2025年滬教版選修3化學(xué)下冊階段測試試卷

…………○…………內(nèi)…………○…………裝…………○…………內(nèi)…………○…………裝…………○…………訂…………○…………線…………○…………※※請※※不※※要※※在※※裝※※訂※※線※※內(nèi)※※答※※題※※…………○…………外…………○…………裝…………○…………訂…………○…………線…………○…………第=page22頁，總=sectionpages22頁第=page11頁，總=sectionpages11頁2025年滬教版選修3化學(xué)下冊階段測試試卷32考試試卷考試范圍：全部知識(shí)點(diǎn)；考試時(shí)間：120分鐘學(xué)校：______姓名：______班級(jí)：______考號(hào)：______總分欄題號(hào)一二三四五總分得分評(píng)卷人得分一、選擇題(共9題，共18分)1、下列為各組指定的元素原子的價(jià)電子排布式，能形成AB2型離子化合物的是（）A.2s22p2和2s22p4B.3s23p4和2s22p4C.3s2和2s22p5D.3s1和3s23p42、下列原子或離子的核外電子排布式或電子排布圖錯(cuò)誤的是A.B.FC.D.Ar3、下列用最外層電子排布式所表示的各對原子中，能形成共價(jià)化合物的是（）A.3s23p1和2s22p4B.3s2和2s22p5C.2s22p2和3s23p5D.3s2和3s23p64、下列有關(guān)σ鍵和π鍵的說法錯(cuò)誤的是()A.含有π鍵的分子在反應(yīng)時(shí)，π鍵是化學(xué)反應(yīng)的積極參與者B.當(dāng)原子形成分子時(shí)，首先形成σ鍵，可能形成π鍵C.有些原子在與其他原子形成分子時(shí)只能形成σ鍵，不能形成π鍵D.在分子中，化學(xué)鍵可能只有π鍵而沒有σ鍵5、下列敘述中正確的有。

①該原子的電子排布圖；最外層違背了洪特規(guī)則。

②處于最低能量狀態(tài)原子叫基態(tài)原子，1s22s22px1→1s22s22py1過程中形成的是發(fā)射光譜。

③運(yùn)用價(jià)層電子對互斥理論，CO32-離子的空間構(gòu)型為三角錐型。

④具有相同核外電子排布的粒子；化學(xué)性質(zhì)相同。

⑤NCl3中N-Cl鍵的鍵長比CCl4中C-Cl鍵的鍵長短A.1個(gè)B.2個(gè)C.3個(gè)D.4個(gè)6、下列過程只需要破壞共價(jià)鍵的是A.晶體硅熔化B.碘升華C.熔融Al2O3D.NaCl溶于水7、下列物質(zhì)的性質(zhì)變化規(guī)律與化學(xué)鍵的強(qiáng)弱無關(guān)的是（）A.鈉、鎂、鋁的熔點(diǎn)和沸點(diǎn)逐漸升高，硬度逐漸增大B.金剛石的硬度大于晶體硅的硬度，其熔點(diǎn)也高于晶體硅的熔點(diǎn)C.KF、KCl、KBr、KI的熔點(diǎn)依次降低D.CF4、SiF4、GeF4的熔點(diǎn)和沸點(diǎn)逐漸升高8、下列性質(zhì)適合分子晶體的是()A.熔點(diǎn)1070℃，易溶于水，水溶液能導(dǎo)電B.熔點(diǎn)1003.1℃，液態(tài)時(shí)導(dǎo)電，水溶液導(dǎo)電C.能溶于CS2，熔點(diǎn)112.8℃，沸點(diǎn)444.6℃D.熔點(diǎn)97.81℃，易液化，液態(tài)時(shí)不導(dǎo)電9、根據(jù)下表給出的幾種物質(zhì)的熔點(diǎn)；沸點(diǎn)數(shù)據(jù)；判斷下列有關(guān)說法中錯(cuò)誤的是（）

A.SiCl4是分子晶體B.單質(zhì)B可能是原子晶體C.AlCl3加熱能升華D.NaCl中化學(xué)鍵的強(qiáng)度比KCl中的小評(píng)卷人得分二、多選題(共9題，共18分)10、下列說法中正確的是A.所有的電子在同一區(qū)域里運(yùn)動(dòng)B.能量高的電子在離核遠(yuǎn)的區(qū)域運(yùn)動(dòng)，能量低的電子在離核近的區(qū)域運(yùn)動(dòng)C.處于最低能量的原子叫基態(tài)原子D.同一原子中，1s、2s、3s所能容納的電子數(shù)越來越多11、下面是s能級(jí)和p能級(jí)的原子軌道圖；下列說法正確的是()

A.s電子的原子軌道呈球形，P軌道電子沿軸呈“8”字形運(yùn)動(dòng)B.s能級(jí)電子能量低于p能級(jí)C.每個(gè)p能級(jí)有3個(gè)原子軌道，在空間伸展方向是不同的D.任一電子層的能級(jí)總是從s能級(jí)開始，而且能級(jí)數(shù)等于該電子層序數(shù)12、下列敘述正確的是【】A.氫鍵是一種特殊的化學(xué)鍵，廣泛存在于自然界中B.CO和N2的分子量相同，但CO的沸點(diǎn)比N2的高C.CH2＝CH2分子中共有四個(gè)σ鍵和一個(gè)π鍵D.若把H2S分子寫成H3S分子，違背了共價(jià)鍵的飽和性13、四硼酸鈉的陰離子Xm-(含B、O、H三種元素)的球棍模型如圖所示。下列說法不正確的是（）

A.陰離子中三種元素的第一電離能：O＞B＞HB.在Xm-中，硼原子軌道的雜化類型有sp2和sp3C.配位鍵存在于4、5原子之間和4、6原子之間D.m=2，NamX的化學(xué)式為Na2B4O5(OH)414、下列說法正確的是A.HCl、HBr、HI的熔、沸點(diǎn)依次升高與分子間作用力大小有關(guān)B.H2O的熔、沸點(diǎn)高于H2S是由于H2O中共價(jià)鍵的鍵能比較大C.I2易溶于CCl4可以用相似相溶原理解釋D.氨氣極易溶于水是因?yàn)榘睔饪膳c水形成氫鍵這種化學(xué)鍵15、如圖所示，高溫下，超氧化鉀晶體呈立方體結(jié)構(gòu)，晶體中氧的化合價(jià)部分為0價(jià)，部分為價(jià)。如圖為超氧化鉀晶體的一個(gè)晶胞（晶體中最小的重復(fù)單元）；則下列說法中錯(cuò)誤的是（）

A.超氧化鉀的化學(xué)式為KO2，每個(gè)晶胞含有4個(gè)K+和4個(gè)O2-B.晶體中，每個(gè)O2-周圍距離最近的O2-有8個(gè)C.晶體中與每個(gè)K+周圍有8個(gè)O2-D.晶體中，0價(jià)氧與-2價(jià)氧的數(shù)目比為3∶116、近年來有多個(gè)關(guān)于超高壓下新型晶體的形成與結(jié)構(gòu)的研究報(bào)道。NaCl晶體在50～300GPa的高壓下和Na或Cl2反應(yīng)，可以形成不同組成、不同結(jié)構(gòu)的晶體。如圖給出其中三種晶體的晶胞（大球?yàn)槁仍?，小球?yàn)殁c原子），關(guān)于這三種晶胞的說法正確的是（）

