射線探傷復(fù)習(xí)試題

1、 無損檢測(cè)RT專業(yè)測(cè)試題一、是非題（在括號(hào)內(nèi)正確的畫“O”，錯(cuò)誤的畫“” ）1、放射性同位素的半衰期是指放射性元素的放射強(qiáng)度變?yōu)樵瓉硪话胨枰臅r(shí)間。（ ）2、底片黑度D=2，即意味著透射光強(qiáng)為入射光強(qiáng)的1/100。（ ）3、光電效應(yīng)發(fā)生幾率隨原子序數(shù)的增大而增加。（ ） 4、膠片的梯度與射線的能量有關(guān)，射線的能量越高，膠片的梯度越小。（ ）5、顯影時(shí)間延長，將會(huì)使膠片特性曲線變陡，且在坐標(biāo)上的位置向右移。（ ）6、當(dāng)X射線通過三個(gè)半值層后，其強(qiáng)度僅為初始值的六分之一 。（ ）7、同一型號(hào)的X光機(jī)可以使用同一曝光曲線。（ ）8、在X射線管和膠片距離一半處放置一塊用高密度材料制成并鉆有小孔的板，

2、這是用來測(cè)定焦點(diǎn)的大致尺寸。（ ）9、顯影液呈堿性，定影液呈酸性。（ ）10、鉛箔增感屏的表面劃傷在底片上會(huì)產(chǎn)生黑色條紋。( )11、底片不清晰度包括幾何不清晰度和固有不清晰度， 固有不清晰度隨著射線能量的增加而連續(xù)遞增。（ ）12、一般來說，對(duì)厚度差較大的工件，應(yīng)使用較低能量的射線透照，其目的是降低對(duì)比度，提高寬容度。（ ）13、散射線只影響膠片對(duì)比度，與主因?qū)Ρ榷葻o關(guān)。（ ）14、采用源在外單壁透照方式，如K值不變，則焦距越大，一次透照長度L3就越大。（ ） 15、對(duì)508mm、焊縫寬度為13mm的小徑管環(huán)縫作雙壁雙影法傾斜透照時(shí)，橢圓成像開口寬度應(yīng)在13mm左右。（ ）16、AB級(jí)射線照

3、相曝光量推薦值為15mAmin,焦距為700mm,如焦距改為900mm,則曝光量推薦值應(yīng)不少于20mAmin。（ ）17、定影液老化和水洗不徹底都會(huì)導(dǎo)致底片長期保存后出現(xiàn)泛黃的現(xiàn)象。（ ）18、形狀缺陷不屬于無損檢測(cè)范疇，但對(duì)于目視檢查無法進(jìn)行的場(chǎng)合和部位進(jìn)行射線照相，則應(yīng)對(duì)內(nèi)凹、燒穿、咬邊等形狀缺陷評(píng)定。（ ）19、在放射防護(hù)中，隨即性效應(yīng)的發(fā)生幾率與劑量的大小有關(guān)。（ ）20、實(shí)際探傷中使用的射線是寬束連續(xù)射線，工件的吸收系數(shù)和工件內(nèi)部的吸收系數(shù)差別越大，缺陷越容易被發(fā)現(xiàn)。（ ）21、 原子序數(shù)Z 等于原子核中的質(zhì)子數(shù)量。（ ） 22、 為了使原子呈中必，原子核中的質(zhì)子數(shù)必須等于核外的電子

4、數(shù)。（ ）23、 當(dāng)原子核內(nèi)的中子數(shù)改變時(shí)，它就會(huì)變?yōu)榱硪环N元素。（ ）24、 當(dāng)一個(gè)原子增加一個(gè)質(zhì)子時(shí)，仍可保持元素的種類不變。（ ）25、 原子序數(shù)相同而原子量不同的元素，我們稱它為同位素。（ ）26、 不穩(wěn)定同位素在衰變過程中，始終要輻射射線。（ ）27、 不同種類的同位素，放射性活度大的總是比放射性活度小的具有更高的輻射劑量。（ ）28、 放射性同位素的半衰期是指放射性元素的能量變?yōu)樵瓉硪话胨枰臅r(shí)間。（ ）29、 各種射線源產(chǎn)生的射線均是單能輻射。（ ）30、 射線和射線雖然有很強(qiáng)的穿透能力，但由于對(duì)人體輻射傷害太大，所以一般不用于工業(yè)探傷。（ ）31、 將無素放在核反應(yīng)堆中受過量

