LED芯片制作流程

1、LED芯片制作流程，報(bào)告內(nèi)容，1 .概況2 .外延3 .晶片，LED芯片結(jié)構(gòu)，MQW=多量子阱，多量子阱，LED制造流程，Sapphire藍(lán)寶石，LED流程，LED三個(gè)流程： LED 另外，使用外延晶片制作基板外延，在使用LED基板、1.GaAs基板2.Al2O3基板3.SiC基板4.Si基板、GaAs基板、GaAs基板： LPE (液相磊晶)使紅色LED生長的情況下，一般使用AlGaAs外延層優(yōu)點(diǎn)晶格匹配，容易生長的材料光子吸收不足，藍(lán)寶石Al2O3基板，優(yōu)點(diǎn)化學(xué)穩(wěn)定性高，不吸收可見光的價(jià)格適度的制造技術(shù)，比較不成熟的導(dǎo)電性能硬，導(dǎo)熱性差，難以切斷SiC基板的優(yōu)點(diǎn)化學(xué)穩(wěn)定性優(yōu)異，導(dǎo)電性優(yōu)異，

2、導(dǎo)熱性優(yōu)異， 為了開發(fā)不吸收可見光的價(jià)格高的結(jié)晶品質(zhì)，如Al2O3和Si那樣，吸收機(jī)械加工性差的380 nm以下的紫外光，380 nm以下的紫外LED，現(xiàn)在能提供國際商用的高品質(zhì)SiC基板的制造商只有美國creek公司。 Si襯底，優(yōu)點(diǎn)結(jié)晶品質(zhì)高尺寸，成本低，容易加工，導(dǎo)電性良好的熱傳導(dǎo)性和熱穩(wěn)定性不足，在GaN外延層和Si襯底之間存在巨大的晶格失配和熱失配，在GaN的生長過程中容易形成非晶硅，因此在Si襯底上存在龜裂和器件水平品質(zhì)的硅基板光吸收大，LED的光提取效率低。 將Si基板的制造工藝、結(jié)晶生長、切片、研磨、退火、外延生長、在半導(dǎo)體基板上形成與基板的結(jié)晶軸同晶方向的半導(dǎo)體薄膜稱為半導(dǎo)體

3、外延生長技術(shù)，將形成的薄膜稱為外延層，p、n極的分離表現(xiàn)為元素?fù)诫s度的不同， 外延生長方法和工藝可分為LPE (液相磊晶)、MOCVD (有機(jī)金屬氣相磊晶)和MBE (分子線磊晶)。 LPE技術(shù)低，主要是普通發(fā)光二極管MBE技術(shù)水平高，極薄磊晶容易生長，純度高，平坦性好，但量產(chǎn)能力低，磊晶生長速度慢。 MOCVD除了純度高、平坦性好外，量產(chǎn)能力和磊晶生長速度也比MBE快，所以現(xiàn)在多用MOCVD生產(chǎn)。 MOCVD，其過程首先將GaN基板放入昂貴的有機(jī)化學(xué)氣相生長爐(也稱為簡(jiǎn)單MOCVD、外延爐)，III、II族金屬元素的烷基化合物(甲基或乙基化合物)蒸汽和非金屬(v或VI族元素)的氫化物(或烷基

4、化合物)氣體III-V或II-VI族化合物堆積在基板上，使厚度為數(shù)微米(1毫米=1000微米)的化合物半導(dǎo)體外延層生長。 外延層生長的GaN片通稱外延片。 雙流MOCVD生長GaN裝置、MOCVD、MOCVD英國Thomas Swan公司制、世界先進(jìn)水平的商用金屬有機(jī)源氣相生長法(MOCVD )材料生長系統(tǒng)，是以GaN為代表的第三代半導(dǎo)體材料的第一代-Ge、Si半導(dǎo)體材料的第二代-GaAs， 可以用于制造InP化合物半導(dǎo)體材料的第三代-SiC、金剛石、GaN等半導(dǎo)體材料、外延基板、綠色外延基板，為什么有間隙？ 模制作蒸發(fā)光刻薄片選別，黃光區(qū)，光刻ITO，ICP蝕刻，光刻電極，蒸鍍電極，剝離，合

5、金，光致抗蝕劑，ITO，P-GaN，金電極，基板，緩沖層，N-GaN，MQW，外延澆鑄、前烘焙、曝光、顯影、硬膜、蝕刻、ITO氧化銦錫是Indium Tin Oxides的縮寫。 作為納米銦錫金屬氧化物，具有優(yōu)異的導(dǎo)電性和透明性，能屏蔽對(duì)人體有害的電子放射、紫外線和遠(yuǎn)紅外線。 因此，噴涂在玻璃、塑料、電子顯示屏上后，可以提高傳導(dǎo)性和透明性，同時(shí)屏蔽對(duì)人體有害的電子輻射、紫外線、紅外線。 澆鑄：將少量的抗蝕劑滴到外延片上，用勻漿臺(tái)高速旋轉(zhuǎn)后形成均勻的凝膠膜。 預(yù)烘：使抗蝕劑的溶劑揮發(fā)，改善抗蝕劑和樣品表面的密合性。曝光：用紫外光立體曝光時(shí)，曝光區(qū)域發(fā)生化學(xué)變化。 掩模板、光刻ITO、曝光原理圖、

6、手動(dòng)曝光機(jī)、顯影后的圖案，用蝕刻： 36%-38%的鹽酸蝕刻ITO，顯影：用顯影液去除應(yīng)去除部分的抗蝕劑，得到蝕刻時(shí)用抗蝕劑保護(hù)的圖案。 后烘烤：使抗蝕劑更牢固，避免在被保護(hù)的地方腐蝕，掩模板、光電電極、顯影后的圖案、蒸發(fā)、剝離、合金、薄、蒸發(fā)：在芯片表面鍍有金屬(Au、Ni、Al等)，一般將芯片放置在高溫真空下，將熔融的金屬.減薄：減薄基板厚度，有利于切割、散熱，激光切割，蒸發(fā)原理圖，白膜：寬度16cm，粘性隨著溫度上升.高增加； 薄膜、激光照射到藍(lán)寶石基板上，使用的激光為紫外光，波長為355nm。 為了更好地撕裂晶片，切割需要將激光照射到卡盤軌道的中央位置，調(diào)節(jié)激光的焦距，使激光聚焦到屏幕的上表面，使激光的劃痕深度盡可能地為25-30um。 藍(lán)色膜：寬度22cm的膜相反的情況下，基板朝上，有電極的面朝下。 把薄膜倒過來，在撕裂片之前給薄膜貼上玻璃紙，以免撕裂片時(shí)刀子破壞刀片。 將裂片設(shè)備、裂片