A.晶胞Ⅰ中鈉原子的配位數(shù)為12B.晶胞Ⅱ中含有6個(gè)鈉原子C.晶胞Ⅲ所對應(yīng)晶體的化學(xué)式為Na2ClD.三種晶體均是由NaCl晶體在50～300GPa的高壓下和Na反應(yīng)所得17、有關(guān)晶體的敘述正確的是（）A.在24g石墨中，含C-C共價(jià)鍵鍵數(shù)為3molB.在12g金剛石中，含C-C共價(jià)鍵鍵數(shù)為4molC.在60g二氧化硅中，含Si-O共價(jià)鍵鍵數(shù)為4molD.在NaCl晶體中，與Na+最近且距離相等的Na+有6個(gè)18、鐵鎂合金是目前已發(fā)現(xiàn)的儲(chǔ)氫密度較高的儲(chǔ)氫材料之一；其晶胞結(jié)構(gòu)如圖所示（黑球代表Fe，白球代表Mg)。則下列說法不正確的是。

A.鐵鎂合金的化學(xué)式為Mg2FeB.晶體中存在的化學(xué)鍵類型為金屬鍵、離子鍵C.晶胞中Fe與Mg的配位數(shù)均為4D.該晶胞的質(zhì)量是g評(píng)卷人得分三、填空題(共6題，共12分)19、“張亭棟研究小組”受民間中醫(yī)啟發(fā)，發(fā)現(xiàn)As2O3對白血病有明顯的治療作用。氮(N)；磷(P)、砷(As)為第VA族元素；該族元素的化合物在研究和生產(chǎn)中有著許多重要用途。

(1)N原子的價(jià)電子排布式為______，N、P、As原子的第一電離能由大到小的順序?yàn)開_____。

(2)NH3的沸點(diǎn)比AsH3的沸點(diǎn)高，原因是____________。

(3)立方氮化硼晶體(BN)；是一種超硬材料，有優(yōu)異的耐磨性，其晶胞如圖所示。

①立方氮化硼是_________晶體，晶體中N原子的雜化軌道類型為_________，B原子的配位數(shù)為_________。

②立方氮化硼晶體中“一般共價(jià)鍵”與配位鍵的數(shù)目之比為_________。

(4)若立方氮化硼晶胞的邊長為362pm，則立方氮化硼的密度為_________g/cm3(只要求列算式，不必計(jì)算出數(shù)值，阿伏加德羅常數(shù)的值為NA)。20、比較下列各項(xiàng)中的前者和后者，用“>”、“<”或“=”填空。

（1）熔點(diǎn)：NaCl_______CaO

（2）沸點(diǎn)：____

（3）在水中的溶解度：SO2_____CO2

（4）酸性：H3PO3_________H3PO4

（5）鍵能：H—O______H—S

（6）價(jià)電子數(shù)：O________Cr21、（1）碳原子最外層含有____個(gè)電子，1個(gè)碳原子可以跟其他非金屬原子形成____個(gè)____鍵，碳原子之間也能以共價(jià)鍵相結(jié)合，形成__鍵、___鍵或____鍵，連接成穩(wěn)定的長短不一的__或含碳原子數(shù)不等的碳環(huán)；從而導(dǎo)致有機(jī)物種類紛繁，數(shù)量龐大。

（2）苯分子中碳原子的雜化方式是___；乙炔分子中碳原子的雜化方式是___。22、世界上最早發(fā)現(xiàn)并使用鋅的是中國；明朝末年《天工開物》一書中有世界上最早的關(guān)于煉鋅技術(shù)的記載。回答下列問題：

(1)基態(tài)Zn原子的核外電子所占據(jù)的最高能層符號(hào)為___。

(2)硫酸鋅溶于過量的氨水可形成[Zn(NH3)4]SO4溶液。

①[Zn(NH3)4]SO4中陰離子的空間構(gòu)型為_______。

②中，中心原子的軌道雜化類型為________。

③寫出一種與互為等電子體的分子的化學(xué)式：________。

④NH3極易溶于水，除因?yàn)樗鼈兌际菢O性分子外，還因?yàn)開_______23、離子液體是一種只由離子組成的液體；在低溫下也能以液態(tài)穩(wěn)定存在，是一種很有研究價(jià)值的溶劑。對離子液體的研究顯示最常見的離子液體主要由以下的正離子和負(fù)離子組成：

回答下列問題：

（1）在周期表中的位置是______，其價(jià)電子排布式為______圖1中負(fù)離子的空間構(gòu)型為______。

（2）氯化鋁的熔點(diǎn)為氮化鋁的熔點(diǎn)高達(dá)它們都是活潑金屬和非金屬的化合物，熔點(diǎn)相差這么大的原因是______。

（3）圖中正離子有令人驚奇的穩(wěn)定性，它的電子在其環(huán)狀結(jié)構(gòu)中高度離域。該正離子中N原子的雜化方式為______，C原子的雜化方式為______。

（4）為了使正離子以單體形式存在以獲得良好的溶解性能，與N原子相連的不能被H原子替換，請解釋原因：______。

（5）Mg、Al三種元素的第一電離能由大到小的順序是______。

（6）已知氮化鋁的晶胞結(jié)構(gòu)如圖2所示。晶體中氮原子堆積方式如圖3所示，這種堆積方式稱為______。六棱柱底邊邊長為acm，高為ccm，阿伏加德羅常數(shù)的值為N，氮化鋁晶體的密度為______列出計(jì)算式

24、下圖中A~D是中學(xué)化學(xué)教科書中常見的幾種晶體結(jié)構(gòu)模型：

請?zhí)顚懴鄳?yīng)物質(zhì)的名稱：A._________；B.______；C.______；D.________。評(píng)卷人得分四、原理綜合題(共3題，共30分)25、碳是地球上組成生命的最基本元素之一；與其他元素結(jié)合成不計(jì)其數(shù)的無機(jī)物和有機(jī)化合物，構(gòu)成了豐富多彩的世界。碳及其化合物在研究和生產(chǎn)中有許多重要用途?；卮鹣铝袉栴}：

(1)冠醚是由多個(gè)二元醇分子之間失水形成的環(huán)狀化合物。X；Y、Z是常見的三種冠醚；其結(jié)構(gòu)如圖所示。它們能與堿金屬離子作用，并且隨著環(huán)的大小不同而與不同金屬離子作用。

①Li+與X的空腔大小相近，恰好能進(jìn)入到X的環(huán)內(nèi)，且與氧原子的一對孤電子對作用形成穩(wěn)定結(jié)構(gòu)W(如圖)?；鶓B(tài)碳原子核外有___種運(yùn)動(dòng)狀態(tài)不同的電子，其外圍電子軌道表示式為___。W中Li+與孤對電子之間的作用屬于___(填標(biāo)號(hào))。

