半導(dǎo)體檢測(cè)設(shè)備的準(zhǔn)確性提升考核試卷

半導(dǎo)體檢測(cè)設(shè)備的準(zhǔn)確性提升考核試卷考生姓名：答題日期：得分：判卷人：

本次考核旨在評(píng)估考生對(duì)半導(dǎo)體檢測(cè)設(shè)備準(zhǔn)確性的理解與掌握程度，包括設(shè)備原理、測(cè)試方法、誤差分析及優(yōu)化措施等方面，以提升考生在實(shí)際工作中對(duì)設(shè)備準(zhǔn)確性的評(píng)估與處理能力。

一、單項(xiàng)選擇題（本題共30小題，每小題0.5分，共15分，在每小題給出的四個(gè)選項(xiàng)中，只有一項(xiàng)是符合題目要求的）

1.半導(dǎo)體檢測(cè)設(shè)備中，用于測(cè)量晶體管放大系數(shù)的參數(shù)是（）

A.集電極電流

B.飽和電壓

C.β值

D.發(fā)射極電流

2.晶體管測(cè)試儀測(cè)量晶體管hFE時(shí)，其測(cè)試電路應(yīng)為（）

A.共射電路

B.共集電路

C.共基電路

D.任意電路

3.在半導(dǎo)體檢測(cè)中，用于測(cè)量電阻值的儀器是（）

A.示波器

B.萬(wàn)用表

C.頻率計(jì)

D.功率計(jì)

4.以下哪種設(shè)備可以用來(lái)測(cè)量晶體管的截止頻率（fT）？（）

A.晶體管特性圖示儀

B.頻率計(jì)

C.示波器

D.萬(wàn)用表

5.下列哪種因素不會(huì)影響半導(dǎo)體器件的測(cè)試結(jié)果？（）

A.測(cè)試環(huán)境溫度

B.測(cè)試設(shè)備精度

C.測(cè)試人員技術(shù)水平

D.被測(cè)器件本身的質(zhì)量

6.晶體管測(cè)試儀在進(jìn)行晶體管測(cè)試時(shí)，若要測(cè)試放大倍數(shù)，應(yīng)選擇（）

A.電流測(cè)試

B.電壓測(cè)試

C.電流-電壓測(cè)試

D.阻抗測(cè)試

7.以下哪種方法可以用來(lái)檢測(cè)晶體管的熱穩(wěn)定性？（）

A.測(cè)試晶體管的靜態(tài)特性

B.測(cè)試晶體管的動(dòng)態(tài)特性

C.測(cè)試晶體管的頻率特性

D.測(cè)試晶體管的溫度特性

8.半導(dǎo)體檢測(cè)設(shè)備中，用于測(cè)量晶體管開(kāi)關(guān)時(shí)間的參數(shù)是（）

A.飽和電壓

B.開(kāi)關(guān)電流

C.開(kāi)關(guān)時(shí)間

D.飽和電流

9.以下哪種設(shè)備可以用來(lái)測(cè)量晶體管的噪聲？（）

A.示波器

B.萬(wàn)用表

C.頻率計(jì)

D.功率計(jì)

10.在半導(dǎo)體檢測(cè)中，用于測(cè)量晶體管功耗的參數(shù)是（）

A.集電極電流

B.飽和電壓

C.飽和電流

D.發(fā)射極電流

11.以下哪種因素會(huì)導(dǎo)致半導(dǎo)體器件測(cè)試結(jié)果的不準(zhǔn)確？（）

A.測(cè)試設(shè)備校準(zhǔn)

