光伏單晶硅項(xiàng)目可行性報告書

太陽能光伏 新能源 產(chǎn)業(yè) 單晶硅項(xiàng)目可行性報告書 本資料僅供投資參考 2010年 03月作成 年產(chǎn) 200t 單晶硅及 1200 萬片 單晶 硅 切 片生產(chǎn)線項(xiàng)目 可行性報告書 1 目 錄 第一章 總論 .二章 企業(yè)基本情況 . 8 第三章 市場預(yù)測和產(chǎn)品方案 .四章 物料供應(yīng)及生產(chǎn)協(xié)作 .五章 工程技術(shù)方案 .六章 建設(shè)條件、廠址方案 及公用設(shè)施 .七章 環(huán)境保護(hù)、職業(yè)安全衛(wèi)生及消防 .八章 節(jié)能 . 56 第九章 企業(yè)組織和勞動定員 . 58 第 十章 項(xiàng)目實(shí)施進(jìn)度建議 .十一章 投資估算及資金籌措 .十二章 財務(wù)評價 .表 : 備清單 年產(chǎn) 200t 單晶硅及 1200 萬片 單晶 硅 切 片生產(chǎn)線項(xiàng)目 可行性報告書 2 第一章 總 論 目概況 項(xiàng)目名稱： *有限公司年產(chǎn) 200200萬片單晶硅切片 生產(chǎn)線項(xiàng)目 新建企業(yè)名稱： *有限公司 項(xiàng)目負(fù)責(zé)人： * 項(xiàng)目建設(shè)地點(diǎn)： * 硅是地球上儲藏最豐富的材料之一，從 19 世紀(jì)科學(xué)家們發(fā)現(xiàn)了晶體硅的半導(dǎo)體特性后，它幾乎改變了一切，甚至人類的思維。直到上世紀(jì) 60 年代開始，硅材料就取代了原有鍺材料。硅材料 因其具有耐高溫和抗輻射性能較好，特別適宜制作大功率器件的特性而成為應(yīng)用最多的一種半導(dǎo)體材料，目前的集成電路半導(dǎo)體器件大多數(shù)是用硅材料制造的。 現(xiàn)在，我們的生活中處處可見“硅”的身影和作用，晶體硅太陽能電池是近 15 年來形成產(chǎn)業(yè)化最快的。 熔 融的單質(zhì)硅在凝固時硅原子以金剛石晶格排列成許多晶核，如果這些晶核長成晶面取向相同的晶粒，則這些晶粒平行結(jié)合起來便結(jié)晶成單晶硅。 單晶硅的制法通常是先制得多晶硅或無定形硅，然后用直拉法或懸浮區(qū)熔法從熔體中生長出棒狀單晶硅。 單晶硅棒是生產(chǎn)單晶硅片的原材料，隨著國內(nèi)和國際市場對單晶硅片需求量的快速增加，單晶硅棒的市場需求也呈快速增長的趨勢。 年產(chǎn) 200t 單晶硅及 1200 萬片 單晶 硅 切 片生產(chǎn)線項(xiàng)目 可行性報告書 3 單晶硅圓片按其直徑分為 6英寸、 8英寸、 12英寸（ 300 毫米）及 18英寸（ 450毫米）等。 直徑越大的圓片，所能刻制的集成電路越多，芯片的成本也就越低 。但大尺寸晶片對材 料和技術(shù)的要求也越高。單晶硅按晶體生長方法的不同，分為直拉法（ 區(qū)熔法（ 外延法。直拉法、區(qū)熔法生長單晶硅棒材，外延法生長單晶硅薄膜。直拉法生長的單晶硅主要用于半導(dǎo)體集成電路、二極管、外延片襯底、太陽能電池。目前晶體直徑可控制在 3 8英寸。區(qū)熔法單晶主要用于高壓大功率可控整流器件領(lǐng)域，廣泛用于大功率輸變電、電力機(jī)車、整流、變頻、機(jī)電一體化、節(jié)能燈、電視機(jī)等系列產(chǎn)品。目前晶體直徑可控制在 3 6英寸。外延片主要用于集成電路領(lǐng)域。 由于成本和性能的原因，直拉法（ 晶硅材料應(yīng)用最廣。在 業(yè)中所用的材料主要是 儲器電路通常使用 光片，因成本較低。邏輯電路一般使用價格較高的外延片，因其在 造中有更好的適用性并具有消除 能力。 單晶硅也稱 硅 單晶 ，是電子信息材料中最基礎(chǔ)性材料，屬半導(dǎo)體材料類。單晶硅已滲透到國民經(jīng)濟(jì)和國防科技中各個領(lǐng)域，當(dāng)今全球超過 2000億美元的電子通信半導(dǎo)體市場中 95%以上的半導(dǎo)體器件及 99%以上的集成電路用硅。 高純的單晶硅棒是單晶硅太陽電池的原料，硅純度要求 單晶硅太陽電池是當(dāng)前開發(fā)得最快的一種太陽電池，它的構(gòu) 和生產(chǎn)工藝已定型，產(chǎn)品已廣泛用于空間和地面。為了降低生產(chǎn)成本，現(xiàn)在地面應(yīng)用的太陽電池等采用太陽能級的單晶硅棒，材料性能指標(biāo)有所放寬。有的也可使年產(chǎn) 200t 單晶硅及 1200 萬片 單晶 硅 切 片生產(chǎn)線項(xiàng)目 可行性報告書 4 用半導(dǎo)體器件加工的頭尾料和廢次單晶硅材料，經(jīng)過復(fù)拉制成太陽電池專用的單晶硅棒。 單晶硅是轉(zhuǎn)化太陽能、電能的主要材料。在日常生活里，單晶硅可以說無處不在，電視、電腦、冰箱、電話、汽車等等，處處離不開單晶硅材料；在高科技領(lǐng)域，航天飛機(jī)、宇宙飛船、人造衛(wèi)星的制造，單晶硅同樣是必不可少的原材料。 在科學(xué)技術(shù)飛速發(fā)展的今天，利用單晶硅所生產(chǎn)的太陽能電池可以直接把太陽能轉(zhuǎn) 化為光能，實(shí)現(xiàn)了邁向綠色能源革命的開始?，F(xiàn)在，國外的太陽能光伏電站已經(jīng)到了理論成熟階段，正在向?qū)嶋H應(yīng)用階段過渡，太陽能單晶硅的利用將普及到全世界范圍，市場需求量不言而喻。 行性研究依據(jù)及范圍 究依據(jù) (1)*有限公司 委托 知名 工程設(shè)計研究院進(jìn)行該項(xiàng)目可行性研究的合同。 (2)*有限公司 提供的有關(guān)基礎(chǔ)資料。其中包括 :企業(yè)基本情況、項(xiàng)目工藝流程、引進(jìn)及國產(chǎn)設(shè)備情況、財務(wù)核算依據(jù)、項(xiàng)目建設(shè)地基本情況等。 (3)國家 信息產(chǎn)業(yè) 相關(guān)政策。 