破壞性物理分析

1、 破壞性物理分析破壞性物理分析( dpa) 技術(shù)在元器技術(shù)在元器件的生產(chǎn)加工過程中用于生產(chǎn)過程的監(jiān)件的生產(chǎn)加工過程中用于生產(chǎn)過程的監(jiān)控控, 特別是關(guān)鍵工藝質(zhì)量分析與監(jiān)控特別是關(guān)鍵工藝質(zhì)量分析與監(jiān)控, 對對提升元器件的可靠性水平具有其它試驗(yàn)提升元器件的可靠性水平具有其它試驗(yàn)和檢驗(yàn)手段無法替代的作用。從元器件和檢驗(yàn)手段無法替代的作用。從元器件生產(chǎn)過程的控制角度生產(chǎn)過程的控制角度, 詳細(xì)討論了詳細(xì)討論了 dp a 分析技術(shù)的試驗(yàn)項(xiàng)目、試驗(yàn)方法分析技術(shù)的試驗(yàn)項(xiàng)目、試驗(yàn)方法, 并結(jié)合并結(jié)合實(shí)例闡述了實(shí)例闡述了 dpa 分析技術(shù)的應(yīng)用程序分析技術(shù)的應(yīng)用程序, 達(dá)到了提高元器件生產(chǎn)過程控制能力與達(dá)到了提高元

2、器件生產(chǎn)過程控制能力與提升產(chǎn)品可靠性的目的。提升產(chǎn)品可靠性的目的。8、破壞性物理分析破壞性物理分析( dpa) 隨著整機(jī)電子系統(tǒng)的復(fù)雜程度與可靠性要求隨著整機(jī)電子系統(tǒng)的復(fù)雜程度與可靠性要求 的提高的提高, 對元器件的可靠性要求也越來越高對元器件的可靠性要求也越來越高, 要求要求 元器件的可靠性水平達(dá)元器件的可靠性水平達(dá)(10-810-9) / h, 而統(tǒng)計(jì)表而統(tǒng)計(jì)表明明, 電子系統(tǒng)的故障由于電子元器件質(zhì)量原因引電子系統(tǒng)的故障由于電子元器件質(zhì)量原因引起的占起的占60% , 電子元器件的質(zhì)量問題主要包括電子元器件的質(zhì)量問題主要包括: 鍍層起皮、銹蝕鍍層起皮、銹蝕, 玻璃絕緣子裂紋玻璃絕緣子裂紋,

3、鍵合點(diǎn)缺陷鍵合點(diǎn)缺陷, 鍵合鍵合 點(diǎn)脫鍵點(diǎn)脫鍵, 鍵合尾絲太長鍵合尾絲太長, 鍵合絲受損鍵合絲受損, 鋁受侵鋁受侵蝕蝕, 芯芯 片粘結(jié)空洞片粘結(jié)空洞, 芯片缺陷芯片缺陷, 芯片沾污芯片沾污, 鈍化層缺鈍化層缺陷陷, 芯片金屬化缺陷芯片金屬化缺陷, 存在多余物存在多余物, 激光調(diào)阻缺陷激光調(diào)阻缺陷, 包封層裂紋包封層裂紋, 引線虛焊引線虛焊, 引線受損引線受損, 焊點(diǎn)焊料不足焊點(diǎn)焊料不足和粘潤不良和粘潤不良, 陶瓷裂紋陶瓷裂紋, 導(dǎo)電膠電連接斷路等等導(dǎo)電膠電連接斷路等等, 這些均能引起元器件失效這些均能引起元器件失效, 而這些失效來自于元而這些失效來自于元器件設(shè)計(jì)、制造的缺陷器件設(shè)計(jì)、制造的缺陷

