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…………○…………內(nèi)…………○…………裝…………○…………內(nèi)…………○…………裝…………○…………訂…………○…………線…………○…………※※請(qǐng)※※不※※要※※在※※裝※※訂※※線※※內(nèi)※※答※※題※※…………○…………外…………○…………裝…………○…………訂…………○…………線…………○…………第=page22頁(yè),總=sectionpages22頁(yè)第=page11頁(yè),總=sectionpages11頁(yè)2025年人教新起點(diǎn)選修3化學(xué)上冊(cè)月考試卷461考試試卷考試范圍:全部知識(shí)點(diǎn);考試時(shí)間:120分鐘學(xué)校:______姓名:______班級(jí):______考號(hào):______總分欄題號(hào)一二三四五六總分得分評(píng)卷人得分一、選擇題(共5題,共10分)1、下列各組元素,按照原子半徑依次減少,第一電離能依次增大的順序排列的是()A.Ca、Mg、BeB.Na、Mg、AlC.C.N、OD.P、S、Cl2、下列說(shuō)法錯(cuò)誤的是A.CHBrClF分子中含有手性碳原子B.PCl3是含有極性鍵的非極性分子C.金屬的導(dǎo)電性是通過(guò)自由電子的定向運(yùn)動(dòng)實(shí)現(xiàn)的D.光氣(COCl2)中σ鍵和π鍵的個(gè)數(shù)比為3:13、下列說(shuō)法中正確的是()A.NO2、SO2、BF3、NCl3分子中沒(méi)有一個(gè)分子中原子的最外層電子都滿足了8e-穩(wěn)定結(jié)構(gòu)B.P4和CH4都是正四面體分子且鍵角都為109o28ˊC.NaCl晶體中與每個(gè)Na+距離相等且最近的Na+共有12個(gè)D.由原子間通過(guò)共價(jià)鍵而形成的晶體一定具有高的熔、沸點(diǎn)及硬度4、原子坐標(biāo)參數(shù),表示晶胞內(nèi)部各原子的相對(duì)位置。如圖為Ge單晶的晶胞,其中原子坐標(biāo)參數(shù)A為(0,0,0);B為(0,);C為(0)。則D原子的坐標(biāo)參數(shù)為()

A.(0,0)B.(0,0)C.()D.()5、下列說(shuō)法中錯(cuò)誤的是()A.從CH4、NH4+、SO42-為正四面體結(jié)構(gòu),可推測(cè)PH4+、PO43-也為正四面體結(jié)構(gòu)B.1mol金剛石晶體中,平均含有2molC—C鍵C.堿金屬單質(zhì)的熔點(diǎn)從Li到Cs逐漸減小D.D;某氣態(tài)團(tuán)簇分子結(jié)構(gòu)如圖所示;該氣態(tài)團(tuán)簇分子的分子式為EF或FE

評(píng)卷人得分二、多選題(共7題,共14分)6、硅原子的電子排布式由1s22s22p63s23p2轉(zhuǎn)變?yōu)?s22s22p63s13p3,下列有關(guān)該過(guò)程的說(shuō)法正確的是()A.硅原子由基態(tài)轉(zhuǎn)化為激發(fā)態(tài),這一過(guò)程吸收能量B.硅原子由激發(fā)態(tài)轉(zhuǎn)化為基態(tài),這一過(guò)程釋放能量C.硅原子處于激發(fā)態(tài)時(shí)的能量低于基態(tài)時(shí)的能量D.轉(zhuǎn)化后硅原子與基態(tài)磷原子的電子層結(jié)構(gòu)相同,化學(xué)性質(zhì)相同7、下面是s能級(jí)和p能級(jí)的原子軌道圖;下列說(shuō)法正確的是()

A.s電子的原子軌道呈球形,P軌道電子沿軸呈“8”字形運(yùn)動(dòng)B.s能級(jí)電子能量低于p能級(jí)C.每個(gè)p能級(jí)有3個(gè)原子軌道,在空間伸展方向是不同的D.任一電子層的能級(jí)總是從s能級(jí)開(kāi)始,而且能級(jí)數(shù)等于該電子層序數(shù)8、碳酸亞乙酯是鋰離子電池低溫電解液的重要添加劑,其結(jié)構(gòu)如圖:下列有關(guān)說(shuō)法不正確的是A.分子式為C3H4O3B.分子中σ鍵與π鍵個(gè)數(shù)之比為3:1C.分子中既有極性鍵也有非極性鍵D.分子中碳原子的雜化方式全部為sp2雜化9、四硼酸鈉的陰離子X(jué)m-(含B、O、H三種元素)的球棍模型如圖所示。下列說(shuō)法不正確的是()

A.陰離子中三種元素的第一電離能:O>B>HB.在Xm-中,硼原子軌道的雜化類(lèi)型有sp2和sp3C.配位鍵存在于4、5原子之間和4、6原子之間D.m=2,NamX的化學(xué)式為Na2B4O5(OH)410、有5種元素X、Y、Z、Q、T。X為短周期元素,其原子M層上有2個(gè)未成對(duì)電子且此能級(jí)無(wú)空軌道;Y原子的價(jià)電子排布式為3d64s2;Z原子的L電子層的p能級(jí)上有一個(gè)空軌道,Q原子的L電子層的p能級(jí)上只有一對(duì)成對(duì)電子;T原子的M電子層上p軌道半充滿。下列敘述不正確的是A.元素Y和X的單質(zhì)可在加熱的條件下形成化合Y2X3B.T和Z各有一種單質(zhì)的空間構(gòu)型為正四面體形C.X和Q結(jié)合生成的化合物為離子化合物D.ZQ2是極性鍵構(gòu)成的非極性分子11、有一種藍(lán)色晶體[可表示為MxFey(CN)6],經(jīng)X射線研究發(fā)現(xiàn),其晶體中陰離子的最小結(jié)構(gòu)單元如圖所示。它的結(jié)構(gòu)特征是Fe3+和Fe2+互相占據(jù)立方體互不相鄰的頂點(diǎn),而CN-位于立方體的棱上,則下列說(shuō)法正確的是()

