ICT測(cè)試程式標(biāo)準(zhǔn)

1、目錄文 件 修 訂 履 歷 表21.目的32.適用范圍33.權(quán)責(zé)34.相關(guān)參考文件35.名詞定義36 標(biāo)準(zhǔn)3文 件 修 訂 履 歷 表序號(hào)版次文件編號(hào)制修訂內(nèi)容說明制/修訂日期作成審查核準(zhǔn)11.0首次設(shè)定2012.02.15林凡義1. 目的 1.1 為使本公司ICT測(cè)試程式標(biāo)準(zhǔn)化，統(tǒng)一化，特訂定本標(biāo)準(zhǔn)。2. 適用范圍2.1 凡使用于本公司ICT測(cè)試程式均適用之。3. 權(quán)責(zé)3.1 制作單位：ICT治具廠商3.2 維護(hù)單位：ICT工程師3.3 使用單位：ICT測(cè)試員4. 相關(guān)參考文件無(wú)5. 名詞定義 無(wú)6. 標(biāo)準(zhǔn)6.1 測(cè)試參數(shù)6.1.1程序命名方式板號(hào)+小管號(hào).6.1.2自動(dòng)存盤功能設(shè)定10片.

2、 6.1.3 重測(cè)次數(shù)設(shè)為3次. 6.1.4 First pin為1,Last pin設(shè)定為SWB(256)的整數(shù)倍并大 于下針盤的最后一針點(diǎn)數(shù). 6.1.5 OPS檔設(shè)定原則為2(15 55 85),“短路Raw Test-1”字段 打勾,但可視情況調(diào)整.6.1.6 測(cè)試不良報(bào)表打印最大行數(shù)設(shè)為20,打印方式為按F12打印6.2 Open/Short Learning6.2.1若GND與VCC為同一個(gè)Short Group時(shí),在MDA程序加阻抗測(cè)試,期望阻值依機(jī)板阻值而訂,誤差范圍-1%,-10%;一般使用MODE 2, GND pin一般置于Hi-pin,VCC pin一般置于Low-pi

3、n. 6.3 測(cè)試數(shù)據(jù)編輯 6.3.1 程序需對(duì)照BOM表確認(rèn)是否有漏(錯(cuò))KEY或SKIP錯(cuò)誤之現(xiàn)象 6.3.2 確認(rèn)不良零件區(qū)塊(橫行/縱行)之設(shè)定是否與點(diǎn)圖相符.6.3.3 Board View顯示零件面并調(diào)整與M/B 方向一致6.3.4 零件SKIP時(shí),需注明原因,/NC;/NP;/C;/R;/Q;/BP;/M;等6.3.5 所有零件按照J(rèn)RCXLFDQU排序 6.3.6 零件位置上已lay out短路線,若BOM無(wú)零件,則不外加測(cè)試(零件名稱前不加J) 6.3.7 電阻 A. 按照零件值排序(零件名稱前不加J) B. 電阻值010(不包含10)使用Jump方式測(cè)試C. 電阻在101K

4、(不包含1K)誤差范圍+40%,-40%D. 排阻的阻抗低于1K(不包含1K)誤差范圍+40%,-20%E. 電阻值1K誤差范圍+10%,-10%F. 當(dāng)電阻并聯(lián)D,Q,IC時(shí),必須使用MODE 1或MODE 2G. 電阻值1M時(shí),一般使用MODE2誤差范圍+40% -60%H. 熱敏電阻，一般使用MODE 1，誤差范圍+40% -90%I. 蜂鳴器(BUZZER)以阻抗方式測(cè)試,期望值42, 誤差范圍+40%,-40%6.3.8 電容A. 按照零件值排序B. 電容值33P時(shí),全部SKIP,并注明/BP(example:C315/BP) C. 容值2000P時(shí),需將此VCC或GND至于Hi-P

