激活雜質(zhì)C.提高純度D.改善晶體結(jié)構(gòu)答案：D解析：退火主要是為了改善晶體結(jié)構(gòu)。67.下列哪種技術(shù)可以降低芯片的漏電功耗？（）A.采用高閾值電壓晶體管B.增加電源電壓C.提高工作頻率D.增加晶體管數(shù)量答案：A解析：采用高閾值電壓晶體管可以降低芯片的漏電功耗。68.芯片中的計(jì)數(shù)器按計(jì)數(shù)進(jìn)制可分為（）A.二進(jìn)制計(jì)數(shù)器B.十進(jìn)制計(jì)數(shù)器C.兩者都是D.以上都不是答案：C解析：芯片中的計(jì)數(shù)器按計(jì)數(shù)進(jìn)制可分為二進(jìn)制計(jì)數(shù)器和十進(jìn)制計(jì)數(shù)器。69.以下哪種因素會(huì)影響芯片的時(shí)鐘頻率？（）A.布線延遲B.晶體管速度C.邏輯門級(jí)數(shù)D.以上都是答案：D解析：布線延遲、晶體管速度和邏輯門級(jí)數(shù)都會(huì)影響芯片的時(shí)鐘頻率。70.芯片設(shè)計(jì)中的形式驗(yàn)證主要用于（）A.檢查設(shè)計(jì)的邏輯一致性B.優(yōu)化電路性能C.降低功耗D.提高集成度答案：A解析：形式驗(yàn)證主要用于檢查設(shè)計(jì)的邏輯一致性。71.在芯片制造中，干法刻蝕和濕法刻蝕的主要區(qū)別在于（）A.刻蝕精度B.刻蝕材料C.刻蝕速度D.刻蝕成本答案：A解析：干法刻蝕的精度通常高于濕法刻蝕。72.下列哪種存儲(chǔ)器需要定期刷新？（）A.SRAMB.DRAMC.FlashD.ROM答案：B解析：DRAM需要定期刷新以保持?jǐn)?shù)據(jù)。73.芯片中的編碼器按編碼方式可分為（）A.普通編碼器B.優(yōu)先編碼器C.兩者都是D.以上都不是答案：C解析：芯片中的編碼器按編碼方式可分為普通編碼器和優(yōu)先編碼器。74.以下哪種技術(shù)可以提高芯片的性能功耗比？（）A.動(dòng)態(tài)電壓頻率調(diào)整B.增加緩存大小C.提高晶體管密度D.以上都是答案：D解析：動(dòng)態(tài)電壓頻率調(diào)整、增加緩存大小和提高晶體管密度都可以提高芯片的性能功耗比。75.芯片設(shè)計(jì)中的物理驗(yàn)證包括（）A.設(shè)計(jì)規(guī)則檢查B.版圖與原理圖一致性檢查C.兩者都是D.以上都不是答案：C解析：芯片設(shè)計(jì)中的物理驗(yàn)證包括設(shè)計(jì)規(guī)則檢查和版圖與原理圖一致性檢查。76.在芯片制造中，外延生長(zhǎng)常用于（）A.制備高質(zhì)量的晶體層B.形成絕緣層C.刻蝕D.光刻答案：A解析：外延生長(zhǎng)常用于制備高質(zhì)量的晶體層。77.下列哪種邏輯門的輸出具有推拉特性？（）A.CMOS門B.TTL門C.ECL門D.NMOS門答案：B解析：TTL門的輸出具有推拉特性。78.芯片中的數(shù)據(jù)分配器可以實(shí)現(xiàn)（）A.數(shù)據(jù)的分配B.數(shù)據(jù)的選擇C.數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)D.數(shù)據(jù)的加密答案：A解析：數(shù)據(jù)分配器用于數(shù)據(jù)的分配。79.以下哪種因素會(huì)影響芯片的面積？（）A.晶體管數(shù)量B.布線復(fù)雜度C.封裝形式D.以上都是答案：D解析：晶體管數(shù)量、布線復(fù)雜度和封裝形式都會(huì)影響芯片的面積。80.芯片設(shè)計(jì)中的低功耗設(shè)計(jì)方法包括（）A.電源門控B.動(dòng)態(tài)頻率縮放C.多電壓域D.以上都是答案：D解析：電源門控、動(dòng)態(tài)頻率縮放和多電壓域都是低功耗設(shè)計(jì)方法。81.在芯片制造中，濺射常用于（）A.沉積金屬薄膜B.刻蝕C.光刻D.離子注入答案：A解析：濺射常用于沉積金屬薄膜。82.下列哪種邏輯門的速度最快？（）A.CMOS門B.TTL門C.ECL門D.NMOS門答案：C解析：ECL門的速度最快。83.芯片中的加法器按進(jìn)位方式可分為（）A.串行進(jìn)位加法器B.并行進(jìn)位加法器C.兩者都是D.以上都不是答案：C解析：芯片中的加法器按進(jìn)位方式可分為串行進(jìn)位加法器和并行進(jìn)位加法器。84.以下哪種技術(shù)可以提高芯片的集成度和性能？（）A.三維芯片堆疊B.減小晶體管尺寸C.優(yōu)化電路架構(gòu)D.以上都是答案：D解析：三維芯片堆疊、減小晶體管尺寸和優(yōu)化電路架構(gòu)都可以提高芯片的集成度和性能。85.芯片設(shè)計(jì)中的靜態(tài)時(shí)序分析主要關(guān)注（）A.最壞情況下的時(shí)序B.平均情況下的時(shí)序C.最好情況下的時(shí)序D.隨機(jī)情況下的時(shí)序答案：A解析：靜態(tài)時(shí)序分析主要關(guān)注最壞情況下的時(shí)序。86.在芯片制造中，拋光常用于（）A.平坦化芯片表面B.去除雜質(zhì)C.形成圖案D.提高導(dǎo)電性答案：A解析：拋光常用于平坦化芯片表面。87.下列哪種存儲(chǔ)器的讀寫速度最慢？（）A.SRAMB.DRAMC.FlashD.ROM答案：C解析：Flash存儲(chǔ)器的讀寫速度通常比SRAM和DRAM慢。88.芯片中的乘法器按實(shí)現(xiàn)方式可分為（）A.移位乘法器B.陣列乘法器C.兩者都是D.以上都不是答案：C解析：芯片中的乘法器按實(shí)現(xiàn)方式可分為移位乘法器和陣列乘法器。89.以下哪種因素會(huì)影響芯片的成本？（）A.制造工藝B.芯片面積C.良率D.以上都是答案：D解析：制造工藝、芯片面積和良率都會(huì)影響芯片的成本。90.芯片設(shè)計(jì)中的布局優(yōu)化主要考慮（）A.減小布線長(zhǎng)度B.降低電容耦合C.提高散熱性能D.以上都是答案：D解析：布局優(yōu)化需要考慮減小布線長(zhǎng)度、降低電容耦合和提高散熱性能等。91.在芯