第12章模擬集成電路中的基本單元電路

1、第第12 12章章 模擬集成電路中的基本單元電路模擬集成電路中的基本單元電路12.2 12.2 恒流源電路恒流源電路12.1 12.1 單管、復(fù)合器件及雙管放大級單管、復(fù)合器件及雙管放大級作業(yè)作業(yè)12.3 12.3 偏置電壓源和基準(zhǔn)電壓源電路偏置電壓源和基準(zhǔn)電壓源電路12.1 12.1 單管、復(fù)合器件及雙管放大級單管、復(fù)合器件及雙管放大級一、雙極晶體管復(fù)合器件及雙管放大級一、雙極晶體管復(fù)合器件及雙管放大級 在雙極模擬集成電路中，經(jīng)常把兩個(gè)或兩個(gè)以上的有在雙極模擬集成電路中，經(jīng)常把兩個(gè)或兩個(gè)以上的有源器件按一定的要求連接在一起，組成一些常用的復(fù)合源器件按一定的要求連接在一起，組成一些常用的復(fù)合三

2、端器件和單元電路，如達(dá)林頓管、復(fù)合三端器件和單元電路，如達(dá)林頓管、復(fù)合PNPPNP管、射耦管、射耦對等。在電路分析中，常將它們當(dāng)作一個(gè)整體來處理。對等。在電路分析中，常將它們當(dāng)作一個(gè)整體來處理。1 1、達(dá)、達(dá)林頓管林頓管 Q1 Q1、Q2Q2管的集電極短接在一起，管的集電極短接在一起，Q1Q1的發(fā)射極與的發(fā)射極與Q2Q2的的基極連接在一起，用恒流源基極連接在一起，用恒流源I I0 0( (或用偏置電阻或用偏置電阻) )來設(shè)定來設(shè)定管子的靜態(tài)工作點(diǎn)。在版圖設(shè)計(jì)時(shí)，由于兩個(gè)管子的管子的靜態(tài)工作點(diǎn)。在版圖設(shè)計(jì)時(shí)，由于兩個(gè)管子的集電極是短接的，所以可以共用一個(gè)隔離島。集電極是短接的，所以可以共用一個(gè)隔

3、離島。 上標(biāo)上標(biāo)C C代表復(fù)代表復(fù)合管。合管。復(fù)合管的輸入電阻復(fù)合管的輸入電阻復(fù)合管的等效直流電流增益復(fù)合管的等效直流電流增益復(fù)合管的低頻小信號電流復(fù)合管的低頻小信號電流增益增益復(fù)合管的等效跨導(dǎo)復(fù)合管的等效跨導(dǎo)復(fù)合管的等效輸出電阻復(fù)合管的等效輸出電阻 達(dá)林頓管的顯著特點(diǎn)是輸入電阻高，電流增益大，達(dá)林頓管的顯著特點(diǎn)是輸入電阻高，電流增益大，所以在集成電路中得到廣泛的應(yīng)用，但它的跨導(dǎo)和輸所以在集成電路中得到廣泛的應(yīng)用，但它的跨導(dǎo)和輸出電阻比單管小，且芯片面積增大。出電阻比單管小，且芯片面積增大。2 2、共、共集、共集、共射單元射單元3 3、復(fù)合、復(fù)合PNPPNP管管 在雙極模擬集成電路中有時(shí)要用到

4、在雙極模擬集成電路中有時(shí)要用到PNPPNP管，但一般橫管，但一般橫向向PNPPNP管的電流增益較小，在需要較大電流增益的管的電流增益較小，在需要較大電流增益的PNPPNP管時(shí)，可用復(fù)合管時(shí)，可用復(fù)合PNPPNP管。它是由一個(gè)橫向管。它是由一個(gè)橫向PNPPNP管和管和NPNNPN管管組合而成，組合而成，I I0 0為偏置恒流源。為偏置恒流源。 在電路版圖中，在電路版圖中，它需要兩個(gè)獨(dú)立它需要兩個(gè)獨(dú)立的隔離區(qū)。的隔離區(qū)。二、二、MOSMOS管放大級管放大級1 1MOSMOS源跟隨器源跟隨器 MOS MOS管組成的源跟隨器與雙極型晶體管的射極跟隨器管組成的源跟隨器與雙極型晶體管的射極跟隨器類似，具有