A.離子鍵B.共價(jià)鍵C.氫鍵D.配位鍵E.以上都不是。

②冠醚Y能與K+形成穩(wěn)定結(jié)構(gòu)，但不能與Li+形成穩(wěn)定結(jié)構(gòu)，理由是___。

③冠醚分子中氧的雜化軌道的空間構(gòu)型是___，C—O—C的鍵角___(填“＞”“＜”或“=”)109°28′。

(2)碳的一種同素異形體——石墨，其晶體結(jié)構(gòu)及晶胞如圖1、圖2所示。則石墨晶胞含碳原子個(gè)數(shù)為___個(gè)。已知石墨的密度為ρg·cm-3，C—C鍵鍵長為rcm，阿伏加德羅常數(shù)的值為NA，計(jì)算石墨晶體的層間距d為___cm。

(3)碳的另一種同素異形體——金剛石，其晶胞如圖3所示。已知金屬鈉的晶胞(體心立方堆積)沿其體對角線垂直在紙平面上的投影圖如圖A所示，則金剛石晶胞沿其體對角線垂直在紙平面上的投影圖應(yīng)該是圖___(從A～D圖中選填)。

26、[2016·新課標(biāo)I]鍺(Ge)是典型的半導(dǎo)體元素；在電子；材料等領(lǐng)域應(yīng)用廣泛?；卮鹣铝袉栴}：

（1）基態(tài)Ge原子的核外電子排布式為[Ar]_______________，有__________個(gè)未成對電子。

（2）Ge與C是同族元素，C原子之間可以形成雙鍵、叁鍵，但Ge原子之間難以形成雙鍵或叁鍵。從原子結(jié)構(gòu)角度分析，原因是______________________________。

（3）比較下列鍺鹵化物的熔點(diǎn)和沸點(diǎn)，分析其變化規(guī)律及原因______________________________。GeCl4GeBr4GeI4熔點(diǎn)/℃?49.526146沸點(diǎn)/℃83.1186約400

（4）光催化還原CO2制備CH4反應(yīng)中，帶狀納米Zn2GeO4是該反應(yīng)的良好催化劑。Zn、Ge、O電負(fù)性由大至小的順序是______________________________。

（5）Ge單晶具有金剛石型結(jié)構(gòu)，其中Ge原子的雜化方式為_______________，微粒之間存在的作用力是_______________。

（6）晶胞有兩個(gè)基本要素：

①原子坐標(biāo)參數(shù)，表示晶胞內(nèi)部各原子的相對位置。如圖為Ge單晶的晶胞，其中原子坐標(biāo)參數(shù)A為(0，0，0)；B為(0，)；C為(0)。則D原子的坐標(biāo)參數(shù)為_______________。

②晶胞參數(shù)，描述晶胞的大小和形狀。已知Ge單晶的晶胞參數(shù)a=565.76pm，其密度為_____g·cm?3(列出計(jì)算式即可)。27、[化學(xué)——選修3：物質(zhì)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)]

氮的化合物在生產(chǎn)；生活中有廣泛應(yīng)用。

（1）氮化鎵(GaN)是新型的半導(dǎo)體材料。基態(tài)氮原子的核外電子排布圖為____；基態(tài)鎵(Ga)原子的核外具有____種不同能量的電子。

（2）乙二氨的結(jié)構(gòu)簡式為(H2N-CH2-CH2-NH2；簡寫為en)。

①分子中氮原子軌道雜化類型為____；

②乙二氨可與銅離子形成配合離子[Cu(en)2]2+，其中提供孤電子對的原子是____，配合離子結(jié)構(gòu)簡式為____；

③乙二氨易溶于水的主要原因是____。

（3）氮化硼(BN)是一種性能優(yōu)異；潛力巨大的新型材料；主要結(jié)構(gòu)有立方氮化硼（如圖1）和六方氮化硼（如圖2），前者類似于金剛石，后者與石墨相似。

①圖1中氮原子的配位數(shù)為____，離硼原子最近且等距離的硼原子有____個(gè)；

②已知六方氮化硼同層中B與N之間的距離為acm，密度為dg?cm-3，則相鄰層與層之間的距離為____pm(列出表達(dá)式)。評(píng)卷人得分五、工業(yè)流程題(共1題，共8分)28、飲用水中含有砷會(huì)導(dǎo)致砷中毒，金屬冶煉過程產(chǎn)生的含砷有毒廢棄物需處理與檢測。冶煉廢水中砷元素主要以亞砷酸(H3AsO3)形式存在；可用化學(xué)沉降法處理酸性高濃度含砷廢水，其工藝流程如下：

已知：①As2S3與過量的S2-存在反應(yīng)：As2S3(s)+3S2-(aq)?2(aq)；

②亞砷酸鹽的溶解性大于相應(yīng)砷酸鹽。

(1)砷在元素周期表中的位置為_______；AsH3的電子式為______；

(2)下列說法正確的是_________；

a.酸性：H2SO4>H3PO4>H3AsO4

b.原子半徑：S>P>As

c.第一電離能：S

(3)沉淀X為__________(填化學(xué)式)；

(4)“一級(jí)沉砷”中FeSO4的作用是________。

(5)“二級(jí)沉砷”中H2O2與含砷物質(zhì)反應(yīng)的化學(xué)方程式為__________；

(6)關(guān)于地下水中砷的來源有多種假設(shè)，其中一種認(rèn)為富含砷的黃鐵礦(FeS2)被氧化為Fe(OH)3，同時(shí)生成導(dǎo)致砷脫離礦體進(jìn)入地下水。FeS2被O2氧化的離子方程式為______________。參考答案一、選擇題(共9題，共18分)1、C【分析】【分析】

根據(jù)元素原子的價(jià)電子排布式確定元素種類；再去分析判斷化合物類型。

【詳解】

A.6、8號(hào)元素分別是C、O元素，二者都是非金屬元素，只能形成共價(jià)化合物，故A錯(cuò)誤；

B.16、8號(hào)元素分別是S、O元素，二者都是非金屬元素，只能形成共價(jià)化合物，故B錯(cuò)誤；

C.12、9號(hào)元素分別是Mg、F元素，二者能通過得失電子形成離子鍵，且Mg是第IIA族、F為第VIIA族元素，能形成AB2型離子化合物，故C正確；

D.11、16號(hào)元素分別是Na、S元素，二者能形成離子鍵，但不能形成AB2型離子化合物；故D錯(cuò)誤；

答案：C2、A【分析】根據(jù)構(gòu)造原理；能量由低到高排列為：1s；2s、2p、3s、3p，可在此認(rèn)識(shí)基礎(chǔ)上對各選項(xiàng)作出判斷。

