MEP03C3+及以上、Anylayer結(jié)構(gòu)HDI板制作指引1

1、 奧士康精密電路(惠州)有限公司 aoshikang precision circuit(huizhou)co.,ltd文件名稱： 文件狀態(tài)： 文件編號：版本-修訂號：arevised description list 修訂對照表ainitial vision新發(fā)布content 目錄page 頁碼1.0 purpose 目的2.0 scope 范圍3.0 reference 參考文件4.0 definition 定義5.0 responsibility and authority 職責(zé)權(quán)限6.0 flow chart 流程圖7.0 procedure 程序7.1 process design

2、 工藝流程設(shè)計7.2 notice for tooling design 工具設(shè)計注意點7.3 current loading coupon 耐電流測試模塊設(shè)計8.0 record 記錄9.0 appendix 附件1.0 purpose 目的為奧士康集團(tuán)有限公司制作 3+及以上多階 hdi 板和 anylayer 結(jié)構(gòu)設(shè)計的 hdi 板的工藝流程、工具設(shè)計制作建立規(guī)范，為 pe 和 qae 進(jìn)行制作工具制作與工具審核時，提供參考依據(jù)。2.0 scope 范圍適用于奧士康集團(tuán)有限公司三階及多階 hdi 板和 anylayer 結(jié)構(gòu)設(shè)計的 hdi 板的生產(chǎn)和工具制作。3.0 reference

3、參考文件3.1 hdi 板設(shè)計指引總則3.2 內(nèi)層圖形工具制作規(guī)范3.3 壓板工序設(shè)計及工具制作規(guī)范3.4 機(jī)械加工工序工具制作規(guī)范3.5 外層圖形工具制作規(guī)范3.6 綠油工序工具制作規(guī)范4.0 definition 定義4.1 hdi 孔：指由激光鉆機(jī)制作完成的導(dǎo)通孔，亦稱 h 孔或盲孔或激光孔；4.2 三階 hdi 板：指至少含有 l1/2/3/4 或 l1/4 三階 hdi 孔的 pcb 板（板上同時可能還有一/二階hdi 孔，也可能沒有一/二階hdi孔），通常該板結(jié)構(gòu)表達(dá)為：3+x+3，多階板依此類推；4.3 多階板 hdi 板：指三階或三階以上的 hdi pcb 板，通常該板結(jié)構(gòu)表達(dá)

4、為：n+x+n, (n3)；4.4 anylayer 板：指相鄰每層都僅含一階 hdi 孔的 pcb 板。通常該板結(jié)構(gòu)表達(dá)為：n+2+n，其由雙面板開始，依此疊加進(jìn)行壓板及鉆鐳射孔；4.5 三階及 anylayer 板結(jié)構(gòu)中各種 hdi 層別定義表示如下：5.0 responsibility and authority 職責(zé)權(quán)限5.1 制作工程部（me）：根據(jù)各工序生產(chǎn)能力制定及修改本程序；5.2 產(chǎn)品工程部（pe）：按此程序規(guī)定，為 mi 制作與菲林制作提供制作指引；5.3 品質(zhì)工程部（qae）：按此程序規(guī)定，進(jìn)行工具審核及 mi 校正。6.0 flow chart 流程圖參照hdi 制造工

5、序流程指示文件內(nèi)容7.0 procedure 程序7.1 process design 工藝流程設(shè)計7.1.1 三階 hdi 板及 anylayer 典型結(jié)構(gòu)示意圖.產(chǎn)品類型生產(chǎn)流程說明三階盲孔設(shè)計l04/05, l06/07開料idf(前處理貼膜曝光des) iaoi1.mi 上備注開料前烤板； 階梯式三階盲孔設(shè)計l03/08l04/05,l06/07 棕化l03/08 排板/層壓cfm 鉆靶/壓板后處理減銅二次棕化ldd 激光鉆孔機(jī)械鉆孔磨板除膠 沉銅閃鍍?nèi)咫婂僱03/08 idf(前處理貼膜曝光des) l03/08oaoi1.減薄銅控制 8+/-1um；2.二次棕化后銅厚控制 6+/

6、-1um；填孔式三階盲孔設(shè)計(l03/08)l04/05,l06/07 棕化l03/08 排板/層壓cfm 鉆靶/壓板后處理減銅(1)二次棕化ldd 激光鉆孔磨板除膠沉銅閃鍍水平填孔電鍍x-ray 鉆靶孔減銅(2)機(jī)械鉆孔磨板除膠沉銅閃鍍?nèi)咫婂僱03/08 idf(前處理貼膜曝光des)l03/08oaoi1.減銅(1)后銅厚控制 8+/-1um；2.二次棕化后銅厚控制 6+/-1um；3.減銅(2)后銅厚控制 12+/-3um；階梯式三階盲孔設(shè)計l02/09l02/09 棕化l02/09 排板/層壓cfm 鉆靶/壓板后處理二次棕化ldd 激 光 鉆 孔 磨 板 除 膠 沉 銅 閃 鍍 全