究范圍 根據(jù)上 述文件要求，本報告對 *有限公司年產(chǎn) 200200萬片單晶硅切片 生產(chǎn)線項(xiàng)目 進(jìn)行分析研究，內(nèi)容包括產(chǎn)品方案、生產(chǎn)規(guī)模、年產(chǎn) 200t 單晶硅及 1200 萬片 單晶 硅 切 片生產(chǎn)線項(xiàng)目 可行性報告書 5 市場需求、工程技術(shù)方案、環(huán)境保護(hù)、投資估算和資金籌措、經(jīng)濟(jì)效益分析等。 目的 目標(biāo)和主要內(nèi)容 標(biāo) 項(xiàng)目將形成 年產(chǎn) 200t 單晶硅及 1200 萬片單晶硅切片 的生產(chǎn)規(guī)模。達(dá)產(chǎn)后，年銷售收入 66000萬元；增值稅 2247萬元，所得稅 1742萬元，利潤總額為 6970萬元。 目的主要內(nèi)容 (1)項(xiàng)目將根據(jù)年產(chǎn) 200t 單晶硅及 1200 萬片單晶硅切片 的生產(chǎn)規(guī)模，利用已有廠房 及 公用輔助設(shè)施，引進(jìn)具有國際先進(jìn)水平的 切片機(jī) 、切方機(jī)及 硅片檢測設(shè)備 ；購置 熱場、碳?xì)帧⑹③徨?、直拉式單晶爐、單晶硅帶鋸床 等國產(chǎn)設(shè)備 。 (2)廠區(qū)內(nèi)供電、供水等公用配套設(shè)施和生活設(shè)施 的改造及建設(shè) 。 (3)貫徹環(huán)境保護(hù)“三同時”、職業(yè)安全衛(wèi)生和節(jié)能原則 。 投資及資金來源 固定資產(chǎn)總投資 ： 本次投資固定資產(chǎn)總額為 10500萬元，其中； 設(shè)備及安裝工程 : 9559 萬元 （ 540萬美元） ； 建設(shè)期利息 120 萬元； 其他費(fèi)用 :821萬元。 項(xiàng)目總投資： 13000萬元 (含鋪底流動資金 2500萬元 )。 流動資金： 8000萬元 (含鋪底流動資金 2500萬元 )。 年產(chǎn) 200t 單晶硅及 1200 萬片 單晶 硅 切 片生產(chǎn)線項(xiàng)目 可行性報告書 6 資金來源： 固定資產(chǎn)投資由企業(yè)自籌 6000 萬元， 或 銀行貸款 4500 萬元。流動資金銀行貸款 5500萬元，企業(yè)自籌 2500萬元。 究的主要結(jié)果 經(jīng)可行性研究其結(jié)論性結(jié)果為： (1)在國務(wù)院批轉(zhuǎn)國家發(fā)改委產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu)調(diào)整指導(dǎo)目錄 (2005年本 )鼓勵類第 二十四 條中 信息產(chǎn)業(yè) 第 38 條為： 6英寸及以上單晶硅、多晶硅及晶片制造 。充分說明本項(xiàng)目是國家產(chǎn)業(yè)政策重點(diǎn)支持和鼓勵發(fā)展的。 (2)本項(xiàng)目擬引進(jìn)的切片機(jī) 、切方機(jī) 及硅片檢測設(shè)備技術(shù)先進(jìn)、自動化程度高 、監(jiān)測手段完備，是目前國際上最先進(jìn)的 單晶硅 片制造設(shè)備。國產(chǎn)設(shè)備選用也以先進(jìn)、高效、環(huán)保、節(jié)能為原則。 (3)項(xiàng)目 產(chǎn)品 單晶硅 片 是光伏產(chǎn)業(yè)的關(guān)鍵材料，國內(nèi)外市場潛力巨大 。 (4)本項(xiàng)目將根據(jù) 年產(chǎn) 200t 單晶硅及 1200 萬片單晶硅切片 的 生產(chǎn)規(guī)模 ， 利用已有廠房 進(jìn)行工藝設(shè)備布置，使工藝流程合理、物流通暢 ，可做到上馬快，見效快。 (5)項(xiàng)目重視環(huán)境保護(hù)，擬投入適量資金建造環(huán)保設(shè)施對三廢進(jìn)行處理，經(jīng)處理后的廢水、廢氣將達(dá)到排放標(biāo)準(zhǔn) 。 項(xiàng)目勞動安全衛(wèi)生、消防等問題將通過恰當(dāng)措施得以妥善解決 。 (6)項(xiàng)目總投資為 13000 萬元，其中固定資產(chǎn)投資 10500 萬元，鋪底流動資金 2500 萬元 。 達(dá)產(chǎn)后將形成 年產(chǎn) 200t 單晶硅及 1200 萬片單晶硅切片的生產(chǎn)能力 。 (7)項(xiàng)目建設(shè)期 12 個月 ， 達(dá)產(chǎn)后，年新增銷售收入 66000 萬元，增值稅為 2247萬元，銷售稅金及附加為 180萬元，利潤總額為 6970萬元 。 年產(chǎn) 200t 單晶硅及 1200 萬片 單晶 硅 切 片生產(chǎn)線項(xiàng)目 可行性報告書 7 (8)項(xiàng)目實(shí)施后，企業(yè)實(shí)力將顯著增強(qiáng)，經(jīng)濟(jì)分析表明： 內(nèi)部收益率為： (所得稅后 ) 投資回收期為： 所得稅后 ) 投資利潤率為： 投資利稅率為： 由上可見，無論是從產(chǎn)品還是市場來看，本項(xiàng)目設(shè)備 較先進(jìn) ， 其產(chǎn)品技術(shù)含量 較 高、企業(yè)利潤率高、市場銷售良好、盈利能力強(qiáng)，具有良好的社會效益及一定的抗風(fēng)險能力，因而項(xiàng)目是可行的 。 