B.測(cè)試環(huán)境溫度

C.被測(cè)器件本身的質(zhì)量

D.測(cè)試人員技術(shù)水平

12.晶體管測(cè)試儀在進(jìn)行晶體管測(cè)試時(shí)，若要測(cè)試晶體管的輸入阻抗，應(yīng)選擇（）

A.電流測(cè)試

B.電壓測(cè)試

C.電流-電壓測(cè)試

D.阻抗測(cè)試

13.以下哪種方法可以用來(lái)檢測(cè)晶體管的安全工作區(qū)？（）

A.測(cè)試晶體管的靜態(tài)特性

B.測(cè)試晶體管的動(dòng)態(tài)特性

C.測(cè)試晶體管的頻率特性

D.測(cè)試晶體管的溫度特性

14.半導(dǎo)體檢測(cè)設(shè)備中，用于測(cè)量晶體管開(kāi)關(guān)速度的參數(shù)是（）

A.飽和電壓

B.開(kāi)關(guān)電流

C.開(kāi)關(guān)時(shí)間

D.飽和電流

15.以下哪種設(shè)備可以用來(lái)測(cè)量晶體管的電容？（）

A.示波器

B.萬(wàn)用表

C.頻率計(jì)

D.功率計(jì)

16.在半導(dǎo)體檢測(cè)中，用于測(cè)量晶體管增益帶寬積的參數(shù)是（）

A.集電極電流

B.飽和電壓

C.飽和電流

D.發(fā)射極電流

17.以下哪種因素會(huì)導(dǎo)致半導(dǎo)體器件測(cè)試結(jié)果的不準(zhǔn)確？（）

A.測(cè)試設(shè)備校準(zhǔn)

B.測(cè)試環(huán)境溫度

C.被測(cè)器件本身的質(zhì)量

D.測(cè)試人員技術(shù)水平

18.晶體管測(cè)試儀在進(jìn)行晶體管測(cè)試時(shí)，若要測(cè)試晶體管的輸出阻抗，應(yīng)選擇（）

A.電流測(cè)試

B.電壓測(cè)試

C.電流-電壓測(cè)試

D.阻抗測(cè)試

19.以下哪種方法可以用來(lái)檢測(cè)晶體管的線性度？（）

A.測(cè)試晶體管的靜態(tài)特性

B.測(cè)試晶體管的動(dòng)態(tài)特性

C.測(cè)試晶體管的頻率特性

D.測(cè)試晶體管的溫度特性

20.半導(dǎo)體檢測(cè)設(shè)備中，用于測(cè)量晶體管功耗的參數(shù)是（）

A.集電極電流

B.飽和電壓

C.飽和電流

D.發(fā)射極電流

21.以下哪種因素會(huì)導(dǎo)致半導(dǎo)體器件測(cè)試結(jié)果的不準(zhǔn)確？（）

A.測(cè)試設(shè)備校準(zhǔn)

B.測(cè)試環(huán)境溫度

C.被測(cè)器件本身的質(zhì)量

D.測(cè)試人員技術(shù)水平

22.晶體管測(cè)試儀在進(jìn)行晶體管測(cè)試時(shí)，若要測(cè)試晶體管的輸入電容，應(yīng)選擇（）

A.電流測(cè)試

B.電壓測(cè)試

C.電流-電壓測(cè)試

D.阻抗測(cè)試

23.以下哪種方法可以用來(lái)檢測(cè)晶體管的線性度？（）

A.測(cè)試晶體管的靜態(tài)特性

B.測(cè)試晶體管的動(dòng)態(tài)特性

C.測(cè)試晶體管的頻率特性

D.測(cè)試晶體管的溫度特性

24.半導(dǎo)體檢測(cè)設(shè)備中，用于測(cè)量晶體管開(kāi)關(guān)速度的參數(shù)是（）

A.飽和電壓

B.開(kāi)關(guān)電流

C.開(kāi)關(guān)時(shí)間

D.飽和電流

25.以下哪種設(shè)備可以用來(lái)測(cè)量晶體管的電容？（）

A.示波器

B.萬(wàn)用表

C.頻率計(jì)

D.功率計(jì)

26.在半導(dǎo)體檢測(cè)中，用于測(cè)量晶體管增益帶寬積的參數(shù)是（）

A.集電極電流

B.飽和電壓

C.飽和電流

D.發(fā)射極電流

27.以下哪種因素會(huì)導(dǎo)致半導(dǎo)體器件測(cè)試結(jié)果的不準(zhǔn)確？（）

A.測(cè)試設(shè)備校準(zhǔn)