7、板 電 鍍 l02/09idf(前處理貼膜曝光des) l02/09 內(nèi)層 aoi1.二次棕化前不需減銅；2.二次棕化后銅厚控制8.75+/-0.75um；階梯式三階盲孔設(shè)計l01/10l01/10 棕化l01/10 排板/層壓cfm 鉆靶/壓板后處理減銅二次棕化ldd 激光鉆孔機(jī)械鉆孔磨板 除膠 沉銅閃鍍?nèi)咫婂?l01/10 odf(前處理貼膜曝光des) l01/10oaoi1.減薄銅控制 8+/-1um；2.二次棕化后銅厚控制 6+/-1um填孔式三階盲孔設(shè)計l02/09l02/09 棕化 l02/09 排板/層壓cfm 鉆靶/壓板后處理二次棕化ldd 激光鉆孔磨板除膠沉銅閃鍍水平填孔

8、電鍍 l02/09 idf(前處理貼膜曝光des) l02/09 內(nèi)層 aoi1.二次棕化前不需減銅；2.二次棕化后銅厚控制8.75+/-0.75um；填孔式三階盲孔設(shè)計(l01/10)l01/10 棕化l01/10 排板/層壓cfm 鉆靶/壓板后處理減銅(1)二次棕化ldd 激光鉆孔磨板除膠沉銅閃鍍水平填孔電鍍x-ray 鉆靶孔減銅(2)機(jī)械鉆孔磨板除膠沉銅閃鍍?nèi)咫婂?l01/10 odf(前處理貼膜曝光des) l01/10 oaoi1.減銅(1)控制 8+/-1um；2.二次棕化后銅厚控制 6+/-1um3.減銅(2)后銅厚控制 12+/-3um；anylayer 流程(以 10 層

9、anylayer 為例)l5/6 開料- l5/6 機(jī)械鉆孔(鉆工具孔)鑼板修邊（倒圓角）l5/6idf（采用濕膜做cfm 開窗）或者二次棕化l5/6 激光鉆孔- l5/6 除膠l5/6 沉銅閃鍍l5/6 水平填孔電鍍l5/6idf(前處理-貼膜-曝光-des)- l5/6aoil4/7 棕化排板壓板cfm 鉆靶孔-壓板后處理二次棕化激光鉆孔(ldd)磨板-除膠沉銅閃鍍水平填孔idf( 前 處 理 - 貼 膜 - 曝 光 -des)iaoil3/8 棕 化 排 板 壓 板cfm 鉆靶孔-壓板后處理二次棕化激光鉆孔(ldd)磨板-除膠 沉 銅 閃 鍍 水 平 填 孔 idf( 前 處 理 - 貼

10、 膜 - 曝 光-des)iaoi-l2/9 棕化排板壓板cfm 鉆靶孔-壓板后處理二 次 棕 化 激 光 鉆 孔 (ldd) 磨 板 - 除 膠 沉 銅 閃 鍍 水 平 填 孔idf( 前 處 理 - 貼 膜 - 曝 光 -des)iaoil1/10 棕 化 排 板 壓 板cfm 鉆靶孔壓板后處理減銅-二次棕化通盲孔拆分電鍍（激光鉆孔(ldd) 磨板除膠沉銅閃鍍水平填孔電鍍xray 鉆靶孔減銅(2)機(jī)械鉆孔磨板-除膠沉銅閃鍍?nèi)咫婂儯?通盲孔合鍍（激光鉆孔(ldd) 機(jī)械鉆孔磨板除膠沉銅閃鍍垂直填孔電鍍水平填孔電鍍）機(jī)械鉆孔 odf(前處理-貼膜-曝光-des)oaoi1.l5/6 層鑼板修

11、邊時，注明“倒圓角”；在除膠流程后面?zhèn)渥ⅰ俺z前過薄板清洗線”；走 ldd 流程時：二次棕化后銅厚控制 9.5+/-0.5um；2.l4/7,l3/8,l2/9 流程中，若本層板厚大于等于 0.3mm 時設(shè)計磨板流程，否則直接在除膠流程后面?zhèn)渥?“除膠前過薄板清洗線”；3.開料后的機(jī)械鉆孔鉆出后工序需使用工具孔；開料后的機(jī)械鉆孔；a、 cfm+濕膜：用于鉆出板角的鐳射、濕膜曝idf光、 和鑼板修邊的定位孔；b、 ldd：開料后的機(jī)械鉆孔用于 idf鉆出板角的鐳射、 和鑼板修邊的定位孔。4.bu層(l4/7，l3/8,l2/9)二次棕化前不需減銅，二次棕化后銅厚控制8.75+/-0.75um5.

