第6節(jié) Xilinx FPGA芯片底層單元的使用.doc

第6節(jié) Xilinx FPGA芯片底層單元的使用 Xilinx FPGA 芯片 4.6.1 Xilinx全局時(shí)鐘網(wǎng)絡(luò)的使用 在 Xilinx 系列 FPGA 產(chǎn)品中，全局時(shí)鐘網(wǎng)絡(luò)是一種全局布線資源，它可以保證時(shí)鐘信號(hào)到達(dá)各個(gè)目標(biāo)邏輯單元的時(shí)延基本相同。其時(shí)鐘分配樹結(jié)構(gòu)如圖4-108所示。圖4-108Xilinx FPGA全局時(shí)鐘分配樹結(jié)構(gòu)針對(duì)不同類型的器件，Xilinx公司提供的全局時(shí)鐘網(wǎng)絡(luò)在數(shù)量、性能等方面略有區(qū)別，下面以Virtex-4系列芯片為例，簡(jiǎn)單介紹FPGA全局時(shí)鐘網(wǎng)絡(luò)結(jié)構(gòu)。 Virtex-4系列FPGA利用1.2V、90nm三柵極氧化層技術(shù)制造而成，與前一代器件相比，具備靈活的時(shí)鐘解決方案，多達(dá)80個(gè)獨(dú)立時(shí)鐘與20個(gè)數(shù)字時(shí)鐘管理器，差分全局時(shí)鐘控制技術(shù)將歪斜與抖動(dòng)降至最低。以全銅工藝實(shí)現(xiàn)的全局時(shí)鐘網(wǎng)絡(luò)，加上專用時(shí)鐘緩沖與驅(qū)動(dòng)結(jié)構(gòu)，從而可使全局時(shí)鐘到達(dá)芯片內(nèi)部所有的邏輯可配置單元，且I/O單元以及塊RAM的時(shí)延和抖動(dòng)最小，可滿足高速同步電路對(duì)時(shí)鐘觸發(fā)沿的苛刻需求。 在FPGA設(shè)計(jì)中，F(xiàn)PGA全局時(shí)鐘路徑需要專用的時(shí)鐘緩沖和驅(qū)動(dòng)，具有最小偏移和最大扇出能力，因此最好的時(shí)鐘方案是由專用的全局時(shí)鐘輸入引腳驅(qū)動(dòng)的單個(gè)主時(shí)鐘，去鐘控設(shè)計(jì)項(xiàng)目中的每一個(gè)觸發(fā)器。只要可能就應(yīng)盡量在設(shè)計(jì)項(xiàng)目中采用全局時(shí)鐘，因?yàn)閷?duì)于一個(gè)設(shè)計(jì)項(xiàng)目來(lái)說(shuō)，全局時(shí)鐘是最簡(jiǎn)單和最可預(yù)測(cè)的時(shí)鐘。 在軟件代碼中，可通過(guò)調(diào)用原語(yǔ) IBUFGP來(lái)使用全局時(shí)鐘。IBUFGP的基本用法是： IBUFGP U1(.I(clk_in), .O(clk_out); 全局時(shí)鐘網(wǎng)絡(luò)對(duì)FPGA設(shè)計(jì)性能的影響很大，所以本書在第11章還會(huì)更深入、更全面地介紹全局時(shí)鐘網(wǎng)絡(luò)以及相關(guān)使用方法。 4.6.2 DCM模塊的使用 1DCM模塊的組成和功能介紹 數(shù)字時(shí)鐘管理模塊（Digital Clock Manager，DCM）是基于Xilinx的其他系列器件所采用的數(shù)字延遲鎖相環(huán)（DLL，Delay Locked Loop）模塊。在時(shí)鐘的管理與控制方面，DCM與DLL相比，功能更強(qiáng)大，使用更靈活。DCM的功能包括消除時(shí)鐘的延時(shí)、頻率的合成、時(shí)鐘相位的調(diào)整等系統(tǒng)方面的需求。