【詳解】

A．Na+的電子數(shù)為10，根據(jù)構(gòu)造原理，其電子排布式為：1s22s22p6；A選項(xiàng)錯(cuò)誤；

B．F的電子數(shù)為9，根據(jù)構(gòu)造原理，其電子排布式為：1s22s22p5；B選項(xiàng)正確；

C．N3-的電子數(shù)為10，根據(jù)構(gòu)造原理，其電子排布圖為：C選項(xiàng)正確；

D．Ar的電子數(shù)為18，根據(jù)構(gòu)造原理，其電子排布式為：1s22s22p63s23p6；D選項(xiàng)正確；

答案選A。3、C【分析】【詳解】

A．最外層電子排布式為3s23p1是Al，2s22p4是O；二者形成氧化鋁，為離子化合物，故A不選；

B．最外層電子排布式為3s2是Mg，2s22p5是N，二者形成化合物Mg3N2；為離子化合物，故B不選；

C．最外層電子排布式為2s22p2是C，3s23p5是Cl，二者形成化合物CCl4；為共價(jià)化合物，故C選；

D．最外層電子排布式為3s2是Mg，3s23p6是S；二者形成化合物為硫化鎂，為離子化合物，故D不選；

故選C。4、D【分析】【詳解】

A．π鍵不穩(wěn)定；易斷裂，則含有π鍵的分子在反應(yīng)時(shí)，π鍵是化學(xué)反應(yīng)的積極參與者，故A正確；

B．原子形成分子；優(yōu)先頭碰頭重疊，則先形成σ鍵，可能形成π鍵，故B正確；

C．單鍵為σ鍵；而雙鍵；三鍵中有σ鍵和π鍵，則有些原子在與其他原子形成分子時(shí)只能形成σ鍵，不能形成π鍵，如HCl，故C正確；

D．共價(jià)鍵中一定含σ鍵；則在分子中，化學(xué)鍵可能只有σ鍵，而沒有π鍵，故D錯(cuò)誤；

故選D。5、B【分析】【詳解】

①洪特規(guī)則：電子在能量相同的軌道上排布時(shí)；總是盡可能分占不同的軌道且自旋方向相同，該軌道式違背了洪特規(guī)則，故①說法正確；

②2px和2py能量相同；該過程的形成不是發(fā)射光譜，故②說法錯(cuò)誤；

③CO32－價(jià)層電子對數(shù)為3＋=4，即CO32－的空間構(gòu)型為平面形；故③說法錯(cuò)誤；

④具有相同核外電子排布的粒子，化學(xué)性質(zhì)不一定相同，如O2－只具有還原性，Na＋只具有氧化性；故④說法錯(cuò)誤；

⑤同周期從左向右原子半徑依次減?。患碞的原子半徑小于C，因此N－Cl鍵長比C－Cl鍵長短，故⑤說法正確；

綜上所述；選項(xiàng)B正確；

答案：B。6、A【分析】【詳解】

A．晶體硅是原子晶體；熔化時(shí)破壞的是共價(jià)鍵，故A正確；

B．碘是分子晶體；升華時(shí)克服分子間作用力，故B錯(cuò)誤；

C．氧化鋁是離子化合物；熔融時(shí)破壞的是離子鍵，故C錯(cuò)誤；

D．氯化鈉是離子化合物；溶于水時(shí)破壞的是離子鍵，故D錯(cuò)誤；

答案選A。7、D【分析】【詳解】

A.鈉；鎂、鋁的熔點(diǎn)和沸點(diǎn)逐漸升高；硬度逐漸增大，這是因?yàn)樗鼈兯慕饘冁I逐漸增強(qiáng)，與化學(xué)鍵的強(qiáng)弱有關(guān),故A錯(cuò)誤；

B.金剛石的硬度大于晶體硅的硬度；其熔點(diǎn)也高于晶體硅的熔點(diǎn)，這是因?yàn)镃—C鍵的鍵長比Si—Si鍵的鍵長短，C—C鍵的鍵能比Si—Si鍵的鍵能大，與化學(xué)鍵的強(qiáng)弱有關(guān)，故B錯(cuò)誤；

C.KF、KCl、KBr；KI的熔點(diǎn)依次降低；這是因?yàn)樗鼈兯碾x子鍵的強(qiáng)度逐漸減弱，與化學(xué)鍵的強(qiáng)弱有關(guān)，故C錯(cuò)誤；

D.CF4、SiF4、GeF4的熔點(diǎn)和沸點(diǎn)逐漸升高；這是因?yàn)榉肿娱g作用力隨相對分子質(zhì)量的增大而增大，與化學(xué)鍵的強(qiáng)弱無關(guān)，故D正確；

故答案選：D。

【點(diǎn)睛】

分子晶體的熔點(diǎn)和沸點(diǎn)隨相對分子質(zhì)量的增大而增大，與分子間作用力有關(guān)，與化學(xué)鍵無關(guān)。8、C【分析】①熔點(diǎn)1070℃，易溶于水，水溶液導(dǎo)電，屬于離子晶體，不合題意；②熔點(diǎn)10.31℃，液態(tài)不導(dǎo)電，說明液態(tài)時(shí)，只存在分子，沒有離子，溶于水后，電離出自由移動(dòng)的離子，水溶液中能導(dǎo)電，屬于分子晶體，符合題意；③能溶于CS2，熔點(diǎn)112.8℃，沸點(diǎn)444.6℃，符合分子晶體的特點(diǎn)，符合題意；④金屬鈉熔點(diǎn)97.81℃，質(zhì)軟、導(dǎo)電，密度為0.97g·cm－3，屬于金屬晶體的特點(diǎn)，不符合題意；綜上，只有②③符合題意，C正確；正確選項(xiàng)C。9、D【分析】【詳解】

A.由表中數(shù)據(jù)可知，SiCl4的熔沸點(diǎn)較低；屬于分子晶體，故A正確；

B.單質(zhì)B的熔沸點(diǎn)很高；所以單質(zhì)B是原子晶體，故B正確；

C.由表中數(shù)據(jù)可知AlCl3的沸點(diǎn)比熔點(diǎn)低，所以AlCl3加熱能升華；故C正確；

D.KCl；NaCl均為離子晶體；決定晶格能的因素為：離子電荷、離子半徑，鉀離子的半徑大于鈉離子，所帶電荷相同，因此NaCl的晶格能較大，化學(xué)鍵強(qiáng)度較大，故D錯(cuò)誤；

故選D。二、多選題(共9題，共18分)10、BC【分析】【詳解】

A.電子在核外的排布是分層的；不同的電子在不同的能級(jí)運(yùn)動(dòng)，故A錯(cuò)誤；

B.離核越遠(yuǎn)的電子能量越大；離核越近的電子能量越小，故B正確；

C.處于最低能量的原子叫基態(tài)原子；故C正確；

D.s能層最多只能容納2個(gè)電子；與所在能層無關(guān)，故D錯(cuò)誤；

故答案選BC。11、CD【分析】【詳解】

A.s電子的原子軌道呈球形；p電子的原子軌道是“8”字形的，但是電子是做無規(guī)則運(yùn)動(dòng)，軌跡是不確定的，故A錯(cuò)誤；

B.根據(jù)構(gòu)造原理；各能級(jí)能量由低到高的順序?yàn)?s2s2p3s3p4s3d4p5s4d5p6s4f，所以s能級(jí)的能量不一定小于p能級(jí)的能量，如4s＞3p，故B錯(cuò)誤；

C.不同能級(jí)的電子云有不同的空間伸展方向；p軌道有3個(gè)相互垂直的呈紡錘形的不同伸展方向的軌道，故C正確；

D.多電子原子中；同一能層的電子，能量可能不同，還可以把它們分成能級(jí)，任一能層的能級(jí)總是從s能級(jí)開始，而且能級(jí)數(shù)等于該能層序數(shù)，故D正確；