B.測(cè)試環(huán)境溫度

C.被測(cè)器件本身的質(zhì)量

D.測(cè)試人員技術(shù)水平

28.晶體管測(cè)試儀在進(jìn)行晶體管測(cè)試時(shí)，若要測(cè)試晶體管的輸出阻抗，應(yīng)選擇（）

A.電流測(cè)試

B.電壓測(cè)試

C.電流-電壓測(cè)試

D.阻抗測(cè)試

29.以下哪種方法可以用來(lái)檢測(cè)晶體管的線性度？（）

A.測(cè)試晶體管的靜態(tài)特性

B.測(cè)試晶體管的動(dòng)態(tài)特性

C.測(cè)試晶體管的頻率特性

D.測(cè)試晶體管的溫度特性

30.半導(dǎo)體檢測(cè)設(shè)備中，用于測(cè)量晶體管功耗的參數(shù)是（）

A.集電極電流

B.飽和電壓

C.飽和電流

D.發(fā)射極電流

二、多選題（本題共20小題，每小題1分，共20分，在每小題給出的選項(xiàng)中，至少有一項(xiàng)是符合題目要求的）

1.以下哪些是影響半導(dǎo)體檢測(cè)設(shè)備準(zhǔn)確性的因素？（）

A.設(shè)備的校準(zhǔn)狀態(tài)

B.測(cè)試環(huán)境的溫度和濕度

C.測(cè)試人員的操作技能

D.被測(cè)器件的質(zhì)量

2.在進(jìn)行半導(dǎo)體器件的參數(shù)測(cè)試時(shí)，以下哪些參數(shù)需要通過(guò)動(dòng)態(tài)測(cè)試來(lái)評(píng)估？（）

A.電流放大系數(shù)

B.開(kāi)關(guān)時(shí)間

C.靜態(tài)功耗

D.頻率響應(yīng)

3.使用半導(dǎo)體檢測(cè)設(shè)備時(shí)，以下哪些措施可以提高測(cè)試的準(zhǔn)確性？（）

A.定期校準(zhǔn)設(shè)備

B.保持設(shè)備的清潔

C.使用合適的測(cè)試夾具

D.避免電磁干擾

4.以下哪些設(shè)備可以用來(lái)檢測(cè)半導(dǎo)體器件的電氣特性？（）

A.示波器

B.萬(wàn)用表

C.頻率計(jì)

D.熱像儀

5.以下哪些因素會(huì)影響晶體管的開(kāi)關(guān)速度？（）

A.晶體管的材料

B.晶體管的工作電壓

C.晶體管的封裝類型

D.晶體管的溫度

6.在進(jìn)行半導(dǎo)體器件的參數(shù)測(cè)試時(shí)，以下哪些測(cè)試是必要的？（）

A.靜態(tài)電流測(cè)試

B.靜態(tài)電壓測(cè)試

C.動(dòng)態(tài)電流測(cè)試

D.動(dòng)態(tài)電壓測(cè)試

7.以下哪些參數(shù)是評(píng)估半導(dǎo)體器件性能的重要指標(biāo)？（）

A.開(kāi)關(guān)時(shí)間

B.增益帶寬積

C.靜態(tài)功耗

D.工作溫度范圍

8.使用半導(dǎo)體檢測(cè)設(shè)備時(shí)，以下哪些注意事項(xiàng)有助于提高測(cè)試結(jié)果的可靠性？（）

A.確保測(cè)試夾具的接觸良好

B.避免在測(cè)試過(guò)程中移動(dòng)設(shè)備

C.使用適當(dāng)?shù)臏y(cè)試夾具

D.定期檢查設(shè)備的性能

9.以下哪些是影響半導(dǎo)體器件測(cè)試結(jié)果準(zhǔn)確性的外部因素？（）

A.測(cè)試環(huán)境的電磁干擾

B.測(cè)試設(shè)備的穩(wěn)定性

C.被測(cè)器件的溫度變化

D.測(cè)試人員的操作錯(cuò)誤

10.在進(jìn)行半導(dǎo)體器件的參數(shù)測(cè)試時(shí)，以下哪些測(cè)試方法可以用來(lái)評(píng)估器件的穩(wěn)定性？（）