5、輸入阻抗高、輸出阻抗低、電壓增益小于類似，具有輸入阻抗高、輸出阻抗低、電壓增益小于( (近于近于1)1)的特點(diǎn)，它在的特點(diǎn)，它在MOSMOS集成運(yùn)放中得到廣泛應(yīng)用。集成運(yùn)放中得到廣泛應(yīng)用。其源漏電阻其源漏電阻r rds2ds2變化很小，基本變化很小，基本上可以看作常數(shù)上可以看作常數(shù)其源漏電阻其源漏電阻r rds2ds2是一個(gè)變化的是一個(gè)變化的非線性電阻非線性電阻2 2MOSMOS共柵放大器共柵放大器3 3共源共柵放大器共源共柵放大器4 4CMOSCMOS放大器放大器 以上介紹的以上介紹的MOSMOS放大器均為單溝道放大器均為單溝道MOSMOS放大器，它們放大器，它們的缺點(diǎn)是都存在襯偏調(diào)制效應(yīng)，

6、影響了放大倍數(shù)的提的缺點(diǎn)是都存在襯偏調(diào)制效應(yīng)，影響了放大倍數(shù)的提高，而且襯底偏置效應(yīng)與摻雜濃度有關(guān)。采用高，而且襯底偏置效應(yīng)與摻雜濃度有關(guān)。采用CMOSCMOS放放大器可以克服這種效應(yīng)。大器可以克服這種效應(yīng)。(1)(1)固定柵式固定柵式CMOSCMOS放大器放大器 由于阱的隔離作用，由于阱的隔離作用，兩個(gè)兩個(gè)MOSMOS管的襯底可以分管的襯底可以分別接到各自的源上，因別接到各自的源上，因而基本上消除了因襯底而基本上消除了因襯底偏置效應(yīng)而導(dǎo)致的性能偏置效應(yīng)而導(dǎo)致的性能的退化。的退化。 M1 M1為為NMOSNMOS管，管，M2M2為為PMOSPMOS管，兩管的襯底與它本身的管，兩管的襯底與它本身

7、的源短接，源短接，V VBSBS0 0；另外，兩管的柵短接，輸入信號；另外，兩管的柵短接，輸入信號ViVi同同時(shí)作用在兩管上。因?yàn)閮晒艿臏系啦煌?，所以兩管的電時(shí)作用在兩管上。因?yàn)閮晒艿臏系啦煌?，所以兩管的電流方向相反，因此放大器的輸出電流為兩管電流之和。流方向相反，因此放大器的輸出電流為兩管電流之和?2)CMOS(2)CMOS互補(bǔ)放大器互補(bǔ)放大器 在電路參數(shù)相同時(shí)，在電路參數(shù)相同時(shí)，CMOSCMOS互補(bǔ)放大器的電壓增益是互補(bǔ)放大器的電壓增益是固定柵式固定柵式CMOSCMOS放大器電壓增益的兩倍，而兩者的輸出放大器電壓增益的兩倍，而兩者的輸出電阻相同；但固定柵式電阻相同；但固定柵式CMOSCM

8、OS放大器的偏置要求比較簡放大器的偏置要求比較簡單。單。 若將若將CMOSCMOS放大器的電壓增益和輸出電阻與放大器的電壓增益和輸出電阻與E/E E/E MOSMOS放大器、放大器、E/D MOSE/D MOS放大器的電壓增益和輸出放大器的電壓增益和輸出電阻相比較，可以看出，由于在一般情況下，電阻相比較，可以看出，由于在一般情況下，g gdsds比比g gm m和和g gmbmb小一兩個(gè)數(shù)量級，因而在相同的工小一兩個(gè)數(shù)量級，因而在相同的工作電流條件下，作電流條件下，CMOSCMOS放大器的電壓增益遠(yuǎn)高于放大器的電壓增益遠(yuǎn)高于E/EE/E，E/DE/D放大器，通?？蛇_(dá)放大器，通常可達(dá)505060