年產(chǎn) 200t 單晶硅及 1200 萬片 單晶 硅 切 片生產(chǎn)線項(xiàng)目 可行性報告書 8 要技術(shù)經(jīng)濟(jì)指標(biāo)表 主要數(shù)據(jù) 1、生產(chǎn)綱領(lǐng) 年產(chǎn) 200200萬片單晶硅切片 2、產(chǎn)品方案 年產(chǎn) 200200萬片單晶硅切片 3、原輔材料 多晶硅料 192t 免清洗單晶硅料 288t 其他輔料 1378t 4、新增主要生產(chǎn)設(shè)備 697 臺套 5、公用工程 用水量 20 104噸 /a 用電量 3200 萬 度 /a 6、人員 (新增 ) 300 人 7、全年生產(chǎn)天數(shù) 300 天 8、項(xiàng)目 實(shí)施地 建筑面積 (m) 30236 9、固定資產(chǎn)投資 (萬元 ) 10500 10、 銷售收入及稅金 銷售收入 (萬元 ) 66000 增值稅 (萬元 ) 2247 銷售稅金附加 (萬元 ) 180 利潤總額 (萬元 ) 6970 所得稅 (萬元 ) 1742 財務(wù)評價 1、 全部投資財務(wù)內(nèi)部收益率 (稅后 ) 2、 投資利潤率 3、 投資利稅率 4、投資回收期 (稅后 ) 年產(chǎn) 200t 單晶硅及 1200 萬片 單晶 硅 切 片生產(chǎn)線項(xiàng)目 可行性報告書 9 第二章 企業(yè)基本情況 業(yè)概況 *有限公司 于 2008 年 5 月， 由 *有限公司及 *有限公司共同出資成立。公司 位于 *工業(yè)區(qū) 。公司注冊資本 3800 萬元，總投資 13000萬元，是一家集研發(fā)、生產(chǎn)、銷售為一體的高新技術(shù)硅材料生產(chǎn)加工企業(yè)，主要從事單晶硅棒、單晶硅片的研究、制造、銷售和服務(wù)。 *有限公司 聘請國內(nèi)最早從事半導(dǎo)體材料生產(chǎn)的國家級研究所著名專家， 并且引進(jìn)了一支專業(yè)技術(shù)隊伍 ， 公司現(xiàn)有員工 100 余人。公司 擬引進(jìn)瑞士、日本 等國 的切片機(jī)、切方機(jī)及 硅片檢測設(shè)備 11 臺套，購置國產(chǎn)單晶爐、單晶硅帶鋸床等生產(chǎn)檢測設(shè)備 686 臺套，實(shí)施單晶硅 及晶片 生產(chǎn)項(xiàng)目。 項(xiàng)目 達(dá) 產(chǎn)后，產(chǎn)品產(chǎn)量為： 8英寸 單晶硅 200t/a（切割能力約 1200萬片 /a）。 資方情況介紹 *有限公司 *有限公司于 2001 年開始投產(chǎn)，現(xiàn)擁有 *名 職 工，多條生產(chǎn)流水線。公司占地面積 80000平方米，建筑面積 35000 平方米，固定資產(chǎn) 7000多萬元 ， 2007年度 *有 限公司 總產(chǎn)值為 公司主要生產(chǎn) *等 產(chǎn)品 ，年產(chǎn) 量數(shù)件產(chǎn)品 ，產(chǎn)品遠(yuǎn)銷日本、歐洲、美國等國家和地區(qū)，公司配備各類進(jìn)口設(shè)備 *套，配套了專用的 *設(shè)備及 *系統(tǒng)，并形成了以 *產(chǎn)品 的生產(chǎn)、后期加工為特色的一條龍服務(wù)。 公司一向貫徹“務(wù)實(shí)創(chuàng)新、信譽(yù)至上”的宗旨， 本著客戶至上的理念，年產(chǎn) 200t 單晶硅及 1200 萬片 單晶 硅 切 片生產(chǎn)線項(xiàng)目 可行性報告書 10 不斷加強(qiáng)管理，改良設(shè)備，提高生產(chǎn)技術(shù)，以高標(biāo)準(zhǔn)、嚴(yán)要求把好各項(xiàng)質(zhì)量關(guān)口，始終把客戶的滿意率作為我們最終目標(biāo)。 *有限公司 *有限公司 ,注冊地址為 *。 公司現(xiàn)有 設(shè)備 *臺，職工 *人，年產(chǎn) *萬件，生產(chǎn)總值 *萬元，實(shí)現(xiàn)利稅 *萬元。 業(yè)承辦條件及優(yōu)勢 企業(yè)承辦本項(xiàng)目的優(yōu)勢主要體現(xiàn)在以下幾個方面： (1)主要股東方是 *地區(qū)的成功企業(yè)家，能很好地組織社會資源和自然資源，運(yùn)用成功的企業(yè)管理經(jīng)驗(yàn)為企業(yè)新業(yè)務(wù)項(xiàng)目的運(yùn)營提供可靠的支持和保證，為地方經(jīng)濟(jì)的發(fā)展添采。 (2)節(jié)能減排、資源環(huán)保是國家的百年大計，有 *地方政府對項(xiàng)目的鼎立支持和關(guān)愛，為企業(yè)項(xiàng)目把握方向。 (3)技術(shù)人才優(yōu)勢 *有限公司聘請國 內(nèi)最早從事半導(dǎo)體材料生產(chǎn)的國家級研究所著名專家，并且引進(jìn)了一支專業(yè)技術(shù)隊伍，使公司在 單晶硅棒、單晶硅片的研究、制造 等方面均有一定的優(yōu)勢；引進(jìn)人才在 單晶硅棒、單晶硅片 規(guī)模生產(chǎn)的生產(chǎn)線建設(shè)、設(shè)備采購、工藝流程、成本控制、原材料采購 及產(chǎn)品銷售 等方面均擁有成熟的經(jīng)驗(yàn)，產(chǎn)品的利潤率較高。因此， *有限公司實(shí)施本項(xiàng)目，技術(shù)有保證、市場前境廣闊。 第三章 市場預(yù)測和產(chǎn)品方案 國內(nèi)外太陽能光伏組件市場概況 國外光伏組件概況 年產(chǎn) 200t 單晶硅及 1200 萬片 單晶 硅 切 片生產(chǎn)線項(xiàng)目 可行性報告書 11 (1)太陽能光伏發(fā)電 世界光伏組件在過去 15 年快速增長 ， 21 世紀(jì)初 ， 發(fā)展更加迅速，最近三年平均年增長率超過 20%。 2006年光伏組件生產(chǎn)達(dá)到 1282產(chǎn)業(yè)方面，各國一直通過擴(kuò)大規(guī)模、提高自動化程度，改進(jìn)技術(shù)水平、開拓市場等措施降低成本，并取得了巨大進(jìn)展。商品化電池效率從 10單條生產(chǎn)線生產(chǎn)規(guī)模從 1發(fā)展到 5，并正在向 50至 100伏組件的生產(chǎn)成本降到 3美元 /瓦以下。 (2)21世紀(jì)世界光伏發(fā)電的發(fā)展將具有以下特點(diǎn)： 產(chǎn)業(yè)將繼續(xù)以高增長速率發(fā)展。多年來光伏產(chǎn)業(yè)一直是世界增長速度最高和最穩(wěn)定的領(lǐng)域之 一。預(yù)測今后 10 年光伏組件的生產(chǎn)將以 20至更高的遞增速度發(fā)展。光伏發(fā)電的未來前景已經(jīng)被愈來愈多的國家政府和金融界 (如世界銀行 )所認(rèn)識。許多發(fā)達(dá)國家和地區(qū)紛紛制定光伏發(fā)展規(guī)劃，如到 2010 年，美國計劃累計安裝 百萬屋頂計劃 )；歐盟計劃安裝 再生能源白皮書 )；日本計劃累計安裝 5，預(yù)計其他發(fā)展中國家 計約 10%)，預(yù)計世界總累計安裝14下世紀(jì)中葉，光伏發(fā)電成為人類的基礎(chǔ)能源之一。 世界光伏市場和產(chǎn)業(yè)在政策法規(guī)和各種措施的強(qiáng)力 推動下呈快速、增速發(fā)展。 最近 10年的平均年增長率為 (從 1996年的 105006年的 1282 最近 5年的年平均增長率為 (從 2001年的 261006年的 1282 年產(chǎn) 200t 單晶硅及 1200 萬片 單晶 硅 切 片生產(chǎn)線項(xiàng)目 可行性報告書 12 隨著太陽能光伏組件的成本逐漸下降，光伏發(fā)電系統(tǒng)安裝成本每年以 5%速率降低。降低成本可通過擴(kuò)大規(guī)模、提高自動化程度和技術(shù)水平、提高電池效率等技術(shù)途徑實(shí)現(xiàn)。因此今后太陽電池組件成本逐漸降低是必然的趨勢。 光伏產(chǎn)業(yè)向百兆瓦級規(guī)模和更高技術(shù)水平發(fā)展。目前光伏組件的生產(chǎn)規(guī)模在 5 20。許多公司在計劃擴(kuò)建和新建年產(chǎn) 50 100時自動化程度、技術(shù)水平也將大大提高、電池效率將由現(xiàn)在的水平 (單晶硅 15%多晶硅 13%向更高水平 (單晶硅 18%多晶硅 16%發(fā)展。 太陽能光伏建筑集成及并網(wǎng)發(fā)電的快速發(fā)展。建筑光伏集成具有多功能和可持續(xù)發(fā)展的特征，建筑物的外殼能為光伏系統(tǒng)提供足夠的面積，不需要占用昂貴的土地，省去光伏系統(tǒng)的支撐結(jié)構(gòu)；光伏陣列可以代替常規(guī)建筑材料，從而節(jié)省安裝和材料費(fèi)用，例如常規(guī)外墻包覆裝修成本與光伏組件成本相當(dāng)； 光伏系統(tǒng)的安裝可集成到建筑施工過程，降低施工成本；在用電地點(diǎn)發(fā)電，避免傳輸和配電損失 (5，降低了電力傳輸和配電的投資和維修成本；集成設(shè)計使建筑更加潔凈、完美，更使人賞心悅目，更容易被專業(yè)建筑師、用戶和公眾接受。太陽能光伏系統(tǒng)和建筑的完美結(jié)合體現(xiàn)了可持續(xù)發(fā)展的理想范例，國際社會十分重視，許多國家相繼制定了本國的屋頂計劃。 國內(nèi)光伏組件概況 2002年以來，隨著尚德、英利等新建規(guī)模企業(yè)的陸續(xù)投產(chǎn)和原有企業(yè)的產(chǎn)能擴(kuò)張，中國光伏組件生產(chǎn)規(guī)模年均增長 300以上。盡管 2003 年底年產(chǎn) 200t 單晶硅及 1200 萬片 單晶 硅 切 片生產(chǎn)線項(xiàng)目 可行性報告書 13 以來硅片的短缺 多少影響了中國光伏產(chǎn)量的進(jìn)一步放大。 截止 2007 年底中國光伏電池總產(chǎn)能超過 800件總產(chǎn)能超過 1200 且仍然不斷有企業(yè)新進(jìn)投資光伏產(chǎn)業(yè)。中國光伏組件的生產(chǎn)能力已經(jīng)躋身世界前三行列。 中國光伏產(chǎn)業(yè)的高速增長是在世界光伏市場需求急劇增長情況下取得的，由于國際上光伏最大市場的并網(wǎng)應(yīng)用在國內(nèi)仍然處于零星示范論證階段，中國光伏生產(chǎn)規(guī)模的增量大部分用于出口市場。未來中國光伏市場的持續(xù)增長仍然需要政府出臺相關(guān)支持政策。 我國光伏組件生產(chǎn)逐年增加，成本不斷降低，市場不斷擴(kuò)大，裝機(jī)容量逐年增加。應(yīng)用領(lǐng)域包括 農(nóng)村電氣化、交通、通訊、石油、氣象、國防等。特別是光伏電源系統(tǒng)解決了許多農(nóng)村學(xué)校、醫(yī)療所、家庭照明、電視等用電，對發(fā)展邊遠(yuǎn)貧困地區(qū)的社會經(jīng)濟(jì)和文化發(fā)揮了十分重要的作用。 20 年來我國光伏產(chǎn)業(yè)已經(jīng)形成了較好的基礎(chǔ)，但在總體水平上我國同國外相比還有很大差距。根據(jù)光伏工業(yè)自身的發(fā)展經(jīng)驗(yàn)，生產(chǎn)量和規(guī)模每增加一倍，成本下降約 20%。我國政府于 04 年 4月在德國柏林召開的全球可再生能源發(fā)展會議上對外承諾，至 2010 年中國可再生能源將達(dá)到總發(fā)電裝機(jī)容量的 10，其中光伏系統(tǒng)為 450 2020 年中國可再生能源將達(dá)到總發(fā) 電裝機(jī)容量的 20，以此推算，光伏系統(tǒng)的安裝容量將達(dá)到 4 8伏的發(fā)電成本在 2020 年估計在每千瓦時 ，在相當(dāng)大的市場上開始具有競爭力，在 2030 年左右，則在幾乎整個電力市場上都具有競爭力。 陽能 單晶硅及切 片 市場預(yù)測 年產(chǎn) 200t 單晶硅及 1200 萬片 單晶 硅 切 片生產(chǎn)線項(xiàng)目 可行性報告書 14 我國太陽能電池的產(chǎn)量最近幾年持續(xù)保持高速增長，短短幾年，從事光伏產(chǎn)業(yè)的企業(yè)已發(fā)展致 500 多家。 