A.x=2,y=1B.該晶體屬于離子晶體,M呈+1價(jià)C.M的離子不可能在立方體的體心位置D.該晶胞中與每個(gè)Fe3+距離最近且相等的CN-有3個(gè)12、近年來(lái)有多個(gè)關(guān)于超高壓下新型晶體的形成與結(jié)構(gòu)的研究報(bào)道。NaCl晶體在50~300GPa的高壓下和Na或Cl2反應(yīng),可以形成不同組成、不同結(jié)構(gòu)的晶體。如圖給出其中三種晶體的晶胞(大球?yàn)槁仍?,小球?yàn)殁c原子),關(guān)于這三種晶胞的說(shuō)法正確的是()

A.晶胞Ⅰ中鈉原子的配位數(shù)為12B.晶胞Ⅱ中含有6個(gè)鈉原子C.晶胞Ⅲ所對(duì)應(yīng)晶體的化學(xué)式為Na2ClD.三種晶體均是由NaCl晶體在50~300GPa的高壓下和Na反應(yīng)所得評(píng)卷人得分三、填空題(共8題,共16分)13、用符號(hào)“>”“<”或“=”連接下列各項(xiàng)關(guān)系。

(1)第一電離能:N___O,Mg___Ca。

(2)電負(fù)性:O___F,N__P。

(3)能量高低:ns__np,4s___3d。14、根據(jù)題給要求填空。

(1)某元素的基態(tài)原子最外層電子排布式為3s23p2,它的次外層上電子云形狀有________種,原子中所有電子占有________個(gè)軌道,核外共有________種運(yùn)動(dòng)狀態(tài)不同的電子。

(2)E原子核外占有9個(gè)軌道,且具有1個(gè)未成對(duì)電子,E離子結(jié)構(gòu)示意圖是_______。

(3)F、G都是短周期元素,F(xiàn)2-與G3+的電子層結(jié)構(gòu)相同,則G元素的原子序數(shù)是________,F(xiàn)2-的電子排布式是______。

(4)M能層上有________個(gè)能級(jí),有________個(gè)軌道,作為內(nèi)層最多可容納________個(gè)電子,作為最外層時(shí),最多可含有________個(gè)未成對(duì)電子。15、CO2和CH4在一定條件下合成乙酸:CO2+CH4CH3COOH。完成下列填空:

(1)寫(xiě)出碳原子最外電子層的軌道表示式___________________________。

(2)鈦(Ti)是22號(hào)元素,它是________________(選填編號(hào))。

a.主族元素b.副族元素c.短周期元素d.長(zhǎng)周期元素

(3)CO2分子的電子式為_(kāi)_________________;其熔沸點(diǎn)比CS2低,原因是_____________________________________________________。16、按要求回答下列問(wèn)題。

(1)下列基態(tài)原子或離子的電子排布式或軌道表示式正確的是_______(填序號(hào),下同),違反能量最低原理的是_____,違反泡利不相容原理的是_____,違反洪特規(guī)則的是_______。

①Si:

②Al:

③Co3+最外層:

④Mg2+:1s22s22p6

⑤Sc:1s22s22p63s23p63d3

⑥Cr:1s22s22p63s23p63d54s1

(2)物質(zhì):①甲烷②硫化氫③氫氧化鎂④氨氣⑤乙烯。條件符合條件物質(zhì)的序號(hào)既含極性鍵又含非極性鍵______含有極性鍵的極性分子______上述分子中鍵角由大到小的順序______

(3)甲圖FeO晶胞中與Fe2+最近的Fe2+的個(gè)數(shù)為_(kāi)_________;乙圖晶胞中A、B兩種微粒個(gè)數(shù)比為_(kāi)_____;丙圖晶胞中A、B兩種微粒個(gè)數(shù)比為_(kāi)________。

甲.乙.丙.17、請(qǐng)完成下列各題:

(1)前4周期元素中,基態(tài)原子中未成對(duì)電子數(shù)與其所在周期數(shù)相同的元素有________種。

(2)第ⅢA、ⅤA族元素組成的化合物GaN、GaP、GaAs等是人工合成的新型半導(dǎo)體材料,其晶體結(jié)構(gòu)與單晶硅相似。在GaN晶體中,每個(gè)Ga原子與________個(gè)N原子相連,與同一個(gè)Ga原子相連的N原子構(gòu)成的空間構(gòu)型為_(kāi)___________。在四個(gè)晶體類(lèi)型中,GaN屬于________晶體。

(3)在極性分子NCl3(遇水強(qiáng)烈水解)中,N原子的化合價(jià)為-3價(jià),Cl原子的化合價(jià)為+1價(jià),請(qǐng)推測(cè)NCl3水解的主要產(chǎn)物是________________(填化學(xué)式)。18、(1)將等徑圓球在二維空間里進(jìn)行排列;可形成密置層和非密置層,在圖1所示的半徑相等的圓球的排列中,A屬于________層,配位數(shù)是________;B屬于________層,配位數(shù)是________。

(2)將非密置層一層一層地在三維空間里堆積;得到如圖2所示的一種金屬晶體的晶胞,它被稱為簡(jiǎn)單立方堆積,在這種晶體中,金屬原子的配位數(shù)是________,平均每個(gè)晶胞所占有的原子數(shù)目是________。

(3)有資料表明,只有釙的晶體中的原子具有如圖2所示的堆積方式,釙位于元素周期表的第________周期第__________族,元素符號(hào)是________,最外電子層的電子排布式是________。19、如圖所示是某些晶體的結(jié)構(gòu);它們分別是NaCl;CsCl、干冰、金剛石、石墨結(jié)構(gòu)中的某一部分。

(1)其中代表金剛石的是(填編號(hào)字母,下同)____。

(2)其中代表石墨的是____。

(3)其中代表NaCl的是___。

(4)代表CsCl的是___。

(5)代表干冰的是____。20、(15分)周期表前四周期的元素X;Y、Z、T、W;原子序數(shù)依次增大。X的核外電子總數(shù)與其周期數(shù)相同,Y基態(tài)原子的p電子數(shù)比s電子數(shù)少1個(gè),Z基態(tài)原子的價(jià)電子層中有2個(gè)未成對(duì)電子,T與Z同主族,W基態(tài)原子的M層全充滿,N層只有一個(gè)電子?;卮鹣铝袉?wèn)題:

(1)Y、Z、T中第一電離能最大的是____(填元素符號(hào),下同),原子半徑最小的是____。

(2)T的原子結(jié)構(gòu)示意圖為_(kāi)___,W基態(tài)原子的電子排布式為_(kāi)___。

(3)X和上述其他元素中的一種形成的化合物中,分子呈三角錐形的是____(填化學(xué)式);分子中既含有極性共價(jià)鍵,又含有非極性共價(jià)鍵的化合物是____(填化學(xué)式;寫(xiě)一種)。

(4)T與Z形成的化合物中,屬于非極性分子的是____(填化學(xué)式)。

(5)這5種元素形成的一種陰陽(yáng)離子個(gè)數(shù)比為1:1型的配合物中,陰離子呈四面體結(jié)構(gòu),陽(yáng)離子的結(jié)構(gòu)如圖所示。該配合物的化學(xué)式為_(kāi)___,陽(yáng)離子中存在的化學(xué)鍵類(lèi)型有____。

評(píng)卷人得分四、有機(jī)推斷題(共1題,共10分)21、元素A;B、C、D都是短周期元素;A元素原子的2p軌道上僅有兩個(gè)未成對(duì)電子,B的3p軌道上有空軌道,A、B同主族,B、C同周期,C是同周期中電負(fù)性最大的,D的氣態(tài)氫化物的水溶液能使無(wú)色酚酞試液變紅。試回答:

(1)A的價(jià)電子軌道排布圖為_(kāi)_____________________________;B的電子排布式為_(kāi)________;C的價(jià)電子排布式為_(kāi)___________;D的原子結(jié)構(gòu)示意圖為_(kāi)_________。

(2)已知D與H原子能形成一種高能量的分子D2H2,其中D原子滿足8電子結(jié)構(gòu)特征,則該分子的電子式為_(kāi)____________,含有_____個(gè)σ鍵和_____個(gè)π鍵。

(3)B的原子核外電子運(yùn)動(dòng)狀態(tài)________有多少種,原子軌道數(shù)為_(kāi)_____,能級(jí)數(shù)__________,電子占據(jù)的最高能層符號(hào)為_(kāi)________。

(4)四種元素最高價(jià)氧化物水化物酸性由強(qiáng)到弱的是(用對(duì)應(yīng)化學(xué)式回答)____________________。評(píng)卷人得分五、計(jì)算題(共2題,共14分)22、SiC有兩種晶態(tài)變體:α—SiC和β—SiC。其中β—SiC為立方晶胞;結(jié)構(gòu)與金剛石相似,晶胞參數(shù)為434pm。針對(duì)β—SiC回答下列問(wèn)題:

⑴C的配位數(shù)為_(kāi)_________。

⑵C和Si的最短距離為_(kāi)__________pm。

⑶假設(shè)C的原子半徑為r,列式并計(jì)算金剛石晶體中原子的空間利用率_______。(π=3.14)23、通常情況下;氯化鈉;氯化銫、二氧化碳和二氧化硅的晶體結(jié)構(gòu)分別如下圖所示。

(1)在NaCl的晶胞中,與Na+最近且等距的Na+有_____個(gè),在NaCl的晶胞中有Na+_____個(gè),Cl-____個(gè)。

(2)在CsCl的晶胞中,Cs+與Cl-通過(guò)_________結(jié)合在一起。

(3)1mol二氧化硅中有______mol硅氧鍵。

(4)設(shè)二氧化碳的晶胞密度為ag/cm3,寫(xiě)出二氧化碳的晶胞參數(shù)的表達(dá)式為_(kāi)___nm(用含NA的代數(shù)式表示)評(píng)卷人得分六、實(shí)驗(yàn)題(共1題,共3分)24、現(xiàn)有兩種配合物晶體[Co(NH3)6]Cl3和[Co(NH3)5Cl]Cl2,一種為橙黃色,另一種為紫紅色。請(qǐng)?jiān)O(shè)計(jì)實(shí)驗(yàn)方案將這兩種配合物區(qū)別開(kāi)來(lái)_____________________________。參考答案一、選擇題(共5題,共10分)1、A【分析】【詳解】

A;同主族元素從上到下半徑增大、第一電離能減?。籆a、Mg、Be原子半徑依次減少,第一電離能依次增大,故A正確;

B;Mg的3s軌道全滿;第一電離能大于Al,所以第一電離能Na<Al<Mg,故B錯(cuò)誤;

C;N的2p軌道半充滿;第一電離能大于O,所以第一電離能C<O<N,故C錯(cuò)誤;

D;P的3p軌道半充滿;第一電離能大于S,所以第一電離能S<P<Cl,故D錯(cuò)誤。

【點(diǎn)睛】

同周期元素從左到右,第一電離能呈遞增趨勢(shì),第ⅡA的最外層s軌道全滿、ⅤA族元素最外層p軌道全滿,為穩(wěn)定結(jié)構(gòu),第一電離能大于同周期相鄰的元素。2、B【分析】【詳解】

A.CHBrClF分子中碳原子連接了四個(gè)不同的原子;故屬于手性碳原子,A正確;

B.PCl3中含有一對(duì)孤電子;其結(jié)構(gòu)為三角錐形,且P-Cl間以極性鍵結(jié)合,故屬于極性鍵構(gòu)成的極性分子,B錯(cuò)誤;

C.金屬的導(dǎo)電是通過(guò)層與層之間的自由移動(dòng)的電子的定向移動(dòng)實(shí)現(xiàn)的;C正確;

D.光氣的結(jié)構(gòu)如圖所示();其結(jié)構(gòu)中含有3個(gè)σ鍵和1個(gè)π鍵,故σ鍵和π鍵的個(gè)數(shù)比為3:1,D正確;