4、, 在一定外因的作用下會在一定外因的作用下會引起系統(tǒng)的質(zhì)量問題。引起系統(tǒng)的質(zhì)量問題。 這些質(zhì)量問題已經(jīng)嚴(yán)重影響了整機(jī)這些質(zhì)量問題已經(jīng)嚴(yán)重影響了整機(jī)系統(tǒng)的可靠性水平系統(tǒng)的可靠性水平, 如何進(jìn)一步提高元器如何進(jìn)一步提高元器件的可靠性水平件的可靠性水平,如何進(jìn)一步提高元器件如何進(jìn)一步提高元器件的可靠性水平，僅僅依靠傳統(tǒng)的篩選和的可靠性水平，僅僅依靠傳統(tǒng)的篩選和試驗(yàn)驗(yàn)證的手段已經(jīng)不能滿足整機(jī)系統(tǒng)試驗(yàn)驗(yàn)證的手段已經(jīng)不能滿足整機(jī)系統(tǒng)的需求的需求, 也無法解決和保證生產(chǎn)出高也無法解決和保證生產(chǎn)出高 可靠可靠的元器件的元器件,下面將探討的通過下面將探討的通過 dpa 分析技分析技術(shù)術(shù) 在電子元器件生產(chǎn)過程中的

5、應(yīng)用可以在電子元器件生產(chǎn)過程中的應(yīng)用可以有效地指導(dǎo)設(shè)計(jì)有效地指導(dǎo)設(shè)計(jì), 改進(jìn)工藝改進(jìn)工藝, 提高元器件提高元器件的可靠性水平。的可靠性水平。1dpa 分析技術(shù)試驗(yàn)項(xiàng)目與在分析技術(shù)試驗(yàn)項(xiàng)目與在元器件生產(chǎn)過程中的作用元器件生產(chǎn)過程中的作用 dpa( destructive physical analysis ) 是指驗(yàn)證電子元器件的設(shè)計(jì)、結(jié)構(gòu)、材是指驗(yàn)證電子元器件的設(shè)計(jì)、結(jié)構(gòu)、材料、制造的質(zhì)量和工藝情況是否滿足預(yù)料、制造的質(zhì)量和工藝情況是否滿足預(yù)訂用途或有關(guān)規(guī)范的要求訂用途或有關(guān)規(guī)范的要求, 以及是否滿足以及是否滿足器件規(guī)定的可靠性和保障性器件規(guī)定的可靠性和保障性, 而對元器件而對元器件樣樣 品進(jìn)

6、行一系列的尋找失效機(jī)理分析與品進(jìn)行一系列的尋找失效機(jī)理分析與試驗(yàn)的過程試驗(yàn)的過程, 并確定失效是偶然的還是批并確定失效是偶然的還是批次性的次性的, 然后依據(jù)結(jié)論采取改正措施。然后依據(jù)結(jié)論采取改正措施。8.1. 1 dpa分析技術(shù)的基本試驗(yàn)項(xiàng)目分析技術(shù)的基本試驗(yàn)項(xiàng)目 電子元器件電子元器件dpa試驗(yàn)項(xiàng)目通常包括以下內(nèi)試驗(yàn)項(xiàng)目通常包括以下內(nèi)容容: 照相、外部目檢、射線檢查、超聲波檢測、照相、外部目檢、射線檢查、超聲波檢測、顆粒碰顆粒碰 撞噪聲檢測、密封檢驗(yàn)、引出端強(qiáng)度、撞噪聲檢測、密封檢驗(yàn)、引出端強(qiáng)度、軸向引線抗拉軸向引線抗拉 試驗(yàn)、內(nèi)部水汽含量檢測、物理試驗(yàn)、內(nèi)部水汽含量檢測、物理檢查、接觸件檢查

7、、檢查、接觸件檢查、 開封、內(nèi)部目檢、內(nèi)部檢開封、內(nèi)部目檢、內(nèi)部檢查、結(jié)構(gòu)檢測、鍵合強(qiáng)度試查、結(jié)構(gòu)檢測、鍵合強(qiáng)度試 驗(yàn)、掃描電鏡檢查、驗(yàn)、掃描電鏡檢查、芯片剪切強(qiáng)度、芯片粘接強(qiáng)度、芯片剪切強(qiáng)度、芯片粘接強(qiáng)度、 顯微潔凈檢查。顯微潔凈檢查。共共20 個(gè)試驗(yàn)內(nèi)容個(gè)試驗(yàn)內(nèi)容, 包括在包括在13 個(gè)試驗(yàn)個(gè)試驗(yàn) 項(xiàng)目內(nèi)。根項(xiàng)目內(nèi)。根據(jù)所采用的生產(chǎn)工藝與封裝形式對不同據(jù)所采用的生產(chǎn)工藝與封裝形式對不同 元器件元器件種類應(yīng)采取不同的項(xiàng)目和程序。如顆粒碰撞種類應(yīng)采取不同的項(xiàng)目和程序。如顆粒碰撞 噪噪聲檢測、密封檢驗(yàn)和內(nèi)部水汽含量檢測僅針對聲檢測、密封檢驗(yàn)和內(nèi)部水汽含量檢測僅針對氣氣 密性封裝的元器件密性封裝的

