半導(dǎo)體晶片近邊緣幾何形態(tài)評價(jià) 第2部分：邊緣卷曲法（ROA） 編制說明

1半導(dǎo)體晶片近邊緣幾何形態(tài)評價(jià)第2部分：邊緣卷曲法（ROA）編制說明2目前國內(nèi)8英寸硅單晶拋光片約90%依尤其在當(dāng)前國際形勢下，保障國家集成電路產(chǎn)業(yè)徹底擺脫在半導(dǎo)體材料和器件方面的落后狀態(tài)關(guān)于近邊緣形態(tài)的評價(jià)，SEMI在2007年以來已陸續(xù)出臺(tái)了一系列針對大的近邊緣區(qū)域幾何形態(tài)。國內(nèi)各大12英寸拋光片根據(jù)《國家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會(huì)關(guān)于下達(dá)2024年推薦相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)外文版計(jì)劃的通知》（國標(biāo)委發(fā)[2024]16號）的要求，由山東有研半導(dǎo)體材料有限公司牽頭制定國家標(biāo)準(zhǔn)《半導(dǎo)體晶片近邊緣幾何形態(tài)評價(jià)第2部3數(shù)字集成電路用6-12英寸硅單晶及硅片、功率集成電路用6-8英寸硅片、3-6英技集團(tuán)有限公司（以下簡稱“有研科技集團(tuán)”）的下屬公司，注冊資本130161材料研究，承擔(dān)了國家908、909、科技重大專項(xiàng)等重大工程和專項(xiàng)，擁有多項(xiàng)4序號起草人工作職責(zé)1負(fù)責(zé)標(biāo)準(zhǔn)的工作指導(dǎo)，標(biāo)準(zhǔn)審核，標(biāo)準(zhǔn)框架的制定、標(biāo)準(zhǔn)的起草、試驗(yàn)方案的制定，組織協(xié)調(diào)等2負(fù)責(zé)稿件審核的組織，進(jìn)度推進(jìn)等3負(fù)責(zé)標(biāo)準(zhǔn)試驗(yàn)方案的執(zhí)行4負(fù)責(zé)標(biāo)準(zhǔn)技術(shù)方面的支持稿，同時(shí)制定了單個(gè)實(shí)驗(yàn)室和多個(gè)實(shí)驗(yàn)室的測試方案。項(xiàng)目編制組認(rèn)真研究了準(zhǔn)組成一系列標(biāo)準(zhǔn)，ROA是其中的一個(gè)評價(jià)參數(shù)，本文件是近邊緣幾何形態(tài)的委員會(huì)組織，在江蘇省徐州市召開國家標(biāo)準(zhǔn)《半導(dǎo)體晶片近邊緣幾何形態(tài)評價(jià)2）標(biāo)準(zhǔn)編制過程中，充分考慮了國內(nèi)生產(chǎn)企業(yè)的生產(chǎn)、測試現(xiàn)狀及技術(shù)發(fā)5干擾因素等內(nèi)容，以下對此次標(biāo)準(zhǔn)編制過程中的主本文件參照了SEMIM77-1015的技術(shù)內(nèi)容，規(guī)定了適用于大直徑晶片近邊該標(biāo)準(zhǔn)在編制過程中，根據(jù)實(shí)際情況，引用了GB/T14264《半導(dǎo)體材料6本文件在編制過程中參考了SEMIM77-c)空氣潔凈度：不低于GB/T259識(shí)、切口區(qū)域等要求去除區(qū)域進(jìn)行了要求，7選擇評價(jià)區(qū)間，一般評價(jià)區(qū)間包括基準(zhǔn)線段和測量點(diǎn)、基準(zhǔn)區(qū)域的位置。由于300mm直徑的硅片目前在國內(nèi)的使用，陪片還占有相當(dāng)大的比例，用戶要求提獲取的數(shù)據(jù)進(jìn)行設(shè)置。由四個(gè)實(shí)驗(yàn)室進(jìn)行了5個(gè)硅片的巡回測試，數(shù)據(jù)詳見試驗(yàn)報(bào)告。片，國內(nèi)起步更晚一些，且依賴于購買的進(jìn)口測試設(shè)備。除了SEMI標(biāo)準(zhǔn)之外，8標(biāo)準(zhǔn)的可信度提供了可靠