2024屆新高考二輪復(fù)習(xí) 晶體結(jié)構(gòu)與性質(zhì) 作業(yè)

晶體結(jié)構(gòu)與性質(zhì)

I.以下關(guān)于晶體性質(zhì)說(shuō)法不正確的是（）

A.區(qū)分晶體和非晶體最可靠的方法是X-射線衍射實(shí)驗(yàn)

B.冰和干冰都是分子晶體，一個(gè)分子周?chē)加?2個(gè)緊鄰的分子

C.金屬的電子氣理論可以解釋金屬易導(dǎo)電、易導(dǎo)熱、有延展性

D.由原子構(gòu)成的晶體可?以是分子晶體、原子品體、金屬晶體

2.下列有關(guān)說(shuō)法不正確的是（）

圖I圖2圖3圖4

A.石墨結(jié)構(gòu)如圖I所示，每個(gè)環(huán)上平均占有2個(gè)碳原子

B.圖2中晶胞中含有的Cs+和CE數(shù)目相等

C.水合銅離子的模型如圖3所示，1個(gè)水合銅離子中有4個(gè)配位鍵

D.金屬Cu中Cu原子堆積模型如圖4所示，該金屬晶體為最密堆枳，每個(gè)Cu原子的配位數(shù)

均為8

3.磷化硼（BP）是一種耐磨涂料，它可作金屬的表面保護(hù)層。磷化硼的晶胞結(jié)構(gòu)如圖，晶胞參

數(shù)為ao下列說(shuō)法錯(cuò)誤的是（）

B.1個(gè)BP晶胞含4個(gè)B原子和4個(gè)P原子

C.電負(fù)性B>C>N

D.第一電離能N>O>C>B

4.晶體是一類(lèi)非常重要的材料，在很多領(lǐng)域都有廣泛的應(yīng)用。我國(guó)現(xiàn)已能夠拉制出直徑為300

mm、重量達(dá)81kg的大直徑硅單晶，晶體硅大量用于電子產(chǎn)業(yè)。下列對(duì)晶體硅的敘述正確

的是（）

A.形成晶體硅的速率越快越好

B.晶體硅沒(méi)有固定的熔點(diǎn)

C.可用X射線衍射實(shí)驗(yàn)來(lái)鑒別晶體硅和玻璃

D.晶體硅的形成與晶體的自范性有關(guān)，而與各向異性無(wú)關(guān)

?，F(xiàn)有冰晶石的結(jié)

5.已知冰晶石（NaAIF）熔融時(shí)的電離方程式為

Na3Al孱一3Na++A喈

構(gòu)單元如圖所示，?位于大立方體頂角和面心,O位;大立方體的12條棱的中點(diǎn)和8個(gè)

小￡立方體的體心，v是圖中?、。中的一種。卜列說(shuō)法正確的是（）

1axIO_8cm'

A.冰晶石是共價(jià)晶體

B.大立方體的體心處V代表A1"

C.與Na-距離相等且最近的Na.有6個(gè)

D.冰晶石晶體的密度約為a斗g?cnr3

6.關(guān)于下列晶胞說(shuō)法錯(cuò)誤的是（）

篇聞

9舞

甲乙丙丁

A.離子晶體NaCI的晶胞結(jié)構(gòu)如圖甲所示，晶體中C「周?chē)嚯x最近的C「?jìng)€(gè)數(shù)為6

B.分子晶體CO?的晶胞結(jié)構(gòu)如圖乙所示，該晶胞中含有4個(gè)CO?