9、dB60dB，其輸出，其輸出電阻也比電阻也比E/EE/E、E/DE/D放大器的輸出電阻高；而且放大器的輸出電阻高；而且CMOSCMOS放大器有兩種性能接近的互補(bǔ)管子，所以放大器有兩種性能接近的互補(bǔ)管子，所以可以使許多模擬電路簡化。由于以上這些特點(diǎn)，可以使許多模擬電路簡化。由于以上這些特點(diǎn)，因此因此CMOSCMOS放大器被廣泛地應(yīng)用于放大器被廣泛地應(yīng)用于MOSMOS模擬大規(guī)模模擬大規(guī)模集成電路中。其缺點(diǎn)是工藝復(fù)雜、占用管芯面集成電路中。其缺點(diǎn)是工藝復(fù)雜、占用管芯面積較大。積較大。12.2 12.2 恒流源電路恒流源電路 恒流源電路被廣泛用于作偏置電路和有源負(fù)載，其基恒流源電路被廣泛用于作偏置電路

10、和有源負(fù)載，其基本形式為鏡像電流源電路，為了簡化制造工藝，提高恒本形式為鏡像電流源電路，為了簡化制造工藝，提高恒流源性能以及適應(yīng)不同的要求，出現(xiàn)了多種電路形式。流源性能以及適應(yīng)不同的要求，出現(xiàn)了多種電路形式。一、精密匹配電流鏡一、精密匹配電流鏡 它能達(dá)到精密匹配，是由于它能達(dá)到精密匹配，是由于采用了以下幾個(gè)措施：采用了以下幾個(gè)措施： (1) (1)增加了增加了Q3Q3射隨器緩沖，改射隨器緩沖，改善了善了I IB B引入的電流傳輸差；引入的電流傳輸差； (2) (2)利用利用R1=R2R1=R2的負(fù)反饋，減小的負(fù)反饋，減小V VBEBE(V(VBE1BE1V VBE2BE2) )引入的電流差；引

11、入的電流差； (3) (3)為抵消為抵消I IB3B3的影響，在的影響，在Q2Q2的的集電極增加射隨器集電極增加射隨器Q4Q4，利用，利用Q4Q4的的I IB4B4抵消抵消I IB3B3，進(jìn)一步提高，進(jìn)一步提高I Ir r和和I Io o的的對稱性。對稱性。 在雙極模擬集成電路中，一般選用在雙極模擬集成電路中，一般選用NPNNPN管作為放大器件，它需管作為放大器件，它需要互補(bǔ)的要互補(bǔ)的PNPPNP管作為有源負(fù)載以增加增益，所以管作為有源負(fù)載以增加增益，所以PNPPNP恒流源在雙極恒流源在雙極模擬電路中得到廣泛的應(yīng)用。各種模擬電路中得到廣泛的應(yīng)用。各種NPNNPN恒流源都可化為恒流源都可化為PN

12、PPNP恒流源，恒流源，只要以只要以PNPPNP管代替管代替NPNNPN管并改變電源接法和電流的方向。管并改變電源接法和電流的方向。二、二、PNPPNP恒流源恒流源 由于橫向由于橫向PNPPNP管容易做成共基極多發(fā)射極多集電極結(jié)管容易做成共基極多發(fā)射極多集電極結(jié)構(gòu)，而且各集電極的電流比，精確地決定于各集電極對構(gòu)，而且各集電極的電流比，精確地決定于各集電極對應(yīng)的有效發(fā)射區(qū)周長之比。這正符合恒流源設(shè)計(jì)的要求，應(yīng)的有效發(fā)射區(qū)周長之比。這正符合恒流源設(shè)計(jì)的要求，給電路設(shè)計(jì)帶來很多方便，且可節(jié)省隔離島的數(shù)目，減給電路設(shè)計(jì)帶來很多方便，且可節(jié)省隔離島的數(shù)目，減小管芯的面積。小管芯的面積。12.3 12.3

13、 偏置電壓源和基準(zhǔn)電壓源電路偏置電壓源和基準(zhǔn)電壓源電路 在集成電路內(nèi)部經(jīng)常需要高質(zhì)量的內(nèi)部穩(wěn)壓源，以提供穩(wěn)定的在集成電路內(nèi)部經(jīng)常需要高質(zhì)量的內(nèi)部穩(wěn)壓源，以提供穩(wěn)定的偏置電壓或作為基準(zhǔn)電壓。一般要求這些電壓源的直流輸出電平偏置電壓或作為基準(zhǔn)電壓。一般要求這些電壓源的直流輸出電平較穩(wěn)定，而且這個(gè)直流電平應(yīng)該對電源電壓和溫度不敏感。較穩(wěn)定，而且這個(gè)直流電平應(yīng)該對電源電壓和溫度不敏感。 在集成電路中，與電源電壓無關(guān)的常用標(biāo)準(zhǔn)電壓有以下三類：在集成電路中，與電源電壓無關(guān)的常用標(biāo)準(zhǔn)電壓有以下三類： (1)BE (1)BE結(jié)二極管的正向壓降結(jié)二極管的正向壓降V VBEBE，V VBEBE=0.6=0.60.

