SVG與SVC比較優(yōu)勢(shì)和節(jié)能

1、SVG與 SVC比較優(yōu)勢(shì)和節(jié)能SVG 與 SVC 比較代表1. 設(shè)備的先進(jìn)性 :SVC 屬于靜止無功補(bǔ)償?shù)脑缙诋a(chǎn)品 ,而 SVG 是其換代產(chǎn)品 ,即 SVG該領(lǐng)域的發(fā)展方向。SVG 是目前最為先進(jìn)的無功補(bǔ)償裝置，基于電壓源型逆變器的補(bǔ)償裝置實(shí)現(xiàn) 了無功補(bǔ)償方式 質(zhì)的飛躍。它不再采用大容量的電容、電感器件，而是通過 電力電子器件的高頻開關(guān)實(shí)現(xiàn)無功能量的變換。2. 設(shè)備的安全可靠性 :基于 IGBT 逆變器，為可控電流源型補(bǔ)償裝置，不會(huì)發(fā)生諧波放大及諧 振，對(duì)系統(tǒng)參數(shù)不敏感，安全性與穩(wěn)定性好； SVG 屬于阻抗型補(bǔ)償裝置， 系統(tǒng)參數(shù)很敏感，當(dāng)參數(shù)配置不合理、或者一段時(shí)間后，系統(tǒng)參數(shù)發(fā)生變化， 很容

2、易引起系統(tǒng)諧振或諧波電流放大，這也是一些傳統(tǒng)補(bǔ)償設(shè)備經(jīng)常運(yùn)行不 正常的重要原因之一。諧振或諧波電流放大不僅危害補(bǔ)償系統(tǒng)自身的設(shè)備安 全，對(duì)系統(tǒng)其他設(shè)備的安全也是隱患。當(dāng)于近年來， SVC 頻繁發(fā)生電容器燒毀，熔斷器群爆等嚴(yán)重事故，致使無功 補(bǔ)償裝置長期不能投運(yùn)， 閑置浪費(fèi)。 SVG 無需大容量的電容器， SVG 相 系統(tǒng)的一個(gè)電源，不改變系統(tǒng)的阻抗特性，避免了類似的事故發(fā)生，保證了 可靠地長期在線運(yùn)行。SVC 的TCR部分采用可控硅的直接串聯(lián)， 需要解決器件的均壓問題，求很嚴(yán)格，要求可控硅必須是同型號(hào)、同批次的產(chǎn)品，如果某一元件損害， 需要更換同一橋臂的所有元件，使維護(hù)困難，而 SVG 是鏈節(jié)

3、模塊的串聯(lián)，是 多個(gè)逆變電源的串聯(lián)， 而不是 IGBT 的直接串聯(lián)，所以并不需要模塊的一致性， 而且每個(gè)模塊的脈沖是錯(cuò)一定的角度，即 IGBT 并非同時(shí)導(dǎo)通，所以產(chǎn)生過電 壓的機(jī)會(huì)并不多。采用脈沖循環(huán)控制機(jī)制，直流側(cè)電壓波動(dòng)在 5% 范圍之內(nèi)。采用H橋串聯(lián)的鏈?zhǔn)浇Y(jié)構(gòu)，直接接入 6kV 、10kV 、35kV 系統(tǒng)，成本降 低。而且具備 N+1冗余結(jié)構(gòu)，每相一個(gè)鏈節(jié)單元損壞后仍可繼續(xù)滿負(fù)荷運(yùn)行，裝置自身運(yùn) 行可靠性高。3. 設(shè)備的快速性 :響應(yīng)速度更快， SVG 響應(yīng)時(shí)間： 10ms。SVC 響應(yīng)時(shí)間： 20ms。SVG 可在極短的時(shí)間之內(nèi)完成從額定容性無功功率到額定感性無功功率的相 互轉(zhuǎn)換，這

4、種無可比擬的響應(yīng)速度完全可以勝任對(duì)沖擊性負(fù)荷的補(bǔ)償。 SVG 的硬件系統(tǒng)采用了 IGBT 可迅速關(guān)斷的器件， 軟件系統(tǒng)采用了瞬時(shí)無功算法， 響應(yīng)時(shí)間被縮短在 10ms 以內(nèi)；SVC 的硬件系統(tǒng)采用的是電流過零才能關(guān)斷 的晶閘管，軟件系統(tǒng)采用的平均值算法，因此響應(yīng)時(shí)間在 40ms 以上。SVG 對(duì)電壓閃變抑制能力更強(qiáng)， SVC 對(duì)電壓閃變的抑制最大可達(dá) 2 ：1 ， SVG 對(duì)電壓閃變的抑制可以達(dá)到 5 ：1 ，甚至更高。 SVC 受到響應(yīng)速度的限 制，其抑制電壓閃變的能力不會(huì)隨補(bǔ)償容量的增加而增加。 而 SVG 由于響應(yīng) 速度極快，增大裝置容量可以繼續(xù)提高抑制電壓閃變的能力。而對(duì)于電爐要求響應(yīng)

