flash接口電路的實(shí)現(xiàn)

1、flash接口電路的實(shí)現(xiàn)0引言我們在進(jìn)行嵌入式系統(tǒng)設(shè)計(jì)的過程中，根據(jù)需求，要設(shè)計(jì)出特定的嵌入式應(yīng)用系統(tǒng)，而嵌入式應(yīng)用系統(tǒng)的設(shè)計(jì)包含硬件系統(tǒng)設(shè)計(jì)和軟件系統(tǒng)設(shè)計(jì)兩個(gè)部分，并且這兩部分設(shè)計(jì)是互相關(guān)聯(lián)、密不可分的，嵌入式應(yīng)用系統(tǒng)的設(shè)計(jì)經(jīng)常需要在硬件和軟件設(shè)計(jì)之間進(jìn)行權(quán)衡與折中。因此，這就要求嵌入式系統(tǒng)設(shè)計(jì)者具有較深厚的硬件和軟件基礎(chǔ)，并具有熟練應(yīng)用的能力。在整個(gè)設(shè)計(jì)過程中，硬件設(shè)計(jì)是系統(tǒng)設(shè)計(jì)的基礎(chǔ)和核心，而各功能部件在整個(gè)設(shè)計(jì)中的調(diào)試又是該環(huán)節(jié)的重點(diǎn)和難點(diǎn)。本文詳細(xì)介紹嵌入式系統(tǒng)Flash存儲器的接口電路的調(diào)試。1 Flash存儲器接口電路的引腳信號及各項(xiàng)特性1.1 Flash存儲器接口電路的特點(diǎn)Fl

2、ash存儲器是一種可在系統(tǒng)（In-System）中進(jìn)行電擦寫，掉電后信息不會丟失的存儲器。它具有低功耗、大容量、擦寫速度快、可整片或分扇區(qū)在系統(tǒng)編程（燒寫）、擦除等特點(diǎn)，并且可由內(nèi)部嵌入算法完成對芯片的操作，因而在各種嵌入式系統(tǒng)中得到了廣泛的應(yīng)用。作為一種非易失性存儲器，F(xiàn)lash在系統(tǒng)中通常用于存放程序代碼、常量表以及一些在系統(tǒng)掉電后需要保存的用戶數(shù)據(jù)等。常用的Flash為8位或16位數(shù)據(jù)寬度，編程電壓為單3.3V。主要有ATMEL、AMD、HYUNDAI等生產(chǎn)廠商，他們生產(chǎn)的同型器件一般具有相同的電氣特性和封裝形式，可通用。1.2以HY57V641620為例的SDRAM接口電路的基本特性本

3、文以Flash存儲器HY29LV160為例，簡要描述一下Flash存儲器的基本特性：HY29LV160的單片存儲容量為16M位（2M字節(jié)），工作電壓為2.7V3.6V，采用48腳TSOP封裝或48腳FBGA封裝，16位數(shù)據(jù)寬度，可以以8位（字節(jié)模式）或16位（字模式）數(shù)據(jù)寬度的方式工作。HY29LV160僅需單3V電壓即可完成在系統(tǒng)的編程與擦除操作，通過對其內(nèi)部的命令寄存器寫入標(biāo)準(zhǔn)的命令序列，可對Flash進(jìn)行編程（燒寫）、整片擦除、按扇區(qū)擦除以及其它操作。HY29LV160的邏輯框圖、引腳分布及信號描述分別：圖1 HY29LV160引腳分布（TSOP48封裝）表1 HY29LV160的引腳信

4、號描述引 腳類型描 述A19:0I地址總線。在字節(jié)模式下，DQ15/A-1用作21位字節(jié)地址的最低位。DQ15/A-1DQ14:0I/O三態(tài)數(shù)據(jù)總線。在讀寫操作時(shí)提供8位或16位數(shù)據(jù)的寬度。在字節(jié)模式下，DQ15/A-1用作21位字節(jié)地址的最低位，而DQ14:8處于高阻狀態(tài)。BYTE#I模式選擇。低電平選擇字節(jié)模式，高電平選擇字模式CE#I片選信號，低電平有效。在對HY29LV160進(jìn)行讀寫操作時(shí)，該引腳必須為低電平，當(dāng)為高電平時(shí)，芯片處于高阻旁路狀態(tài)OE#I輸出使能低電平有效輸出使能，低電平有效。在讀操作時(shí)有效，寫操作時(shí)無效。WE#I低電平有效寫使能，低電平有效。在對HY29LV160進(jìn)行編