12、 l1/10（外層）減 薄 銅 控 制8+/-1um ； 二 次 棕 化 后 銅 厚 控 制6+/-1um。外層板表面涂覆與檢測生產(chǎn)流程綠油 字符 沉鎳金 阻抗測試 銑外形 etest 最終檢驗 fqa 抽檢 包裝此流程為典型生產(chǎn)流程，具體依客戶對板面表面要求決定。remark: 1. 以上的流程中沉銅閃鍍均是在水平線(lbcu12 生產(chǎn))，mi 需要注明使用水平電鍍線；2. 表中所有 cfm 表示“cfm 前處理 貼膜 - 曝光 - 蝕刻”；3. 耐電流測試按照正常 hdi 板流程設(shè)計，安排在內(nèi)外層 aoi 工序；7.1.3 工藝流程設(shè)計注意點7.1.3.1 anylayer 的芯 core

13、 層在滿足客戶要求及內(nèi)部制作要求的情況下，優(yōu)先使用 ldd 流程；生產(chǎn)（芯板 ldd 流程適用范圍如下） 若由于部分限制條件或客戶要求無法使用 ldd流程時，則鐳射采用 cfm 開等大窗設(shè)計，且在 cfm 工序后備注“蝕刻后控制開窗尺寸 a+/-15um (a 指設(shè)計的孔徑)” 其余各層鐳射孔均為 ldd 工藝，但當(dāng)不能設(shè)計 ldd工藝時，需與 me 溝通決定工藝設(shè)計；（對于任何 hdi 板中采用疊盲孔設(shè)計的盲孔，處于疊孔下方的盲孔優(yōu)先采用 ldd 工藝設(shè)計；若出現(xiàn)其它限制導(dǎo)致無法使用 ldd 工藝時，需采用 cfm 開等大窗工藝設(shè)計且在 cfm 工序備注控制開窗蝕刻后完成尺寸： a+/-15

14、um（a 指設(shè)計的孔徑）； any layer 制板芯板適用 ldd 流程目前適用范圍：（1）芯板開料設(shè)計銅厚為 t&toz（2）芯板介厚與鐳射鉆孔孔徑控制符合以下條件a、 cs core 厚 2mil（不含銅）, 孔徑設(shè)計為 3.5mil;b、 cs core 厚 2.5mil（不含銅）, 孔徑設(shè)計為 3.5mil;c、 cs core 厚 3mil（不含銅）, 孔徑設(shè)計為 4.5mil;如有其它設(shè)計需提前與 me 確認(rèn)是否可以制作。7.1.3.2 對于 anylayer 設(shè)計的 cs 層（雙面板），優(yōu)先采用 2.5mil (不含銅)設(shè)計，如鐳射工藝采，孔徑設(shè)計為用 cfm 開等大窗（蝕刻完

15、成開窗直徑控制 d(盲孔孔徑)+/-15um）3.54.5mil，若必須采用 3mil core 設(shè)計，則采用 cfm 開等大窗設(shè)計（蝕刻完成開窗直徑控制 d(盲孔孔徑)+/-15um），孔徑設(shè)計為 4.5mil5mil；采用其它厚度 core 時需與me 協(xié)商處理；對于孔徑加大后通過移線或移孔仍然出現(xiàn)間距不足問題時，允許局部削 pad 至最小 2.5mil，超出此范圍后需與 me 協(xié)商。7.1.3.3 anylayer 芯板（cs 層）在電鍍工序（薄板清洗線、沉銅閃鍍、填孔電鍍等）容易卡板報廢，因此，滿足以下條件制板，需增加鑼板修邊流程對制板板角倒圓角：（1）滿足條件：any layer 芯