14、8V0.8V，它，它的溫度系數(shù)的溫度系數(shù)-2mV-2mV； (2) (2)由由NPNNPN管反向擊穿管反向擊穿BEBE結(jié)構(gòu)成的齊納二極管的擊穿結(jié)構(gòu)成的齊納二極管的擊穿電壓電壓VzVz，VzVz6 69V9V，它的溫度系數(shù)，它的溫度系數(shù)+2mV+2mV ； (3) (3)等效熱電壓等效熱電壓VtVt26mV26mV，溫度系數(shù)，溫度系數(shù)+0.086mV+0.086mV。 這三種標(biāo)準(zhǔn)電壓的溫度系數(shù)有正、有負(fù)。利用這三種標(biāo)準(zhǔn)電壓的溫度系數(shù)有正、有負(fù)。利用V VBEBE和和VzVz，VtVt的溫度系數(shù)符號相反以及集成電路中元器件間的溫度系數(shù)符號相反以及集成電路中元器件間匹配和溫度跟蹤較好的特點(diǎn)，將這三種

15、標(biāo)準(zhǔn)電壓加以匹配和溫度跟蹤較好的特點(diǎn)，將這三種標(biāo)準(zhǔn)電壓加以不同的組合，可望得到不同的對電源電壓和溫度不敏不同的組合，可望得到不同的對電源電壓和溫度不敏感的電壓源和基準(zhǔn)電壓。感的電壓源和基準(zhǔn)電壓。一、雙極型三管能隙基準(zhǔn)源一、雙極型三管能隙基準(zhǔn)源利用等效熱電壓利用等效熱電壓VtVt的正溫度系數(shù)和的正溫度系數(shù)和V VBEBE的負(fù)溫度系數(shù)相互補(bǔ)償?shù)呢?fù)溫度系數(shù)相互補(bǔ)償，可使輸，可使輸出基準(zhǔn)電壓的溫度系數(shù)接近為零。出基準(zhǔn)電壓的溫度系數(shù)接近為零。V Vg0g01.205V1.205V，是溫度為，是溫度為0K0K時(shí)的時(shí)的硅外推能隙電壓；硅外推能隙電壓；n n為常數(shù)，其為常數(shù)，其值與晶體管的制作工藝有關(guān)。值與晶

16、體管的制作工藝有關(guān)。 在選定參考溫度在選定參考溫度T T0 0后，只后，只要適當(dāng)設(shè)計(jì)要適當(dāng)設(shè)計(jì)R2/R3R2/R3和和J1/J2J1/J2，即可使在該溫度下基準(zhǔn)電壓即可使在該溫度下基準(zhǔn)電壓的溫度系數(shù)接近零。由于這的溫度系數(shù)接近零。由于這種溫度系數(shù)為零的基準(zhǔn)電壓，種溫度系數(shù)為零的基準(zhǔn)電壓，其值接近于材料的能隙電壓其值接近于材料的能隙電壓V Vgogo，所以稱為能隙基準(zhǔn)源。，所以稱為能隙基準(zhǔn)源。 當(dāng)需要較高的基準(zhǔn)電壓時(shí)，可在三管能隙基準(zhǔn)源的當(dāng)需要較高的基準(zhǔn)電壓時(shí)，可在三管能隙基準(zhǔn)源的輸出基準(zhǔn)電壓上輸出基準(zhǔn)電壓上再疊加再疊加V VBEBE和增加電阻比值和增加電阻比值，以實(shí)現(xiàn)接，以實(shí)現(xiàn)接近近5V5V的