5、程和擦除操作時(shí)，控制相應(yīng)的寫命令。RESET#I硬件復(fù)位，低電平有效。對HY29LV160進(jìn)行硬件復(fù)位。當(dāng)復(fù)位時(shí)，HY29LV160立即終止正在進(jìn)行的操作。RY/BY#O用就緒/忙狀態(tài)指示。用于指示寫或擦除操作是否完成。當(dāng)HY29LV160正在進(jìn)行編程或擦除操作時(shí)，該引腳位低電平，操作完成時(shí)為高電平，此時(shí)可讀取內(nèi)部的數(shù)據(jù)。VCC-3.3V電源VSS-接地1.3 以HY29LV160為例的Flash接口電路的使用方法下面，我們使用HY29LV160來構(gòu)建存儲系統(tǒng)。由于ARM微處理器的體系結(jié)構(gòu)支持8位/16位/32位的存儲器系統(tǒng)，對應(yīng)的可以構(gòu)建8位、16位、32位的Flash存儲器系統(tǒng)。32位的存

6、儲器系統(tǒng)具有較高的性能，而16位的存儲器系統(tǒng)則在成本及功耗方面占有優(yōu)勢，而8位的存儲器系統(tǒng)現(xiàn)在已經(jīng)很少使用。下面主要介紹16位和32位的Flash存儲器系統(tǒng)的構(gòu)建。1.3.1.16位的FLASH存儲器系統(tǒng)在大多數(shù)的系統(tǒng)中，選用一片16位的Flash存儲器芯片（常見單片容量有1 MB 、2MB 、4MB 、8MB 等）構(gòu)建16位Flash的存儲系統(tǒng)已經(jīng)足夠，在此采用一片HY29LV160構(gòu)建16位的Flash存儲器系統(tǒng)，其存儲容量為2MB。Flash存儲器在系統(tǒng)中通常用于存放程序代碼，系統(tǒng)上電或復(fù)位后從此處獲取指令并開始執(zhí)行，因此，應(yīng)將存有程序代碼的Flash存儲器配置到ROM/SRAM/FLA

7、SH Bank0，即將S3C4510B的nRCS<0>（Pin75）接至HY29LV160的CE端。HY29LV160的RESET端接系統(tǒng)復(fù)位信號；OE端接S3C4510B的nOE（Pin72）；WE端S3C4510B的nWBE<0>（Pin100）；BYTE上拉，使HY29LV160工作在字模式（16位數(shù)據(jù)寬度）；RY/BY#指示HY29LV160編程或擦除操作的工作狀態(tài)，但其工作狀態(tài)也可通過查詢片內(nèi)的相關(guān)寄存器來判斷，因此可將該引腳懸空；地址總線A19A0與S3C4510B的地址總線ADDR19ADDR0相連；16位數(shù)據(jù)總線DQ15DQ0與S3C4510B的低16位

8、數(shù)據(jù)總線XDATA15XDATA0相連。注意此時(shí)應(yīng)將S3C4510B的B0SIZE1:0置為“10”，選擇ROM/SRAM/FLASH Bank0為16位工作方式。1.3.2. 32位的FLASH存儲器系統(tǒng)作為一款32位的微處理器，為充分發(fā)揮S3C4510B的32性能優(yōu)勢，有的系統(tǒng)也采用兩片16位數(shù)據(jù)寬度的Flash存儲器芯片并聯(lián)（或一片32位數(shù)據(jù)寬度的Flash存儲器芯片）構(gòu)建32位的Flash存儲系統(tǒng)。其構(gòu)建方式與16位的Flash存儲器系統(tǒng)相似。采用兩片HY29LV16并聯(lián)的方式構(gòu)建32位的FLASH存儲器系統(tǒng)，其中一片為高16位，另一片為低16位，將兩片HY29

9、LV16作為一個(gè)整體配置到ROM/SRAM/FLASH Bank0，即將S3C4510B的nRCS<0>（Pin75）接至兩片HY29LV16的CE端；兩片HY29LV160的RESET端接系統(tǒng)復(fù)位信號；兩片HY29LV160的OE端接S3C4510B的nOE（Pin72）；低16位片的WE端接S3C4510B的nWBE<0>（Pin100），高16位片的WE端接S3C4510B的nWBE<2>（Pin102）；兩片HY29LV160的BYTE均上拉，使之均工作在字模式；兩片HY29LV160的地址總線A19A0均與S3C4510B的地址總線ADDR19AD