故選B。3、C【分析】【分析】

A.ABn型化合物中;中心原子的族序數(shù)+成鍵數(shù)=8的時(shí)候,所有原子都滿足最外層8電子穩(wěn)定結(jié)構(gòu);

B.P4和CH4都是正四面體結(jié)構(gòu);但甲烷中的碳原子位于正四面體的中心;

C.NaCl晶體中與每個(gè)Na+距離相等且最近的Na+共有12個(gè);配位數(shù)為6;

D.原子間通過(guò)共價(jià)鍵而形成的晶體可能是分子晶體;也可能是原子晶體;

【詳解】

A.NCl3分子中原子的最外層電子都滿足了8e-穩(wěn)定結(jié)構(gòu);A項(xiàng)錯(cuò)誤;

B.P4和CH4都是正四面體結(jié)構(gòu),P4的鍵角為60CH4的鍵角為10928’;B項(xiàng)錯(cuò)誤;

C.NaCl晶體中與每個(gè)Na+距離相等且最近的Na+共有12個(gè);C項(xiàng)正確;

D.原子間通過(guò)共價(jià)鍵而形成的晶體可能是分子晶體;也可能是原子晶體,若為原子晶體硬度大,熔沸點(diǎn)高,若為分子晶體熔沸點(diǎn)較低,硬度不大,D項(xiàng)錯(cuò)誤;

答案選C。4、C【分析】【詳解】

由原子坐標(biāo)參數(shù)A為(0,0,0);B為(0,);C為(0),可知晶胞中原子坐標(biāo)參數(shù)1為(1,0,1),2為(1,),3為(1);D原子位于1、2、3、B四個(gè)原子構(gòu)成四面體的中心,所以D的坐標(biāo)是(),故C正確;答案選C。5、D【分析】【詳解】

A.PH4+、PO43-分別是銨根和硫酸根的等電子體;根據(jù)等電子原理可知,這種兩離子均為正四面體結(jié)構(gòu),故A正確;

B.金剛石晶體中,每個(gè)C原子與其它4個(gè)C原子形成共價(jià)鍵,且每2個(gè)C原子形成1個(gè)共價(jià)鍵,則1mol金剛石晶體中,平均含有4mol×=2molC-C鍵;故B正確;

C.堿金屬都屬于金屬晶體;從Li到Cs金屬陽(yáng)離子半徑增大,原子核對(duì)最外層電子吸引力減弱,金屬鍵減弱,所以熔沸點(diǎn)降低,故C正確;

D.團(tuán)簇分子中含有4個(gè)E、4個(gè)F原子,分子式應(yīng)為E4F4或F4E4;故D錯(cuò)誤;

答案選D。二、多選題(共7題,共14分)6、AB【分析】【詳解】

A.由能量最低原理可知硅原子的電子排布式為1s22s22p63s23p2,當(dāng)變?yōu)?s22s22p63s13p3時(shí);有1個(gè)3s電子躍遷到3p軌道上,3s軌道的能量低于3p軌道的能量,要發(fā)生躍遷,必須吸收能量,使電子能量增大,故A正確;

B.硅原子處于激發(fā)態(tài)時(shí)能量要高;處于基態(tài)能量變低,因而由激發(fā)態(tài)轉(zhuǎn)化成基態(tài),電子能量減小,需要釋放能量,故B正確;

C.基態(tài)原子吸收能量變?yōu)榧ぐl(fā)態(tài)原子;所以激發(fā)態(tài)原子能量大于基態(tài)原子能量,故C錯(cuò)誤;

D.元素的性質(zhì)取決于價(jià)層電子,包括s、p軌道電子,硅原子的激化態(tài)為1s22s22p63s13p3,基態(tài)磷原子為1s22s22p63s23p3;則它們的價(jià)層電子數(shù)不同,性質(zhì)不同,故D錯(cuò)誤;

答案為AB。7、CD【分析】【詳解】

A.s電子的原子軌道呈球形;p電子的原子軌道是“8”字形的,但是電子是做無(wú)規(guī)則運(yùn)動(dòng),軌跡是不確定的,故A錯(cuò)誤;

B.根據(jù)構(gòu)造原理;各能級(jí)能量由低到高的順序?yàn)?s2s2p3s3p4s3d4p5s4d5p6s4f,所以s能級(jí)的能量不一定小于p能級(jí)的能量,如4s>3p,故B錯(cuò)誤;

C.不同能級(jí)的電子云有不同的空間伸展方向;p軌道有3個(gè)相互垂直的呈紡錘形的不同伸展方向的軌道,故C正確;

D.多電子原子中;同一能層的電子,能量可能不同,還可以把它們分成能級(jí),任一能層的能級(jí)總是從s能級(jí)開(kāi)始,而且能級(jí)數(shù)等于該能層序數(shù),故D正確;

故選CD。

【點(diǎn)睛】

能層含有的能級(jí)數(shù)等于能層序數(shù),即第n能層含有n個(gè)能級(jí),每一能層總是從s能級(jí)開(kāi)始,同一能層中能級(jí)ns、np、nd、nf的能量依次增大,在不違反泡利原理和洪特規(guī)則的條件下,電子優(yōu)先占據(jù)能量較低的原子軌道,使整個(gè)原子體系能量處于最低,這樣的狀態(tài)是原子的基態(tài),所以任一能層的能級(jí)總是從s能級(jí)開(kāi)始,而且能級(jí)數(shù)等于該能層序數(shù)。8、BD【分析】【詳解】

A.根據(jù)結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)式確定分子式為C3H4O3;故A正確;

B.雙鍵中含有一個(gè)σ鍵;一個(gè)π鍵;單鍵都是σ鍵,所以該分子中含有10個(gè)σ鍵、1個(gè)π鍵,所以分子中σ鍵與π鍵個(gè)數(shù)之比為10:1,故B錯(cuò)誤;

C.同種非金屬元素之間形成非極性鍵;不同非金屬元素之間形成極性鍵,所以C-C之間存在非極性鍵;C-H和C-O原子之間存在極性鍵,故C正確;