A.溫度測(cè)試

B.長(zhǎng)時(shí)間測(cè)試

C.壓力測(cè)試

D.電壓測(cè)試

11.以下哪些是半導(dǎo)體檢測(cè)設(shè)備中常見(jiàn)的測(cè)試項(xiàng)目？（）

A.電阻測(cè)試

B.電流測(cè)試

C.電壓測(cè)試

D.頻率測(cè)試

12.以下哪些因素會(huì)影響半導(dǎo)體器件的噪聲水平？（）

A.晶體管的材料

B.晶體管的設(shè)計(jì)

C.晶體管的工作環(huán)境

D.晶體管的溫度

13.在使用半導(dǎo)體檢測(cè)設(shè)備時(shí)，以下哪些措施有助于減少測(cè)試誤差？（）

A.使用標(biāo)準(zhǔn)測(cè)試夾具

B.定期校準(zhǔn)設(shè)備

C.確保測(cè)試環(huán)境的穩(wěn)定性

D.使用適當(dāng)?shù)臏y(cè)試程序

14.以下哪些是半導(dǎo)體器件測(cè)試中常見(jiàn)的誤差來(lái)源？（）

A.設(shè)備的不準(zhǔn)確性

B.測(cè)試環(huán)境的干擾

C.被測(cè)器件的質(zhì)量問(wèn)題

D.測(cè)試人員的操作失誤

15.在進(jìn)行半導(dǎo)體器件的參數(shù)測(cè)試時(shí)，以下哪些測(cè)試可以用來(lái)評(píng)估器件的頻率響應(yīng)？（）

A.頻率響應(yīng)測(cè)試

B.增益帶寬積測(cè)試

C.開(kāi)關(guān)時(shí)間測(cè)試

D.靜態(tài)功耗測(cè)試

16.以下哪些是半導(dǎo)體檢測(cè)設(shè)備中常見(jiàn)的誤差類型？（）

A.系統(tǒng)誤差

B.隨機(jī)誤差

C.熱誤差

D.機(jī)械誤差

17.在使用半導(dǎo)體檢測(cè)設(shè)備時(shí)，以下哪些因素會(huì)影響測(cè)試結(jié)果的準(zhǔn)確性？（）

A.設(shè)備的校準(zhǔn)狀態(tài)

B.測(cè)試環(huán)境的溫度和濕度

C.測(cè)試人員的操作技能

D.被測(cè)器件的封裝類型

18.以下哪些是半導(dǎo)體器件測(cè)試中常見(jiàn)的測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)？（）

A.IEC標(biāo)準(zhǔn)

B.JEDEC標(biāo)準(zhǔn)

C.MIL標(biāo)準(zhǔn)

D.ANSI標(biāo)準(zhǔn)

19.在進(jìn)行半導(dǎo)體器件的參數(shù)測(cè)試時(shí)，以下哪些測(cè)試方法可以用來(lái)評(píng)估器件的熱穩(wěn)定性？（）

A.熱循環(huán)測(cè)試

B.溫度測(cè)試

C.長(zhǎng)時(shí)間測(cè)試

D.壓力測(cè)試

20.以下哪些是半導(dǎo)體檢測(cè)設(shè)備中常見(jiàn)的維護(hù)措施？（）

A.定期清潔設(shè)備

B.定期檢查設(shè)備性能

C.更換磨損的部件

D.定期進(jìn)行設(shè)備校準(zhǔn)