故選CD。

【點(diǎn)睛】

能層含有的能級(jí)數(shù)等于能層序數(shù)，即第n能層含有n個(gè)能級(jí)，每一能層總是從s能級(jí)開始，同一能層中能級(jí)ns、np、nd、nf的能量依次增大，在不違反泡利原理和洪特規(guī)則的條件下，電子優(yōu)先占據(jù)能量較低的原子軌道，使整個(gè)原子體系能量處于最低，這樣的狀態(tài)是原子的基態(tài)，所以任一能層的能級(jí)總是從s能級(jí)開始，而且能級(jí)數(shù)等于該能層序數(shù)。12、BD【分析】【分析】

【詳解】

A.氫鍵是一種分子間作用力；不是化學(xué)鍵，A錯(cuò)誤；

B.CO和N2都是分子晶體，熔沸點(diǎn)主要受分子間作用力影響，但在相對分子質(zhì)量相同的情況下，CO是極性分子，N2是非極性分子，極性分子的相互吸引力大于非極性分子，會(huì)使分子間作用力略大，CO的沸點(diǎn)比N2的高；B正確；

C.共價(jià)單鍵是σ鍵，共價(jià)雙鍵中一個(gè)是σ鍵，一個(gè)是π鍵，所以CH2=CH2中有5個(gè)σ鍵；1個(gè)π鍵，C錯(cuò)誤；

D.共價(jià)鍵具有飽和性和方向性，S最外層有6個(gè)電子，再接受2個(gè)電子就形成穩(wěn)定結(jié)構(gòu)，則把H2S分子寫成H3S分子；違背了共價(jià)鍵的飽和性，D正確；

答案選BD。

【點(diǎn)睛】

共價(jià)單鍵是σ鍵，共價(jià)雙鍵中一個(gè)是σ鍵，一個(gè)是π鍵，共價(jià)叁鍵中一個(gè)是σ鍵，兩個(gè)是π鍵。13、AC【分析】【分析】

由圖示可以看出該結(jié)構(gòu)可以表示為[H4B4O9]m?，其中B為＋3價(jià)，O為?2價(jià)，H為＋1價(jià)，根據(jù)化合價(jià)判斷m值求解Xm?的化學(xué)式；根據(jù)價(jià)層電子對互斥理論確定分子空間構(gòu)型及中心原子雜化方式，價(jià)層電子對個(gè)數(shù)＝σ鍵個(gè)數(shù)＋孤電子對個(gè)數(shù)，σ鍵個(gè)數(shù)＝配原子個(gè)數(shù)，孤電子對個(gè)數(shù)＝(a?xb)，a指中心原子價(jià)電子個(gè)數(shù)，x指配原子個(gè)數(shù)，b指配原子形成穩(wěn)定結(jié)構(gòu)需要的電子個(gè)數(shù)，1，3，5，6代表氧原子，2，4代表B原子，2號(hào)B形成3個(gè)鍵，則B原子為sp2雜化，4號(hào)B形成4個(gè)鍵，則B原子為sp3雜化；陰離子中含配位鍵，不含離子鍵，以此來解答。

【詳解】

A．H電子軌道排布式為1s1；處于半充滿狀態(tài)，比較穩(wěn)定，第一電離能為O＞H＞B，故A錯(cuò)誤；

B．2，4代表B原子，2號(hào)B形成3個(gè)鍵，則B原子為sp2雜化，4號(hào)B形成4個(gè)鍵，則B原子為sp3雜化；故B正確；

C．2號(hào)B形成3個(gè)鍵；4號(hào)B形成4個(gè)鍵，其中1個(gè)鍵就是配位鍵，所以配位鍵存在4；5原子之間或4、6原子之間，故C錯(cuò)誤；

D．觀察模型，可知Xm?是[H4B4O9]m?，依據(jù)化合價(jià)H為＋1，B為＋3，O為?2，可得m＝2，NamX的化學(xué)式為Na2B4O5(OH)4；故D正確；

故答案選AC。14、AC【分析】【詳解】

A．HCl、HBr；HI均可形成分子晶體；其分子結(jié)構(gòu)相似，相對分子質(zhì)量越大則分子間作用力越大，所以熔、沸點(diǎn)依次升高與分子間作用力大小有關(guān)，故A正確；

B．氫鍵是比范德華力大的一種分子間作用力，水分子間可以形成氫鍵，H2S分子間不能形成氫鍵，因此H2O的熔、沸點(diǎn)高于H2S；與共價(jià)鍵的鍵能無關(guān)，故B錯(cuò)誤；

C．碘分子為非極性分子，CCl4也為非極性分子；碘易溶于四氯化碳可以用相似相溶原理解釋，故C正確；

D．氫鍵不是化學(xué)鍵；故D錯(cuò)誤；

故答案為AC。15、BC【分析】【詳解】

A、由晶胞圖可知，K+的個(gè)數(shù)為8×+6×=4，O2-的個(gè)數(shù)為12×+1=4，化學(xué)式為KO2，故A正確；

B、由晶胞圖可知，晶體中每個(gè)O2-周圍有12個(gè)O2-，故B錯(cuò)誤；

C、由晶胞圖可知，晶體中每個(gè)K+的周圍有6個(gè)O2-，故C錯(cuò)誤；

D、晶胞中K+與O2-個(gè)數(shù)分別為4、4，所以晶胞中共有8個(gè)氧原子，根據(jù)電荷守恒-2價(jià)O原子數(shù)目為2，所以0價(jià)氧原子數(shù)目為8-2=6，所以晶體中，0價(jià)氧原子與-2價(jià)氧原子的數(shù)目比為3：1，故D正確；

故選BC。16、AC【分析】【分析】

根據(jù)原子分?jǐn)偪芍?，晶胞I中：晶胞中Na原子數(shù)目=1+8×=2、Cl原子數(shù)目=12×=6，化學(xué)式為NaCl3；晶胞II中Na原子數(shù)目=2+4×=3、Cl原子數(shù)目=8×=1，化學(xué)式為Na3Cl；晶胞III中Na原子數(shù)目=2+4×+2×=4、Cl原子數(shù)目=8×=2，化學(xué)式為Na2Cl，根據(jù)反應(yīng)條件（NaCl晶體在50～300GPa的高壓下和Na或Cl2反應(yīng)，可以形成不同組成、不同結(jié)構(gòu)的晶體）和原子守恒可知，晶胞I所對應(yīng)晶體是NaCl晶體在50～300GPa的高壓下和Cl2反應(yīng)的產(chǎn)物；晶胞II；III所對應(yīng)晶體是NaCl晶體在50～300GPa的高壓下和Na反應(yīng)的產(chǎn)物，據(jù)此分析解答。

【詳解】

A．由圖可知；晶胞中12個(gè)Cl原子位于面上，所以體心Na原子周圍有12個(gè)Cl，即鈉原子的配位數(shù)為12，故A正確；

B．Na有2個(gè)位于體內(nèi)，4個(gè)位于棱心，棱心被4個(gè)晶胞共用，鈉原子個(gè)數(shù)為2+4×=3；即晶胞Ⅱ中含有3個(gè)鈉原子，故B錯(cuò)誤；