C.共價(jià)晶體金剛石的晶胞結(jié)構(gòu)如圖內(nèi)所示，該晶胞中含有8個(gè)C

D.金屬晶體鈉的晶胞結(jié)構(gòu)如圖丁所示，晶體中Na的配位數(shù)為8

7.下列說(shuō)法不正確的是（）

A.Na,O中離子鍵的百分?jǐn)?shù)為62%,則Na?O不是純粹的離子晶體，是離子晶體與共價(jià)晶體

之間的過(guò)渡晶體

B.Na?O通常當(dāng)作離子晶體來(lái)處理，因?yàn)镹a?O是偏向離子晶體的過(guò)渡晶體，在許多性質(zhì)上

與純粹的離子晶體接近

C.ALO；是偏向離子晶體的過(guò)渡晶體，當(dāng)作離子晶體來(lái)處理；Si。2是偏向共價(jià)晶體的過(guò)渡晶

體，當(dāng)作共價(jià)晶體來(lái)處理

D.分子晶體、共價(jià)晶體、金屬晶體和離子晶體都有過(guò)渡型

8.三硫化四磷（P4S3）是一種黃綠色針狀結(jié)晶，熔點(diǎn)為174℃,沸點(diǎn)為408℃,可用于制造火

柴及火柴盒摩擦面，其結(jié)構(gòu)如圖所示。下列說(shuō)法錯(cuò)誤的是（）

P

A.三硫化四磷是分子晶體

B.分子中所有原子均為sp'雜化

C.分子結(jié)構(gòu)中既有極性鍵，又有非極性鍵

D.P4s3分子結(jié)構(gòu)中有4個(gè)五元環(huán)

9.從晶體與非晶體的角度分析，普通玻璃和水晶的根本區(qū)別是（）

A.外形不一樣

B.普通玻璃的基本構(gòu)成粒子無(wú)序排列，水晶的基本構(gòu)成粒子呈周期性有序排列

C.水晶有固定的熔點(diǎn)，普通玻璃無(wú)固定的熔點(diǎn)