三、填空題（本題共25小題，每小題1分，共25分，請(qǐng)將正確答案填到題目空白處）

1.半導(dǎo)體檢測(cè)設(shè)備的校準(zhǔn)是確保______的關(guān)鍵步驟。

2.在測(cè)試晶體管的放大系數(shù)時(shí)，常用的測(cè)試方法是______。

3.半導(dǎo)體器件的______是衡量其開(kāi)關(guān)性能的重要指標(biāo)。

4.半導(dǎo)體檢測(cè)設(shè)備中的______用于測(cè)量器件的噪聲水平。

5.______是影響半導(dǎo)體檢測(cè)設(shè)備準(zhǔn)確性的主要因素之一。

6.在進(jìn)行半導(dǎo)體器件的______測(cè)試時(shí)，通常需要考慮器件的溫度特性。

7.半導(dǎo)體檢測(cè)設(shè)備中的______可以測(cè)量器件的電容值。

8.______是評(píng)估半導(dǎo)體器件性能的重要參數(shù)之一。

9.在測(cè)試半導(dǎo)體器件的______時(shí)，需要確保測(cè)試環(huán)境的穩(wěn)定性。

10.______是半導(dǎo)體檢測(cè)設(shè)備中用于測(cè)量器件電阻值的儀器。

11.晶體管測(cè)試儀在進(jìn)行______測(cè)試時(shí)，需要調(diào)整測(cè)試電路以適應(yīng)不同的測(cè)試模式。

12.______是半導(dǎo)體檢測(cè)中用于評(píng)估器件功耗的參數(shù)。

13.在進(jìn)行半導(dǎo)體器件的______測(cè)試時(shí)，應(yīng)確保測(cè)試信號(hào)的幅度和頻率符合要求。

14.半導(dǎo)體檢測(cè)設(shè)備中的______可以用來(lái)測(cè)量器件的頻率響應(yīng)。

15.______是影響半導(dǎo)體器件測(cè)試結(jié)果準(zhǔn)確性的外部因素之一。

16.在使用半導(dǎo)體檢測(cè)設(shè)備時(shí)，應(yīng)定期進(jìn)行______以確保設(shè)備的性能。

17.______是半導(dǎo)體檢測(cè)中用于測(cè)量器件電流值的儀器。

18.半導(dǎo)體器件的______是評(píng)估其開(kāi)關(guān)速度的重要指標(biāo)。

19.在測(cè)試半導(dǎo)體器件的______時(shí)，應(yīng)考慮器件的封裝類型對(duì)測(cè)試結(jié)果的影響。

20.______是半導(dǎo)體檢測(cè)設(shè)備中用于測(cè)量器件電壓值的儀器。

21.半導(dǎo)體檢測(cè)設(shè)備中的______用于測(cè)量器件的開(kāi)關(guān)時(shí)間。

22.在進(jìn)行半導(dǎo)體器件的______測(cè)試時(shí)，應(yīng)避免電磁干擾。

23.______是半導(dǎo)體檢測(cè)中用于測(cè)量器件輸入阻抗的參數(shù)。

24.半導(dǎo)體檢測(cè)設(shè)備中的______可以用來(lái)測(cè)量器件的輸出阻抗。

25.在測(cè)試半導(dǎo)體器件的______時(shí)，應(yīng)確保測(cè)試信號(hào)的穩(wěn)定性和準(zhǔn)確性。

四、判斷題（本題共20小題，每題0.5分，共10分，正確的請(qǐng)?jiān)诖痤}括號(hào)中畫√，錯(cuò)誤的畫×）

1.半導(dǎo)體檢測(cè)設(shè)備的校準(zhǔn)可以完全消除測(cè)試誤差。（）

2.所有類型的晶體管都可以使用相同的測(cè)試電路進(jìn)行測(cè)量。（）

3.在進(jìn)行半導(dǎo)體器件的測(cè)試時(shí)，測(cè)試環(huán)境的溫度和濕度對(duì)測(cè)試結(jié)果沒(méi)有影響。（）