16、板 core 厚 3mil 及 3mil 以下（不含銅）（2）流程設(shè)計：開料鉆工具孔鑼板修邊芯板正常流程除膠渣正常流程7.1.3.4 鐳射鉆使用 ldd 工藝時，若本層鐳射孔的最小孔底 pad 單邊小于 3mil，則需要鐳射鉆孔時需使用 skiving 燒靶制作（除芯板 ldd 流程使用機(jī)械鉆孔鉆出通孔定位外&外層使用 cfm 通孔定位外）；若本層鐳射孔的最小孔底 pad 單邊大于等于 3mil，則不需要增加鐳射鉆孔 skiving 燒標(biāo)靶，直接走正常的 ldd 流程；另外，當(dāng)本層鐳射孔的最小孔底 pad 單邊小于 3mil 時，需要在其之前的一層的線路曝光工序中備注“使用 di/ldi曝光制

17、作”（例如 l8/7 和 3/4 的鐳射孔底 pad 在此范圍時，在 l4/7 的 idf 曝光工序；備注使用 di/ldi 機(jī)制作）7.1.3.5 anylayer 板的 panel size 常規(guī)設(shè)計為 16.2x20.4, 最大盡量不要超過 18.4x21(特殊有超過時請與 me 溝通解決)；且單元內(nèi) unit/set 的排布要求規(guī)則，不可以出現(xiàn)橫豎排列并存情況。為避免鍍銅均勻性對單元內(nèi)的影響，除外層外的其他需電鍍層次要求板邊設(shè)計需20mm(電鍍夾邊30mm),在不影響板料利用率的前提下,板邊盡量大；對于 3+及以上 hdi 板最大尺寸不要超過 20.4”x24.4”;7.1.3.6 針

18、對填孔板，若同時含有通孔和盲孔的層且需填盲孔，原則上均設(shè)計通盲孔拆分電鍍；即：鐳射電鍍填孔機(jī)械鉆電鍍；(對于不同板 me 測試后確認(rèn)可以一次性鍍時，再各板單獨修改流程，其中如部分制板 me 已 ecn 更改為通盲孔合鍍流程，對于等同設(shè)計制板或制板升級版本時，可參考設(shè)計)；7.1.3.7 三階及以上 hdi 和 anylayer 盲孔設(shè)計中：（1）anylayer 芯板a、如芯板設(shè)計為 ldd 流程時，流程設(shè)計為：開料-鉆工具孔-鑼板修邊（倒圓角）（注意：滿足條件時才增加此流程）-二次棕化-鐳射鉆孔；b、如芯板設(shè)計為 cfm 流程時，流程設(shè)計為：開料-鉆工具孔-鑼板修邊（倒圓角）（注意：滿足條件

19、時才能增加此流程）-cfm-鐳射鉆孔-后續(xù)正常流程；（2）bu 層(且只含有盲孔)盲孔均采用 12um 銅直接鉆孔工藝，流程為:層壓后處理-二次棕化(棕化后銅厚 8.75+/-0.75um)-ldd 鐳射鉆孔-后續(xù)正常流程；（3）其它各層的 ldd 走的流程：層壓后處理-減薄銅(8+/-1um)-二次棕化(棕化后銅厚 6+/-1um)-ldd 鐳射鉆孔-（機(jī)械鉆孔）-后續(xù)正常流程；7.1.3.8 各層次線路蝕刻干膜寬度需滿足：0.1”=修邊后當(dāng)層基板尺寸 l-當(dāng)層 cfm/線路干膜尺寸 w=0.3mm 時則為正常的在除膠前加“磨板”流程；7.1.3.11 鑼板后的過 ir 流程并非必需要流程，

20、若客戶有明確要求必須過 ir 或按照 me 其他文件規(guī)定需要過 ir 時方需要設(shè)計過 ir 流程；7.1.3.12 對于 anylayer 設(shè)計的 cs 層（雙面板），如無法滿足 ldd 流程條件而需要使用 cfm流程時，銅箔選擇需滿足客戶銅厚要求及線路制作要求（若設(shè)計采用 h oz 銅箔時又由于銅厚原因需要在 cs 填孔后 idf 前增加減銅流程時，選用 1/3 oz 銅設(shè)計）； anylayer 的各層，當(dāng)其最小線寬/線距設(shè)計50um 時，優(yōu)先選用反轉(zhuǎn)銅箔（rtf 銅箔），所有 hdi 板存在線寬/線距50um 時，同樣優(yōu)先選用反轉(zhuǎn)銅箔（rtf 銅箔）；7.1.3.13 對于 3+及以上/