DCM的主要優(yōu)點(diǎn)在于：實(shí)現(xiàn)零時(shí)鐘偏移（Skew），消除時(shí)鐘分配延遲，并實(shí)現(xiàn)時(shí)鐘閉環(huán)控制；時(shí)鐘可以映射到PCB上用于同步外部芯片，這樣就減少了對(duì)外部芯片的要求，將芯片內(nèi)外的時(shí)鐘控制一體化，以利于系統(tǒng)設(shè)計(jì)。對(duì)于DCM模塊來(lái)說(shuō)，其關(guān)鍵參數(shù)為輸入時(shí)鐘頻率范圍、輸出時(shí)鐘頻率范圍、輸入/輸出時(shí)鐘允許抖動(dòng)范圍等。 DCM共由四部分組成，如圖M所示。其中最底層仍采用成熟的DLL模塊；其次分別為數(shù)字頻率合成器（DFS，Digital Frequency Synthesizer）、數(shù)字移相器（DPS，Digital Phase Shifter）和數(shù)字頻譜擴(kuò)展器（DSS，Digital Spread Spectrum）。不同的芯片模塊的DCM輸入頻率范圍是不同的，例如：。 圖4-109 DCM功能塊和相應(yīng)的信號(hào) 1）DLL模塊 DLL主要由一個(gè)延時(shí)線和控制邏輯組成。延時(shí)線對(duì)時(shí)鐘輸入端CLKIN產(chǎn)生一個(gè)延時(shí)，時(shí)鐘分布網(wǎng)線將該時(shí)鐘分配到器件內(nèi)的各個(gè)寄存器和時(shí)鐘反饋端CLKFB；控制邏輯在反饋時(shí)鐘到達(dá)時(shí)采樣輸入時(shí)鐘以調(diào)整二者之間的偏差，實(shí)現(xiàn)輸入和輸出的零延時(shí)，如圖4-110所示。具體工作原理是：控制邏輯在比較輸入時(shí)鐘和反饋時(shí)鐘的偏差后，調(diào)整延時(shí)線參數(shù)，在輸入時(shí)鐘后不停地插入延時(shí)，直到輸入時(shí)鐘和反饋時(shí)鐘的上升沿同步，鎖定環(huán)路進(jìn)入“鎖定”狀態(tài)，只要輸入時(shí)鐘不發(fā)生變化，輸入時(shí)鐘和反饋時(shí)鐘就保持同步。DLL可以被用來(lái)實(shí)現(xiàn)一些電路以完善和簡(jiǎn)化系統(tǒng)級(jí)設(shè)計(jì)，如提供零傳播延遲，低時(shí)鐘相位差和高級(jí)時(shí)鐘區(qū)域控制等。 圖4-110 DLL簡(jiǎn)單模型示意圖 在Xilinx芯片中，典型的DLL標(biāo)準(zhǔn)原型如圖4-111所示，其管腳分別說(shuō)明如下： 圖4-111 Xilinx DLL的典型模型示意圖 CLKIN（源時(shí)鐘輸入）：DLL輸入時(shí)鐘信號(hào)，通常來(lái)自IBUFG或BUFG。 CLKFB（反饋時(shí)鐘輸入）：DLL時(shí)鐘反饋信號(hào)，該反饋信號(hào)必須源自CL K0或CL K2X，并通過(guò)IBUFG或BUFG相連。 RST（復(fù)位）：控制DLL的初始化，通常接地。 CLK0（同頻信號(hào)輸出）：與CL KIN無(wú)相位偏移；CL K90與CL KIN 有90度相位偏移；CL K180與CL KIN 有180度相位偏移；CL K270與CL KIN有270度相位偏移。 CLKDV（分頻輸出）：DLL輸出時(shí)鐘信號(hào)，是CLKIN的分頻時(shí)鐘信號(hào)。DLL支持的分頻系數(shù)為1.5，2，2.5，3，4，5，8 和16。 CLK2X（兩倍信號(hào)輸出）：CLKIN的2倍頻時(shí)鐘信號(hào)。 