4.測(cè)試半導(dǎo)體器件的功耗時(shí)，只需要測(cè)量器件在靜態(tài)狀態(tài)下的電流和電壓即可。（）

5.晶體管測(cè)試儀的示波器功能可以用來(lái)測(cè)量器件的頻率響應(yīng)。（）

6.半導(dǎo)體檢測(cè)設(shè)備中的萬(wàn)用表可以用來(lái)測(cè)量器件的電容值。（）

7.測(cè)試半導(dǎo)體器件的開(kāi)關(guān)時(shí)間時(shí)，測(cè)試信號(hào)的幅度和頻率越高越好。（）

8.半導(dǎo)體器件的噪聲水平可以通過(guò)測(cè)量其靜態(tài)電流來(lái)評(píng)估。（）

9.在測(cè)試晶體管的放大系數(shù)時(shí)，輸入信號(hào)的頻率越高，測(cè)試結(jié)果越準(zhǔn)確。（）

10.半導(dǎo)體檢測(cè)設(shè)備中的頻譜分析儀可以用來(lái)測(cè)量器件的噪聲系數(shù)。（）

11.測(cè)試半導(dǎo)體器件的頻率響應(yīng)時(shí)，不需要考慮器件的封裝類型。（）

12.半導(dǎo)體檢測(cè)設(shè)備的維護(hù)通常只包括清潔和校準(zhǔn)。（）

13.在測(cè)試半導(dǎo)體器件時(shí)，測(cè)試信號(hào)的穩(wěn)定性對(duì)測(cè)試結(jié)果沒(méi)有影響。（）

14.半導(dǎo)體器件的功耗可以通過(guò)測(cè)量其靜態(tài)電壓和電流來(lái)計(jì)算。（）

15.晶體管測(cè)試儀的電流-電壓測(cè)試功能可以用來(lái)測(cè)量器件的輸入阻抗。（）

16.測(cè)試半導(dǎo)體器件的開(kāi)關(guān)速度時(shí)，測(cè)試信號(hào)的上升時(shí)間和下降時(shí)間對(duì)結(jié)果沒(méi)有影響。（）

17.半導(dǎo)體檢測(cè)設(shè)備中的示波器可以用來(lái)測(cè)量器件的靜態(tài)特性。（）

18.在進(jìn)行半導(dǎo)體器件的測(cè)試時(shí)，測(cè)試環(huán)境的電磁干擾可以通過(guò)屏蔽來(lái)消除。（）

19.測(cè)試半導(dǎo)體器件的線性度時(shí)，需要考慮器件的放大倍數(shù)。（）

20.半導(dǎo)體檢測(cè)設(shè)備的維護(hù)頻率取決于設(shè)備的使用頻率和測(cè)試環(huán)境。（）

五、主觀題（本題共4小題，每題5分，共20分）

1.請(qǐng)簡(jiǎn)述半導(dǎo)體檢測(cè)設(shè)備準(zhǔn)確性的重要性，并列舉至少三種提高檢測(cè)設(shè)備準(zhǔn)確性的方法。

2.在半導(dǎo)體檢測(cè)中，如何評(píng)估和減小測(cè)試過(guò)程中的系統(tǒng)誤差和隨機(jī)誤差？

3.請(qǐng)?jiān)敿?xì)說(shuō)明在測(cè)試半導(dǎo)體器件時(shí)，如何通過(guò)測(cè)試電路的設(shè)計(jì)來(lái)提高測(cè)試結(jié)果的準(zhǔn)確性。

4.結(jié)合實(shí)際案例，談?wù)勗诎雽?dǎo)體檢測(cè)過(guò)程中，如何處理設(shè)備故障對(duì)測(cè)試結(jié)果的影響。

六、案例題（本題共2小題，每題5分，共10分）

1.案例背景：某半導(dǎo)體公司發(fā)現(xiàn)其生產(chǎn)的某型號(hào)晶體管在測(cè)試過(guò)程中，其開(kāi)關(guān)時(shí)間測(cè)試結(jié)果不穩(wěn)定，有時(shí)偏高，有時(shí)偏低。請(qǐng)根據(jù)以下信息，分析可能的原因并提出解決方案。