2006 年，我國太陽能電池產(chǎn)量達(dá)到370產(chǎn)能力達(dá) 1200于太陽能電池的高速發(fā)展，國內(nèi)太陽能電池 單晶硅 生產(chǎn)企業(yè)不斷增多， 目前規(guī)模最大的是河北寧晉單晶硅基地， 2006年產(chǎn)量已達(dá) 1170 噸 /年，銷售額達(dá)到 36 億元。其他有錦州新日硅 /華日硅 /華昌電子材料公司、江蘇順大半導(dǎo)體有限公司、常州天合光能有限公司等公司太陽能電池單晶硅的產(chǎn)量也很大。 2006 年我國太陽能用 單晶硅 產(chǎn)量已達(dá) 3188 噸，已占到全國 單晶硅 生產(chǎn)量的 85%。表 3 2001 2006 年國內(nèi)太陽能用 單晶硅 生產(chǎn)狀況。 表 3 2001 2006年國內(nèi)太陽能用 單晶硅 生產(chǎn)狀況。 年份 2001 2002 2003 2004 2005 2006 單晶硅總產(chǎn)量（ t） 陽能級單晶硅產(chǎn)量（ t） 03 887 陽能級單晶硅產(chǎn)量年增長率（ %） 陽能級單晶硅產(chǎn)量平均增長率（ %） 3國內(nèi)單晶硅總產(chǎn)量及太陽能用單晶硅產(chǎn)量 年產(chǎn) 200t 單晶硅及 1200 萬片 單晶 硅 切 片生產(chǎn)線項(xiàng)目 可行性報告書 15 國內(nèi)太陽能用單晶硅產(chǎn)量由 2001 年的 上升到 2006 年的 3188噸，六年內(nèi)增長了 15 倍。 國際太陽電池市場概況 際市場需求的增長 近年來，太陽電池每年銷售量在全球范圍以每年 25%的速度遞增。最近的市場評估表明，目前全球太陽電池工業(yè)每年的產(chǎn)值己超過 45 億美元。到 2010 年每年的銷售金額將超過每年約 110 億美元。可以預(yù)計在今后幾年內(nèi)太陽電池工業(yè)將高速發(fā)展。 自 90 年代開始，太陽能在并網(wǎng)發(fā)電方面的應(yīng)用增長迅速，主要是安裝在居民住房屋頂、商業(yè)樓宇。許多國家政府為促進(jìn)太陽電池的應(yīng)用所實(shí)施的一系列新能源政策，包括一系列直接和間接的輔助計 劃。保護(hù)自然環(huán)境，尤其是抑制地球的溫度上升己被許多國家政府列為國策。 盡管人們意識到太陽電池的優(yōu)越性，但由于其價格比傳統(tǒng)發(fā)電貴得多，人們只能望而興嘆，而太陽電池生產(chǎn)商們卻抱怨。如果電池的市場龐大，制造成本自然會下降，從而進(jìn)一步促進(jìn)市場需求，形成良性循環(huán)。為此，一些發(fā)達(dá)國家制定了一系列的資助措施，以促進(jìn)市場的迅速發(fā)展，形成規(guī)模經(jīng)濟(jì)。如日本的“新陽光計劃”、德國政府的“再生能源的法案”、美國政府的“一百萬戶屋頂計劃”、澳洲政府的“一萬個太陽能屋頂計劃”等。 由 此可見，西方各國政府已采用各種方式來重組能源結(jié)構(gòu)，支持太陽年產(chǎn) 200t 單晶硅及 1200 萬片 單晶 硅 切 片生產(chǎn)線項(xiàng)目 可行性報告書 16 電池“綠色能源”的推廣和應(yīng)用。表 3主要西方國家在太陽電池應(yīng)用方面的發(fā)展計劃，表 3 國家 計劃 目標(biāo) 年 政府輔助 日本 新陽光計劃 5000010 33 50 德國 10 萬屋頂 500008 38 意大利 10 萬屋頂 300008 75 80 美國 100 萬屋頂 2500010 35 40 澳大利亞 10 萬屋頂 200008 50 表 3 1 主要西方國家在太陽電池應(yīng)用方面的發(fā)展計劃 1999 年 2000 年 2005 年 2010 年 每年安裝容量 (15 55 270 610 總安裝容量 (25 80 820 2500 表 3 2 美國太陽電池容量以及累計總安裝數(shù)量一覽表 人們可能這樣說 :“目前的太陽電池市場的急劇擴(kuò)張是在各國政府的資助下形成的，那么如果政府一旦取消資助，會不會造成市場需求急劇下降？”事實(shí)上政府的資助行為只是一個推動外因，人們對綠 色能源的渴求才是市場發(fā)展的真正內(nèi) 在動力。近年來西方國家通過一系列的能源非壟斷改革措施，讓消費(fèi)者個人來決定是否愿意多付電費(fèi)來支持綠色能源，結(jié)果在西方主要國家有約 32%的消費(fèi)者愿意使用比傳統(tǒng)電力貴的再生能源。隨著人們對環(huán)境保護(hù)意識的加強(qiáng)，消費(fèi)者本身對再生能源的直接支持力量將會愈來愈強(qiáng)。隨著太陽能技術(shù)和生產(chǎn)規(guī)模的擴(kuò)大，成本將進(jìn)一步降低。而隨著成本的不斷降低以及對獨(dú)立發(fā)電系統(tǒng)和并網(wǎng)發(fā)電需求的增加，全球太陽電池工業(yè)將會不斷發(fā)展和壯大。根據(jù)“半導(dǎo)體市場情報織”可靠分析與預(yù)測，到 2010 年在 加速 發(fā)展的情形下，每年太陽電池的銷售量將為年產(chǎn) 200t 單晶硅及 1200 萬片 單晶 硅 切 片生產(chǎn)線項(xiàng)目 可行性報告書 17 2100 正常 發(fā)展的情況下，每年太陽電池的銷售量為 11002000年 288此到2010 年，每年太陽電池的需求量將一定遠(yuǎn)遠(yuǎn)超過 2100 兆瓦。也就是說生產(chǎn)量必須增加十倍以上。 鑒于以上對國際市場及生產(chǎn)狀況的分析，目前世界太陽電池的市場與生產(chǎn)呈供銷兩旺的狀況，且市場規(guī)模持續(xù)膨脹。因此，當(dāng)前是進(jìn)入太陽電池產(chǎn)業(yè)的一個最佳的時機(jī)。 內(nèi)太陽電池市場概況 我國太陽電池工業(yè)處在發(fā)展階段，生產(chǎn)逐漸擴(kuò)大，到目前為止已形成規(guī)模較大并且成功在國外上市的公司有： 無錫尚德、晶澳太陽能、啟東林洋、江陰浚鑫、中電電氣、浙江昱輝等公司，形成了大規(guī)模的商業(yè)化生產(chǎn)，有效地參與國際市場競爭。 