C．晶胞III中Na原子數(shù)目=2+4×+2×=4、Cl原子數(shù)目=8×=2，化學(xué)式為Na2Cl；故C正確；

D．晶胞I、II、Ⅲ所對應(yīng)晶體的化學(xué)式分別為NaCl3、Na3Cl、Na2Cl，根據(jù)原子守恒可知，晶胞I所對應(yīng)晶體是NaCl晶體在50～300GPa的高壓下和Cl2反應(yīng)的產(chǎn)物；晶胞II；III所對應(yīng)晶體是NaCl晶體在50～300GPa的高壓下和Na反應(yīng)的產(chǎn)物，故D錯(cuò)誤；

答案選AC。17、AC【分析】【詳解】

A.在石墨中，每個(gè)C原子與相鄰的3個(gè)C原子形成共價(jià)鍵，每個(gè)共價(jià)鍵為相鄰2個(gè)C原子所共有，所以每個(gè)C原子形成的共價(jià)鍵數(shù)目為3×=24g石墨含有的C原子的物質(zhì)的量是2mol，因此其中含有的C-C共價(jià)鍵的物質(zhì)的量為2mol×=3mol；A正確；

B.在金剛石晶體中每個(gè)碳原子與相鄰的4個(gè)C原子形成4個(gè)共價(jià)鍵，每個(gè)共價(jià)鍵為相鄰兩個(gè)C原子形成，所以其含有的C-C數(shù)目為4×=2個(gè)；則在12g金剛石含有的C原子的物質(zhì)的量是1mol，故含C-C共價(jià)鍵鍵數(shù)為2mol，B錯(cuò)誤；

C.二氧化硅晶體中；每個(gè)硅原子含有4個(gè)Si-O共價(jià)鍵，所以在60g二氧化硅的物質(zhì)的量是1mol，則其中含Si-O共價(jià)鍵鍵數(shù)為4mol，C正確；

D.在NaCl晶體中，每個(gè)Na+周圍與它最近且距離相等的Na+有12個(gè)；D錯(cuò)誤；

故合理選項(xiàng)是AC。18、BC【分析】【分析】

【詳解】

A．根據(jù)均攤法，該晶胞中Fe原子的數(shù)目為=4，Mg原子的個(gè)數(shù)為8，F(xiàn)e、Mg原子個(gè)數(shù)之比=4：8=1：2，所以其化學(xué)式為Mg2Fe；故A正確；

B．金屬晶體中存在金屬鍵；該晶體屬于合金，屬于金屬晶體，所以只含金屬鍵，故B錯(cuò)誤；

C．根據(jù)晶胞結(jié)構(gòu)示意圖可知，距離Mg原子最近且相等的Fe原子有4個(gè)，即Mg的配位數(shù)為4，而該晶體的化學(xué)式為Mg2Fe；所以Fe的配位數(shù)為8，故C錯(cuò)誤；

D．晶胞中Fe原子個(gè)數(shù)為4，Mg原子個(gè)數(shù)為8，所以晶胞的質(zhì)量為=g；故D正確；

故答案為BC。三、填空題(共6題，共12分)19、略

【分析】【詳解】

(1)氮原子的原子序數(shù)為7，最外層電子層是低層，其最外層電子排布式為2s22p3，主族元素N原子的最外層電子就是其價(jià)電子，即價(jià)電了排布式為2s22p3；N；P、As位于同一主族；隨著原子序數(shù)逐漸增大，原子半徑逐漸增大，原子失去電子的能力逐漸增強(qiáng)，原子的第一電離能逐漸減小，所以N、P、As原子的第一電離能由大到小的順序?yàn)镹＞P＞As；

(2)NH3的沸點(diǎn)比AsH3的沸點(diǎn)高；是因?yàn)榘狈肿娱g除存在分子間作用力外，還有氫鍵；

(3)①立方氮化硼晶體超硬、優(yōu)異的耐磨性，所以立方氮化硼晶體為原子晶體；立方氮化硼中氮原子與周圍的4個(gè)硼原子形成四面體結(jié)構(gòu)、硼原子與周圍的4個(gè)氮原子形成四面體結(jié)構(gòu)，因此晶體中N原子的雜化軌道類型為sp3；原子的配位數(shù)為4；

②立方氮化硼中氮原子與周圍的4個(gè)硼原子形成四面體結(jié)構(gòu)；硼原子與周圍的4個(gè)氮原子形成四面體結(jié)構(gòu)；因此立方氮化硼晶胞中應(yīng)該含有4個(gè)N和4個(gè)B原子，B原子最外層有3個(gè)電子，形成4個(gè)共價(jià)鍵，所以含有1個(gè)配位鍵，故B原子與N原子之間共價(jià)鍵與配位鍵的數(shù)目比為3：1；

(4)BN晶胞中N原子數(shù)為4，B原子數(shù)=8×+6×=4，BN晶胞的質(zhì)量為m=g，立方氮化硼晶胞的體積V=(3.62×10-10cm)3，因此立方氮化硼的密度ρ=g/cm3?！窘馕觥?s22p3N>P>AsNH3能形成分子間氫鍵原子sp3雜化43：120、略

【分析】【詳解】

(1)NaCl中離子所帶電荷數(shù)為1，CaO中離子所帶電荷數(shù)為2，且O2-的半徑小于Cl-的半徑，所以氯化鈉的晶格能小于氧化鈣的晶格能，所以熔點(diǎn)：NaCl

(2)形成分子內(nèi)氫鍵，而形成分子間氫鍵，分子間形成氫鍵的物質(zhì)的熔沸點(diǎn)較高，所以沸點(diǎn)：＜

(3)SO2分子為V形，結(jié)構(gòu)不對稱，屬于極性分子，CO2分子為直線形，是非極性分子，水是極性分子，根據(jù)相似相溶原理，在水中的溶解度：SO2>CO2；

(4)含氧酸分子的結(jié)構(gòu)中含非羥基(羥基為-OH)氧原子數(shù)越多，該含氧酸的酸性越強(qiáng)，所以含氧酸的通式可寫成(HO)mROn，如果成酸元素R相同，則n值越大，酸性越強(qiáng)，則酸性：H3PO33PO4；

(5)同一主族元素，元素原子半徑隨著原子序數(shù)增大而增大，鍵長：H-O＜H-S，所以鍵能：H-O>H-S；

(6)O的價(jià)層電子排布式為2s22p4，價(jià)電子個(gè)數(shù)為6；Cr的價(jià)層電子排布式為3d54s1，價(jià)電子個(gè)數(shù)為6，所以價(jià)電子數(shù)：O=Cr。

【點(diǎn)睛】

注意判斷含氧酸酸性的方法：含氧酸分子的結(jié)構(gòu)中含非羥基(羥基為-OH)氧原子數(shù)越多，該含氧酸的酸性越強(qiáng)?！窘馕觥竣?<②.<③.>④.<⑤.>⑥.=21、略

