【MOOC期末】《數(shù)字電子技術(shù)基礎(chǔ)》(北京交通大學(xué))中國(guó)大學(xué)慕課答案

【MOOC期末】《數(shù)字電子技術(shù)基礎(chǔ)》(北京交通大學(xué))中國(guó)大學(xué)慕課答案數(shù)字電子技術(shù)基礎(chǔ)(北京交通大學(xué))期末試題1.單選題：如果要求模擬輸出電壓的最大值10V，電壓的最小變化量為50mV，應(yīng)選的DAC芯片？

選項(xiàng)：

A、10位

B、8位

C、12位

D、4位

答案：【8位】2.單選題：在系統(tǒng)可編程邏輯器件采用編程單元。

選項(xiàng)：

A、E2CMOS

B、熔絲

C、SRAM

D、隧道型浮柵單元

答案：【E2CMOS】3.單選題：74LS163的置位功能是。

選項(xiàng)：

A、異步

B、同步

C、與復(fù)位同時(shí)

D、不考慮CP

答案：【同步】4.單選題：

選項(xiàng)：

A、000

B、111

C、110

D、010

答案：【111】5.單選題：從圖3所示的卡諾圖上看，在兩圈相切處增加一個(gè)冗余圈的目的是。

選項(xiàng)：

A、克服競(jìng)爭(zhēng)

B、克服冒險(xiǎn)

C、化簡(jiǎn)邏輯函數(shù)

D、找出最小項(xiàng)

答案：【克服冒險(xiǎn)】6.單選題：Bi-CMOS電路采用CMOS電路實(shí)現(xiàn)邏輯功能，采用驅(qū)動(dòng)能力強(qiáng)的電路實(shí)現(xiàn)輸出級(jí)。

選項(xiàng)：

A、TTL

B、CMOS

C、NMOS

D、ECL

答案：【TTL】7.單選題：在固定的UDD情況下，CMOS反相器噪聲容限。

選項(xiàng)：

A、UNL=UNH

B、UNL>UNH

C、UNLD、根據(jù)條件確定

答案：【UNL=UNH】8.單選題：下面四個(gè)編碼中，哪個(gè)抗干擾能力最強(qiáng)。

選項(xiàng)：

A、1000→0100→0010→0001→1000

B、0000→0001→0011→0111→1111→1110→1100→1000→0000

C、0000→0001→0010→0011→0100→0101→0110→0111→1000→1001→0000

D、0011→0100→0101→0110→0111→1000→1001→1010→1011→1100→0011

答案：【0000→0001→0011→0111→1111→1110→1100→1000→0000】[vk-content]9.單選題：在圖2電路中，保證電路執(zhí)行非門操作，輸入信號(hào)A為邏輯低電平“0”，輸出F為邏輯“1”時(shí)，信號(hào)B、D應(yīng)該是。

選項(xiàng)：

A、1、0

B、0、0

C、0、1

D、1、1

答案：【1、0】10.單選題：圖1電路中，信號(hào)A低電平（0V）從X點(diǎn)到Z點(diǎn)傳輸過程中，有較大的干擾或噪聲疊加到Z點(diǎn)，但還維持在CMOS非門截止的電壓，請(qǐng)問輸出F是。

選項(xiàng)：

A、UDD

B、0V

C、5V

D、8V

答案：【0V】11.單選題：欲獲得頻率穩(wěn)定度高的脈沖信號(hào)，應(yīng)采用。

選項(xiàng)：

A、單穩(wěn)態(tài)電路

B、集成555

C、對(duì)稱多諧振蕩器

D、石英晶體振蕩器

答案：【石英晶體振蕩器】12.單選題：?jiǎn)畏€(wěn)態(tài)電路可應(yīng)用于以下哪種情況。

選項(xiàng)：

A、加法器

B、定時(shí)電路

C、振蕩器

D、移位寄存器

答案：【定時(shí)電路】13.單選題：

選項(xiàng)：

A、米萊

B、摩爾

C、組合

D、自啟動(dòng)

答案：【摩爾】14.單選題：某邏輯門的輸出相對(duì)于輸入，tPLH=5ns，tPHL=3ns，平均延遲時(shí)間為。

選項(xiàng)：

A、8ns

B、15ns

C、4ns

D、2ns

答案：【4ns】15.單選題：OC除了能“線與”之外，它的作用是。

選項(xiàng)：

A、驅(qū)動(dòng)大負(fù)載

B、電壓匹配

C、線或

D、存儲(chǔ)