5、速度更高， SVC 抑制電爐閃變的效果并不好。4. 設(shè)備的諧波特性 :SVG 不僅不產(chǎn)生諧波，而且同時(shí)具備諧波補(bǔ)償功能，在動(dòng)態(tài)無功補(bǔ)償?shù)?同時(shí)，可對(duì) 13 次以下的諧波進(jìn)行濾除。 SVG 采用了載波移相 PWM 技術(shù)和 功率單元串聯(lián)多電平技術(shù)，自身產(chǎn)生的諧波含量極低，裝置輸出側(cè)無需濾波 器。 而 SVC 中 TCR 在補(bǔ)償無功功率同時(shí)產(chǎn)生大量諧波，其產(chǎn)生的諧波甚至 比系統(tǒng)本身的諧波還大，這就要求裝設(shè)大容量的無源濾波器，而且濾波效果 受到限制，而 SVG 本身不產(chǎn)生諧波，只要濾除系統(tǒng)本身的諧波即可，濾波容 量減小一半，濾波效果更好。5. 設(shè)備的節(jié)能特性 :SVG 采用新型低損耗 IGBT 功率器

6、件，直接輸出電壓范圍 1kV 35Kv, 省去了連接變壓器，裝置效率可達(dá) 99 以上；而由于損耗曲線特性優(yōu)于 SVC （ SVC 空載時(shí)損耗 達(dá)到最大）， SVG 的等效運(yùn)行損耗一般只有 SVC 的 1/3-1/2 ，等效運(yùn)行耗 電量大大低于 SVC 。SVG 比 SVC 節(jié)能的原因? 串聯(lián)電抗器容量不同： SVC 串聯(lián) 100% 電抗，而 SVG 只串聯(lián) 6% 的電 抗，而電抗器損耗大約為 0.8% 的損耗，占主導(dǎo)地位。? FC 部分， SVC 的電容容量是 SVG 電容容量的一倍，所以，電容損耗 比 SVC 的損耗小，電容損耗較小。? SVC 的可控硅的損耗與 SVG 的 IGBT 的損耗

7、相當(dāng)，可控硅的損耗比 IGBT 損耗小，但 SVC 部分的可控硅部分的容量是 IGBT 容量的一倍。 而且在 SVC 的 0 無功時(shí)損耗最大， 100% 無功時(shí)損耗最小， SVG 在 50% 無功時(shí)損耗最小，在 100% 無功時(shí)損耗最大，一般動(dòng)態(tài)無功絕大 部分時(shí)間工作在 50% 無功狀態(tài)。圖 1 SVC 損耗曲線圖 2 SVG 損耗曲從圖 1 及圖 2 可以看出， SVC 的平均損耗為 0.56% ，SVG 的平均損 耗 0.19% 。對(duì)于本工程補(bǔ)償容量按 80MVAR 計(jì)算，其一年節(jié)約電能為 80000*8000 (0.56-0.19 )/100=236.8 萬度 ,折合電費(fèi)為 118.4

8、萬元，節(jié)能效 果非常顯著6. 設(shè)備的超強(qiáng)補(bǔ)償能力SVC 是阻抗型特性，補(bǔ)償能力與電壓的平方成正比，輸出無功電流隨母 線電壓降低而線性降低；當(dāng)系統(tǒng)電壓降低 10% ，補(bǔ)償能力只有額定的 80% ， 補(bǔ)償能力大大降低， 而 SVG 是電流源特性， 輸出無功電流不受母線電壓影響。 SVG 的電流源特性也使 SVG 具備較強(qiáng)的短期過載能力，可用來進(jìn)一步提高 電力系統(tǒng)穩(wěn)定性，而 SVC 不具備過載能力；7. 設(shè)備的占地面積小SVG 以半導(dǎo)體功率器件構(gòu)成的逆變器為核心，使用直流電容器儲(chǔ)能，無 SVC 中體積龐大的濾波支路和電抗器， 安裝尺寸一般只有 SVC 的 1/3-1/1 特別適合于對(duì)占地面積要求較高的場(chǎng)合。 XDVAR 系列 SVG 可做成移動(dòng)式裝 置。功耗低，噪聲?。捍笕萘侩娍蛊魇且?SVC 功耗和噪聲的主要因素， STATCOM 無需大容量電抗器，其功耗比 SVC 低約 2 個(gè)百分點(diǎn)，噪聲低約 15dB 。8. 設(shè)備的免維護(hù)性 模塊化設(shè)計(jì)，功率單元的結(jié)構(gòu)和電氣性能完全一致，單元可以互換。安 裝、設(shè)定、調(diào)試簡便；保護(hù)功能齊全，具有過壓、欠壓、過流、過熱等保