第七講 存儲器概述及主存儲器(SRAM).ppt

1、第4章：存儲器，4.1概述，4.2主存儲器，4.3高速存儲器，4.4輔助存儲器，1。內(nèi)存概述外部特征、性能參數(shù)、分層結(jié)構(gòu)2。靜態(tài)存儲器和動態(tài)存儲器的存儲單元組成一位存儲單元和存儲陣列，多端口靜態(tài)隨機存取存儲器，讀寫定時3，半導體只讀存儲器MROM，可編程只讀存儲器，可編程只讀存儲器，可編程只讀存儲器，閃存4，存儲器芯片組成和主要技術(shù)指標5，存儲器擴展技術(shù)位，字，字位擴展6，奇偶校驗碼，漢明碼，循環(huán)冗余碼，本章的安排，本章要解決的主要問題，1。半導體存儲器的分類和組成，其組件的功能和工作原理，以及讀/寫操作的基本過程。2、靜態(tài)隨機存取存儲器、動態(tài)隨機存取存儲器芯片組成特點、工作過程、典型芯片引腳

2、信號，了解動態(tài)隨機存取存儲器刷新的基本概念。3.半導體存儲器的主要技術(shù)指標，芯片的擴展，中央處理器與半導體存儲器的連接。在現(xiàn)代計算機中，內(nèi)存處于整個計算機的中心位置，原因是：(1)計算機當前正在執(zhí)行的程序和數(shù)據(jù)(臨時存儲在中央處理器寄存器中的除外)存儲在存儲器中。中央處理器直接從內(nèi)存中獲取指令或訪問數(shù)據(jù)。(2)計算機系統(tǒng)中輸入輸出設(shè)備的數(shù)量增加，數(shù)據(jù)傳輸速度加快，因此采用直接存儲器存取技術(shù)和輸入輸出通道技術(shù)在存儲器和輸入輸出系統(tǒng)之間直接傳輸數(shù)據(jù)。(3)具有共享內(nèi)存的多處理器的出現(xiàn)，利用內(nèi)存存儲共享數(shù)據(jù)，實現(xiàn)處理器之間的通信，進一步強化了內(nèi)存作為整個機器中心的地位。因為中央處理器是由高速設(shè)備組成

3、的，所以許多指令的執(zhí)行速度基本上取決于主存的速度。因此，計算機解決問題能力的提高、應(yīng)用范圍的擴大和系統(tǒng)軟件的日益豐富都與主存的技術(shù)發(fā)展密切相關(guān)。簡介，第7講，記憶(1)，記憶分類，記憶概述，記憶層次結(jié)構(gòu)，記憶技術(shù)索引，主記憶(1)，本講的主要內(nèi)容，記憶概述，1。內(nèi)存是計算機系統(tǒng)中的一種存儲設(shè)備，用于存儲程序和數(shù)據(jù)。2.存儲單元：用于存儲1位二進制代碼的最小存儲單元。3.存儲單元：它是中央處理器訪問內(nèi)存的基本單元，由多個具有相同操作屬性的存儲單元組成。4.單元地址：用于識別存儲器中存儲單元的唯一號碼，通過它，中央處理器訪問相應(yīng)的存儲單元。5.字存儲單元：存儲一個字的存儲單元，對應(yīng)的單元地址稱為字

4、地址。6.字節(jié)存儲單元：存儲一個字節(jié)的存儲單元，對應(yīng)的單元地址稱為字節(jié)地址。7.按字尋址計算機：最小可尋址單元是字存儲單元的計算機。8.字節(jié)可尋址計算機：最小可尋址單位為字節(jié)的計算機。9.存儲體：存儲二進制信息的存儲單元的集合。首先，幾個基本概念。第二，記憶分類。1.根據(jù)存儲介質(zhì)，(1)半導體存儲器，(2)磁表面存儲器，(3)磁芯存儲器，(4)光盤存儲器，易失性，TTL，金屬氧化物半導體，磁頭，磁載體，硬(1)存取時間與物理地址無關(guān)(隨機存取)，順序存取存儲磁帶，4.1，2。按存取方式分類，(2)存取時間與物理地址(串行存取)、隨機存取存儲器、只讀存儲器、直接存取存儲器磁盤(可在程序執(zhí)行期間讀

5、寫，但只能在程序執(zhí)行期間讀取)、磁盤、磁帶、光盤和高速緩沖存儲器閃存、存儲、3有關(guān)。按其在計算機中的功能分類，4.1，高，中，小，快，1。記憶的三個主要特征之間的關(guān)系。內(nèi)存的層次結(jié)構(gòu)，4.1，內(nèi)存的用途和特性、虛擬內(nèi)存、虛擬地址、邏輯地址等。存取時間(存儲器存取時間)；存儲周期和存儲帶寬；可靠性；功耗和集成度。主存儲器，1。概述，1。主存儲器的基本組成。主存儲器和中央處理器之間的連接，4.2。高字節(jié)地址是字地址，低字節(jié)地址是字地址，設(shè)置了24條地址線，按字節(jié)和字尋址，如果字長是16位，按字尋址，如果字長是32位，3。主存儲器中存儲單元的地址8 M，4 M，(2 (2)存儲速度，4。主存儲器的技

6、術(shù)規(guī)格，(1)存儲容量，(3)存儲器帶寬，存儲在主存儲器中的二進制代碼的總位數(shù)，讀取時間，寫入時間，存儲器訪問時間，讀取周期，寫入周期，位/秒，4.2，芯片容量，2。半導體存儲器芯片簡介，1 10，4，14，1，13，8，4.2，芯片線選擇，讀/寫控制線，(低電平讀，高電平讀)，(允許讀)，4.2，(允許寫)，存儲器芯片線選擇功能，用16K 1位存儲器芯片構(gòu)成64K 8位存儲器。(2)復制法，4.2、0、0，基本存儲元素是存儲器的基礎(chǔ)和核心，用于存儲一位二進制信息0或1。六個基本存儲單元電路。隨機存取存儲器，1。靜態(tài)隨機存取存儲器基本電路，觸發(fā)器非端，觸發(fā)器原始端，4.2，T1 T4，靜態(tài)隨機

7、存取存儲器基本電路的讀操作，4.2，有效讀選擇，靜態(tài)隨機存取存儲器，4.2，寫選擇有效，(2)靜態(tài)隨機存取存儲器芯片示例，英特爾2114外部特性，存儲容量1K4位，4.2，英特爾21141k4靜態(tài)隨機存取存儲器，(64 164)，3。靜態(tài)隨機存取存儲器芯片示例，英特爾211410244存儲器：4096個基本存儲單元排列成66個。尋址需要10條地址線；x解碼器輸出64條選擇線，分別選擇1-64條線；y解碼器輸出16條選擇線，并選擇1-16列來控制每列的位線控制柵極。英特爾2114內(nèi)存矩陣(64 64)讀取、4.2、4.2、英特爾2114內(nèi)存矩陣(64 64)讀取、4.2、英特爾2114內(nèi)存矩陣(64 64)讀取、4.2、英特爾2114內(nèi)存矩陣(64 64)讀取、4.2、英特爾2114內(nèi)存矩陣(64 64)讀取、15、0、31、16、47、32、63、48、15、0、31 48，4.2，英特爾2114內(nèi)存矩陣(64 64)讀取，0，16，32，48，4.2，英特爾2114