D.該分子C-O中C原子價(jià)層電子對(duì)個(gè)數(shù)是4且不含孤電子對(duì),C原子為sp3雜化;C=O中C原子價(jià)層電子對(duì)個(gè)數(shù)是3且不含孤電子對(duì),C原子雜化方式為sp2;故D錯(cuò)誤;

故選BD。

【點(diǎn)睛】

該分子C-O中C原子價(jià)層電子對(duì)個(gè)數(shù)是4且不含孤電子對(duì)、C=O中C原子價(jià)層電子對(duì)個(gè)數(shù)是3且不含孤電子對(duì),根據(jù)價(jià)層電子對(duì)互斥理論判斷C原子雜化方式是解答關(guān)鍵。9、AC【分析】【分析】

由圖示可以看出該結(jié)構(gòu)可以表示為[H4B4O9]m?,其中B為+3價(jià),O為?2價(jià),H為+1價(jià),根據(jù)化合價(jià)判斷m值求解Xm?的化學(xué)式;根據(jù)價(jià)層電子對(duì)互斥理論確定分子空間構(gòu)型及中心原子雜化方式,價(jià)層電子對(duì)個(gè)數(shù)=σ鍵個(gè)數(shù)+孤電子對(duì)個(gè)數(shù),σ鍵個(gè)數(shù)=配原子個(gè)數(shù),孤電子對(duì)個(gè)數(shù)=(a?xb),a指中心原子價(jià)電子個(gè)數(shù),x指配原子個(gè)數(shù),b指配原子形成穩(wěn)定結(jié)構(gòu)需要的電子個(gè)數(shù),1,3,5,6代表氧原子,2,4代表B原子,2號(hào)B形成3個(gè)鍵,則B原子為sp2雜化,4號(hào)B形成4個(gè)鍵,則B原子為sp3雜化;陰離子中含配位鍵,不含離子鍵,以此來(lái)解答。

【詳解】

A.H電子軌道排布式為1s1;處于半充滿狀態(tài),比較穩(wěn)定,第一電離能為O>H>B,故A錯(cuò)誤;

B.2,4代表B原子,2號(hào)B形成3個(gè)鍵,則B原子為sp2雜化,4號(hào)B形成4個(gè)鍵,則B原子為sp3雜化;故B正確;

C.2號(hào)B形成3個(gè)鍵;4號(hào)B形成4個(gè)鍵,其中1個(gè)鍵就是配位鍵,所以配位鍵存在4;5原子之間或4、6原子之間,故C錯(cuò)誤;

D.觀察模型,可知Xm?是[H4B4O9]m?,依據(jù)化合價(jià)H為+1,B為+3,O為?2,可得m=2,NamX的化學(xué)式為Na2B4O5(OH)4;故D正確;

故答案選AC。10、AC【分析】【分析】

根據(jù)題意,X原子M層上有2個(gè)未成對(duì)電子且無(wú)空軌道,則X的電子排布式為1s22s22p63s23p4,為S元素;Y原子的特征電子構(gòu)型為3d64s2,則Y的電子排布式為1s22s22p63s23p63d64s2,Y為Fe元素;Z原子的L電子層的p能級(jí)上有一個(gè)空軌道,則Z的電子排布式為1s22s22p2,為C元素;Q原子的L電子層的P能級(jí)上只有一對(duì)成對(duì)電子,Q的電子排布式為1s22s22p4,Q為O元素;T原子的M電子層上p軌道半充滿,T的電子排布式為1s22s22p63s23p3;則T為為P元素,據(jù)此分析。

【詳解】

A.元素Y和X的單質(zhì)分別是Fe;S;加熱的條件下生成FeS,A錯(cuò)誤;

B.T和Z分別是P、C,它們形成的單質(zhì)有P4和金剛石;它們的分子構(gòu)型均為正四面體型,B正確;

C.X與Q形成的化合物SO2或SO3都為共價(jià)化合物;C錯(cuò)誤;

D.ZQ2是為CO2,CO2是直線型分子,結(jié)構(gòu)式是O=C=O,結(jié)構(gòu)對(duì)稱,正負(fù)電荷中心重合,則CO2是極性鍵構(gòu)成的非極性分子;D正確。

答案選AC。11、BC【分析】【詳解】

Fe3+在立方體的頂點(diǎn),每個(gè)Fe3+被8個(gè)晶胞共有,每個(gè)晶胞中Fe3+個(gè)數(shù)為4×=同理每個(gè)晶胞中Fe2+個(gè)數(shù)為CN-位于棱的中點(diǎn),每個(gè)CN-被4個(gè)晶胞共有,故每個(gè)晶胞中CN-個(gè)數(shù)為12×=3。

A.已知晶體的化學(xué)式為MxFey(CN)6,故有2個(gè)晶胞,陰離子含有一個(gè)Fe3+,1個(gè)Fe2+,6個(gè)CN-,晶體中的陰離子為[Fe2(CN)6]-,根據(jù)化合物中各元素的化合價(jià)代數(shù)和為0得晶體的化學(xué)式為MFe2(CN)6;綜上可知,x=1,y=2,A錯(cuò)誤;

B.M呈+1價(jià);因?yàn)橛嘘?;?yáng)離子,故該晶體屬于離子晶體,B正確;

C.若M的離子在立方體的體心位置,則該晶體的化學(xué)式可表示為MFe2(CN)3,與晶體化學(xué)式MFe2(CN)6不符合;故M的離子不可能在立方體的體心位置,C正確;

D.該晶胞中與每個(gè)Fe3+距離最近且相等的CN-有6個(gè);D錯(cuò)誤;