D.水晶可用于能量轉(zhuǎn)換，普通玻璃不能用于能量轉(zhuǎn)換

10.科學(xué)家把C的和K摻雜在一起制造出的物質(zhì)具有超導(dǎo)性能，其晶胞結(jié)構(gòu)如圖所示。該物

質(zhì)中K和C6G的個(gè)數(shù)比為（）

A.1：1B.2：1C.3：1D.4：1

11.銅是人類(lèi)知道最早的金屬之一，也是廣泛使用的第一種金屬?；卮鹣铝袉?wèn)題：

⑴鍥白銅（銅鍥合金）可用于制作仿銀飾品。第二電離能/2（Cu）（填

或“v”），2（Ni）,其原因?yàn)椤觯海?/p>

⑵向［CU（NH3）J。溶液中通入乙快G%）氣體，可生成紅棕色沉淀Cu2c2。

①C2H2分子中G鍵與兀鍵的數(shù)目之比為；碳原子的雜化方式為

*

②寫(xiě)出與Cu2c2中陰離子C；-互為等電子體的一種分子和一種離子：

（3）乙二胺（hN—CH2cH2—NH?）易與Ci?+形成絡(luò)合物，用于Cl?+的定量測(cè)定。

①形成的絡(luò)合物中提供孤對(duì)電子的原子為（填元素符號(hào)）。

②乙二胺中所含元素的電負(fù)性由大到小的順序?yàn)?；乙二胺在水中溶解度較

大的原因?yàn)椤?/p>

（4）銅與氧構(gòu)成的某種化合物的立方晶胞如圖甲所示，圖乙是沿晶胞對(duì)角面取得的截圖，晶

胞中所有原子均在對(duì)角面上。氧原子的配位數(shù)為,若Cu原子之間

最短距離為dpm,阿伏加德羅常數(shù)的值為NA，該晶體的密度為

g-cm_3（列出計(jì)算式即可）。

12.科學(xué)工作者合成了含鎂、銀、碳3種元素的超導(dǎo)材料，具有良好的應(yīng)用前景?；卮鹣铝?/p>

問(wèn)題：

（1）元素位于元素周期表第列，基態(tài)銀原子d軌道中成對(duì)電子與單電子的數(shù)量比

（2）在CO分子中，C與。之間形成a鍵，個(gè)兀鍵，在這些化學(xué)鍵中,

O原子共提供了個(gè)電子。

（3）第二周期元素的第一電離能人隨原子序數(shù)（刀的變化情況如圖1所示。4隨z的遞增

而呈增大趨勢(shì)的原因是____________,原子核對(duì)外層電子的引力增大。導(dǎo)致/在a點(diǎn)出現(xiàn)齒

1\

峰的原因是_____________O

圖】

（4）下列分子或離子與co,具有相同類(lèi)型化學(xué)鍵和立體構(gòu)型的是（填標(biāo)號(hào)）,

ABCD

-SO2-OCN'HF；,NO：

（5）過(guò)渡金屬與CO形成撥基配合物時(shí)，每個(gè)CO分子向中心原子提供2個(gè)電子，最終使

中心原子的電子總數(shù)與同周期稀有氣體原子的電子總數(shù)用同，稱為有效原子序數(shù)規(guī)則。根據(jù)

此規(guī)則推斷，銀與CO形成的默基配合物Ni（co）,中，x=0

（6）在某種含鎂、銀、碳3種元素的超朝料晶體中，鎂原子和銀原子一起以立方最密堆積

方式形成有序結(jié)構(gòu)。結(jié)構(gòu)中存在兩種八面體空隙，一種完全由銀原子構(gòu)成，另一種由銀原子

和鎂原子共同構(gòu)成，碳原子只填充在由鍥原子構(gòu)成的八面體空隙中，晶胞如圖2所示。

①組成該晶體的化學(xué)式為。

②完全由銀原子構(gòu)成的八面體空隙與由銀原子和鎂原子共同構(gòu)成的八面體空隙的數(shù)量比為

,由銀原子和鎂原子共同構(gòu)成的八面體空隙中鍥原子和鎂原子的數(shù)量比為

。③若碳原子位于晶胞頂角，則鍥原子位于晶胞的_________位置。

13.A、B、C、D是四種前三周期元素，且原子序數(shù)逐漸增大，這四種元素的基態(tài)原子的未

成對(duì)電子數(shù)和電子層數(shù)相等。請(qǐng)回答下列問(wèn)題：

（1）D兀素的基態(tài)原子的價(jià)電子排布式是4

（2）A、B、C三種元素可以形成化合物A,B,C2,它是廚房調(diào)味品之一。ImolA’BK?中

含有molo鍵，其中B原子采取的雜化軌道類(lèi)型為=

（3）元素F的原子序數(shù)是介于B和C之間的，元素B、C、F的電負(fù)性的大小順序是

，B、C、F的第一電離能的大小順序是（由大到小，用元素符號(hào)填空）。

（4）隨著科學(xué)的發(fā)展和大型實(shí)臉裝置（如同步輻射和中子源）的建成，高壓技術(shù)在物質(zhì)研究

中發(fā)揮越來(lái)越重要的作用，高壓不僅會(huì)引發(fā)物質(zhì)的相變，也會(huì)導(dǎo)致新類(lèi)型化學(xué)鍵的形成。近