【分析】【分析】

⑴碳原子最外層含有4個(gè)電子；碳原子主要形成共價(jià)鍵，碳原子與碳原子可以形成單鍵；雙鍵或三鍵，也可形成碳鏈或碳環(huán)。

⑵分析苯分子和乙炔分子中每個(gè)碳原子價(jià)層電子對數(shù)。

【詳解】

⑴碳原子最外層含有4個(gè)電子；1個(gè)碳原子可以跟其他非金屬原子形成4個(gè)共價(jià)鍵，碳原子之間也能以共價(jià)鍵相結(jié)合，形成單鍵；雙鍵或三鍵，連接成穩(wěn)定的長短不一的碳鏈或含碳原子數(shù)不等的碳環(huán)，從而導(dǎo)致有機(jī)物種類紛繁，數(shù)量龐大；故答案為：4；4；共價(jià)；單；雙；三；碳鏈。

⑵苯分子中每個(gè)碳原子有三個(gè)共價(jià)鍵，沒有孤對電子，價(jià)層電子對數(shù)為3對，雜化方式是sp2；乙炔分子中每個(gè)碳原子有2個(gè)共價(jià)鍵，沒有孤對電子，價(jià)層電子對數(shù)為2對，雜化方式是sp；故答案為：sp2；sp?！窘馕觥竣?4②.4③.共價(jià)④.單⑤.雙⑥.三⑦.碳鏈⑧.sp2⑨.sp22、略

【分析】【詳解】

(1)Zn為30號(hào)元素，基態(tài)Zn原子的價(jià)層電子排布為3d104s2；占據(jù)最高能層為第4層，能層符號(hào)為N；

(2)①[Zn(NH3)4]SO4中陰離子為其中心原子價(jià)層電子對數(shù)為=4；不含孤電子對，空間構(gòu)型為正四面體形；

②中，中心原子的價(jià)層電子對數(shù)為4，所以為sp3雜化；

③含有5個(gè)原子，價(jià)電子總數(shù)為32，與其互為等電子的分子有CCl4、SiCl4、SiF4等；

④NH3與H2O之間可形成分子間氫鍵，NH3與H2O發(fā)生反應(yīng)，也使氨氣極易溶于水。【解析】①.N②.正四面體③.sp3④.CCl4(或SiCl4、SiF4)⑤.NH3與H2O之間可形成分子間氫鍵，NH3與H2O發(fā)生反應(yīng)23、略

【分析】【分析】

原子核外有3個(gè)電子層、最外層電子數(shù)為3，主族元素中原子核外電子層數(shù)與其周期數(shù)相等、其最外層電子數(shù)與其族序數(shù)相等，據(jù)此判斷在周期表中的位置；其3s、3p能級(jí)上的電子為其價(jià)電子；圖1中負(fù)離子的中心原子價(jià)層電子對個(gè)數(shù)根據(jù)價(jià)層電子對互斥理論判斷該離子空間構(gòu)型；

分子晶體熔沸點(diǎn)較低；原子晶體熔沸點(diǎn)較高；

該正離子中N原子價(jià)層電子對個(gè)數(shù)是3且不含孤電子對；根據(jù)價(jià)層電子對互斥理論判斷N原子的雜化方式；環(huán)上C原子價(jià)層電子對個(gè)數(shù)是3；乙基中兩個(gè)C原子價(jià)層電子對個(gè)數(shù)是4，根據(jù)價(jià)層電子對互斥理論判斷C原子的雜化方式；

氮原子上連H原子形成分子間氫鍵；

同一周期元素；其第一電離能隨著原子序數(shù)增大而呈增大趨勢，但是第IIA族；第VA族元素第一電離能大于其相鄰元素；

該晶體堆積方式為六方最密堆積，該六棱柱中N原子個(gè)數(shù)根據(jù)化學(xué)式知Al原子個(gè)數(shù)為6，六棱柱體積氮化鋁密度

【詳解】

原子核外有3個(gè)電子層、最外層電子數(shù)為3，主族元素中原子核外電子層數(shù)與其周期數(shù)相等、其最外層電子數(shù)與其族序數(shù)相等，據(jù)此判斷在周期表中的位置為第三周期第IIIA族；其3s、3p能級(jí)上的電子為其價(jià)電子，其價(jià)電子排布式為圖1中負(fù)離子的中心原子價(jià)層電子對個(gè)數(shù)根據(jù)價(jià)層電子對互斥理論判斷該離子空間構(gòu)型為正四面體形；

分子晶體熔沸點(diǎn)較低；原子晶體熔沸點(diǎn)較高；氯化鋁為分子晶體、氮化鋁為原子晶體，所以二者熔沸點(diǎn)相差較大；

該正離子中N原子價(jià)層電子對個(gè)數(shù)是3且不含孤電子對，根據(jù)價(jià)層電子對互斥理論判斷N原子的雜化方式為環(huán)上C原子價(jià)層電子對個(gè)數(shù)是3、乙基中兩個(gè)C原子價(jià)層電子對個(gè)數(shù)是4，根據(jù)價(jià)層電子對互斥理論判斷C原子的雜化方式，前者為雜化、后者為雜化；

氮原子上連H原子形成分子間氫鍵，防止離子間形成氫鍵而聚沉或氮原子上連H原子形成分子間氫鍵，該離子不易以單體形式存在所以與N原子相連的不能被氫原子替換；

同一周期元素，其第一電離能隨著原子序數(shù)增大而呈增大趨勢，但是第IIA族、第VA族元素第一電離能大于其相鄰元素，其第一電離能順序?yàn)橐驗(yàn)殡S著核電荷數(shù)增加，同周期主族元素的第一電離能逐漸變大，但Mg的3p軌道電子排布為全空結(jié)構(gòu)，能量比Al的更低；所以第一電離能大；

該晶體堆積方式為六方最密堆積，該六棱柱中N原子個(gè)數(shù)根據(jù)化學(xué)式知Al原子個(gè)數(shù)為6，六棱柱體積氮化鋁密度

【點(diǎn)睛】

對于六方最密堆積的晶胞來講，處于六棱柱頂角上的原子是6個(gè)晶胞共用的，常見的立方堆積是8個(gè)晶胞共用，這其實(shí)是因?yàn)榱呅蚊茕仌r(shí)每個(gè)點(diǎn)被3個(gè)六邊形共用而正方形密鋪時(shí)每個(gè)點(diǎn)被4個(gè)正方形共用對于處于六棱柱面心的原子、體心的原子，其共享方式與立方堆積無異?！窘馕觥康谌芷诘贗IIA族正四面體形氯化鋁為分子晶體、氮化鋁為原子晶體氮原子上連H原子形成分子間氫鍵，防止離子間形成氫鍵而聚沉或氮原子上連H原子形成分子間氫鍵，該離子不易以單體形式存在六方最密堆積24、略

【分析】【分析】

根據(jù)常見晶體結(jié)構(gòu)模型和含有的微粒數(shù)目的關(guān)系判斷物質(zhì)的種類。

【詳解】

由晶胞結(jié)構(gòu)模型可知A晶胞中含有8×+6×+1+12×=8個(gè)黑球，8個(gè)白球，為氯化銫；B的晶胞中含有8×+6×=4個(gè)黑球，12×+1=4個(gè)白球；為氯化鈉；C中含有兩種原子，存在四面體結(jié)構(gòu)，且黑球和白球的個(gè)數(shù)比為2∶1，為二氧化硅；D中只存在一種原子，存在四面體結(jié)構(gòu)，為金剛石(或晶體硅)，故答案為：氯化銫；氯化鈉；二氧化硅；金剛石(或晶體硅)。

