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文檔簡介
1、一、 液-固相變驅(qū)動力,從熱力學(xué)推導(dǎo)系統(tǒng)由液體向固體轉(zhuǎn)變的相變驅(qū)動力G 由于液相自由能G 隨溫度上升而下降的斜率大于固相G的斜率,當(dāng) T Tm 時, 有:GV = Gs GL 0 即:固-液體積自由能之差為相變驅(qū)動力 進(jìn)一步推導(dǎo)可得:,Tm及Hm對一特定金屬或合金為定值,所以過冷度T是影響相變驅(qū)動力的決定因素。過冷度T 越大,凝固相變驅(qū)動力GV 越大。,由麥克斯韋爾熱力學(xué)關(guān)系式:,根據(jù)數(shù)學(xué)上的全微分關(guān)系得:,比較兩式可知:,等壓時,dP=0,,由于熵恒為正值 物質(zhì)自由能G隨溫度上升而下降 又因?yàn)镾LSS,所以:,即:液相自由能G隨溫度上升而下降的斜率大于固相G的斜率。,G = H- ST,所以
2、:GV =GS-GL =(HS- SST )-(HL- SLT ) =(HS- HL )-T(SS- SL ) 即 GV = H - TS 當(dāng)系統(tǒng) 的溫度 T 與平衡凝固點(diǎn) Tm 相差不大時, H -Hm(此處,H 指凝固潛熱,Hm 為熔化潛熱) 相應(yīng)地,S -Sm = -Hm / Tm,代入上式得:,第二節(jié) 均質(zhì)形核,均質(zhì)形核 :形核前液相金屬或合金中無外來固相質(zhì)點(diǎn)而從液相自身發(fā)生形核的過程,所以也稱“自發(fā)形核” (實(shí)際生產(chǎn)中均質(zhì)形核是不太可能的,即使是在區(qū)域精煉的條件下,每1cm3的液相中也有約106個邊長為103個原子的立方體的微小雜質(zhì)顆粒)。 非均質(zhì)形核:依靠外來質(zhì)點(diǎn)或型壁界面提供的襯
3、底進(jìn)行生核過程,亦稱“異質(zhì)形核”或“非自發(fā)形核”。,一、形核功及臨界半徑 二、形核率,一、形核功及臨界半徑,晶核形成時,系統(tǒng)自由能變化由兩部分組成,即作為相變驅(qū)動力的液-固體積自由能之差(負(fù))和阻礙相變的液-固界面能(正): r r*時,rG r = r*處時,G達(dá)到最大值G* r r*時,rG,液相中形成球形晶胚時自由能變化,令: -4r均2GV+8r均=0 得臨界晶核半徑 r*: r* 與T 成反比,即過冷度T 越大,r* 越??; G*與T2成反比,過冷度T 越大,G* 越小。,另一方面,液體中存在“結(jié)構(gòu)起伏”的原子集團(tuán),其統(tǒng)計平均尺寸 r隨溫度降低(T增大)而增大,r與 r* 相交,交點(diǎn)
4、的過冷度即為均質(zhì)形核的臨界過冷度T*(約為0.180.20Tm)。,臨界晶核的表面積為:,即:臨界形核功G*的大小為臨界晶核表面能的三分之一, 它是均質(zhì)形核所必須克服的能量障礙。形核功由熔體中的“能量起伏”提供。因此,過冷熔體中形成的晶核是“結(jié)構(gòu)起伏”及“能量起伏”的共同產(chǎn)物。,而:,所以:,二、形核率,式中,GA為擴(kuò)散激活能 。 T0時,G*,I 0 ; T 增大,G* 下降,I 上升。 對于一般金屬,溫度降到某一程度,達(dá)到臨界過冷度(T*),形核率迅速上升。 計算及實(shí)驗(yàn)均表明: T*0.2Tm,均質(zhì)形核的形核率 與過冷度的關(guān)系,形核率:是單位體積中、單位時間內(nèi)形成的晶核數(shù)目。,第三節(jié) 非均