8、元器件, 鍵合強(qiáng)度試驗(yàn)僅針對有鍵合強(qiáng)度試驗(yàn)僅針對有內(nèi)引線內(nèi)引線 鍵合的元器件鍵合的元器件, 超聲波檢測和芯片剪切超聲波檢測和芯片剪切強(qiáng)度僅針對強(qiáng)度僅針對 內(nèi)部芯片采用燒結(jié)與粘結(jié)工藝的元內(nèi)部芯片采用燒結(jié)與粘結(jié)工藝的元器件器件, 引出端強(qiáng)度僅針對有外引線的元器件等。引出端強(qiáng)度僅針對有外引線的元器件等。1. 2 dpa分析技術(shù)在光元件分析技術(shù)在光元件生產(chǎn)過程中的作用生產(chǎn)過程中的作用 dpa分析技術(shù)在微電子器件生產(chǎn)過程中的試驗(yàn)分析方法和程序檢測的主要內(nèi)容和作用如表1所示。 dpa分析技術(shù)區(qū)別于篩選試驗(yàn)、質(zhì)分析技術(shù)區(qū)別于篩選試驗(yàn)、質(zhì)量一致性檢驗(yàn)以及失效分析量一致性檢驗(yàn)以及失效分析, 雖然雖然dpa分分析

9、技術(shù)的試驗(yàn)項(xiàng)目與之相類似析技術(shù)的試驗(yàn)項(xiàng)目與之相類似, 但篩選試但篩選試驗(yàn)、質(zhì)量一致性檢驗(yàn)以及驗(yàn)、質(zhì)量一致性檢驗(yàn)以及 失效分析是事失效分析是事后檢驗(yàn)的手段。后檢驗(yàn)的手段。dpa 分析技術(shù)以發(fā)現(xiàn)設(shè)分析技術(shù)以發(fā)現(xiàn)設(shè)計(jì)與生產(chǎn)加工過程的缺陷為目的計(jì)與生產(chǎn)加工過程的缺陷為目的, 無論是無論是在生產(chǎn)加工過程中還是在評價(jià)元器件的在生產(chǎn)加工過程中還是在評價(jià)元器件的質(zhì)量水平方面都可得到廣泛的應(yīng)用質(zhì)量水平方面都可得到廣泛的應(yīng)用, 尤其尤其是在生產(chǎn)加工過程中的是在生產(chǎn)加工過程中的 應(yīng)用應(yīng)用, 用于生產(chǎn)過用于生產(chǎn)過程的監(jiān)控程的監(jiān)控, 特別是關(guān)鍵工藝質(zhì)量特別是關(guān)鍵工藝質(zhì)量 分析與監(jiān)分析與監(jiān)控控, 對提升元器件的可靠性水平

10、具有其它對提升元器件的可靠性水平具有其它 試驗(yàn)和檢驗(yàn)手段無法替代的作用。試驗(yàn)和檢驗(yàn)手段無法替代的作用。 dpa 分析技術(shù)分析技術(shù) 主要應(yīng)用于主要應(yīng)用于:( 1 ) 可在元器件的生產(chǎn)過程中進(jìn)行運(yùn)用可在元器件的生產(chǎn)過程中進(jìn)行運(yùn)用;( 2) 通過通過 dpa 分析可以發(fā)現(xiàn)潛在的材料、分析可以發(fā)現(xiàn)潛在的材料、工工 藝等方面的缺陷藝等方面的缺陷, 而這些缺陷而這些缺陷 往往一往往一般的篩選試般的篩選試 驗(yàn)、考核試驗(yàn)是無法發(fā)現(xiàn)的驗(yàn)、考核試驗(yàn)是無法發(fā)現(xiàn)的;( 3 ) 用于用于 器件失效的原器件失效的原 因分析因分析, 從而發(fā)現(xiàn)從而發(fā)現(xiàn)材材 料、加工工藝中存在的缺陷料、加工工藝中存在的缺陷;( 4) 用于控制