LOCKED（輸出鎖存）：為了完成鎖存，DLL可能要檢測(cè)上千個(gè)時(shí)鐘周期。當(dāng)DLL完成鎖存之后，LOCKED有效。 在FPGA 設(shè)計(jì)中，消除時(shí)鐘的傳輸延遲，實(shí)現(xiàn)高扇出最簡(jiǎn)單的方法就是用DLL，把CLK0 與CLKFB相連即可。利用一個(gè)DLL可以實(shí)現(xiàn)2倍頻輸出，如圖4-112所示。利用兩個(gè)DLL 就可以實(shí)現(xiàn)4倍頻輸出，如圖4-113所示。 圖4-112 Xilinx DLL 2倍頻典型模型示意圖 圖4-113 Xilinx DLL 4倍頻典型模型示意圖 2）數(shù)字頻率合成器 DFS可以為系統(tǒng)產(chǎn)生豐富的頻率合成時(shí)鐘信號(hào)，輸出信號(hào)為CLKFB和CLKFX180，可提供輸入時(shí)鐘頻率分?jǐn)?shù)倍或整數(shù)倍的時(shí)鐘輸出頻率方案，輸出頻率范圍為1.5320 MHz（不同芯片的輸出頻率范圍是不同的）。這些頻率基于用戶自定義的兩個(gè)整數(shù)比值，一個(gè)是乘因子（CLKFX_ MULTIPLY），另外一個(gè)是除因子（CLKFX_ DIVIDE），輸入頻率和輸出頻率之間的關(guān)系為： 比如取CLKFX_MULTIPLY = 3，CLKFX_DIVIDE = 1，PCB上源時(shí)鐘為100 MHz，通過(guò)DCM 3倍頻后，就能驅(qū)動(dòng)時(shí)鐘頻率在300 MHz的FPGA，從而減少了板上的時(shí)鐘路徑，簡(jiǎn)化板子的設(shè)計(jì)，提供更好的信號(hào)完整性。 3） 數(shù)字移相器 DCM具有移動(dòng)時(shí)鐘信號(hào)相位的能力，因此能夠調(diào)整I/O信號(hào)的建立和保持時(shí)間，能支持對(duì)其輸出時(shí)鐘進(jìn)行0度、90度、180度、270度的相移粗調(diào)和相移細(xì)調(diào)。其中，相移細(xì)調(diào)對(duì)相位的控制可以達(dá)到1%輸入時(shí)鐘周期的精度（或者50 ps），并且具有補(bǔ)償電壓和溫度漂移的動(dòng)態(tài)相位調(diào)節(jié)能力。對(duì)DCM輸出時(shí)鐘的相位調(diào)整需要通過(guò)屬性控制PHASE_SHIFT來(lái)設(shè)置。PS設(shè)置范圍為-255到+255，比如輸入時(shí)鐘為200 MHz，需要將輸出時(shí)鐘調(diào)整+ 0.9 ns的話，PS =（0.9ns/ 5ns）256 = 46。如果PHASE_ SHIFT值是一個(gè)負(fù)數(shù)，則表示時(shí)鐘輸出應(yīng)該相對(duì)于CLKIN向后進(jìn)行相位移動(dòng)；如果PHASE_SHIFT是一個(gè)正值，則表示時(shí)鐘輸出應(yīng)該相對(duì)于CLKIN向前進(jìn)行相位移動(dòng)。 移相用法的原理圖與倍頻用法的原理圖很類似，只用把CLK2X輸出端的輸出緩存移到CLK90、CLK180或者CLK270端即可。利用原時(shí)鐘和移相時(shí)鐘與計(jì)數(shù)器相配合也可以產(chǎn)生相應(yīng)的倍頻。 4） 數(shù)字頻譜合成器 Xilinx公司第一個(gè)提出利用創(chuàng)新的擴(kuò)頻時(shí)鐘技術(shù)來(lái)減少電磁干擾（EMI）噪聲輻射的可編程解決方案。