年來(lái)有多個(gè)關(guān)于超高壓下新型晶體的形成與其結(jié)構(gòu)的研究報(bào)道。NaCl晶體在50~300GPa

的高壓下和Na或C],反應(yīng)，可以形成不同組成、不同結(jié)構(gòu)的晶體。如圖所示給出其中三種

晶體的晶胞（大球?yàn)镃「小球?yàn)镹a+b寫(xiě)出A、B、C對(duì)應(yīng)晶體的化學(xué)式。

A：；B：：C：

（5）磷化硼是一種受到高度關(guān)注的耐磨涂料。它可作金屬的表面保護(hù)層。磷化硼可由三溟

化硼和三漠化磷在氫氣中高溫反應(yīng)制取。制取磷化硼的化學(xué)方程式為

高溫°

BBr3+PBr3+3H2-------BP+6HBr

①分別畫(huà)出三澳化硼分子和三溟化磷分子的結(jié)構(gòu)。

②磷化硼晶體中磷原子為面心立方最密堆積，硼原子填入部分四面體空隙中。磷化硼的晶胞

示意圖如圖2所示。

圖2

己知磷化硼的晶胞參數(shù)〃=478pm，計(jì)算晶體中硼原子和磷原子的最短核間距（金p）（寫(xiě)出

計(jì)算式，不要求計(jì)算結(jié)果）：。

14.Cu—Mn—A1合金為形狀記憶合金材料之一，可用來(lái)制作各種新型的換能器、驅(qū)動(dòng)器、

敏感元件和微電子機(jī)械操縱系統(tǒng)。

（1）基態(tài)銅原子的電子井布式為,基態(tài)鎰原子的外圍電子排布圖為。

（2）4Ch是某些有機(jī)反應(yīng)的催化劑，如苯與乙酰氯反應(yīng)的部分歷程如下：

000

IIII

CH3—C—Cl+A1CI3—CH3-C—Cl--AlClj-?CH,—C*+A1C1；

乙酰氯乙?；x子

①乙酰氯分子中碳原子的雜化類(lèi)型為.

②乙酰氯分子中NCCCI（填域"<”）120。，判斷理由為

③AIC1；的空間構(gòu)型為。

（3）溫度不高時(shí)氣態(tài)氯化鋁為二聚分子（川,。6）'其結(jié)構(gòu)如圖I所示。

OCI

H?AI

寫(xiě)出ALJ的結(jié)構(gòu)式并標(biāo)出配位鍵：0

（4）Cu-Mn-Al合金的晶胞如圖2所示，該晶胞可視為MiuAl位于Cu形成的立方體體

心位置，圖3是沿立方格子對(duì)角面取得的截圖。

圖2圖3

①若A的坐標(biāo)參數(shù)為（0,0,0）,C的坐標(biāo)參數(shù)為（1,1,1）,則B的坐標(biāo)參數(shù)為.

②該合金的化學(xué)式為，，

③假設(shè)r（Cu）?/（Mn）=127pm?r（Al）=143pm，則銅原子之間的最短距離為——pm。

④該晶體的密度為_(kāi)_______°-3（列出計(jì)算式即可，設(shè)阿伏加德羅常數(shù)的值為2）

germm/VA

15.單質(zhì)硼是一種用途廣泛的化工原料，可以應(yīng)用于新型材料的制備，可用作良好的還原劑

（1）晶體硼為黑色，硬度僅次于金剛石，質(zhì)地較脆，熔點(diǎn)為2573K,沸點(diǎn)為2823K。晶體

硼的晶體類(lèi)型屬于晶體。

（2）晶體硼單質(zhì)的基本結(jié)構(gòu)單元為正二十面體（如圖甲所示），其能自發(fā)地呈現(xiàn)多面體外

形，這種性質(zhì)稱為晶體的。晶體中有20個(gè)等邊三角形和一定數(shù)目的頂點(diǎn)，每

個(gè)頂點(diǎn)各有一個(gè)B原子。通過(guò)觀察圖形及推算，可知此結(jié)構(gòu)單元是由個(gè)B原

子構(gòu)成。

甲

（3）基態(tài)硼原子的價(jià)電子軌道表達(dá)式是o與硼處于同周期且相鄰的兩種元素和硼

的第一電離能由大到小的，頤序?yàn)椤?/p>

（4）B與H形成的化合物很多，其中最簡(jiǎn)單的氫化物為B2H￡（分子結(jié)構(gòu)如圖乙），則B

原子的雜化方式為o氨硼烷（NH3BH3）被認(rèn)為是最具潛力的新型儲(chǔ)氫材料之一,

分子中存在配位鍵，提供孤電子對(duì)的成鍵原子是。硼氫化鈉（NaBH4）,它是有機(jī)

合成的重要還原劑，其中BH,的立體構(gòu)型為

（5）磷化硼是一種超硬耐磨涂層材料，如圖丙為其晶脆結(jié)構(gòu)，阿伏加德羅常數(shù)的值為N-

磷化硼晶體的密度為pg?cm-3,B與P最近的距離為cm（列出計(jì)算式即可）。

答案以及解析

1.答案：B

2.答案：D

解析：石墨結(jié)構(gòu)中含大量的六元環(huán)，每個(gè)碳原子被3個(gè)六元環(huán)共有，故石墨結(jié)構(gòu)中每個(gè)環(huán)上

