GB∕T25076-2018太陽(yáng)能電池用硅單晶

ICS29045H 82 .中 華 人 民 共 和 國(guó) 國(guó) 家 標(biāo) 準(zhǔn) GB/T250762018 代替 GB/T250762010 太陽(yáng)能電池用硅單晶 Monocrystallinesiliconforsolarcell2018-09-17發(fā)布 2019-06-01實(shí)施 國(guó) 家 市 場(chǎng) 監(jiān) 督 管 理 總 局 發(fā) 布 中國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會(huì) GB/T250762018 前 言 本標(biāo)準(zhǔn)按照 給出的規(guī)則起草 GB/T1.12009 。 本標(biāo)準(zhǔn)代替 太陽(yáng)電池用硅單晶 與 相比主要技術(shù)變化如下 GB/T250762010 , GB/T250762010 : 將標(biāo)準(zhǔn)名稱 太陽(yáng)電池用硅單晶 修改為 太陽(yáng)能電池用硅單晶 ; 修改了適用范圍 將 適用于直拉摻雜制備的地面空間太陽(yáng)電池用硅單晶 改為 適用于直拉摻 , “ ” “ 雜制備的圓形硅單晶經(jīng)加工成的準(zhǔn)方形或方形硅單晶 產(chǎn)品用于切割成硅片后進(jìn)一步制作地 。 面太陽(yáng)能電池 見(jiàn)第 章 年版的第 章 ”( 1 ,2010 1 ); 增加了引用文件 及 刪 GB/T1551、GB/T14844、GB/T26068、GB/T32651 YS/T28、YS/T679, 除了 見(jiàn)第 章 GB/T1552、GB/T1553、SEMIMF1535 ( 2 ); 增加了牌號(hào)的規(guī)定 見(jiàn) ( 4.1); 將 年版中第 章技術(shù)分類中的 分類和 規(guī)格單獨(dú)列為一章 即增加了 第 章牌號(hào) 2010 4 4.1 4.2 , “ 4 及分類 將按外形分類由原來(lái)的圓形和準(zhǔn)方形 年版的 改為準(zhǔn)方形和方形 刪除了 ”; (2010 4.1) ; 圓形硅單晶規(guī)格 增加了方形硅單晶的規(guī)格 見(jiàn) , ( 4.1、4.2); 刪除了圓形硅單晶的尺寸要求 見(jiàn) 年版的 修改了準(zhǔn)方形硅單晶的端面尺寸要求 ( 2010 4.3.1), 見(jiàn)圖 和表 年版的圖 和表 增加了方形硅單晶的端面尺寸要求 見(jiàn)圖 和表 ( 1 1,2010 1 2), ( 2 2); 將垂直度單列為一條 并增加了 準(zhǔn)方形或方形硅單晶的端面垂直度應(yīng)不大于 的要求 , “ 1 mm” 見(jiàn) ( 5.1.3); 電阻率范圍下限由 改為 型 型 見(jiàn)表 年版的表 0.5cm P 0.2cm、N 0.1cm( 3,2010 3); 修改了硅 單 晶 的 間 隙 氧 含 量 要 求 由 小 于 18 3 改 為 型 應(yīng) 不 大 于 , 1.310 atoms/cm P 1.1 18 3 型應(yīng)不大于 18 3 或由供需雙方協(xié)商確定 見(jiàn) 年版的 10 atoms/cm ,N 1.010 atoms/cm , ( 5.4,2010 4.6); 修改了硅單晶的代位碳含量要求 由不大于 17 3 改為 型應(yīng)不大于 , 1.010 atoms/cm P 1.0 17 3 型應(yīng)不大于 16 3 或由供需雙方協(xié)商確定 見(jiàn) 年 10 atoms/cm ,N 5.010 atoms/cm , ( 5.5,2010 版的 4.7); 晶體完整性中增加了無(wú)滑移位錯(cuò)的要求 見(jiàn) ( 5.6); 增加了硅單晶的體金屬含量的要求 見(jiàn) ( 5.7); 增加了表面質(zhì)量的要求 見(jiàn) ( 5.8); 增加了體金屬和表面質(zhì)量的試驗(yàn)方法 檢驗(yàn)項(xiàng)目及檢驗(yàn)結(jié)果判定的內(nèi)容 見(jiàn) 、 ( 6.10、6.11、7.3、 7.4、7.5.3); 將取樣和抽樣合并改為表格的形式 見(jiàn)表 年版的 和 ( 4,2010 6.4 6.5)。 