表面化學分析 深度剖析 AES和XPS深度剖析時離子束對準方法及其束流或束流密度的測量方法 編制說明_第1頁
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2表面化學分析深度剖析AES和XPS深度剖析時離子束對準方法及其束流或束流密度的測量方法？？？），20240152-T-469，由北京師范大學、中國計量科學研究院負責起草，？？？），范，校準離子束、確定刻蝕速率的方法基礎標準，獲得正確結果。3AES和XPS離子濺射深度剖析是表面分析中應用較廣泛的一項表時離子束對準方法及其束流或束流密度的測量方法》2017年首次發(fā)4修訂并發(fā)布了ISO16531：2020。為保持標準先進性，對現(xiàn)行驗，結果分析等。報批稿及其他相關資料的起草修5二、國家標準編制原則、主要內容（如技術指標、參數(shù)、公式、性能要求、試驗方法、檢驗規(guī)則等）及其確定依據(jù)（包括試驗、統(tǒng)計數(shù)據(jù)），修訂國家6本文件代替GB/T34326—2017《表面化學分析深度剖析AES和XPS深度剖析時離子束對準方法及其束流或束流密度的測量方法》,與GB/T34326—2017相比，除結構調整和編輯性改動外，主要7三、試驗驗證的分析、綜述報告，技術經濟論證，預期的經濟效益、社會效益84.2與國際標準及國外同類標準水平的對比，或與測試的國外樣品、樣機的有9九、實施國家標準的要求，以及組織措施、技術措施、過渡期和實施日期的建凡涉及標準名稱修改的（即計劃庫信息與報批稿名稱及報批時系統(tǒng)信息不），中記

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