平均占有的碳原子數(shù)為6xg=2,A項(xiàng)正確；圖2晶胞中含有Cs+的數(shù)目為8x|/8=I,含有

的數(shù)目為1，B項(xiàng)正確；圖3中大黑球代表Cu(II),與白球代表的氧原子形成4個(gè)配位

鍵，C項(xiàng)正確；圖4表示的結(jié)構(gòu)為面心立方最密堆積，最密堆積的配位數(shù)均為12,D項(xiàng)錯(cuò)

誤。

3.答案：C

解析：B—P鍵鍵長(zhǎng)等于晶胞體對(duì)角線長(zhǎng)度的1，為與a,A項(xiàng)正確；1個(gè)BP晶胞含4個(gè)

B原子和4個(gè)P原子，B項(xiàng)正確，電負(fù)性N>C>B,C項(xiàng)錯(cuò)誤；第一電離能N>O>C>B,D項(xiàng)

正確。

4.答案：C

解析：晶體的形成都有?定的形成條件，如溫度、壓強(qiáng)、結(jié)晶速率等，但并不是說(shuō)結(jié)晶速率

越快越好?，速率太快可能導(dǎo)致晶體質(zhì)量下降，A項(xiàng)錯(cuò)誤；晶體有固定的熔點(diǎn)，B項(xiàng)錯(cuò)誤；X

射線衍射實(shí)驗(yàn)?zāi)軌驕y(cè)出物質(zhì)的內(nèi)部結(jié)構(gòu)，根據(jù)微粒是否有規(guī)則的排列可區(qū)分晶體與非晶體，

C項(xiàng)止確；晶體的形成與晶體的自范性和各向異性都有密切關(guān)系，D項(xiàng)錯(cuò)誤。

5.答案：D

解析：由冰晶石熔融時(shí)能發(fā)生電離，可知冰晶石是離子晶體，A項(xiàng)錯(cuò)誤；每個(gè)晶胞中含有。

的個(gè)數(shù)為8xl/8+6xl/2=4，O的個(gè)數(shù)為12x1/4+8=11，根據(jù)冰晶石的化學(xué)式可知，

A1成-與Na+的個(gè)數(shù)比為1:3,故▽與0必然表示同一種微粒，即為Na+，B項(xiàng)錯(cuò)誤；與Na.

距離相等且最近的Na+有8個(gè).C項(xiàng)錯(cuò)誤：晶體的密度為

4x210

gem3普…3

6.02X1023X（4/XI0-8）3a',D項(xiàng)正確。

6.答案：A

解析：圖中為常見(jiàn)的離子晶體NaQ晶胞結(jié)構(gòu)，晶體中C廠周?chē)嚯x最近的C「?jìng)€(gè)數(shù)為12,A

項(xiàng)錯(cuò)誤；圖乙為分子晶體CO?的晶胞結(jié)構(gòu)，根據(jù)晶胞基本知識(shí)可計(jì)算出，該晶胞中含有含4

個(gè)CO?，B項(xiàng)正確；圖丙為金剛石的晶胞結(jié)構(gòu)，根據(jù)晶胞基本知識(shí)可計(jì)算出，該晶胞中含有

8個(gè)C,C項(xiàng)正確；圖丁為金屬晶體鈉的晶胞結(jié)構(gòu)，根據(jù)配位數(shù)的定義，可計(jì)算該晶脆中

Na的配位數(shù)為8,D項(xiàng)正確。

7.答案：C

解析：ALO,、SiO,均是偏向共價(jià)晶體的過(guò)渡晶體，當(dāng)作共價(jià)晶體來(lái)處理，C項(xiàng)不正確。

8.答案：D

解析：由三硫化四磷的熔、沸點(diǎn)可知，三硫化四磷為分子晶體，A說(shuō)法正確；該分子中S

原子周?chē)?對(duì)成鍵電子和2對(duì)孤電子對(duì)，為p雜化，P原子周?chē)?對(duì)孤電子對(duì)和3對(duì)成

健電子，也是sp'雜化，B說(shuō)法正確；由該分子的結(jié)構(gòu)特點(diǎn)可知，分子中含有S—P極性鍵

和p_P非極性鍵，C說(shuō)法正確：P4s3分子結(jié)構(gòu)中有3個(gè)五元環(huán)和1個(gè)三元環(huán)，D說(shuō)法錯(cuò)誤。