最先在FPGA中實(shí)現(xiàn)電磁兼容的EMIControl技術(shù)，是利用數(shù)字?jǐn)U頻技術(shù)（DSS）通過(guò)擴(kuò)展輸出時(shí)鐘頻率的頻譜來(lái)降低電磁干擾，減少用戶在電磁屏蔽上的投資。數(shù)字?jǐn)U頻（DSS）技術(shù)通過(guò)展寬輸出時(shí)鐘的頻譜，來(lái)減少EMI和達(dá)到FCC要求。這一特點(diǎn)使設(shè)計(jì)者可極大地降低系統(tǒng)成本，使電路板重新設(shè)計(jì)的可能性降到最小，并不再需要昂貴的屏蔽，從而縮短了設(shè)計(jì)周期。 2DCM模塊IP Core的使用 例4-7 在ISE中調(diào)用DCM模塊，完成50MHz時(shí)鐘信號(hào)到75MHz時(shí)鐘信號(hào)的轉(zhuǎn)換。 1）在源文件進(jìn)程中，雙擊“Create New Source”；然后在源文件窗口，選擇“IP (CoreGen & Architecture ClockinggWizard)”，輸入文件名“my_dcm”；再點(diǎn)擊“Next”，在選擇類型窗口中，“FPGA Features and Design Virtex-4”，然后選擇“Single DCM ADV v9.1i”，如圖4-114所示。g 圖114 新建DCM模塊IP Core向?qū)疽鈭D 點(diǎn)擊“Next”，“Finish”進(jìn)入Xilinx 時(shí)鐘向?qū)У慕⒋翱?，如圖4-65所示。ISE默認(rèn)選中CLK0和 LOCKED這兩個(gè)信號(hào)，用戶根據(jù)自己需求添加輸出時(shí)鐘。在“Input Clock Frequency”輸入欄中敲入輸入時(shí)鐘的頻率或周期，單位分別是MHz和ns，其余配置保留默認(rèn)值。為了演示，這里添加了CLKFX 信號(hào)，并設(shè)定輸入時(shí)鐘為單端信號(hào)，頻率為50MHz，其余選項(xiàng)保持默認(rèn)值。圖-115 DCM模塊配置向?qū)Ы缑?點(diǎn)擊“Next”，進(jìn)入時(shí)鐘緩存窗口，如圖4-116所示。默認(rèn)配置為DCM輸出添加全局時(shí)鐘緩存以保證良好的時(shí)鐘特性。如果設(shè)計(jì)全局時(shí)鐘資源，用戶亦可選擇“Customize buffers”自行編輯輸出緩存。一般選擇默認(rèn)配置即可。圖4-116 DCM模塊時(shí)鐘緩存配置向?qū)Ы缑?點(diǎn)擊“Next”，進(jìn)入時(shí)鐘頻率配置窗口，如圖4-117所示。鍵入輸出頻率的數(shù)值，或者將手動(dòng)計(jì)算的分頻比輸入。最后點(diǎn)擊“Next”，“Finish”即可完成DCM模塊IP Core的全部配置。本例直接鍵入輸出頻率為75MHz即可。圖4-117 指定 DCM 模塊的輸出頻率 經(jīng)過(guò)上述步驟，即可在源文件進(jìn)程中看到“my_dcm.xaw”文件。剩余的工作就是在設(shè)計(jì)中調(diào)用該DCM IP Core，其例化代碼如下： module dcm_top( CLKIN_IN, RST_IN, CLKFX_OUT, CLKIN_IBUFG_OUT, CLK0_OUT, LOCKED_OUT); input CLKIN_IN; input RST_IN; output CLKFX_OUT; output CLKIN_IBUFG_OUT; output CLK0_OUT; output LOCKED_OUT; mydcm dcm1( .CLKIN_IN(CLKIN_IN), .RST_IN(RST_IN), .CLKFX_OUT(CLKFX_OUT), .CLKIN_IBUFG_OUT(CLKIN_IBUFG_OUT), .CLK0_OUT(CLK0_OUT), .LOCKED_OUT(LOCKED_OUT) ); endmodule 上述代碼經(jīng)過(guò)綜合Synplify Pro綜合后，得到的RTL級(jí)結(jié)構(gòu)圖如圖4-118所示。