5、質(zhì)形核,合金液體中存在的大量高熔點(diǎn)微小雜質(zhì),可作為非均質(zhì)形核的基底。晶核依附于夾雜物的界面上形成。這不需要形成類似于球體的晶核,只需在界面上形成一定體積的球缺便可成核。非均質(zhì)形核過冷度T比均質(zhì)形核臨界過冷度T*小得多時就大量成核。 一、非均質(zhì)形核形核功 二、非均質(zhì)形核形核條件,一、 非均質(zhì)形核形核功,非均質(zhì)形核臨界晶核半徑: 與均質(zhì)形核完全相同。 非均質(zhì)形核功,當(dāng)0 時,G異 = 0,此時在無過冷情況下即可形核,當(dāng)180 時, G異 = G均,一般遠(yuǎn)小于180, G異遠(yuǎn)小于G均,二、非均質(zhì)形核形核條件,結(jié)晶相的晶格與雜質(zhì)基底晶格的錯配度的影響 晶格結(jié)構(gòu)越相似,它們之間的界面能越小 ,越小。 雜
6、質(zhì)表面的粗糙度對非均質(zhì)形核的影響 凹面雜質(zhì)形核效率最高,平面次之,凸面最差 。,非均質(zhì)形核、均質(zhì)形核過冷度與形核率,非均質(zhì)形核與均質(zhì)形核時臨界曲率半徑大小相同,但球缺的體積比均質(zhì)形核時體積小得多。所以,液體中晶坯附在適當(dāng)?shù)幕捉缑嫔闲魏?,體積比均質(zhì)臨界核體積小得多時,便可達(dá)到臨界曲率半徑,因此在較小的過冷度下就可以得到較高的形核率。,小結(jié),作業(yè),什么是均質(zhì)形核? 什么是均質(zhì)形核?,第四節(jié) 晶體長大,一、 液-固界面自由能及界面結(jié)構(gòu) 二、 晶體長大方式 三、 晶體長大速度,第四節(jié) 純金屬晶體的長大,當(dāng)金屬液達(dá)到一定過冷度,超過臨界尺寸的晶核成為穩(wěn)定晶核后,由液相到晶體表面上的原子數(shù)目將超過離開晶
7、體表面而進(jìn)入液相的原子數(shù)。于是將進(jìn)入晶體生長階段。 晶體的長大:宏觀長大方式 平面方式長大 樹枝晶方式長大 微觀長大方式 連續(xù)長大 二維長大,一 晶體宏觀長大方式 晶體宏觀長大方式=長大形態(tài) =長大過程中液-固界面的形態(tài) 兩種:平面狀長大,樹枝狀長大 取決于:液-固界面結(jié)構(gòu)的類型,界面前沿液相中溫度分布,(一)平面方式長大 正溫度梯度:液相中,距液-固界面越遠(yuǎn),溫度越高。 因結(jié)晶潛熱只能由固相單向散出,晶體生長的平面狀生長,(二)樹枝晶方式長大 負(fù)溫度梯度:液相中,距液-固界面越遠(yuǎn),溫度越低。 界面熱量可從液、固兩相散失,呈樹枝狀生長.,二 晶體微觀長大方式 晶體長大:液體中原子遷移到晶體表面
8、,即液-固界面向液體中推移的過程。 方式:連續(xù)長大 二維長大 決定于界面結(jié)構(gòu)-界面熱力學(xué)最低的吉布斯自由能,微觀上 固液界面有粗糙和光滑之分 (一)界面自由能的相對變化: 2時,x=0.5處,界面能最小,粗糙界面 2時,x靠近0或1處界面能最小,光滑界面,(二)固-液界面的微觀結(jié)構(gòu),粗糙界面:液-固界面上的原子排列較混亂,原子分布高低不平整,在幾個原子厚度的界面上,液、固兩相原子各占位置的一半。 光滑界面:液-固界面上的原子排列較規(guī)則,界面處兩相截然分開。微觀上界面光滑。,(三)晶體微觀長大方式和長大速率 1 晶體連續(xù)或垂直生長 粗糙界面結(jié)構(gòu),垂直于界面方向長大。 特點(diǎn):長大速度相當(dāng)快,過冷度小 V=K1TK 這種機(jī)制適用于多數(shù)金屬。,2晶體的二維生長 光滑界面結(jié)構(gòu),依靠小臺階接納液態(tài)原子。 長大速度較慢,所需過冷度較垂直長大高 V2=K2 exp(-B/ TK),二維晶核臺階生長機(jī)制: 均勻形核-二維晶核-橫向長大 特點(diǎn):長大不連續(xù),速度慢,3晶體從缺陷處生長 晶體缺陷臺階生長機(jī)制:依靠螺型位錯或?qū)\晶面生長 特點(diǎn):長大連續(xù),速度較慢 V3=K3 T2K,一個晶粒各個界面長大速度不一致,以平均值表示晶體長大速率。,晶體長大速率與過冷度的關(guān)系: 1連續(xù)生長的速度最大 2T很大時 三者趨于一致,小結(jié),異質(zhì)形核 臨界形核尺寸
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