9.答案：B

解析：水晶是晶體，普通玻璃是非晶體。晶體和非晶體的本質(zhì)區(qū)別是粒子在三維空間里是否

呈周期性有序排列。

10.答案:C

解析：根據(jù)均攤法可知，咳晶胞中K的個(gè)數(shù)為2x6x；=6,（:⑷的個(gè)數(shù)為"8x1=2,所以該

物質(zhì)中K和C6n的個(gè)數(shù)比為6：2=3：1。

11.答案：（1）>;銅失去的是全充滿的34°電子，鍥失去的是4s電子

（2）①3:2；sp雜化

②CO或電、CN-

⑶①N

②N>C>H：乙二胺能夠與水形成分子間氫鍵，所以溶解度較大

/i144x2

（4）4；----------------

-10

NAX（X/2JX1O）'

解析：（1）第二電離能：，2（Cu）>/2（Ni），理由是基態(tài)ClT的價(jià)電子排布式為3di°,處于全

充滿狀態(tài)，再失去一個(gè)電子較為困難，所以第二電離能攻大。

⑵①C2H2分子中4個(gè)原子間形成了3個(gè)。鍵，碳碳三鍵之間形成了2個(gè)兀鍵，所以。鍵

與兀鍵的數(shù)FI之比為3:2：碳原子的雜化方式為sp。

②常見(jiàn)的與C；-互為等電子體的分子有CO、N2等，離子有CN。

⑶乙二胺(H?N—CH2cH2—NH?)易與C/+形成絡(luò)合物，用于C/+的定量測(cè)定。

①乙一胺(&N-CH2cH2—NH?沖只有N原子存在孤電子對(duì).