5、中子轟擊，從而變成人造放射性同位素，這一過程稱為“激活”。（ ）32、 實(shí)際使用的Cs137放射源與其他放射性同位素不同，在常溫下呈液態(tài)，使用時(shí)須防止泄露污染。（ ）33、 與Ir192相比，Se75放射性同位素的半衰期更短，因此其衰變常數(shù)也更小一些。（ ）34、 射線能量越高，傳播速度越快，例如射線比X射線傳播快。（ ）35、 X射線或射線強(qiáng)度越高，其能量就越大。（ ）36、 X射線或射線是以光速傳播的小的物質(zhì)粒子。（ ）37、 當(dāng)X射線經(jīng)過2個(gè)半價(jià)層后，其能量?jī)H僅剩下最初的1/4。（ ）38、 如果母材的密度比缺陷的密度大一倍，而母材的原序比缺陷的原子序數(shù)小一半時(shí)，缺陷在底片上所成的象是白

6、斑。（ ）39、 標(biāo)識(shí)X射線具有高能量，那是由于高速電子同靶原子核相碰撞的結(jié)果。（ ）40、 連續(xù)X射線是高速電子同靶原子的軌道電子相碰撞而產(chǎn)生的。（ ）41、連續(xù)X射線的波長與管電壓有關(guān)。（ ）42、X射線機(jī)產(chǎn)生X射線的效率比較高，大約有95的電能轉(zhuǎn)化為X射線的能量。（ ）43、一種同位素相當(dāng)于多少千伏或兆伏能力的X射線機(jī)來做相同的工作，這種關(guān)系叫做同位素（ ）44、 同能量的射線和X 射線具有完全相同的性質(zhì)。 （ ）45、 X射線的強(qiáng)度不僅取決于X射線機(jī)的管電流而且還取決于X射線機(jī)的管電壓。 （ ）46、 與C060相比，CS137發(fā)出的射線能量較低，半衰期較短。（ ）47、光電效應(yīng)中光子

7、被完全吸收，而康普頓效應(yīng)中光子未被完全吸收。（ ）48、一能量為300KeV的光子與原子相互作用，使一軌道電子脫離50KeV結(jié)合能的軌道，且具有 50KeV動(dòng)能飛出，則新光子的能量是200KeV。（ ）49、光電的發(fā)生幾率隨原子序數(shù)的增大而增加。（ ）50、光電子又稱為反沖電子。（ ）51、隨著入射光子能量的增大，光電吸收系數(shù)迅速減少，康普頓衰減系數(shù)逐漸增大。（ ）52、當(dāng)射線能量在1.02MeV至10MeV區(qū)間，與相互作用的主要形式是電子對(duì)效應(yīng)。（ ）53、連續(xù)X射線穿透物質(zhì)后，強(qiáng)度減弱，線質(zhì)不變。（ ）54、射線通過材料后，其強(qiáng)度的9/10被吸收，該厚度即稱作1/10價(jià)層。（ ）55、當(dāng)射

8、線這三個(gè)半價(jià)層后，其強(qiáng)度僅剩下最初的1/8。（ ）56、連續(xù)X射線的有效能量是指穿透物質(zhì)后，未被物質(zhì)吸收的能量。所以穿透厚度越大，有效能量越小。（ ）57、 C060和Ir192射線源是穩(wěn)定的同位素在核反應(yīng)堆中俘獲中子而得到的，當(dāng)射線源經(jīng)過幾個(gè)半衰期后，將其放在核反應(yīng)堆中激活，可重復(fù)使用。（ ）58、 X射線和射線都是電磁輻射，而中子射線不是電磁輻射。（ ） 59、 放射性同位素的當(dāng)量能總是高于其平均能。（ ）60、 射線與可見光本質(zhì)上的區(qū)別僅僅是振動(dòng)頻率不同。（ ）二、選擇題1、 陽極靶上的焦點(diǎn)在與X射線束軸線垂直面上的投影稱為：（ ）A. 實(shí)際焦點(diǎn)； B. 靶極面積； C. 有效焦點(diǎn)； D

9、. 陽極。2、 鉛箔增感屏能使底片產(chǎn)生增感效應(yīng)是由于；（ ）A. 輻射短波被增感屏所吸收； B. 可消除掉背面地板所產(chǎn)生的散射；C. 降低在底片上的輻射照相效應(yīng)； D. 由射源側(cè)的增感屏上射出電子。3、 X射線曝光曲線正確的形式是：（ ）A. 橫軸為管電壓，縱軸為時(shí)間，以曝光量為參數(shù)；B. 橫軸為管電流，縱軸為管電壓，以曝光時(shí)間為參數(shù)；C. A和B都是； D.A和B都不是。4、 可以充分顯示在射線底片上的工件厚度范圍稱作：（ ）A. 靈敏度； B. 寬容度； C. 對(duì)比度； D. 黑度。5、 下列表述不正確的是：（ ）A. X射線對(duì)人體的照射量應(yīng)采用的單位是C/Kg； B. 不同類型的電離輻射