10、DR0相連；低16位片的數(shù)據(jù)總線與S3C4510B的低16位數(shù)據(jù)總線XDATA15XDATA0相連，高16位片的數(shù)據(jù)總線與S3C4510B的高16位數(shù)據(jù)總線XDATA31XDATA16相連。注意此時(shí)應(yīng)將S3C4510B的B0SIZE1:0置為“11”，選擇ROM/SRAM/FLASH Bank0為32位工作方式。2.S3C4510B系統(tǒng)管理器關(guān)于存儲器映射的工作原理當(dāng)系統(tǒng)設(shè)計(jì)制作完成時(shí)，必須經(jīng)過仔細(xì)的調(diào)試，才能保證系統(tǒng)按照設(shè)計(jì)意圖正常工作。盡管系統(tǒng)的調(diào)試與個(gè)人對電路工作原理的理解和實(shí)際的電路調(diào)試經(jīng)驗(yàn)有很大的關(guān)系，但一定的調(diào)試方法也是必不可少的。掌握正確的調(diào)試方法可使調(diào)試

11、工作變得容易，大大縮短系統(tǒng)的開發(fā)時(shí)間，反之，可能會使整個(gè)系統(tǒng)的開發(fā)前功盡棄，以失敗告終。在系統(tǒng)的兩類存儲器中，SDRAM相對于FLASH存儲器控制信號較多，似乎調(diào)試應(yīng)該困難一些，但由于SDRAM的所有刷新及控制信號均由S3C4510B片內(nèi)的專門部件控制，無需用戶干預(yù)，在S3C4510B正常工作的前提下，只要連線無誤，SDRAM就應(yīng)能正常工作，反之，F(xiàn)lash存儲器的編程、擦除操作均需要用戶編程控制，且程序還應(yīng)在SDRAM中運(yùn)行，因此，應(yīng)先調(diào)試好SDRAM存儲器系統(tǒng)，再進(jìn)行Flash存儲器系統(tǒng)的調(diào)試?；赟3C4510B系統(tǒng)的最大可尋址空間為64MB，采用統(tǒng)一編址的方式，將系統(tǒng)的SDRAM、SR

12、AM、ROM、Flash、外部I/O以及片內(nèi)的特殊功能寄存器和8K一體化SRAM均映射到該地址空間。為便于使用與管理，S3C4510B又將64MB的地址空間分為若干個(gè)組，分別由相應(yīng)的特殊功能寄存器進(jìn)行控制：（1） ROM/SRAM/Flash組0ROM/SRAM/Flash組5，用于配置ROM、SRAM或Flash，分別由特殊功能寄存器ROMCON0ROMCON5控制；（2）DRAM/SDRAM組0DRAM/SDRAM組3用于配置DRAM或SDRAM，分別由特殊功能寄存器DRAMCON0DRAMCON3控制；（3）外部I/O組0外部I/O組3用于配置系統(tǒng)的其他外擴(kuò)接口器件，由特殊功能寄存器RE

13、FEXTCON控制；（4）特殊功能寄存器組用于配置S3C4510B片內(nèi)特殊功能寄存器的基地址以及片內(nèi)的8K一體化SRAM，由特殊功能寄存器SYSCFG控制；在系統(tǒng)中，使用了Flash存儲器和SDRAM，分別配置在ROM/SRAM/FLASH組0和DRAM/SDRAM組0，暫未使用外擴(kuò)接口器件。3基于S3C4510B的嵌入式系統(tǒng)Flash存儲器接口電路的調(diào)試Flash存儲器的調(diào)試主要包括Flash存儲器的編程（燒寫）和擦除，與一般的存儲器件不同，用戶只需對Flash存儲器發(fā)出相應(yīng)的命令序列，F(xiàn)lash 存儲器通過內(nèi)部嵌入的算法即可完成對芯片的操作，由于不同廠商的Flash存儲器在操作命令上可能會

14、有一些細(xì)微的差別，F(xiàn)lash存儲器的編程與擦除工具一般不具有通用性，這也是為什么Flash接口電路相對較難調(diào)試的原因之一，因此，應(yīng)在理解Flash存儲器編程和擦除的工作原理的情況下，根據(jù)不同型號器件對應(yīng)的命令集，編寫相應(yīng)的程序?qū)ζ溥M(jìn)行操作。若使用SDT調(diào)試環(huán)境，調(diào)試過程與上述步驟相似。>obey C:memmap.txt打開AXD Debugger的命令行窗口，執(zhí)行obey命令：此時(shí)，2MB的Flash存儲器映射到地址空間的0x0000,00000x001F,FFFF處，選擇菜單Processor Views→Memory選項(xiàng)，出現(xiàn)存儲器窗口，在存儲器起始地址欄輸入Flash存儲器的映射起始地址：0x0,數(shù)據(jù)區(qū)應(yīng)顯示Flash存儲器中的內(nèi)容，若Flash存儲器為空，所顯示的內(nèi)容應(yīng)全為0xFF,否則應(yīng)為已有的編程數(shù)據(jù)。雙擊其中的任一數(shù)據(jù)，輸入新的值，對應(yīng)存儲單元的內(nèi)容