11、與產(chǎn)品設(shè)計(jì)、結(jié)構(gòu)、裝配等用于控制與產(chǎn)品設(shè)計(jì)、結(jié)構(gòu)、裝配等工藝工藝 相關(guān)的失效模式。相關(guān)的失效模式。2dpa 分析技術(shù)的應(yīng)用分析技術(shù)的應(yīng)用2. 1 dp a分析技術(shù)的應(yīng)用程序分析技術(shù)的應(yīng)用程序 產(chǎn)品的質(zhì)量是設(shè)計(jì)、制造出來的。通產(chǎn)品的質(zhì)量是設(shè)計(jì)、制造出來的。通過過dpa分析技術(shù)的運(yùn)用分析技術(shù)的運(yùn)用, 在實(shí)際操作中可在實(shí)際操作中可以通過以通過pdca 循環(huán)循環(huán) 進(jìn)行進(jìn)行, 從而達(dá)到不斷改從而達(dá)到不斷改進(jìn)、提高元器件生產(chǎn)過程控進(jìn)、提高元器件生產(chǎn)過程控 制能力制能力, 提升提升產(chǎn)品質(zhì)量的目的。產(chǎn)品質(zhì)量的目的。 具體程序如下具體程序如下:( 1 ) 通過通過 dp a 分析技術(shù)分析技術(shù), 尋求設(shè)計(jì)和加工工

12、藝尋求設(shè)計(jì)和加工工藝 中存在的中存在的缺陷缺陷;( 2) 進(jìn)行機(jī)理分析進(jìn)行機(jī)理分析, 確定與之相關(guān)的工藝參數(shù)確定與之相關(guān)的工藝參數(shù) 與設(shè)計(jì)參數(shù)與設(shè)計(jì)參數(shù), 這樣就將這樣就將 dpa 分析出的缺陷表征為分析出的缺陷表征為 對有關(guān)的工藝與設(shè)對有關(guān)的工藝與設(shè)計(jì)控制要求計(jì)控制要求;( 3 ) 通過分析與研究通過分析與研究, 進(jìn)行工藝條件的優(yōu)化進(jìn)行工藝條件的優(yōu)化, 并并 進(jìn)行驗(yàn)證進(jìn)行驗(yàn)證試驗(yàn)試驗(yàn);( 4) 工序能力分析工序能力分析, 盡管采取了優(yōu)化的工藝與盡管采取了優(yōu)化的工藝與 設(shè)計(jì)設(shè)計(jì), 實(shí)際實(shí)際的工藝操作中工藝參數(shù)仍然會出現(xiàn)一定的工藝操作中工藝參數(shù)仍然會出現(xiàn)一定 的分布的分布, 這時(shí)這時(shí)應(yīng)采集足夠的

13、工藝參數(shù)應(yīng)采集足夠的工藝參數(shù), 進(jìn)行工序能進(jìn)行工序能 力分析力分析, 以確定實(shí)以確定實(shí)際滿足規(guī)范要求的能力際滿足規(guī)范要求的能力;( 5) 為了保證能夠持續(xù)、穩(wěn)定的生產(chǎn)出高可靠為了保證能夠持續(xù)、穩(wěn)定的生產(chǎn)出高可靠 的元器件的元器件, 通過通過dpa 分析技術(shù)的運(yùn)用分析技術(shù)的運(yùn)用, 在以上工作的基礎(chǔ)上在以上工作的基礎(chǔ)上, 進(jìn)一進(jìn)一步采用統(tǒng)計(jì)過程控制技術(shù)步采用統(tǒng)計(jì)過程控制技術(shù)( spc) ,保證生產(chǎn)線處于統(tǒng)計(jì)保證生產(chǎn)線處于統(tǒng)計(jì)受控狀態(tài)。受控狀態(tài)。 2. 2 dpa分析技術(shù)應(yīng)用實(shí)例分析技術(shù)應(yīng)用實(shí)例 引線鍵合是發(fā)光二極管最基本的工引線鍵合是發(fā)光二極管最基本的工藝環(huán)節(jié)藝環(huán)節(jié), 隨著瓦級大功率發(fā)光二極管的出