而在此同時，國內(nèi)對太陽電池產(chǎn)品的需求正逐年增加。主要表現(xiàn)在以下幾點(diǎn)。 我國政府對發(fā)展邊遠(yuǎn)地區(qū)太陽能發(fā)電的應(yīng)用日益重視，西藏、青海和內(nèi)蒙的牧民們遠(yuǎn)離國家電網(wǎng)，建立火力發(fā)電廠相當(dāng)昂貴，相比之下太陽能(電池 )發(fā)電便成為一種比較經(jīng)濟(jì)方便的手段。 1998 年以來由政府資助約6000 萬元在西藏自治區(qū) 7 個縣城建成 150太陽能總發(fā)電量。從 2003年開始我國政府 將再籌集 6000 萬元到 8000 萬元為西藏自治區(qū)阿里地區(qū)的1萬戶藏民和近 20 個鄉(xiāng)鎮(zhèn)安裝 1個兆瓦以上的太陽能發(fā)電系統(tǒng)。最近我國政府還公布了在西北部地區(qū)資助居民安裝太陽能發(fā)電系統(tǒng)的計劃，每一個年產(chǎn) 200t 單晶硅及 1200 萬片 單晶 硅 切 片生產(chǎn)線項(xiàng)目 可行性報告書 18 安裝 500000元左右的補(bǔ)貼。 世界能源組織和世界銀行也在大力支持太陽能發(fā)電在中國的應(yīng)用。由于太陽能發(fā)電在技術(shù)上還相對落后，以及人們對太陽能產(chǎn)品的認(rèn)識不夠，中國的市場還遠(yuǎn)未打開。因此，世界能源組織和世界銀行也在資助和鼓勵中國邊遠(yuǎn)地 區(qū)的居民使用太陽能以改善他們的日常生活。 可見，當(dāng)前國內(nèi)現(xiàn)有太陽能生產(chǎn)不能滿足快速發(fā)展的國內(nèi)市場。提供太陽電池并網(wǎng)發(fā)電產(chǎn)品的企業(yè)在中國甚至還是空白。 長期以來 太陽能 電池的發(fā)展一直受限于 原材料供應(yīng)，業(yè)界預(yù)測， 2008年及未來的時間內(nèi)太陽能光伏產(chǎn)業(yè)仍受制于原材料供應(yīng)。 結(jié)合太陽能電池和集成電路的需要，專家預(yù)測， 到 2008年，我國集成電路用多晶硅需求量 1800 噸 ， 太陽能電池用量至少在 13200 噸以上 ，總需求量超過 15000噸 ，屆時可能達(dá)到的產(chǎn)量約 3000噸，供需缺口大。 據(jù)不完全統(tǒng)計，國內(nèi)拉單晶的企業(yè)有 48家，單晶硅爐 1900多臺， 年產(chǎn)能 噸 。全國共有線切設(shè)備 380 臺，太陽能電池生產(chǎn)企業(yè) 20 多家，電池生產(chǎn)線 50 多條，生產(chǎn)能力達(dá) 1300多兆瓦。目前晶龍集團(tuán)電池生產(chǎn)能力 175兆瓦，英利公司 200兆瓦，無錫尚德公司為 300 兆瓦。全國太陽能電池組件廠 300多家，其中江蘇省就有約 175家。 位于 浙江省平湖市新倉鎮(zhèn)童車工業(yè)城的 浙江鴻禧光伏科技股份有限公 年產(chǎn) 180項(xiàng)目達(dá)產(chǎn)后單晶硅切片的年需要量達(dá) 6000萬片 ， 公司 可就近為其提供單晶硅及切片。 年產(chǎn) 200t 單晶硅及 1200 萬片 單晶 硅 切 片生產(chǎn)線項(xiàng)目 可行性報告書 19 由此可見，項(xiàng)目產(chǎn)品 單晶硅及切片市場前景廣闊。 品方案及投資規(guī)模 案 年產(chǎn) 200 噸 8英寸 單晶硅 （ 硅純度為 及 1200 萬片單晶硅切片 ，產(chǎn)品主要用于單晶硅太陽電池的制造， 是 單晶硅太陽電池的主要原料。 資規(guī)模 市場需求是決定生產(chǎn)規(guī)模的首要因素，鑒于對市場需求量的分析，再結(jié)合公司生產(chǎn)實(shí)際和今后發(fā)展方向，制定該項(xiàng)目的投資規(guī)模： 年產(chǎn) 200t 單晶硅及 1200萬片單晶硅切片 。 本項(xiàng)目生產(chǎn)大綱為 : 年產(chǎn) 200t 單晶硅及 1200 萬片單晶硅切片 。 第四章 原料供應(yīng) 耗 本項(xiàng)目原輔材料消耗按年產(chǎn) 200t 單晶硅計算，本項(xiàng)目的主要原材料是硅 料 及輔助材料。 原輔材料供應(yīng)見表 4 1。 表 4 1 主要原輔材料供應(yīng)一覽表 序號 原輔材料名稱 包裝規(guī)格 單位 消耗量 1 多晶 硅料 / t/a 192 2 氫氟酸（ 55%） 5，塑料桶 t/a 96 3 硝酸（ 65%） 15，塑料桶 t/a 102 年產(chǎn) 200t 單晶硅及 1200 萬片 單晶 硅 切 片生產(chǎn)線項(xiàng)目 可行性報告書 20 4 片 堿 50，蛇皮袋 t/a 30 5 冰醋酸（ 99%） 15，塑料桶 t/a 48 6 雙氧水（ 30%） 15，塑料桶 t/a 氨 水（ 30%） 15，塑料桶 t/a 無水乙醇 1，玻璃瓶 t/a 免清洗單晶硅料 / t/a 288 10 液氬 / m3/a 3200 11 切割液 200，塑料桶 t/a 540 12 末 / t/a 540 13 洗滌劑 / t/a 14 14 磨 液 10，塑料桶 t/a 5 細(xì) 砂（噴砂用 ） / t/a 6 外購硅片 / 萬片 /a 40 力消耗情況 (1)電： 3200 1042)自來水：年用水量 20 萬噸 (3)純水：純水制備量 10 噸 /小時，水質(zhì) 18(4)液氬： 3200m 倉庫及運(yùn)輸 本項(xiàng)目在新建廠房中已考慮倉庫。足夠滿足項(xiàng)目需要。 本項(xiàng)目 運(yùn)輸總量大，公司依靠外協(xié)來滿足項(xiàng)目運(yùn)輸量的要求。 