17、輸出基準(zhǔn)電壓。的輸出基準(zhǔn)電壓。二、雙極型二管能隙基準(zhǔn)源二、雙極型二管能隙基準(zhǔn)源 三管能隙基準(zhǔn)源輸出是三管能隙基準(zhǔn)源輸出是V Vg0g0整數(shù)倍的基準(zhǔn)電壓，若要求整數(shù)倍的基準(zhǔn)電壓，若要求輸出電壓不是輸出電壓不是V Vg0g0的整數(shù)倍，可用二管能隙基準(zhǔn)源。的整數(shù)倍，可用二管能隙基準(zhǔn)源。 改變改變R4/R5R4/R5的比值，即可獲得不同的的比值，即可獲得不同的輸出，而又不會影響獲得零溫度系數(shù)輸出，而又不會影響獲得零溫度系數(shù)的條件。適當(dāng)選取的條件。適當(dāng)選取R3R3的阻值，即可補(bǔ)的阻值，即可補(bǔ)償由于基極電流流經(jīng)償由于基極電流流經(jīng)R4R4產(chǎn)生的影響。產(chǎn)生的影響。采用這種電路可獲得溫漂小于采用這種電路可獲得溫

18、漂小于0.0l0.0l/，電壓精度高達(dá)，電壓精度高達(dá)0.10.1, ,而輸出不是而輸出不是VgoVgo整數(shù)倍的基準(zhǔn)電壓。整數(shù)倍的基準(zhǔn)電壓。 在在雙極電路雙極電路中，中，EBEB結(jié)壓降是重要的結(jié)壓降是重要的電參數(shù)電參數(shù)，它隨溫度有明顯的變化。能，它隨溫度有明顯的變化。能隙基準(zhǔn)源就是通過合理的電路設(shè)計(jì)，隙基準(zhǔn)源就是通過合理的電路設(shè)計(jì)，設(shè)法補(bǔ)償設(shè)法補(bǔ)償V VBEBE隨溫度變化對輸出電壓的隨溫度變化對輸出電壓的影響，以獲得接近零溫度系數(shù)的基準(zhǔn)影響，以獲得接近零溫度系數(shù)的基準(zhǔn)源。源。 在在MOSMOS電路電路中的中的重要電參數(shù)是重要電參數(shù)是MOSFETMOSFET的開啟電壓的開啟電壓，它也隨溫度，它也隨

19、溫度有明顯的變化。我們同樣可以通過合理的電路設(shè)計(jì)，來獲得接有明顯的變化。我們同樣可以通過合理的電路設(shè)計(jì)，來獲得接近零溫度系數(shù)的基準(zhǔn)電壓源。近零溫度系數(shù)的基準(zhǔn)電壓源。三、三、E ED NMOSD NMOS基準(zhǔn)電壓源基準(zhǔn)電壓源 E/D NMOS E/D NMOS基準(zhǔn)電壓源是利用增強(qiáng)型與耗盡型基準(zhǔn)電壓源是利用增強(qiáng)型與耗盡型MOSFETMOSFET的的開啟電壓之差形成溫度穩(wěn)定的基準(zhǔn)電壓源。開啟電壓之差形成溫度穩(wěn)定的基準(zhǔn)電壓源。 在工作過程中，若由于某種在工作過程中，若由于某種原因引起原因引起V VDlDl上升，將會引起上升，將會引起V VREFREF的上升，從而使的上升，從而使I IDEDE上升，上升

20、，最終導(dǎo)致最終導(dǎo)致V VDlDl下降，這樣保證了下降，這樣保證了V VREFREF的穩(wěn)定性。的穩(wěn)定性。 此電路要求此電路要求M1M1、M2M2工作于飽和區(qū)工作于飽和區(qū)( (這可以通過參數(shù)這可以通過參數(shù)的合理選擇做到的合理選擇做到) )。 第一增益級由第一增益級由M1M1M4M4和和M15M15構(gòu)成構(gòu)成，M3M3、M4M4是有源負(fù)載。是有源負(fù)載。M1M1M4M4組成的源耦合對采用雙端輸出，其輸出送至第二級差分放大器組成的源耦合對采用雙端輸出，其輸出送至第二級差分放大器的輸入端的輸入端(M5(M5、M6)M6)的柵極。設(shè)計(jì)有源負(fù)載的柵極。設(shè)計(jì)有源負(fù)載M3M3、M4M4時(shí)，不僅要求時(shí)，不僅要求有較高