案例信息：

-晶體管測(cè)試設(shè)備為最新型號(hào)，校準(zhǔn)狀態(tài)良好。

-測(cè)試環(huán)境溫度和濕度穩(wěn)定，符合測(cè)試要求。

-測(cè)試人員操作技能經(jīng)過(guò)專業(yè)培訓(xùn)，且操作一致。

-被測(cè)晶體管批次相同，質(zhì)量經(jīng)過(guò)初步篩選。

請(qǐng)分析可能的原因，并提出相應(yīng)的解決方案。

2.案例背景：某半導(dǎo)體檢測(cè)實(shí)驗(yàn)室在進(jìn)行器件參數(shù)測(cè)試時(shí)，發(fā)現(xiàn)測(cè)試結(jié)果與廠商提供的數(shù)據(jù)存在較大差異。請(qǐng)根據(jù)以下信息，分析可能的原因并提出改進(jìn)措施。

案例信息：

-檢測(cè)設(shè)備為標(biāo)準(zhǔn)設(shè)備，校準(zhǔn)狀態(tài)良好。

-測(cè)試環(huán)境穩(wěn)定，符合測(cè)試要求。

-測(cè)試人員操作符合規(guī)范，測(cè)試過(guò)程記錄完整。

-被測(cè)器件為同一批次的量產(chǎn)器件。

請(qǐng)分析可能的原因，并提出改進(jìn)措施。

標(biāo)準(zhǔn)答案

一、單項(xiàng)選擇題

1.C

2.A

3.B

4.B

5.D

6.C

7.D

8.C

9.A

10.C

11.D

12.D

13.C

14.A

15.D

16.B

17.D

18.A

19.D

20.C

21.B

22.D

23.A

24.B

25.A

二、多選題

1.ABCD

2.BD

3.ABCD

4.ABC

5.ABCD

6.ABCD

7.ABCD

8.ABCD

9.ABCD

10.ABC

11.ABCD

12.ABCD

13.ABCD

14.ABCD

15.ABCD

16.ABCD

17.ABCD

18.ABCD

19.ABCD

20.ABCD

三、填空題

1.設(shè)備性能

2.β值測(cè)試

3.開(kāi)關(guān)時(shí)間

4.噪聲測(cè)試儀

5.測(cè)試環(huán)境

6.溫度

7.電容測(cè)試儀

8.功率

9.測(cè)試環(huán)境穩(wěn)定性

10.萬(wàn)用表

11.動(dòng)態(tài)特性

12.功耗

13.測(cè)試信號(hào)

14.頻率分析儀

15.電磁干擾

16.設(shè)備校準(zhǔn)

17.電流

18.開(kāi)關(guān)速度

19.封裝類型

20.萬(wàn)用表

21.開(kāi)關(guān)時(shí)間

22.電磁干擾

23.輸入阻抗

24.阻抗測(cè)試儀

25.功耗

四、判斷題（本題共30小題，每小題2分，共60分）

1.（）半導(dǎo)體檢測(cè)設(shè)備的準(zhǔn)確性與被測(cè)器件的穩(wěn)定性密切相關(guān)。（）

2.（）測(cè)試過(guò)程中，溫度變化不會(huì)影響半導(dǎo)體檢測(cè)設(shè)備的準(zhǔn)確性。（）

3.（）在進(jìn)行半導(dǎo)體檢測(cè)時(shí)，噪聲水平越高，設(shè)備的準(zhǔn)確性越低。（）

4.（）晶體管的放大倍數(shù)可以通過(guò)測(cè)量其集電極電流來(lái)計(jì)算。（）

5.（）半導(dǎo)體檢測(cè)設(shè)備的校準(zhǔn)周期一般為一年一次。（）

6.（）測(cè)試過(guò)程中，應(yīng)確保測(cè)試電路的穩(wěn)定性。（）

7.（）晶體管的開(kāi)關(guān)時(shí)間可以通過(guò)測(cè)量其截止頻率來(lái)計(jì)算。（）

8.（）半導(dǎo)體檢測(cè)設(shè)備的準(zhǔn)確性與測(cè)試人員的