5、in,且需用MODE2,不加隔離點(diǎn)D. 40uF(含)以上之電解電容,一般使用MODE 8測(cè)試E. 電容1uF與0.1uF誤差范圍+80% -60%F. 電容1uF與0.1uF有并聯(lián)情況時(shí),誤差范圍 +80% -60%G. 電容2.2uF & 0.01uF之間的其它電容,誤差范圍+80% -60% H. 電解電容(CE)若有并聯(lián)(CE),誤差范圍+30% -10% ,開啟一個(gè)STEP即可I. 電解電容(CE)若無(wú)并聯(lián)(CE),誤差范圍+30% -30%J. 其它電容誤差范圍+80% -60%K. 小電容并聯(lián)大電容時(shí),小電容之測(cè)試STEP要SkipL. 當(dāng)SMT電容與DIP電容有并聯(lián)時(shí),合理優(yōu)化

6、下限以提高程序?qū)α慵奔目煽ㄐ?6.3.9 震蕩器 A. 震蕩器使用電容方式測(cè)試 6.3.10 電感A.電感使用Jump方式測(cè)試,MODE 0 ,Delay 30 6.3.11二極管A. 二極管,誤差范圍+30% -30% ,一般使用MODE 1, 當(dāng)量測(cè)值小于0.3V時(shí)須加Delay 30B. 二極管需加測(cè)一反向STEP,標(biāo)準(zhǔn)值及實(shí)際值設(shè)1.5V,誤差范圍 1 50% ,MODE 1 C. ZD加測(cè)反向崩潰電壓(約3.9V以上),誤差范圍+50% -30%,MODE 1,Delay30D. LED參數(shù)為Act/Std=2.3V, 誤差范圍+30% -30%, Mode=1, Delay=3

7、06.3.12晶體管A. 一般晶體管(NPN型),使用電壓測(cè)試Step1(BC) Act/Std=0.7V,誤差范圍+50%-50%,Type=Q MODE=1B. 一般晶體管(NPN型),使用電壓測(cè)試Step2(BE) Act/Std=0.7V,誤差范圍+50%-50%,Type=Q MODE=1C. 一般晶體管(NPN型),使用電壓測(cè)試Step3(CEB) Act=5V,Std=0.3V,誤差范圍+30% -1%,隔離點(diǎn)=B,MODE=4D. 一般晶體管(PNP型),使用電壓測(cè)試Step1(CB) Act/Std=0.7V,誤差范圍+50%-50%,Type=Q MODE=1E. 一般晶體

8、管(PNP型),使用電壓測(cè)試Step2(EB) Act/Std=0.7V,誤差范圍+50%-50%,Type=Q MODE=1F. 一般晶體管(PNP型),使用電壓測(cè)試Step3(ECB) Act=5V,Std=0.3V,誤差范圍+30% -1%,隔離點(diǎn)=B,MODE=3G. NMOS-FET電壓測(cè)試Step1(SD) Act/Std=0.7V, 誤差范圍+30% -30% MODE=1H. NMOS-FET電壓測(cè)試Step2(SDG) Act=5V,Std=0.3V, 誤差范圍+30% -1% Delay=50 MODE=4 隔離點(diǎn)=G I. NMOS-FET電壓測(cè)試Step2(SDG)若并

9、聯(lián)Diode時(shí),誤差改為+15% -1% J. PMOS-FET電壓測(cè)試Step1(DS) Act/Std=0.7V, 誤差范圍+30% -30% MODE=1K. PMOS-FET電壓測(cè)試Step2(DSG) Act=5V,Std=0.3V, 誤差范圍+30% -1% Delay=50 MODE=3 隔離點(diǎn)=GL. PMOS-FET電壓測(cè)試Step2(DS)若并聯(lián)Diode時(shí),誤差改為+15% -1% M. ALL MOS-FET于STEP后加入N型or P型 Example:Q12-2-3(N)大(中)型MOSFET加測(cè)一個(gè)電容STEP G-S腳(1-2) or G-D腳(1-3),標(biāo)準(zhǔn)值設(shè)定值為3000PF,用MODE 2測(cè)試, 誤差范圍 -1 30%, R