【點(diǎn)睛】

本題的易錯(cuò)點(diǎn)為D的判斷，要注意金剛石和硅晶體的結(jié)構(gòu)相似?！窘馕觥竣?氯化銫②.氯化鈉③.二氧化硅④.金剛石(或晶體硅)四、原理綜合題(共3題，共30分)25、略

【分析】【詳解】

(1)①碳原子為6號(hào)元素，原子核外有6個(gè)電子，每個(gè)電子的運(yùn)動(dòng)狀態(tài)各不相同，所以有6種運(yùn)動(dòng)狀態(tài)不同的電子，核外電子排布為1s22s22p2，外圍電子排布式為2s22p2，所以外圍電子軌道表示式為W中Li+提供空軌道；O原子提供孤對電子，形成配位鍵，所以選D；

②Li+半徑比Y的空腔小很多；不易與空腔內(nèi)氧原子的孤電子對形成穩(wěn)定結(jié)構(gòu)；

③冠醚分子中O原子形成2個(gè)σ鍵，根據(jù)氧原子的最外層電子數(shù)可知O原子價(jià)層還有2對孤電子對，所以O(shè)原子的價(jià)層電子對數(shù)為4，為sp3雜化；雜化軌道的空間構(gòu)型是四面體形；由于孤電子對成鍵電子的排斥作用較大，所以C—O—C的鍵角＜109°28′；

(2)根據(jù)均攤法，石墨晶胞中碳原子分別位于頂點(diǎn)(8個(gè))、棱心(4個(gè))、面心(2個(gè))、內(nèi)部(1個(gè))，所以個(gè)數(shù)為=4；晶胞的質(zhì)量為g，晶胞的底面圖為則有=r×sin60°，可得a=則底面菱形的高為=r，所以底面積為×r，晶胞的高為2d，所以晶胞的體積為V=×r×2d=3r2dcm3，晶胞的密度解得d=cm；

(3)體對角線上的原子投影重合；投影在在正六邊形中心，另外6個(gè)頂點(diǎn)原子投影形成正六邊形，面心上6個(gè)C原子投影也形成小的正六邊形，位于內(nèi)部的4個(gè)C原子的投影，或與六邊形中心重合，或與面心C原子的投影重疊，所以D選項(xiàng)符合。

【點(diǎn)睛】

晶胞的相關(guān)計(jì)算為本題難點(diǎn)，要注意石墨晶胞的底面不是正方形，而是菱形，然后根據(jù)幾何關(guān)系計(jì)算出底面積?！窘馕觥?DLi+半徑比Y的空腔小很多，不易與空腔內(nèi)氧原子的孤電子對形成穩(wěn)定結(jié)構(gòu)四面體<4D26、略

【分析】【詳解】

（1）Ge是32號(hào)元素，與碳元素是同一主族的元素，在元素周期表中位于第四周期IVA族；基態(tài)Ge原子的核外電子排布式為[Ar]3d104s24p2；在其原子的最外層的2個(gè)4p電子分別位于2個(gè)不同的4p軌道上，所以基態(tài)Ge原子有2個(gè)未成對的電子，故答案為3d104s24p2；2；

（2）Ge與C是同族元素；C原子原子半徑較小，原子之間可以形成雙鍵；三鍵；但Ge原子之間難以形成雙鍵或三鍵，從原子結(jié)構(gòu)角度看，這是由于鍺的原子半徑大，原子之間形成的σ單鍵較長，p-p軌道肩并肩重疊的程度很小或幾乎不能重疊，難以形成π鍵，故答案為Ge原子半徑大，原子間形成的σ單鍵較長，p?p軌道肩并肩重疊程度很小或幾乎不能重疊，難以形成π鍵；

（3）鍺元素的鹵化物在固態(tài)時(shí)都為分子晶體，分子之間通過微弱的分子間作用力結(jié)合。對于組成和結(jié)構(gòu)相似的物質(zhì)來說，相對分子質(zhì)量越大，分子間作用力越大，熔沸點(diǎn)越高。由于相對分子質(zhì)量：GeCl4＜GeBr4＜GeI4，所以它們的熔沸點(diǎn)由低到高的順序是：GeCl4＜GeBr4＜GeI4，故答案為GeCl4、GeBr4、GeI4的熔；沸點(diǎn)依次增高。原因是分子結(jié)構(gòu)相似；分子量依次增大，分子間相互作用力逐漸增強(qiáng)；

（4）光催化還原CO2制備CH4反應(yīng)中，帶狀納米Zn2GeO4是該反應(yīng)的良好催化劑。元素的非金屬性越強(qiáng)，其吸引電子的能力就越強(qiáng)，元素的電負(fù)性就越大。元素Zn、Ge、O的非金屬性強(qiáng)弱順序是：O＞Ge＞Zn，所以這三種元素的電負(fù)性由大至小的順序是O＞Ge＞Zn，故答案為O>Ge>Zn；

（5）Ge單晶具有金剛石型結(jié)構(gòu)，其中Ge原子的雜化方式為1個(gè)s軌道與3個(gè)p軌道形成的sp3雜化；由于是同一元素的原子通過共用電子對結(jié)合，所以微粒之間存在的作用力是非極性共價(jià)鍵(或?qū)憺楣矁r(jià)鍵)，故答案為sp3；共價(jià)鍵；

（6）①根據(jù)各個(gè)原子的相對位置可知，D在各個(gè)方向的1/4處，所以其坐標(biāo)是()，故答案為()；

②根據(jù)晶胞結(jié)構(gòu)可知，在晶胞中含有的Ge原子數(shù)是8×1/8+6×1/2+4=8，所以晶胞的密度=g·cm-3，故答案為×107?！窘馕觥?d104s24p22Ge原子半徑大，原子間形成的σ單鍵較長，p?p軌道肩并肩重疊程度很小或幾乎不能重疊，難以形成π鍵GeCl4、GeBr4、GeI4的熔、沸點(diǎn)依次增高。原因是分子結(jié)構(gòu)相似，分子量依次增大，分子間相互作用力逐漸增強(qiáng)O>Ge>Znsp3共價(jià)鍵()×10727、略

【分析】【分析】

（1）氮原子核外有7個(gè)電子，電子排布式為1s22s22p3；鎵為31號(hào)元素，電子排布式為1s22s22p63s23p63d104s24p1；依據(jù)電子排布式解答；

（2）①H2N-CH2-CH2-NH2中氮原子的價(jià)層電子對數(shù)為（5+3）=4；

②中心原子Cu2+提供空軌道；乙二氨分子中N原子提供孤對電子；

③乙二氨和水都是極性分子；相似相溶，乙二氨分子與水分子間可形成氫鍵。

（3）①觀察晶胞結(jié)構(gòu)發(fā)現(xiàn)N原子周圍距離最近的B數(shù)目為4；即配位數(shù)為4；由圖可知，晶胞為面心立方堆積，以頂點(diǎn)的N原子分析，位于面心的原子與之相鄰，1個(gè)頂點(diǎn)原子為12個(gè)面共用，所以離