②乙二胺(XN—CH2cH2—NH2)中所含元素有C、N、H,電負(fù)性由大到小的順序?yàn)?/p>

N>C>H：乙二胺中存在的氨基易與水形成分子間氫鍵，所以乙二胺在水中的溶解度較大。

(4)由圖甲和圖乙可知氧原子占據(jù)了晶胞的8個(gè)角和晶胞的體心，共含2個(gè)氧原子；將晶胞

切成8個(gè)小正方體，銅原子分列晶胞內(nèi)部8個(gè)小正方體中的4個(gè)小體心，共含4個(gè)銅原子，

以體心氧原子為參照物，可知氧原子的配位數(shù)為4,銅原子的最短距離為晶胞面對(duì)角線的一

半，即棱長(zhǎng)等于6/pm,該晶體的密度為-----小衛(wèi)——?gcm-\

-l

^Ax(V2JxlO°y

12.答案:(1)10；3：1

(2)I；2；4

(3)隨原子序數(shù)增大，核電荷數(shù)增大，原子半徑逐漸減??；N元素原子的2P能級(jí)處于半充

滿狀態(tài)，更穩(wěn)定

(4)BD

(5)4

(6)①M(fèi)gNi3c②1：3；2：1③棱心

解析：(1)Ni是笫28號(hào)元素，位于第四周期笫VW族的第3歹人即元素周期表的第l(J歹I」。

基態(tài)Ni的d軌道的電子抹布式3d8，有3對(duì)(6個(gè))成對(duì)電子和2個(gè)單電子，成對(duì)電子與單

電子的數(shù)量比為6：2=3：io

(2)在CO分子中可看作存在碳氧三鍵，C與O之間形成I個(gè)。鍵、2個(gè)兀鍵，其中1

個(gè)兀鍵由氧原子提供孤電子對(duì)，碳原子提供空軌道形成，所以氧原子共提供了4個(gè)電子。

(3)第二周期元素的4隨Z的遞增而呈增大趨勢(shì)的原因是隨原子序數(shù)增大，原子半徑逐漸

減小，原子核對(duì)外層電子的引力增大。a點(diǎn)表示第二周期第VA族元素原子，即N,其2P

能級(jí)處于半充滿狀態(tài)，較簿定，故N的第一電離能大于相鄰元素原子O的，所以出現(xiàn)齒峰。

(4)CO2含有極性共價(jià)鍵，立體構(gòu)型為直線形。A項(xiàng)，SO?中只含有極性共價(jià)鍵，但空間

構(gòu)型為V形，不符合題意。B項(xiàng)，OCN中只含有極性共價(jià)鍵，且其與CO2互為等電子體,

空間構(gòu)型相同，符合題意，C項(xiàng)，HFf是由F-和HF通過(guò)氫鍵形成的，不符合題意。D項(xiàng)，

NO；中只含有極性共價(jià)鍵，且其與CO2互為等電子體，空間構(gòu)型相同，符合題意。

(5)Ni的電子總數(shù)為28,回周期的稀有氣體元素為Kr,原子序數(shù)為36,每個(gè)CO可提供

2個(gè)電子，所以x=更三交=4。

2

(6)①根據(jù)均攤法，碳原子位于晶胞內(nèi)部，個(gè)數(shù)為1；鎂原子位于頂角，個(gè)數(shù)為8x)=1,

O

鍥原子位于面心，個(gè)數(shù)為6X；=3,所以晶體的化學(xué)式為：MgNisC。②根據(jù)題圖2分析可

知，由銀原子構(gòu)成的八面體空隙數(shù)目為1()每條楂上的兩個(gè)鎂原子與相鄰面

O

心的4個(gè)銀原子構(gòu)成八面體空隙(),則每個(gè)晶胞中由銀原子和鎂原

二二

子共同構(gòu)成的八面體空隙數(shù)目為匹卜3。完全由銀原子構(gòu)成的八面體空隙與由鍥原子和

鎂原子共同構(gòu)成的八面體空隙的數(shù)量比為1：3。由銀原子和鎂原子共同構(gòu)成的八面體空隙

中有2個(gè)鎂原子、4個(gè)銀原子，所以銀原子和鎂原子的數(shù)量比為2：1。③若碳原子位于晶胞

頂角，根據(jù)題圖2可知銀原子位于兩個(gè)碳原子之間，即棱心位置。

13.答案：(1)3s23P3

(2)7；sp?、sp'

(3)0>N>C；N>O>C

(4)NaCI3；NasCl；Na2cl

②"B-P=~x478Pm<或%-p=-［（V2a）2+a2務(wù)==~^~x478Pm-

解析：（1）有1個(gè)電子層和1個(gè)未成對(duì)電子的原子，其核外電子排布式為W，為H；有2

個(gè)電子層和2個(gè)未成對(duì)電子的原子，其核外電子排布式為Is22s22P2、Is22s22P4，分別為C、

O；有3個(gè)電子層和3個(gè)未成對(duì)電子的原子，其核外電子排布式為Is22s/p'3s?3p*,為P。

根據(jù)題意可知，A為H,B為C（碳），C為O,D為P。

HO

II

（2）該化合物為CH3coOH,其結(jié)構(gòu)式為H二工一O-H，lmolCH3COOH中含有7

I

H

mol。鍵，一C%中碳原子雜化軌道類(lèi)型為sp',—COOH中碳原子雜化軌道類(lèi)型為sp20

（3）F為N,C、N、0同周期，同周期主族元素從左到右電負(fù)性逐漸增大，故電負(fù)性：O>N>Co

同周期主族元素從左到右第一電離能整體呈增大趨勢(shì)，但氮原子的2p軌道為半充滿的穩(wěn)定

結(jié)構(gòu)，其第一電離能大于0的第一電離能，故第一電離能：N>O>Co

（4）晶胞A中8個(gè)Na+位于頂角，1個(gè)Na+位于體心，該晶胞中Na+的個(gè)數(shù)為8x：+l=2,

O

12個(gè)C廠均位于面上，個(gè)數(shù)為12X：=6,A晶胞中Na+、C「的個(gè)數(shù)比為2：6=1：3,故

+

A對(duì)應(yīng)晶體的化學(xué)式為NaCl3。B晶胞中4個(gè)Na卡位于棱上，2個(gè)Na卡位于晶胞內(nèi)部，Na的

個(gè)數(shù)為4X；+2=3,8個(gè)C「位于頂角，C「的個(gè)數(shù)為8x：=l,B晶胞中Na+、C「的個(gè)數(shù)