21、的輸出阻抗，而且要求其特性應(yīng)嚴(yán)格匹配，以使有較高的輸出阻抗，而且要求其特性應(yīng)嚴(yán)格匹配，以使M1M1、M2M2中的電流相等。為了保證中的電流相等。為了保證M3M3、M4M4有相同的開啟電壓，其源極的有相同的開啟電壓，其源極的電壓電壓( (相對于襯底相對于襯底) )必須相等。必須相等。即使當(dāng)即使當(dāng)M9M9的負(fù)載電流發(fā)生變化時(shí)，的負(fù)載電流發(fā)生變化時(shí)，M7M7和和M8M8的源極電壓的源極電壓( (即即M5M5與與M6M6的漏極電壓的漏極電壓) )始終相等。由于始終相等。由于M5M5和和M6M6的電流和的電流和V Vdsds都各自嚴(yán)格匹配，這就保證了都各自嚴(yán)格匹配，這就保證了M5M5與與M6M6有相等的

22、柵極電有相等的柵極電壓，從而使壓，從而使M3M3與與M4M4的襯源和漏源電壓相等。的襯源和漏源電壓相等。 第二級差放采用單端輸出，輸出送至第二級差放采用單端輸出，輸出送至M9M9和和M10M10組成組成的源跟隨器，再由源跟隨器輸出基準(zhǔn)電壓的源跟隨器，再由源跟隨器輸出基準(zhǔn)電壓V VREFREF。 第二級增益電路由第二級增益電路由M5M5M8M8以及以及M14M14組成組成，它們的，它們的作用是保證作用是保證M3M3、M4M4的源極的源極電壓相等，同時(shí)完成雙端電壓相等，同時(shí)完成雙端到單端的轉(zhuǎn)換。到單端的轉(zhuǎn)換。 M7M7、M8M8是匹配的耗盡型是匹配的耗盡型MOSMOS對管，對管，當(dāng)它們的電流相等時(shí)

23、，應(yīng)當(dāng)它們的電流相等時(shí)，應(yīng)有有V VGS7GS7V VGS8GS80 0。 M11M11Ml5Ml5為偏置電路為偏置電路，提供，提供恒流偏置，它使電路中各耗盡型恒流偏置，它使電路中各耗盡型器件均工作在飽和區(qū)。器件均工作在飽和區(qū)。M16M16偏置偏置是兩級放大電路的總電流是兩級放大電路的總電流(I(I1 1I I2 2) )，由于此電路中各器件的電壓，由于此電路中各器件的電壓及電流僅決定于及電流僅決定于M16M16的電流及各的電流及各器件的幾何尺寸，所以電路的電器件的幾何尺寸，所以電路的電源電壓抑制比較高。源電壓抑制比較高。 此電路的輸出電壓此電路的輸出電壓V VREFREFVVTETEV VT

24、DTD，通過，通過適當(dāng)?shù)乜刂齐x子注入工藝，可適當(dāng)改變適當(dāng)?shù)乜刂齐x子注入工藝，可適當(dāng)改變V VREFREF的值。的值。 若要求基準(zhǔn)電壓能在較大范圍內(nèi)變化，若要求基準(zhǔn)電壓能在較大范圍內(nèi)變化，且有較精確的絕對值，可用圖且有較精確的絕對值，可用圖12.2012.20所所示的電路，此時(shí)輸出電壓為示的電路，此時(shí)輸出電壓為四、四、CMOSCMOS基準(zhǔn)電壓源基準(zhǔn)電壓源 利用利用MOSFETMOSFET在次開啟區(qū)的飽和漏電流隨電壓呈指數(shù)關(guān)在次開啟區(qū)的飽和漏電流隨電壓呈指數(shù)關(guān)系的特性，可以制作溫度系數(shù)較小的系的特性，可以制作溫度系數(shù)較小的CMOSCMOS基準(zhǔn)電壓源?；鶞?zhǔn)電壓源。 根據(jù)根據(jù)MOSMOS晶體管次開啟區(qū)電特性的理論分析，當(dāng)晶體管次開啟區(qū)電特性的理論分析，當(dāng)N N溝溝MOSFETMOSFET工作在次開啟區(qū)時(shí)，若其源極電壓不為零，則其工作在次開啟區(qū)時(shí)，若其源極電壓不為零，則其漏電流可表示為漏電流可表示為 V VGBGB、V VSBSB、V VDBDB分別表示柵極、源極和漏極對襯底的電分別表示柵極、源極和漏極