21、anylayer 結(jié)構(gòu)設(shè)計的板，若介電層可以使用 106/1067pp 時且使用的材料供應(yīng)商提供 1067pp 時，在滿足壓合其它限制條件的前提下，必須優(yōu)先使用 1067pp，以改善壓板變形問題，1067pp 相關(guān)鐳射孔設(shè)計同 106pp 一致。7.2 notice for tooling design 工具設(shè)計注意點7.2.1 anylayer 芯板鑼板修邊工具設(shè)計（1）設(shè)計要求a. 芯板為 ldd 流程&cfm 濕膜流程時（濕膜流程，全板覆蓋濕膜油墨；cfm 濕膜流程 mi 備注“涂覆不留邊”，鑼板修邊設(shè)計：四角倒圓角，r=20mm(請注意鑼板程序資）料在制作時，下刀及出刀處保證無尖角)，

22、如下圖所示 a; 為減少曝光過程中產(chǎn)生的板角干膜碎，anylayer 結(jié)構(gòu)芯板層圖形制作時，四個板角在倒圓角鑼帶基礎(chǔ)上往里+2mm區(qū)域做成非曝光區(qū)，見下圖 b 所示b. 鉆工具孔工具制作時，需在四角增加一組 3.175mm 鑼板修邊用定位孔（如下圖涂色示c. 鑼板修邊用定位孔系數(shù)設(shè)定為：1:1（屬性設(shè)定為不作拉伸處理）；鑼板修邊鑼帶按照 1:1 制作；鑼板修邊工具孔不能使用于其它流程；d. 除鑼板修邊工具孔特別控制外，鐳射鉆孔、圖形制作及機(jī)械鉆孔等工序使用定位孔按照正常拉伸系數(shù)進(jìn)行制作；e. 另外，若為 ldd 流程，鐳射鉆孔及圖形制作使用相同定位孔；若為 cfm 流程， cfm 及圖形制作使

23、用相同定位孔，鐳射鉆孔定位孔按照 sop 設(shè)計使用 cfm 蝕刻出來的定位標(biāo)靶制作。7.2.2 激光鉆孔時根據(jù)板邊的對位 mark 定位，mark 點需要設(shè)計內(nèi)層 mark 點和通孔 mark 點兩種。7.2.2.1 內(nèi)層 mark：當(dāng)盲孔底 pad 的最小 annular ring 在 2.5mil 以下時，盲孔對位 mark 采用其下一層的內(nèi)層標(biāo)靶對位；各層標(biāo)靶獨立設(shè)計；7.2.2.2 內(nèi)層 mark 圖形：內(nèi)層菲林設(shè)計：內(nèi)環(huán)為直徑f1.0mm 的銅盤（copper pad） 外環(huán)，（clearance）為130mil的基材圈。cfm 菲林設(shè)計：直徑 130mil 的基材圈。7.2.2.3

24、 通孔 mark：若盲孔底 pad 的最小 annular ring 在 2.5mil 以上時，采用四個角 4 個通孔進(jìn)行對位，此通孔為 cfm 對位孔，由壓板后處理采用 x-ray 鉆孔機(jī)鉆出，其設(shè)計同普通 hdi 設(shè)計規(guī)范。（同普通 hdi 板的 ldd 工藝激光鉆孔對位 mark，直接使用 cfm曝光的四個 3.175mm 孔做標(biāo)靶， 制作 ldd 工藝的激光鉆帶時只需將原來的對位標(biāo)pe靶坐標(biāo)替換為此 4 個孔的坐標(biāo)即可）(但請注意 7.1.3.2 中關(guān)于使用 di/ldi 機(jī)的要求).7.2.2.4 當(dāng)任何一次鐳射只有單面有鐳射孔而另外一面無鐳射孔時（anylayer 的 cs 層除外

25、），cfm 通孔 mark 只設(shè)計在有鐳射孔那一面的底層上；（例如若 l3/8 鐳射鉆時，若只有l(wèi)3 面有需做鐳射鉆而 l8 面無鐳射孔，則 l3/8 的 cfm 對位孔的標(biāo)靶只設(shè)計在 l4 層上）7.2.3 對于有機(jī)械鉆孔的層次，其機(jī)械鉆孔的定位孔和備用定位孔均需要盡量設(shè)計在板的長邊或?qū)掃叺恼虚g，且盡量向單元區(qū)域靠近，如下圖所示，標(biāo)靶 1/2 必須設(shè)計在寬邊的正中間；標(biāo)靶 4/5 必須設(shè)計在板長邊的正中間（即 a=b）；7.2.4 由于 3+和 anylayer 板有多次層壓及電鍍填孔等，因此在板邊標(biāo)靶上與普通 hdi 比要求增加以下要求：7.2.4.1 板角的工具孔（測數(shù)同心圓，測數(shù)的各層獨立標(biāo)靶，cfm 標(biāo)靶，機(jī)械鉆孔標(biāo)靶和備用標(biāo)靶，鐳射標(biāo)靶