故合理選項(xiàng)是BC。12、AC【分析】【分析】

根據(jù)原子分?jǐn)偪芍О鸌中:晶胞中Na原子數(shù)目=1+8×=2、Cl原子數(shù)目=12×=6,化學(xué)式為NaCl3;晶胞II中Na原子數(shù)目=2+4×=3、Cl原子數(shù)目=8×=1,化學(xué)式為Na3Cl;晶胞III中Na原子數(shù)目=2+4×+2×=4、Cl原子數(shù)目=8×=2,化學(xué)式為Na2Cl,根據(jù)反應(yīng)條件(NaCl晶體在50~300GPa的高壓下和Na或Cl2反應(yīng),可以形成不同組成、不同結(jié)構(gòu)的晶體)和原子守恒可知,晶胞I所對(duì)應(yīng)晶體是NaCl晶體在50~300GPa的高壓下和Cl2反應(yīng)的產(chǎn)物;晶胞II;III所對(duì)應(yīng)晶體是NaCl晶體在50~300GPa的高壓下和Na反應(yīng)的產(chǎn)物,據(jù)此分析解答。

【詳解】

A.由圖可知;晶胞中12個(gè)Cl原子位于面上,所以體心Na原子周?chē)?2個(gè)Cl,即鈉原子的配位數(shù)為12,故A正確;

B.Na有2個(gè)位于體內(nèi),4個(gè)位于棱心,棱心被4個(gè)晶胞共用,鈉原子個(gè)數(shù)為2+4×=3;即晶胞Ⅱ中含有3個(gè)鈉原子,故B錯(cuò)誤;

C.晶胞III中Na原子數(shù)目=2+4×+2×=4、Cl原子數(shù)目=8×=2,化學(xué)式為Na2Cl;故C正確;

D.晶胞I、II、Ⅲ所對(duì)應(yīng)晶體的化學(xué)式分別為NaCl3、Na3Cl、Na2Cl,根據(jù)原子守恒可知,晶胞I所對(duì)應(yīng)晶體是NaCl晶體在50~300GPa的高壓下和Cl2反應(yīng)的產(chǎn)物;晶胞II;III所對(duì)應(yīng)晶體是NaCl晶體在50~300GPa的高壓下和Na反應(yīng)的產(chǎn)物,故D錯(cuò)誤;

答案選AC。三、填空題(共8題,共16分)13、略

【分析】【詳解】

(1)同周期從左到右第一電離能逐漸增大,第VA族元素因?yàn)閜軌道半充滿,第一電離能高于同周期第VIA族元素,所以N>O,同主族從上到下第一電離能逐漸減小,則Mg>Ca,故答案為:>;>;

(2)同周期元素從左到右,電負(fù)性逐漸增強(qiáng),則OP,故答案為:<;>;

(3)能層序數(shù)相同時(shí),能級(jí)越高,能量越高,則ns<3d,故答案為:<;<?!窘馕觥竣?>②.>③.<④.>⑤.<⑥.<14、略

【分析】【詳解】

(1)某元素的基態(tài)原子最外層電子排布為3s23p2,該元素為Si,核外電子排布式為1s22s22p63s23p2;次外層能級(jí)為2s;2p,有s、p兩種不同的軌道,電子云形狀有2種。原子中所有電子占有8個(gè)軌道,分別為1s、2s、3s共3個(gè)軌道,3個(gè)2p軌道,2個(gè)3p軌道;原子核外有14個(gè)電子,每個(gè)電子的運(yùn)動(dòng)狀態(tài)都不一樣,因此有14種不同的運(yùn)動(dòng)狀態(tài);

(2)E原子核外占有9個(gè)軌道,且具有1個(gè)未成對(duì)電子,則其核外電子排布圖為從圖可知,該原子為Cl原子,得到1個(gè)電子,形成Cl-,其結(jié)構(gòu)示意圖為

(3)F、G都是短周期元素,F(xiàn)2-與G3+的電子層結(jié)構(gòu)相同,F(xiàn)為短周期元素,能夠形成離子F2-,只能是O2-或S2-,但是G也是短周期元素,G3+的電子層結(jié)構(gòu)與F2-相同,如果F是S元素,則G不是短周期元素,因此F為O,G為Al;G為Al,其原子序數(shù)為13;F2-是O2-,其電子排布式1s22s22p6;

(4)M能層上3個(gè)能級(jí),分別為3s、3p、3d;3s有1個(gè)軌道,3p有3個(gè)軌道,3d有5個(gè)軌道,共9個(gè)軌道;每個(gè)軌道可以容納2個(gè)電子,作為內(nèi)層最多可容納9×2=18個(gè)電子;作為最外層時(shí),只有3s、3p能級(jí)上填充電子,未成對(duì)電子最多,則3個(gè)3p軌道上均只有1個(gè)電子,最多可含有3個(gè)未成對(duì)電子?!窘馕觥竣?2②.8③.14④.⑤.13⑥.1s22s22p6⑦.3⑧.9⑨.18⑩.315、略

【分析】【分析】

(1)碳原子位于第二周期第IVA族,最外層電子排布式為2s22p2;

(2)鈦是22號(hào)元素;根據(jù)元素周期表排布規(guī)律,位于第4周期第IVB族;

(3)分子熔沸點(diǎn)與分子間作用力有關(guān)。

【詳解】

(1)碳原子最外層電子排布式為2s22p2,最外電子層的軌道表示式為

(2)鈦(Ti)是22號(hào)元素;位于第4周期第IVB族,它是長(zhǎng)周期元素;副族元素。答案為BD。

(3)CO2分子的電子式為其熔沸點(diǎn)比CS2低,原因是兩者都為分子晶體,CO2的相對(duì)分子質(zhì)量較低,分子間作用力較小,熔沸點(diǎn)越低?!窘馕觥縝d兩者都為分子晶體,CO2的相對(duì)分子質(zhì)量較低,分子間作用力較小,熔沸點(diǎn)越低。16、略

【分析】【分析】

核外電子排布需滿足3個(gè)原理或規(guī)則;即:

能量最低原理:原子核外電子先占有能量較低的軌道;然后依次進(jìn)入能量較高的軌道;

泡利不相容原理:每個(gè)原子軌道上最多只能容納2個(gè)自旋狀態(tài)相反的電子;

洪特規(guī)則:在等價(jià)軌道(相同電子層;電子亞層上的各個(gè)軌道)上排布的電子將盡可能分占不同的軌道;且自旋方向相同,據(jù)此回答。

【詳解】

(1)①Si的3p軌道的兩個(gè)電子應(yīng)為圖上違反了洪特規(guī)則,①錯(cuò)誤;