10、在相同的吸收劑量下產(chǎn)生的輻射損傷可以不同；C. 吸收劑量適于描述不同類型輻射和不同物質(zhì)受到的照射； D. 吸收劑量概念不同于劑量當(dāng)量概念。6、 當(dāng)光子與物質(zhì)相互作用時(shí)，光子的波長增加，方向改變，這是由于（ ）的結(jié)果：A、光電效應(yīng)； B、康普頓散射；C、湯姆遜散射； D、電子對(duì)產(chǎn)生。7、活度為80Ci,平均能量為1.66MeV的同位素源，經(jīng)過3個(gè)半衰期后，其平均能量為。（ ） A、0.008MeV B、0.22MeV C、0.33MeV D、1.66MeV8、當(dāng)施加于X射線管兩端的管電壓不變，管電流增加時(shí)，則（ ） A、產(chǎn)生的X射線波長不變，強(qiáng)度不變；B、產(chǎn)生的X射線波長不變，強(qiáng)度增加；C、產(chǎn)生

11、的X射線波長不變，強(qiáng)度減小；D、產(chǎn)生的X射線波長增加，強(qiáng)度不變。9、下面有關(guān)X射線管焦點(diǎn)的敘述，哪條是錯(cuò)誤的？（ ） A、有效焦點(diǎn)總是小于實(shí)際焦點(diǎn)； B、焦點(diǎn)越小、照相幾何不清晰度越?。?C、管電壓、管電流增加，實(shí)際焦點(diǎn)會(huì)有一定程度的增大； D、焦點(diǎn)越大、散熱越困難。10、下面有關(guān)膠片四種敘述中，唯一正確的是：（ ） A、膠片顆粒度大，感光速度快，底片圖象清晰；B、膠片顆粒度小，感光速度快，底片圖象模糊；C、膠片顆粒度大，感光速度快，底片圖象模糊；D、膠片顆粒度小，感光速度快，底片圖象清晰。11、射線照相的幾何不清晰度：（ ） A、與工件厚度成正比，與焦點(diǎn)尺寸成反比； B、與工件厚度成反比，與

12、焦點(diǎn)尺寸成反比； C、與焦點(diǎn)尺寸成正比，與焦距成反比； D、與焦點(diǎn)尺寸成反比，與焦距成正比。12、以相同的條件透照一工件，若焦距縮短20%，暴光時(shí)間可減小多少？（ ） A、64% B、36% C、20% D、80%13、若散射線忽略不計(jì)，當(dāng)透照厚度的增加量相當(dāng)于1/2半價(jià)層時(shí)，則膠片接受的照射量將減少多少？（ ） A、25% B、70% C、41% D、30%14、置于工件和射線源之間的濾板可以減少從工件邊緣進(jìn)入的散射線，起原因是濾板。（ ） A、吸收一次射線束中波長較長的成分； B、吸收一次射線束中波長較短的成分；C、吸收背散射線；D、降低一次射線束的強(qiáng)度。15、用鉛薄增感，焦距1400mm

13、暴光時(shí)間8分鐘，得底片黑度2.5，線焦距為700mm,底片黑度不變，暴光時(shí)間應(yīng)為：（ ） A、1.6分鐘； B、2分鐘； C、1.25分鐘； D、4分鐘。16、對(duì)厚度為15mm，直徑1000mm的筒體的對(duì)接環(huán)縫照相，較理想的選擇是：（ ） A、Ir192源，中心透照法； B、錐靶周向X射線機(jī)，中心透照法； C、單向X射線機(jī)，外照法； D、平靶周向X射線機(jī)，中心透照法。17、在哪一種情況下，底片的有效評(píng)定范圍會(huì)超出搭接標(biāo)記以外：（ ） A、環(huán)縫單壁外透法，搭接標(biāo)記放在膠片側(cè)； B、環(huán)縫雙壁單影透照，搭接標(biāo)記放在膠片側(cè)； C、縱縫單壁外透法，搭接標(biāo)記放在射線源側(cè)； D、環(huán)縫中心透照法搭接標(biāo)記放在膠