圖4-118 DCM模塊的RTL結(jié)構(gòu)示意圖上述代碼經(jīng)過(guò)ModelSim仿真后，其局部仿真結(jié)果如圖4-119所示。從中可以看出，當(dāng)LOCKED_OUT信號(hào)變高時(shí)，DCM模塊穩(wěn)定工作，輸出時(shí)鐘頻率CLKFX_OUT為輸入時(shí)鐘CLK_IN頻率的1.5倍，完成了預(yù)定功能。需要注意的是，復(fù)位信號(hào)RST_IN是高有效。圖4-119 DCM的仿真結(jié)果示意圖在實(shí)際中，如果在一片F(xiàn)PGA內(nèi)使用兩個(gè)DCM，那么時(shí)鐘從一個(gè)clk輸入，再引到兩個(gè)DCM的clk_in。這里，在DCM模塊操作時(shí)，需要注意兩點(diǎn)：首先，用CoreGen生成DCM模塊的時(shí)候，clk_in源是內(nèi)部的，不能直接連接到管腳，需要添加緩沖器；其次，手動(dòng)例化一個(gè)IBUFG，然后把IBUFG的輸入連接到兩個(gè)DCM的clk_in。通常，如果沒(méi)有設(shè)置clk_in 源為內(nèi)部的，而是完全按照單個(gè)DCM的使用流程，就會(huì)造成clk_in信號(hào)有多個(gè)驅(qū)動(dòng)。此時(shí)，ISE不能做到兩個(gè)DCM模塊輸出信號(hào)的相位對(duì)齊，只能做到一個(gè)DCM的輸出是相位對(duì)齊的。而時(shí)鐘管腳到兩個(gè)DCM的路徑和DCM輸出的路徑都有不同的延時(shí)，因此如果用戶對(duì)相位還有要求，就需要自己手動(dòng)調(diào)整DCM模塊在芯片中的位置。4.6.3 Xilinx內(nèi)嵌快存儲(chǔ)器的使用 Xilinx公司提供了大量的存儲(chǔ)器資源，包括了內(nèi)嵌的塊存儲(chǔ)器、分布式存儲(chǔ)器以及16位的移位寄存器。利用這些資源可以生成深度、位寬可配置的RAM、ROM、FIFO以及移位寄存器等存儲(chǔ)邏輯。其中，塊存儲(chǔ)器是硬件存儲(chǔ)器，不占用任何邏輯資源，其余兩類都是Xilinx專有的存儲(chǔ)結(jié)構(gòu)，由FPGA芯片的查找表和觸發(fā)器資源構(gòu)建的，每個(gè)查找表可構(gòu)成16 1位的分布式存儲(chǔ)器或移位寄存器。一般來(lái)講，塊存儲(chǔ)器是寶貴的資源，通常用于大數(shù)據(jù)量的應(yīng)用場(chǎng)合，而其余兩類用于小數(shù)據(jù)量環(huán)境。 1塊存儲(chǔ)器的組成和功能介紹 在Xilinx FPGA中，塊RAM是按照列來(lái)排列的，這樣保證了每個(gè)CLB單元周圍都有比較接近的塊RAM用于存儲(chǔ)和交換數(shù)據(jù)。與塊RAM接近的是硬核乘加單元，這樣不僅有利于提高乘法的運(yùn)算速度，還能形成微處理器的雛形，在數(shù)字信號(hào)處理領(lǐng)域非常實(shí)用。例如，在Spartan 3E系列芯片中，塊RAM分布于整個(gè)芯片的邊緣，其外部一般有兩列CLB，如圖4-120所示，可直接對(duì)輸入數(shù)據(jù)進(jìn)行大規(guī)模緩存以及數(shù)據(jù)同步操作，便于實(shí)現(xiàn)各種邏輯操作。 