《玻璃基底微熱板激光加工規(guī)范》（征求意見稿）

1玻璃基底微熱板激光加工規(guī)范——玻璃基底微熱板基底材料的選擇；——電極與絕緣層材料與制備方法的選擇。ISO9013:2017熱切割密度，足以使材料瞬間蒸發(fā)，從而實現(xiàn)精確的微納切割、鉆孔、挖槽23.2Lift-off工藝目標(biāo)材料層，然后利用化學(xué)或機械手段去除光刻PECVD是一種在低氣壓環(huán)境下，使用低溫等離子體來制備薄膜的技術(shù)。它結(jié)合了等離子體技術(shù)和化學(xué)氣相沉積（CVD）技術(shù)，可以在較低的溫度下實現(xiàn)高質(zhì)量薄膜的沉積。用于絕緣利用反應(yīng)離子氣體束切斷目標(biāo)材料的化學(xué)鍵，使之產(chǎn)生低分子物質(zhì)并揮發(fā)或游離。用于絕緣層玻璃基底微熱板中覆蓋于加熱電極之上的功能層，以起到電絕緣玻璃基底微熱板中在玻璃基底背面通過體刻蝕工藝形成3每立方英尺中大于0.5μm的粒子數(shù)目小于35200個。適用于玻璃基底微熱板制造過程中所需的且兼容微電子工藝、MEMS（Micro-electromec超短脈沖激光加工設(shè)備的原理是將聚焦成高功率密度的激光束照射到目標(biāo)材料表面，使目標(biāo)材料4模版照射到基底表面。實現(xiàn)在玻璃基底上精確地轉(zhuǎn)移掩膜上的電極圖磁控濺射設(shè)備是一種用于鍍膜的技術(shù)裝備，它通過在真空中利用磁場和電場的交互作用來實現(xiàn)薄PVD（PhysicalVaporDeposition）沉積材料包括鉑熱穩(wěn)定性，適用于制造MEMS微熱板的電極。4.4.4PECVD設(shè)備PECVD利用等離子體來增強化學(xué)反應(yīng)，從而在較低的溫度下實現(xiàn)薄膜的沉積。這使得PECV氣體前驅(qū)物分解并沉積在加熱的基材上，形成所需的薄膜。PECVD工藝允許精確控制沉積的薄膜厚度和均勻性，通過調(diào)整PECVD工藝參數(shù)，可以制造出具有特定電學(xué)特性和應(yīng)力水平的薄膜。4.5工藝參數(shù)選擇335NR9–4.5.4PECVD參數(shù)4.5.5RIE參數(shù)6將玻璃基底固定在激光加工平臺，調(diào)節(jié)激光器焦平面位置，激光加工設(shè)備參數(shù)可參考表1根據(jù)目標(biāo)進(jìn)行第一次光刻工藝。步驟如下：在玻璃基底正面涂覆NR9-3000PY光刻膠，工藝參數(shù)參照表2后通過曝光、顯影工藝完成圖形轉(zhuǎn)移。光刻工藝完成后，通過磁控濺射法7操作激光器時應(yīng)該戴上護目鏡，不可直視激光源或任何表面反射的激裝卸試樣要注意試驗所用樣品座位置與擋板上濺射孔的對應(yīng)，并記錄樣品座的編號及目前所對應(yīng)6.3.3降落樣品臺時應(yīng)注意樣品臺與濺射室的吻合，并對工業(yè)酒精擦洗干凈樣品臺與濺射室6.4.2在離開之前，應(yīng)確定拉閘斷6.5.1緊急停電處理方法：立即切斷電源，關(guān)閉6.5.2丙酮使用時發(fā)生頭