14、片側(cè)。18、 膠片在顯影時(shí)，哪一條件的變化會(huì)導(dǎo)致影象顆粒粗大？（ ）A、顯影液活力降低； B、顯影溫度過低；C、顯影時(shí)間過短； D、顯影溫度過高。19、膠片顯影后呈現(xiàn)在射線底片上的亮的折痕是由于什么原因造成的？（ ） A、靜電感光 B、鉛增感屏劃傷 C、曝光前膠片受折 D、曝光后膠片受折20、在相同吸收劑量的情況下，對(duì)人體傷害最大的射線種類是：（ ） A、X射線； B、r射線； C、中子射線； D、射線。 21、原子核的質(zhì)子數(shù)等于：（ ）A、中子數(shù)； B、原子序數(shù)； C、光子數(shù)； D、原子量。；22、 電磁波的頻率（f）,速度（c）和波長（）之間的關(guān)系可用（ ）表示。A、f=c B、c = f

15、 C、= fc D、f/c 23、原子主要組成部分是：（ ）A、質(zhì)子、電子、光子； B、質(zhì)子、重子、電子C、光子、電子、X射線； D、質(zhì)子、中子、電子。24、 質(zhì)子和中子的區(qū)別是中子沒有：（ ）A、電荷； B、質(zhì)量； C、自旋； D、半衰期。25、 當(dāng)幾種粒子和射線通過空氣時(shí)，其電離效應(yīng)最高的是：（ ）A、粒子； B、粒子； C、中子； D、X和射線。26、 在射線探傷中應(yīng)用最多的三種射線是：（ ）A、X射線，射線和中子射線 ； B、射線，射線和射線；C、X射線，射線和射線； D、X射線，射線和射線。27、 原子核外電子能量高的是：（ ）A、外殼層； B、中間殼層； C、內(nèi)殼層； D、以上均不

16、是。28、 同位素是指：（ ）A、質(zhì)量數(shù)相同而中子數(shù)不同的元素； B、質(zhì)量數(shù)相同而質(zhì)子數(shù)不同的元素；C、中子數(shù)相同而質(zhì)子數(shù)不同的元素； D、質(zhì)子數(shù)相同而質(zhì)量數(shù)不同的元素。29、 X射線、射線和粒子有一個(gè)共同點(diǎn)，即它們都是：（ ）A、均質(zhì)粒子輻射； B、電磁輻射； C、微波輻射； D、電離輻射。30、 在射線檢驗(yàn)中采用的能量范圍（約100KeVo-10MeV）射線穿過鋼鐵強(qiáng)度衰減的最主要原因是（ ）A、光電效應(yīng)； B、湯姆遜效應(yīng)； C、康普頓效應(yīng)； D、電子對(duì)效應(yīng)。31、 光子能量的數(shù)學(xué)表達(dá)式是：（ ） A.E=h/v； B.E=/hc； C.E=hv； D. E=hv2 32、 強(qiáng)度為I的單色

17、射線通過厚度為X的材料后，強(qiáng)度減弱I，其關(guān)系為IIX，此式表示下列哪種現(xiàn)象？（ ）A、光電效應(yīng)； B、康普頓散射； C、吸收； D、半價(jià)層厚度。33、 通常所說的200KV射線指；（ ）A、最大能量為0.2MeV的“白色”X射線； B、平均能量為0.2MeV的連續(xù)射線； C、能量為0.2MeV的連續(xù)射線； D、有效能量為0.2MeV的連續(xù)射線。34、 單色射線是指：（ ）A、標(biāo)識(shí)X射線； B、工業(yè)探傷源產(chǎn)生的射線； C、用來產(chǎn)生高對(duì)比度的窄束射線； D、由單一波長的電磁波組成的射線。35、 在一般的工業(yè)探傷中，射線與物質(zhì)相互作用時(shí)，主要產(chǎn)生的二個(gè)效應(yīng)是：（ ）A、光電效應(yīng)和電子對(duì)效應(yīng)； B、光

18、電效應(yīng)和康普頓散射； C、康普頓散射和電子對(duì)效應(yīng)； D、康普頓散射和電離。36、 當(dāng)光子與物質(zhì)相互作用時(shí)，光子將部分能量用于逐出軌道電子，且剩余的能量變?yōu)殡娮拥膭?dòng)能，這就是：（ ）A、康普頓散射； B、光電效應(yīng)； C、電子對(duì)效應(yīng)； D、電離。37、當(dāng)光子與物質(zhì)相互作用時(shí)，光子的波長增加，方向改變，這是由于（ ）的結(jié)果。A、光電效應(yīng)； B、康普頓散射； C、湯姆遜散射； D、電子對(duì)產(chǎn)生。38、康普頓散射的特征是：（ ）A、產(chǎn)生光電子； B、產(chǎn)生俄歇電子； C、產(chǎn)生反沖電子； D、產(chǎn)生正負(fù)電子對(duì)。39、光電效應(yīng)的特征是：（ ）A、產(chǎn)生光電子； B、發(fā)射標(biāo)識(shí)X射線； C、發(fā)射二次電子； D、以上都是