本標(biāo)準(zhǔn)由全國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì) 與全國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn) (SAC/TC203)化技術(shù)委員會(huì)材料分會(huì) 共同提出并歸口 (SAC/TC203/SC2) 。 本標(biāo)準(zhǔn)起草單位 有研半導(dǎo)體材料有限公司 浙江省硅材料質(zhì)量檢驗(yàn)中心 隆基綠能科技股份有限 : 、 、公司 內(nèi)蒙古中環(huán)光伏材料有限公司 蘇州協(xié)鑫光伏科技有限公司 泰州隆基樂(lè)葉光伏科技有限公司 洛 、 、 、 、陽(yáng)鴻泰半導(dǎo)體有限公司 宜昌南玻硅材料有限公司 有色金屬技術(shù)經(jīng)濟(jì)研究院 、 、 。 本標(biāo)準(zhǔn)主要起草人 孫燕 張 果 虎 樓 春 蘭 楊 素 心 劉 培 東 宮 龍 飛 鄧 浩 李 建 弘 李 洋 蔣 建 國(guó) : 、 、 、 、 、 、 、 、 、 、張鵬 。 本標(biāo)準(zhǔn)所代替標(biāo)準(zhǔn)的歷次版本發(fā)布情況為 : GB/T250762010。 GB/T250762018 太陽(yáng)能電池用硅單晶1 范圍 本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了太陽(yáng)能電池用硅單晶 簡(jiǎn)稱硅單晶 的牌號(hào) 分類 要求 試驗(yàn)方法 檢驗(yàn)規(guī)則以及標(biāo) ( ) 、 、 、 、 志 包裝 運(yùn)輸 貯存 質(zhì)量證明書(shū)和訂貨單 或合同 內(nèi)容 、 、 、 、 ( ) 。 本標(biāo)準(zhǔn)適用于直拉摻雜制備的圓形硅單晶經(jīng)加工制成的準(zhǔn)方形或方形硅單晶 產(chǎn)品經(jīng)切割成硅片 。 后進(jìn)一步制作太陽(yáng)能電池 。2 規(guī)范性引用文件 下列文件對(duì)于本文件的應(yīng)用是必不可少的 凡是注日期的引用文件 僅注日期的版本適用于本文 。 , 件 凡是不注日期的引用文件 其最新版本 包括所有的修改單 適用于本文件 。 , ( ) 。 非本征半導(dǎo)體材料導(dǎo)電類型測(cè)試方法 GB/T1550 硅單晶電阻率測(cè)定方法 GB/T1551 硅晶體完整性化學(xué)擇優(yōu)腐蝕檢驗(yàn)方法 GB/T1554 半導(dǎo)體單晶晶向測(cè)定方法 GB/T1555 硅晶體中間隙氧含量的紅外吸收測(cè)量方法 GB/T1557 硅中代位碳原子含量紅外吸收測(cè)量方法 GB/T1558 半導(dǎo)體硅片電阻率及硅薄膜薄層電阻測(cè)試方法 非接觸渦流法 GB/T6616 硅片徑向電阻率變化的測(cè)量方法 GB/T11073 硅片直徑測(cè)量方法 GB/T14140 半導(dǎo)體材料術(shù)語(yǔ) GB/T14264 半導(dǎo)體材料牌號(hào)表示方法 GB/T14844 硅片載流子復(fù)合壽命的無(wú)接觸微波反射光電導(dǎo)衰減測(cè)試方法 GB/T26068 采用高質(zhì)量分辨率輝光放電質(zhì)譜法測(cè)量太陽(yáng)能級(jí)硅中痕量元素的測(cè)試方法 GB/T32651 硅片包裝 YS/T28 非本征半導(dǎo)體中少數(shù)載流子擴(kuò)散長(zhǎng)度的穩(wěn)態(tài)表面光