圖4-120 Spartan3E系統(tǒng)芯片中塊RAM的分布圖 塊RAM幾乎是FPGA器件中除了邏輯資源之外用得最多的功能塊，Xilinx的主流 FPGA芯片內(nèi)部都集成了數(shù)量不等的塊RAM硬核資源，速度可以達(dá)到數(shù)百兆赫茲，不會(huì)占用額外的CLB資源，而且可以在ISE環(huán)境的IP核生成器中靈活地對(duì)RAM進(jìn)行配置，構(gòu)成單端口RAM、簡(jiǎn)單雙口RAM、真正雙口RAM、ROM（在RAM中存入初值）和FIFO等應(yīng)用模式，如圖4-121所示。同時(shí)，還可以將多個(gè)塊RAM通過(guò)同步端口連接起來(lái)構(gòu)成容量更大的塊RAM。 圖4-121 塊RAM組合操作示意圖 1）單端口RAM模式 單端口RAM的模型如圖4-122所示，只有一個(gè)時(shí)鐘源CLK，WE為寫使能信號(hào)，EN為單口RAM使能信號(hào)，SSR為清零信號(hào)，ADDR為地址信號(hào)，DI和DO分別為寫入和讀出數(shù)據(jù)信號(hào)。 圖4-122 Xilinx單端塊RAM的示意模型 單端口RAM模式支持非同時(shí)的讀寫操作。同時(shí)每個(gè)塊RAM可以被分為兩部分，分別實(shí)現(xiàn)兩個(gè)獨(dú)立的單端口RAM。需要注意的是，當(dāng)要實(shí)現(xiàn)兩個(gè)獨(dú)立的單端口RAM模塊時(shí)，首先要保證每個(gè)模塊所占用的存儲(chǔ)空間小于塊RAM存儲(chǔ)空間的1/2。在單端口RAM配置中，輸出只在read-during-write模式有效，即只有在寫操作有效時(shí)，寫入到RAM的數(shù)據(jù)才能被讀出。當(dāng)輸出寄存器被旁路時(shí)，新數(shù)據(jù)在其被寫入時(shí)的時(shí)鐘上升沿有效。 2）簡(jiǎn)單的雙端口RAM 簡(jiǎn)單雙端口RAM模型如圖4-123所示，圖中上邊的端口只寫，下邊的端口只讀，因此這種RAM也被稱為偽雙端口RAM（Pseudo Dual Port RAM）。這種簡(jiǎn)單雙端口RAM模式也支持同時(shí)的讀寫操作。 圖4-123 Xilinx簡(jiǎn)單雙端口塊RAM的示意模型 塊RAM支持不同的端口寬度設(shè)置，允許讀端口寬度與寫端口寬度不同。這一特性有著廣泛地應(yīng)用，例如：不同總線寬度的并串轉(zhuǎn)換器等。在簡(jiǎn)單雙端口RAM模式中，塊RAM具有一個(gè)寫使能信號(hào)wren和一個(gè)讀使能信號(hào)rden，當(dāng)rden為高電平時(shí)，讀操作有效。當(dāng)讀使能信號(hào)無(wú)效時(shí)，當(dāng)前數(shù)據(jù)被保存在輸出端口。 當(dāng)讀操作和寫操作同時(shí)對(duì)同一個(gè)地址單元時(shí)，簡(jiǎn)單雙口RAM的輸出或者是不確定值，或者是存儲(chǔ)在此地址單元的原來(lái)的數(shù)據(jù)。 3）真正雙端口RAM模式 真正雙端口RAM模型如圖4-124所示，圖中上邊的端口A和下邊的端口B都支持讀寫操作，WEA、WEB信號(hào)為高時(shí)進(jìn)行寫操作，低為讀操作。同時(shí)它支持兩個(gè)端口讀寫操作的任何組合：兩個(gè)同時(shí)讀操作、兩個(gè)端口同時(shí)寫操作或者在兩個(gè)不同的時(shí)鐘下一個(gè)端口執(zhí)行寫操作，另一個(gè)端口執(zhí)行讀操作。 