19、。40、已知某單能射線在鋼中的半價(jià)層為3mm，則該射線在鋼中的吸收系數(shù)為：（） A.0.23cm B.2.31 C.2.079cm D.0.00231mm41、 射線通過物質(zhì)時(shí)的衰減取決于（ ）A、特質(zhì)的原子序數(shù)、密度和厚度； B、特質(zhì)的楊氏模量； C、特質(zhì)的泊松比； D、物質(zhì)的晶粒度。42、 窄束和寬束的區(qū)別是（ ）A、窄束是指散射和未散射的射線均到達(dá)檢測(cè)器，而寬束是指只有未散射的射線到達(dá)檢測(cè)器。B、窄束是指只有未散射 射線到達(dá)檢測(cè)器，而寬束是指散射 未散射的射線均到達(dá)檢測(cè)器。C、窄束和寬束區(qū)別在于源尺寸大小不同。D、窄束和寬束區(qū)別在于照射場(chǎng)大小不同。43、 散射線的主要成份是低能電磁輻射，

20、它是由光子在哪一過程中減弱而產(chǎn)生的（ ）A、光電過程； B、康普頓過程； C、電子對(duì)過程； D、電離過程。44、 從X射線管中發(fā)射出的射線包括（ ）A、連續(xù)X射線； B、標(biāo)識(shí)X射線； C、射線； D、A和B45、 連續(xù)X射線穿透厚工件時(shí)，有何特點(diǎn)？（ ）A、第二半價(jià)層小于第一半價(jià)層； B、第二半價(jià)層等于第一半價(jià)層；C、第二半價(jià)層大于第一半價(jià)層； D、第二半價(jià)層與第一半價(jià)層關(guān)系不確定。46、 當(dāng)射線波長一定時(shí)，下列哪種物質(zhì)的最大？（ ）A、Fe B、Al C、Ti D、Cu47、 產(chǎn)生X射線的一般方法是在高帶電子的運(yùn)載方向上設(shè)置一個(gè)障礙物，使高速電子在這個(gè)障礙物上 突然減速，這個(gè)障礙物被叫（ ）

21、A、陽極； B、陰極； C、靶； D、燈絲。48、 X射線的穿透能力取決于（ ）A、毫安； B、千伏值； C、曝光時(shí)間； D、焦點(diǎn)尺寸。 49、 射線的穿透能力取決于（ ）A、源的尺寸； B、源的種類； C、曝光時(shí)間； D、焦點(diǎn)尺寸。 50、 當(dāng)施加于X射線管兩端的管電壓不變，管電流增加時(shí)，則（ ）A、產(chǎn)生的X射線波長不變，強(qiáng)度不變； B、產(chǎn)生的X射線波長不變，強(qiáng)度增加；C、產(chǎn)生的X射線波長不變，強(qiáng)度減小； D、產(chǎn)生的X射線波長增加，強(qiáng)度不變。51、 X射線機(jī)的管電流不變，管電壓減小時(shí)，則X射線將會(huì)發(fā)生（ ）A、強(qiáng)度不變，波長減??； B、強(qiáng)度不變，波長增大；C、波長減小，強(qiáng)度減??； D、波長增大，強(qiáng)度減小。52、 X射線管所產(chǎn)生的X射線的強(qiáng)度與管電壓的關(guān)系是（ ）A、強(qiáng)度與管電壓成正比； B、強(qiáng)度與管電壓成反比；C、強(qiáng)度與管電壓平方成正比； D、強(qiáng)度與管電壓平方成反比。53、 活度為80Ci、平均能量為1.66MeV的同位素源，經(jīng)過3個(gè)半衰期后，其平均能量為（ ）A、0.008MeV B、0.22 MeV C、0.33 MeV D、1.66 MeV54、 放射性同位素衰變時(shí)，原子核衰變方式通常是（ ）A、粒子發(fā)射； B、K俘獲； C、裂變； D、A和B55、 韌致輻射是指高速運(yùn)動(dòng)