48

比為3：1,故B對(duì)應(yīng)晶體的化學(xué)式為Na3cL晶胞中4個(gè)Na+位于棱上，2個(gè)Na.位于面

心，2個(gè)Na+位于晶胞內(nèi)部，Na+的個(gè)數(shù)為4x；+2xg+2=4,8個(gè)CP位于棱上，C「的

+

個(gè)數(shù)為8x4=2,C晶胞中Na、CP的個(gè)數(shù)比為4：2=2：I,故C對(duì)應(yīng)晶體的化學(xué)式為Na2Cl。

4

（5）①BB［中B無(wú)孤電子對(duì)，空間構(gòu)型為平面三角形；而PBL中P有一對(duì)孤電子對(duì)，空

間構(gòu)型為三角錐形。②BP為原子晶體，其晶胞結(jié)構(gòu)類(lèi)似于金剛石，磷原子位于晶胞的頂角

和面心，若將該晶胞切割成8個(gè)小立方體，在其中4個(gè)互不相鄰的立方體體心各有一個(gè)硼原

子。因此晶體中硼原子與磷原子的最短核間距為晶胞體對(duì)角線長(zhǎng)度的1而晶胞體對(duì)角線

長(zhǎng)度為晶胞邊長(zhǎng)的G倍，故4_p=@=3x478pm。

44

14.答案:(1)[Ar]3di°4sl(或Is22s22P63s23P63產(chǎn)4s\；CXD①①①①

3d4s

(2)①sp\sp2②v；雙鍵對(duì)單鍵的排斥作用大于單鍵對(duì)單鍵的排斥作用③正四面體形

Cl\/Q、/Cl

27x4+55x4+64x8

解析：(l)Cu為29號(hào)元素，基態(tài)銅原子的電子排布式為：Is22s22P63s23P634°4/或

[ArjBd,^s1;Mn為25號(hào)元素，基態(tài)銃原子的電子排布式為Is22s22P63s23P63d'4s?,外圍

電子排布式為3dzs2,則基態(tài)猛原子的外圍電子排布圖為①①(DCXD?，。

3d4?

(2)①根據(jù)乙酰氯的結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)式可知，其分子中甲基碳原子形成4個(gè)。鍵，價(jià)層電子對(duì)數(shù)為

4,發(fā)生sp?雜化；族基碳原子形成3個(gè)。鍵，1個(gè)兀鍵，價(jià)層電子對(duì)數(shù)為3,發(fā)生sp2雜

化。②乙酰氯分子中談基玻原子發(fā)生sp2雜化，其與甲基碳原子、氧原子和氯原子形成平面

三角形結(jié)構(gòu)，但雙鍵對(duì)單跡的排斥作用大于單鍵對(duì)單鍵的排斥作用，所以乙酰氯分子中

34.1-1x4

NCCC1小于120。。③A1C1；的中心鋁原子的價(jià)層電子：4+」^—=4,不含孤電子對(duì)，

所以A1C1；的空間構(gòu)型為正四面體形。

(3)根據(jù)AbCL的結(jié)構(gòu)可知每個(gè)鋁原子與4個(gè)氯原子形成4個(gè)。鍵，由于鋁原子最外層

只有3個(gè)電子，所以其中1個(gè)。鍵為配位鍵，由鋁原子提供空軌道，氯原子提供孤電子對(duì),

(4)①A的坐標(biāo)參數(shù)為(0,0,0),C的坐標(biāo)參數(shù)為(1,1,I),B位于右面的面心，所以

B的坐；標(biāo)