PSS工藝流程PPT課件

1、奧瑞德PSS工藝流程,品質(zhì)部 2014-03-14,-0-,PSS標(biāo)準(zhǔn)生產(chǎn)流程圖,1、涂膠,2、曝光,3、顯影,4、ADI檢查,5、刻蝕,6、刻蝕后檢查,7、去膠,8、清洗,9、終檢,10、包裝,預(yù)清洗,目的： 去除污染物、顆粒 減少針孔和其它缺陷 提高光刻膠黏附性 基本步驟: 化學(xué)清洗 漂洗 烘干,預(yù)烘烤,脫水烘焙-去除晶片表面的潮氣； 噴涂一層底膠（厚度為2nm左右），增強光刻膠與表面的黏附性； 烘烤溫度通常在100 左右； 底膠廣泛使用: HMDS，即六甲基乙硅氮烷； HMDS的作用：去除藍(lán)寶石表面的-OH基。,涂膠 Spin Coating,藍(lán)寶石圓片放置在真空卡盤上； 高速旋轉(zhuǎn)，旋轉(zhuǎn)

2、速度決定光刻膠層的厚度； 液態(tài)光刻膠滴在藍(lán)寶石圓片中心； 光刻膠以離心力向外擴(kuò)展； 均勻涂覆在圓片表面； 設(shè)備-光刻膠旋涂機(jī)。,前烘,作用：促進(jìn)膠膜內(nèi)溶劑充分揮發(fā)，使膠膜干燥； 增加膠膜與藍(lán)寶石圓片的粘附性及耐磨性。 影響因素：溫度，時間。 烘焙不足（溫度太低或時間太短）： 顯影時易浮膠，圖形易變形。 烘焙時間過長： 增感劑揮發(fā)，導(dǎo)致曝光時間增長，甚至顯不出圖形。 烘焙溫度過高： 感光劑反應(yīng)（膠膜硬化），不易溶于顯影液，導(dǎo)致顯影不干凈。,曝光-接觸式曝光（手動曝光）,為了保證曝光質(zhì)量，在操作中要注意以下幾點； 定位必須嚴(yán)格套準(zhǔn)； 菲林必須平整地貼在玻璃上，不能有空隙。若存在空隙，則不該曝光的地

3、方會受到光的照射，使圖形產(chǎn)生畸變； 曝光操作中，應(yīng)注意動作要輕，保護(hù)好菲林不致劃傷； 曝光時間必須準(zhǔn)確控制。,曝光-步進(jìn)式曝光（自動曝光）,現(xiàn)代藍(lán)寶石襯底制造中最常用的曝光工具； 通過曝光縮小掩膜圖形以提高分辨率 ； 分辨率：0.25 m 或更??； 不足：設(shè)備很昂貴。,曝光后烘焙,機(jī)理：光刻膠分子發(fā)生熱運動，使過度曝光和曝光不足的光刻膠分子發(fā)生重分布； 作用：平衡駐波效應(yīng)，提高分辨率。,顯影,目的：顯影液溶劑溶解掉光刻膠中軟化部，從掩膜版轉(zhuǎn)移圖形到光刻膠上。 注意：顯影必須徹底，以使圖形邊緣整齊。顯影需嚴(yán)格控制好顯影時間。若顯影時間不足，會使膠膜邊緣出現(xiàn)厚度不均的過夜區(qū)，造成邊緣毛刺，圖形模糊

4、，影響光刻質(zhì)量。 若顯影時間過長，顯影時光刻膠發(fā)生軟化、膨脹，使圖形邊緣變形。,堅膜（Hard Bake）,蒸發(fā)PR（光刻膠）中所有有機(jī)溶劑； 提高刻蝕和注入的抵抗力； 提高光刻膠和表面的黏附性； 聚合和使得PR更加穩(wěn)定； PR流動填充針孔。,ADI檢查,ADI檢查，又叫顯影后檢查（After Development Inspection Introduction） 目的：一般這里會把晶圓破損、defocus（離焦）、劃傷、臟污、表面顏色不均勻、曝光不良、圖形錯位等問題晶片剔除。 通過ADI檢測后，即可進(jìn)入下一步刻蝕工藝。,干法刻蝕,從晶圓表面去除一定材料 化學(xué)、物理過程或兩者結(jié)合 選擇性或覆

5、蓋刻蝕 優(yōu)點： 各向異性腐蝕強； 分辨率高； 刻蝕3m以下線條。,干法刻蝕過程中的參數(shù)調(diào)節(jié)及工藝特點,參數(shù)調(diào)節(jié)： 溫度：刻蝕速率，化學(xué)反應(yīng)； 功率：離子密度，離子能量； 壓力：離子密度，離子方向性，化學(xué)刻蝕； 其它：氣體流量、反應(yīng)物材料、反應(yīng)物潔凈度、掩膜材料。 工藝特點： 好的側(cè)壁剖面控制，即各向異性； 良好的刻蝕選擇性，合適的刻蝕速率，好的片內(nèi)均勻性； 工藝穩(wěn)定性。,刻蝕后檢查,藍(lán)寶石表面顏色是否異常及劃傷； 有無圖形異常及Particle； 刻蝕后表面圖形質(zhì)量：AFM/光學(xué)輪廓儀。,去膠及清洗,去膠：將經(jīng)過蝕刻的藍(lán)寶石表面殘留的光刻膠去除干凈。 清洗：將去膠處理后藍(lán)寶石表面殘存的光刻膠、Particle等雜質(zhì)徹底清除，清洗后藍(lán)寶石表面無色差、水痕等缺陷。,包裝,包裝：將做完P(guān)SS的晶片放入凈化卡塞盒中