②Al的2p軌道成對(duì)的電子應(yīng)當(dāng)自旋相反;圖上違反了泡利不相容原理,②錯(cuò)誤;

③Co為27號(hào)元素,Co3+有24個(gè)電子,價(jià)電子排布圖應(yīng)為圖上違反了洪特規(guī)則,③錯(cuò)誤;

④Mg2+有12-2=10個(gè)電子,其核外電子排布式為:1s22s22p6;④正確;

⑤Sc為21號(hào)元素,基態(tài)Sc原子核外電子排布式為:1s22s22p63s23p63d14s2;題上違反了能量最低原理,⑤錯(cuò)誤;

⑥Cr為24號(hào)元素,基態(tài)Cr原子核外電子排布式為:1s22s22p63s23p63d54s1;⑥正確;

綜上所述;④⑥正確。

故答案為:④⑥;⑤;②;①③;

(2)活潑金屬與非金屬原子之間易形成離子鍵;非金屬原子之間易形成共價(jià)鍵,同種原子之間形成的共價(jià)鍵稱為非極性鍵,不同種原子之間形成共價(jià)鍵稱為極性鍵。

①甲烷:C和H之間以極性鍵結(jié)合成正四面體;鍵角109°28’,正負(fù)電荷重心重合,為非極性分子;

②硫化氫中S和H之間以極性鍵結(jié)合;硫化氫是V形分子,鍵角92°,正負(fù)電荷重心不重合,為極性分子;

③氫氧化鎂中Mg2+和OH-之間以離子鍵結(jié)合;是離子化合物,H和O之間以極性鍵結(jié)合;

④氨氣中N和H之間以極性鍵結(jié)合;為三角錐形分子,鍵角107°18’,正負(fù)電荷重心不重合,為極性分子;

⑤乙烯(CH2=CH2)中;C和C以非極性鍵結(jié)合成碳碳雙鍵,C和H之間以極性鍵結(jié)合,乙烯是平面型分子,鍵角120°,正負(fù)電荷重心重合,為非極性分子;

故答案為:⑤;②④;⑤①④②;

(3)甲:以上面面心的Fe2+為例,該Fe2+到水平面的四個(gè)Fe2+,下方的4個(gè)側(cè)面面心的Fe2+,還有上方的4個(gè)側(cè)面面心的Fe2+的距離都相當(dāng);為最小距離;

乙圖:根據(jù)均攤法,A粒子個(gè)數(shù)=6=0.5,B粒子個(gè)數(shù)==2;A;B粒子個(gè)數(shù)比=0.5:2=1:4;

丙圖:A粒子個(gè)數(shù)==1,B粒子個(gè)數(shù)=12=3;A;B粒子個(gè)數(shù)比=1:3。

故答案為:12;1:4;1:3。

【點(diǎn)睛】

采用均攤法計(jì)算粒子個(gè)數(shù)時(shí),正三棱柱頂點(diǎn)的粒子有12個(gè)晶胞共用,上、下棱上的粒子有4個(gè)晶胞共用,側(cè)棱上的粒子有6個(gè)晶胞共用。【解析】④⑥⑤②①③⑤②④⑤①④②121:41:317、略

【分析】【詳解】

(1)第一周期中,有一個(gè)未成對(duì)電子的是氫原子,其電子排布為1s1;第二周期中,未成對(duì)電子是兩個(gè)的有兩種——C:1s22s22p2和O:1s22s22p4;第三周期中,未成對(duì)電子是三個(gè)的是P:1s22s22p63s23p3;第四周期中未成對(duì)電子是四個(gè)的是Fe:1s22s22p63s23p64s23d6

(2)Ga在元素周期表中是第四周期、第ⅢA族,原子序數(shù)是31,即其原子核外電子數(shù)是31,根據(jù)核外電子的排布規(guī)律可以寫(xiě)出該原子的電子排布式為:1s22s22p63s23p63d104s24p1或[Ar]3d104s24p1;根據(jù)題目所給信息;GaN的晶體結(jié)構(gòu)與單晶硅相似,晶體結(jié)構(gòu)為空間網(wǎng)狀結(jié)構(gòu),每個(gè)Ga原子與四個(gè)N相連,這四個(gè)N原子構(gòu)成的空間構(gòu)型是正四面體型,屬于原子晶體。

(3)水解即該物質(zhì)中的帶正電的原子或原子團(tuán)與水電離出的OH-結(jié)合成弱電解質(zhì),帶負(fù)電的原子或原子團(tuán)與水電離出的H+結(jié)合成弱電解質(zhì)的過(guò)程,水解反應(yīng)前后各元素的化合價(jià)不變,類(lèi)似于復(fù)分解反應(yīng),由題意知NCl3中N的化合價(jià)為-3價(jià),Cl的化合價(jià)為+1價(jià),則在NCl3水解的產(chǎn)物中N的化合價(jià)也是-3價(jià),Cl的化合價(jià)是+1價(jià),分析可知其水解產(chǎn)物是HClO和NH3·H2O?!窘馕觥?4正四面體形原子HClO、NH318、略

【分析】【分析】

密置層的排列最緊密;靠的最近,空隙最少,每一層中,一個(gè)原子與周?chē)齻€(gè)原子相互接觸,據(jù)此分析;根據(jù)配位數(shù)為中心原子直接接觸的原子的個(gè)數(shù)分析;金屬原子周?chē)苯咏佑|的原子數(shù)目有六個(gè),每個(gè)晶胞有8個(gè)原子,一個(gè)原子被8個(gè)晶胞所共有,據(jù)此分析;根據(jù)釙元素是氧族元素解答。

【詳解】

(1)密置層的排列最緊密;靠的最近,空隙最少,在圖1所示的半徑相等的圓球的排列中,A中的排布不是最緊密,A屬于非密置層,一個(gè)中心圓球周?chē)兴膫€(gè)圓球,配位數(shù)是4;B中排布是最緊密的結(jié)構(gòu),B屬于密置層,一個(gè)中心圓球周?chē)辛鶄€(gè)圓球,配位數(shù)是6;答案:非密置;4;密置;6。