第五章 工程技術(shù)方案 計原則 (l)本項(xiàng)目將根據(jù) 年產(chǎn) 200200萬片單晶硅切片 的生產(chǎn)規(guī)模， 利用已有廠房 及 公用輔助設(shè)施，引進(jìn)具有國際 先進(jìn)水平的切片機(jī) 、切方機(jī) 及 硅片檢測設(shè)備 ；購置 熱場、碳?xì)?、石英坩鍋、直拉式單晶爐、單晶硅帶鋸床 等國產(chǎn)設(shè)備 。 (2)生產(chǎn)輔助設(shè)備以節(jié)能、高效為原則 。 年產(chǎn) 200t 單晶硅及 1200 萬片 單晶 硅 切 片生產(chǎn)線項(xiàng)目 可行性報告書 21 (3)重視環(huán)保，對各種污染源進(jìn)行科學(xué)的處理，使三廢經(jīng)處理后達(dá)到排放標(biāo)準(zhǔn) 。 (4)配備完善的質(zhì)量技術(shù)措施及產(chǎn)品質(zhì)量監(jiān)測和控制技術(shù)， 保證 產(chǎn)品質(zhì)量達(dá)到 相關(guān) 標(biāo)準(zhǔn)，使產(chǎn)品在市場上有良好的競爭力 。 (5)貫徹環(huán)境保護(hù)“三同時”、工業(yè)職業(yè)安全衛(wèi)生及節(jié)能原則 。 (6)全年工作天數(shù)： 300 天；每班作業(yè)時間： 8小時 。 藝流程 本項(xiàng)目投產(chǎn)后， 產(chǎn)品產(chǎn)量為：單晶硅 200t/a（切割能力約 1200 萬片/a）。其工藝包括前道硅料腐蝕，單晶硅生產(chǎn)，單晶硅切片，以下分別介紹各工藝： (1)硅料腐蝕工藝 1）硅料酸洗腐蝕工藝 圖 1 硅料酸洗腐蝕生產(chǎn)工藝流程圖 廢 硅料。主要為多晶硅料、頭尾料和鍋底料等不可直接利用的原料。 分選、打磨 /噴砂。即根據(jù)硅料的電阻率（利用電阻儀進(jìn)行測試）不廢硅料 裝籃 超聲玻清洗分選打 磨 / 噴 砂 浸泡腐蝕沖 洗 （ 6 道 ）酸洗沖洗超聲玻清洗 高純水浸泡 甩干 烘干 包裝入庫清洗年產(chǎn) 200t 單晶硅及 1200 萬片 單晶 硅 切 片生產(chǎn)線項(xiàng)目 可行性報告書 22 同進(jìn)行分類（以電阻率 界限，即 上的硅料方可利用），同時去除表面肉眼可見的雜質(zhì)，并將分類的廢硅料進(jìn)入下一道工序生產(chǎn)；若硅料表面較臟且人工無法去 除，則采用打磨或噴砂的方式進(jìn)行去除；部分硅料需利用無水乙醇進(jìn)行擦拭，以去除其表面的少量油污。 裝籃、浸泡腐蝕、超聲波清洗、沖洗。將需要酸洗的硅料放入塑料防腐蝕籃內(nèi)，裝入質(zhì)量約 3；若廢硅料表面雜質(zhì)較多，則需要進(jìn)入氫氟酸（濃度為 55%）腐蝕槽進(jìn)行浸泡腐蝕，硅料放入后立即關(guān)閉腐蝕槽，操作條件為常溫，時間約 24h 48h/批，主要去除硅料表面的 廢硅料表面較清潔，則可將裝籃的廢硅料直接放入超聲波清洗機(jī)內(nèi)進(jìn)行清洗去除硅料表面的少量油脂，主要加入一些洗滌劑（如無磷洗衣粉等），時間約 10 15超聲波清洗后將硅料用自來水進(jìn)行沖洗（ 2遍）。 酸洗、清洗、沖洗。將經(jīng)氫氟酸浸泡或沖洗后的部分硅料放入酸洗槽內(nèi)進(jìn)行酸洗，硅料放入后浸泡 2 3即酸洗完畢，主要去除硅料表面的 量硅料由于表面酸洗不徹底需對其利用 1 號清洗液（由雙氧水 33%、氨水 30%及自來水按 1:1:7 的體積比進(jìn)行配比）進(jìn)行清洗處理；酸洗或清洗完畢后利用高純水進(jìn)行沖洗（共 6 道）以去除硅料表面殘留的酸液。 超聲波清洗、高純水浸泡。將沖洗后的硅料放入超聲波清洗機(jī)內(nèi)進(jìn)行清洗，進(jìn)一步去除硅料表面附 著的殘留酸液，使其表面無酸液附著；之后將清洗完畢的硅料放入高純水中浸泡 5以去除硅料表面痕量的酸液，直至確定無酸液附著（主要測試高純水電導(dǎo)率來確定，要求在 00t 單晶硅及 1200 萬片 單晶 硅 切 片生產(chǎn)線項(xiàng)目 可行性報告書 23 s/下）。 甩干、烘干、包裝入庫。經(jīng)高純水浸泡后的硅料放入甩干機(jī)內(nèi)進(jìn)行甩干以去除硅料表面殘留的水分，之后送入烘箱（采用電加熱）內(nèi)進(jìn)行烘干處理對硅料進(jìn)行徹底干燥（烘干溫度為 115，時間約 5h 不等）；經(jīng)烘干后的硅料即可包裝入庫，以便進(jìn)行后道加工。 2）硅料堿腐蝕 +酸洗工藝 圖 2 硅料堿腐蝕 +酸洗生產(chǎn)工藝流程圖 工藝流程說明 ： 硅料、分選、裝籃、浸泡腐蝕、超聲波清洗、沖洗。其工序與前述酸洗腐蝕工藝一起完成，除酸洗腐蝕外的部分硅料，采用堿腐蝕 +酸洗工藝。 腐蝕、清洗、超聲波清洗。將沖洗后的硅料放入堿腐蝕槽（ 1 個，規(guī)格為 1m 1m）內(nèi)進(jìn)行腐蝕，硅料放入后腐蝕時間在 30s 10蝕溫度約 80， 主要去除硅料表面的 外，腐蝕槽上方設(shè)置集氣抽風(fēng)裝置，進(jìn)出料時開啟抽風(fēng)裝置，產(chǎn)生的堿霧進(jìn)入廢氣處理設(shè)施處理；腐蝕完畢后的硅料利用高純水進(jìn)行清洗（共 3 道），以去除硅料表面殘留的堿液；之后利用超聲波清洗進(jìn)一步 去除硅料表面殘留的痕廢硅料 裝籃 超聲玻清洗分選浸泡腐蝕清 洗 （ 3 道 ）腐蝕沖洗超聲玻清洗清洗酸洗 沖 洗 （ 6 道 ） 超聲玻清洗 高純水浸泡甩干 烘干 包裝入庫烘干年產(chǎn) 200t 單晶硅及 1200 萬片 單晶 硅 切 片生產(chǎn)線項(xiàng)目 可行性報告書 24 量堿液。 酸洗、浸泡。將超聲波清洗完畢的硅料送入酸洗槽（ 1個）內(nèi)進(jìn)行酸洗，硅料放入后浸泡 2 3即酸洗完畢，進(jìn)一步去除硅料表面的 洗完畢后將硅料放入氫氟酸（濃度為 5%）浸泡槽（ 1 個，面積為 進(jìn)行浸泡 3 5硅料表面的金屬非金屬雜質(zhì)基本上清除完畢（運(yùn)作時間約為 8h/d）。 