圖4-124 Xilinx真正雙端口塊RAM的示意模型 真正雙端口RAM模式在很多應(yīng)用中可以增加存儲(chǔ)帶寬。例如，在包含嵌入式處理器MiroBlaze和DMA控制器系統(tǒng)中，采用真正雙端口RAM模式會(huì)很方便；相反，如果在這樣的一個(gè)系統(tǒng)中，采用簡(jiǎn)單雙端口RAM模式，當(dāng)處理器和DMA控制器同時(shí)訪問(wèn)RAM時(shí)，就會(huì)出現(xiàn)問(wèn)題。真正雙端口RAM模式支持處理器和DMA控制器同時(shí)訪問(wèn)，這個(gè)特性避免了采用仲裁的麻煩，同時(shí)極大地提高了系統(tǒng)的帶寬。 一般來(lái)講，在單個(gè)塊RAM實(shí)現(xiàn)的真正雙端口RAM模式中，能達(dá)到的最寬數(shù)據(jù)位為36比特*512，但可以采用級(jí)聯(lián)多個(gè)塊RAM的方式實(shí)現(xiàn)更寬數(shù)據(jù)位的雙端口RAM。當(dāng)兩個(gè)端口同時(shí)向同一個(gè)地址單元寫入數(shù)據(jù)時(shí)，寫沖突將會(huì)發(fā)生，這樣存入該地址單元的信息將是未知的。要實(shí)現(xiàn)有效地向同一個(gè)地址單元寫入數(shù)據(jù)，A端口和B端口時(shí)鐘上升沿的到來(lái)之間必須滿足一個(gè)最小寫周期時(shí)間間隔。因?yàn)樵趯憰r(shí)鐘的下降沿，數(shù)據(jù)被寫入塊RAM中，所以A端口時(shí)鐘的上升沿要比B端口時(shí)鐘的上升沿晚到來(lái)1/2個(gè)最小寫時(shí)鐘周期，如果不滿足這個(gè)時(shí)間要求，則存入此地址單元的數(shù)據(jù)無(wú)效。 4）ROM模式 塊RAM還可以配置成ROM，可以使用存儲(chǔ)器初始化文件（.coe）對(duì)ROM進(jìn)行初始化，在上電后使其內(nèi)部的內(nèi)容保持不變，即實(shí)現(xiàn)了ROM功能。 5）FIFO模式 FIFO即先入先出，其模型如圖4-125所示。在FIFO具體實(shí)現(xiàn)時(shí)，數(shù)據(jù)存儲(chǔ)的部分是采用簡(jiǎn)單雙端口模式操作的，一個(gè)端口只寫數(shù)據(jù)而另一個(gè)端口只讀數(shù)據(jù)，另外在RAM（塊RAM和分布式RAM）周圍加一些控制電路來(lái)輸出指示信息。FIFO最重要的特征是具備“滿（FULL）”和“空（EMPTY）”的指示信號(hào)，當(dāng)FULL信號(hào)有效時(shí)（一般為高電平），就不能再往FIFO中寫入數(shù)據(jù)，否則會(huì)造成數(shù)據(jù)丟失；當(dāng)EMPTY信號(hào)有效時(shí)（一般為高電平），就不能再?gòu)腇IFO中讀取數(shù)據(jù)，此時(shí)輸出端口處于高阻態(tài)。 圖4-125 Xilinx FIFO模塊的示意模型 2塊RAM IP Core的使用 塊RAM已在本書第3章有過(guò)介紹，這里就不再贅述。 3ROM存儲(chǔ)器IP Core的使用 對(duì)于ROM模塊，主要是生成相應(yīng)的.coe文件。下面以一個(gè)實(shí)例介紹如何借助MATLAB生成ROM的.coe文件。 例4-8 生成定點(diǎn)正余弦波形數(shù)值，形成.coe文件并加載到塊ROM中。 整體過(guò)程主要分為下面的3步。 首先，利用MATLAB計(jì)算出正余弦波形