(2)將非密置層一層一層地在三維空間里堆積;得到如圖2所示的一種金屬晶體的晶胞,它被稱為簡(jiǎn)單立方堆積,在這種晶體中,金屬原子周?chē)苯咏佑|的原子數(shù)目有六個(gè),金屬原子的配位數(shù)是6,每個(gè)晶胞有8個(gè)原子,一個(gè)原子被8個(gè)晶胞所共有,平均每個(gè)晶胞所占有的原子數(shù)目是8×1/8=1;答案:6;1。

(3)有資料表明,只有釙的晶體中的原子具有如圖2所示的堆積方式,釙位于元素周期表的第六周期ⅥA族,元素符號(hào)是Po,最外層電子排布式是6s26p4。答案:六;ⅥA;Po;6s26p4?!窘馕觥糠敲苤?密置661六ⅥAPo6s26p419、略

【分析】【詳解】

(1)在金剛石晶胞中;每個(gè)碳可與周?chē)膫€(gè)碳原子形成共價(jià)鍵,將這四個(gè)碳原子連結(jié)起來(lái)后可以形成正四面體,體心有一個(gè)碳原子,所以圖D為金剛石,故答案為:D;

(2)石墨是層狀結(jié)構(gòu);在層與層之間以范德華力相互作用,有分子晶體的特點(diǎn),在層內(nèi)碳與碳以共價(jià)鍵相互作用,形成六邊形,所以圖E為石墨的結(jié)構(gòu),故答案為:E;

(3)氯化鈉是離子晶體;其構(gòu)成微粒是陰陽(yáng)離子,NaCl晶胞是簡(jiǎn)單的立方單元,所以圖A為氯化鈉結(jié)構(gòu),故答案為:A;

(4)氯化銫也是離子晶體;陰陽(yáng)離子的配位數(shù)均是8,即每個(gè)銫離子與8個(gè)氯離子緊鄰,所以C圖為氯化銫的結(jié)構(gòu),故答案為:C;

(5)干冰是分子晶體,CO2分子位于立方體的頂點(diǎn)和面心上,以頂點(diǎn)上的CO2分子為例,與它距離最近的CO2分子分布在與該頂點(diǎn)相連的12個(gè)面的面心上,所以圖B為干冰晶體,故答案為:B?!窘馕觥竣?D②.E③.A④.C⑤.B20、略

【分析】試題分析:周期表前四周期的元素X;Y、Z、T、W;原子序數(shù)依次增大。X的核外電子總數(shù)與其周期數(shù)相同,則X是氫元素。Y基態(tài)原子的p電子數(shù)比s電子數(shù)少1個(gè),則Y應(yīng)該是氮元素。Z基態(tài)原子的價(jià)電子層中有2個(gè)未成對(duì)電子,所以Z是氧元素。T與Z同主族,則T是S元素。W基態(tài)原子的M層全充滿,N層只有一個(gè)電子,則W是Cu元素。

(1)非金屬性越強(qiáng);第一電離能越大。但氮元素的2p軌道電子處于半充滿狀態(tài),穩(wěn)定性強(qiáng),則氮元素的第一電離能大于氧元素的。同周期自左向右原子半徑逐漸減小,同主族自上而下原子半徑逐漸增大,則原子半徑最小的是O。

(2)S的原子序數(shù)是16,原子結(jié)構(gòu)示意圖為根據(jù)核外電子排布規(guī)律可知W基態(tài)原子的電子排布式為[Ar]3d104s1。

(3)X和上述其他元素中的一種形成的化合物中,分子呈三角錐形的是NH3。分子中既含有極性共價(jià)鍵,又含有非極性共價(jià)鍵的化合物是H2O2或N2H4。

(4)T與Z形成的化合物中,SO2是V形結(jié)構(gòu),三氧化硫是平面三角形,則屬于非極性分子的是SO3。

(5)這5種元素形成的一種陰陽(yáng)離子個(gè)數(shù)比為1:1型的配合物中,陰離子呈四面體結(jié)構(gòu),則為硫酸根。陽(yáng)離子的結(jié)構(gòu)如右圖所示,即為氨氣和銅離子形成的配位健,則該配合物的化學(xué)式為[Cu(NH3)4]SO4;陽(yáng)離子中存在的化學(xué)鍵類(lèi)型有配位健及氮元素與氫原子之間的共價(jià)鍵。

考點(diǎn):考查元素推斷、第一電離能、空間構(gòu)型、原子半徑、化學(xué)鍵、核外電子排布等【解析】(1)NO(各1分)(2)(1分)[Ar]3d104s1(2分)

(3)NH3(2分)H2O2或N2H4(2分)(4)SO3(2分)

(5)[Cu(NH3)4]SO4(2分)共價(jià)鍵、配位鍵(2分)四、有機(jī)推斷題(共1題,共10分)21、略

【分析】【詳解】

元素A、B、C、D都是短周期元素,A元素原子的2p軌道上只有兩個(gè)電子,則A的外圍電子排布為2s22p2,故A為C元素;B的3p軌道上有空軌道,則B的外圍電子排布為3s23p1或3s23p2;A;B同主族,故B為Si元素;B、C同周期,C是本周期中電負(fù)性最大的,故C為Cl元素;D的氣態(tài)氫化物的水溶液能使無(wú)色酚酞試液變紅,則D為氮元素。

(1)A為6號(hào)的C元素,基態(tài)原子電子排布式為1s22s22p2,價(jià)電子軌道排布圖為B為14號(hào)Si元素,電子排布式為1s22s22p63s23p2;C為17號(hào)Cl元素,基態(tài)原子電子排布式為1s22s22p63s23p5,價(jià)電子排布式為3s23p5;D為7號(hào)氮元素,原子結(jié)構(gòu)示意圖為

(2)D與H原子能形成一種高能量的分子N2H2,其中D原

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