沖洗、超聲波清洗、高純水浸泡、甩干、烘干、包裝入庫。上述工序說明具體見前述酸洗腐蝕工藝流程說明。 (2)單晶硅生產(chǎn)工藝 圖 3 單晶硅生產(chǎn)工藝流 程圖 工藝流程說明： 硅料。單晶硅生產(chǎn)過程中使用的硅料，均為成品（無需再進(jìn)行腐蝕、酸洗等處理；其中部分硅料由企業(yè)自身腐蝕、酸洗得到，其余均由外單位進(jìn)行腐蝕加工）即可投爐加工。 配比裝爐、拉晶、冷爐拆爐。即將成品硅料根據(jù)要求與相應(yīng)的母合金（主要是 P、 元素含量多一點(diǎn)的硅片，加入量約為硅料加入量的百萬分之一）進(jìn)行混合裝入單晶爐內(nèi)拉晶（控制溫度約為 1420，時間約為30 40h/批，每批生產(chǎn)量約為 20；拉晶過程中單晶爐內(nèi)采用液氬作為保護(hù)氣體；該過程主要是利用高溫使高純硅在單晶爐內(nèi)熔融并使原子進(jìn)行 有序排列，待有序排列完畢后由單晶爐上方拉晶成柱狀硅棒）；硅棒生長完畢后對單晶爐進(jìn)行冷卻，之后將硅棒從單晶爐內(nèi)卸下，以便后道加工硅料 拉晶 冷爐拆爐 測試配比裝爐 去頭尾、切方 分段 沖洗年產(chǎn) 200t 單晶硅及 1200 萬片 單晶 硅 切 片生產(chǎn)線項(xiàng)目 可行性報告書 25 處理。 測試、分段。利用各類檢測設(shè)備對成規(guī)則柱狀硅棒進(jìn)行電阻率、氧、碳等成分進(jìn)行測試，經(jīng)測試合格后（測試不合格的硅棒則送單晶爐或結(jié)晶爐作回爐重新拉晶處理）送入切斷機(jī)內(nèi)進(jìn)行分段處理（一般直徑為 125度以 30 40等）便得到成品硅棒，分段的目的主要是使硅棒能夠順利進(jìn)入切片機(jī)內(nèi)進(jìn)行切片處理；分段過程采用自來水對設(shè)備進(jìn)行冷卻，經(jīng)冷卻后排入廠區(qū)內(nèi)污水處理設(shè)施。 (3)單晶硅片 切割生產(chǎn)工藝 圖 4 單晶硅片切割工藝流程圖 切片后的清洗過程包括以下步驟：硅片自來水洗純水洗（ 2 道）清洗劑清洗（ 3道）純水洗（ 2道）離心甩干 工藝流程說明： 硅棒。 去頭尾、切方，即利用切斷機(jī)對硅棒進(jìn)行去頭尾處理，之后利用切方機(jī)對其進(jìn)行切方處理使其成為規(guī)則柱狀；然后進(jìn)行分段。 其頭尾切料及廢硅料回爐利用。 該過程采用自來水對設(shè)備進(jìn)行冷卻，經(jīng)冷卻后排入廠區(qū)內(nèi)污水處理設(shè)施。 切片。將分段的成品硅棒送入切片機(jī)內(nèi)進(jìn)行切片處理（每臺切片機(jī)需加入 250割液及 250在使用過程中 經(jīng)設(shè)備自帶的過濾裝置過濾后循環(huán)使用、定期排放；更換量約 d）；切片得到的硅片厚度約為 200 m。 清洗、離心甩干。對切好的硅片須進(jìn)行清洗處理，主要包括自來水硅棒 切片 離心甩干 檢測、包裝 出廠清洗年產(chǎn) 200t 單晶硅及 1200 萬片 單晶 硅 切 片生產(chǎn)線項(xiàng)目 可行性報告書 26 洗（時間約 6制溫度為 30 40）、純水洗（ 2道，每道控制條件為：時間約 6度為 30 40）、清洗劑清洗（共 3道，其中前兩道清洗劑濃度為 5%，后道為 1 2%，每道控制條件為：時間約 6度為65）、純水洗（ 2道，每道控制條件為：時間約 6度為 30 40），經(jīng)清洗后的硅片送入離心機(jī)內(nèi)進(jìn)行甩干處理以去除硅片表面 殘留的少量水分。 檢測、包裝。對成品硅片進(jìn)行檢測（主要對其電阻率、氧、碳等成分及外觀），經(jīng)檢測合格后即可包裝出廠。 (4)研磨硅片生產(chǎn)工藝 圖 5 研磨硅片生產(chǎn)工藝流程圖 工藝流程說明：研磨硅片生產(chǎn)過程中使用的原料均為外購成品，之后將硅片依次放入硅片研磨機(jī)內(nèi)（每次加工量為 15 片，該過程需加入磨液避免硅片在研磨過程中發(fā)生破裂并達(dá)到相應(yīng)的研磨效果主要為硅片厚度及表面亮度）；之后將研磨完畢的硅片放入超聲波清洗機(jī)內(nèi)進(jìn)行清洗（共3道，采用高純水，每道時間約 6制溫度為 30 40）；清洗完畢后在自然條 件下風(fēng)干即為成品，經(jīng)包裝后即可出廠。 要設(shè)備選型 型原則 (1)技術(shù)先進(jìn)：設(shè)備性能先進(jìn)。具有較高的性能費(fèi)用比，功能完善，運(yùn)行維護(hù)費(fèi)用低，單位產(chǎn)品物耗、能耗低，加工程度和加工能力較高，技術(shù)外購硅片 研墨 清洗 風(fēng)干 測試 包裝年產(chǎn) 200t 單晶硅及 1200 萬片 單晶 硅 切 片生產(chǎn)線項(xiàng)目 可行性報告書 27 水平先進(jìn)，有較高的技術(shù)含量；裝備水平先進(jìn)，設(shè)備結(jié)構(gòu)合理，制造精良，連續(xù)化、機(jī)械化和自動化程度較高，具有較高的安全性和衛(wèi)生要求。 (2)可靠性高：設(shè)備成熟度高。采用已充分驗(yàn)證并經(jīng)過使用的設(shè)備；生產(chǎn)穩(wěn)定性高。 進(jìn) 設(shè)備 本項(xiàng)目關(guān)鍵生產(chǎn) 和檢測設(shè)備 擬 引進(jìn)國際先進(jìn)的儀器 設(shè)備 ， 公司 將在 認(rèn)真調(diào)研 的 基礎(chǔ)上 以招標(biāo)方式 從 日本 、 瑞士、 德國、 匈牙利 等國家 選擇 具有國際先進(jìn)水平的 切 片機(jī)、切方 機(jī) 及硅片檢測設(shè)備 。 擬選擇的 相關(guān)設(shè)備介紹如下： (1)切 片 機(jī) 日本、瑞士所生產(chǎn)的 高速多道線切割機(jī) 是具有 世界先進(jìn)水平 的 切片機(jī) 。 日本 口徑電路板、石英。 最大工件尺寸： 156