答案：【驅(qū)動(dòng)大負(fù)載】16.單選題：逐次比較型A/D轉(zhuǎn)換電路加入固定負(fù)電壓補(bǔ)償電壓電路的目的是。

選項(xiàng)：

A、減小量化誤差

B、減小偏移誤差

C、提高穩(wěn)定度

D、提高速度

答案：【減小量化誤差】17.單選題：倒T電阻網(wǎng)絡(luò)D/A轉(zhuǎn)換電路與權(quán)電阻網(wǎng)絡(luò)D/A轉(zhuǎn)換電路相比，克服的缺點(diǎn)，提高了。（A）轉(zhuǎn)換速度（B）阻值離散（C）輸出電壓（D）轉(zhuǎn)換精度

選項(xiàng)：

A、B、D

B、B、C

C、A、D

D、A、B

答案：【B、D】18.單選題：

選項(xiàng)：

A、組合電路

B、米萊電路

C、摩爾電路

D、異步時(shí)序電路

答案：【摩爾電路】19.單選題：一時(shí)序電路中有D觸發(fā)器，其驅(qū)動(dòng)端的驅(qū)動(dòng)方程可能是。

選項(xiàng)：

A、Qn⊕Qn+1

B、Qn+Qn+1

C、1

D、全有可能

答案：【全有可能】20.單選題：隨機(jī)存儲(chǔ)器中的8位地址譯碼器采用二維（4,4）地址譯碼，字線共根字線。

選項(xiàng)：

A、2

B、240

C、256

D、16

答案：【16】21.單選題：FPGA芯片掉電信息丟失，原因是編程單元采用的是。

選項(xiàng)：

A、浮柵MOS器件

B、熔絲

C、反熔絲

D、觸發(fā)器

答案：【觸發(fā)器】22.單選題：兩個(gè)四位二進(jìn)制數(shù)相加，最高位相加時(shí)相當(dāng)于相加。

選項(xiàng)：

A、一位半加器

B、一位全加器

C、計(jì)數(shù)器

D、加法器

答案：【一位全加器】23.單選題：PROM是與陣列固定、或陣列編程的器件，輸出在或陣列，其組成電路輸出是。

選項(xiàng)：

A、只與當(dāng)前外輸入有關(guān)

B、只與原來有關(guān)

C、與當(dāng)前輸入和原狀態(tài)都有關(guān)

D、與輸入無關(guān)

答案：【只與當(dāng)前外輸入有關(guān)】24.單選題：IIH拉電流是前級(jí)驅(qū)動(dòng)門截止時(shí)，IIH后級(jí)門T1的發(fā)射級(jí)。

選項(xiàng)：

A、流入

B、流出

C、繞過

D、（A）和（B）

答案：【流入】25.單選題：以下幾種電路中，那種電路抗干擾能力最弱。。

選項(xiàng)：

A、TTL

B、ECL

C、I2L

D、CMOS

答案：【I2L】26.單選題：CMOS驅(qū)動(dòng)TTL電路時(shí)，需要考慮。

選項(xiàng)：

A、電壓匹配

B、電流匹配

C、電容負(fù)載

D、電阻匹配

答案：【電流匹配】27.單選題：兩個(gè)普通TTL門線與是的。

選項(xiàng)：

A、有條件

B、可以

C、不可以

D、加一個(gè)UDD

答案：【不可以】28.單選題：

選項(xiàng)：

A、

B、對(duì)

C、不應(yīng)該用輸出邏輯F分析

D、吸收率分析得出結(jié)論

答案：【不應(yīng)該用輸出邏輯F分析】29.單選題：5421BCD碼共有狀態(tài)。

選項(xiàng)：

A、8

B、16

C、12

D、10

答案：【10】30.單選題：有A，B，C，D，E，F(xiàn)六個(gè)狀態(tài)，A和C，D和F，E和B，F(xiàn)和C分別等價(jià)，則全部最大等價(jià)類為。

選項(xiàng)：

A、[A，C，F(xiàn)][D，F(xiàn)，C][B，E]

B、[A，C，D，F(xiàn)]

C、[B，E]

D、[A，C，D，F(xiàn)][B，E]

答案：【[A，C，