14、隨著瓦級大功率發(fā)光二極管的出現(xiàn)現(xiàn), 使得使得 led產(chǎn)品開始進(jìn)入照明市場。產(chǎn)品開始進(jìn)入照明市場。由于高功率、大電流的應(yīng)用由于高功率、大電流的應(yīng)用, 對引線鍵合對引線鍵合工藝的可靠性提出了更高的要求工藝的可靠性提出了更高的要求, 數(shù)據(jù)表數(shù)據(jù)表明有約明有約30% 的故障是由于引線鍵合不良的故障是由于引線鍵合不良引起的引起的, 因因 此此, 實(shí)現(xiàn)引線鍵合的高可靠也實(shí)現(xiàn)引線鍵合的高可靠也顯得越來越重要顯得越來越重要, 引引 線鍵合的質(zhì)量直接決線鍵合的質(zhì)量直接決定了大功率定了大功率 led 產(chǎn)品的可靠產(chǎn)品的可靠 性性, 以下是以下是利用利用 dpa 分析技術(shù)在某型號的大功率分析技術(shù)在某型號的大功率 le

15、d 產(chǎn)品上的應(yīng)用。產(chǎn)品上的應(yīng)用。l第一步第一步, 進(jìn)行產(chǎn)品開發(fā)初始階段的質(zhì)量狀態(tài)分進(jìn)行產(chǎn)品開發(fā)初始階段的質(zhì)量狀態(tài)分 析析, 發(fā)現(xiàn)引線鍵合工發(fā)現(xiàn)引線鍵合工 藝存在引線拉力不夠高的藝存在引線拉力不夠高的現(xiàn)現(xiàn) 象象, 而且在大電流工作狀態(tài)下有開路現(xiàn)象而且在大電流工作狀態(tài)下有開路現(xiàn)象;l第二步第二步, 分析原因分析原因, 發(fā)現(xiàn)該型號產(chǎn)品的鍵合工發(fā)現(xiàn)該型號產(chǎn)品的鍵合工 藝藝設(shè)計(jì)引用了傳統(tǒng)小功率產(chǎn)品設(shè)計(jì)引用了傳統(tǒng)小功率產(chǎn)品au -al 鍵合工藝鍵合工藝, 從從 機(jī)理上進(jìn)行分析認(rèn)為機(jī)理上進(jìn)行分析認(rèn)為, au -al 鍵合系統(tǒng)在大鍵合系統(tǒng)在大電流下電流下 工工 作或者高作或者高 溫的條件溫的條件 下會產(chǎn)下會產(chǎn)

16、 生多種生多種 金屬金屬 間化合間化合 物物 3 , 如如: au-al 、au 4-al、au 5-al2 、au 2 -al ( 白斑白斑)、au -al 2 ( 紫斑紫斑) 等等, 它們不但熱膨脹系數(shù)不同它們不但熱膨脹系數(shù)不同, 鍵合鍵合 點(diǎn)表現(xiàn)出較大點(diǎn)表現(xiàn)出較大的內(nèi)應(yīng)力的內(nèi)應(yīng)力, 而且電導(dǎo)率低而且電導(dǎo)率低, 導(dǎo)致接觸電阻變大導(dǎo)致接觸電阻變大, 因而會產(chǎn)生大電流工作狀態(tài)下的開路現(xiàn)象因而會產(chǎn)生大電流工作狀態(tài)下的開路現(xiàn)象; 第三步第三步, dpa分析驗(yàn)證分析驗(yàn)證, 對未出現(xiàn)故障的對未出現(xiàn)故障的產(chǎn)品產(chǎn)品 進(jìn)行開帽分析進(jìn)行開帽分析, 圖圖1是產(chǎn)品的鍵合點(diǎn)是產(chǎn)品的鍵合點(diǎn)掃描電鏡圖掃描電鏡圖, 發(fā)現(xiàn)

17、在鍵合接觸面出現(xiàn)了衍發(fā)現(xiàn)在鍵合接觸面出現(xiàn)了衍 生物質(zhì)生物質(zhì), 分析成分是分析成分是 au-al化合物化合物, 驗(yàn)證驗(yàn)證了機(jī)理分析的結(jié)論了機(jī)理分析的結(jié)論, 圖圖2是是au -al 鍵合化鍵合化合物產(chǎn)生示意圖合物產(chǎn)生示意圖, 進(jìn)一步進(jìn)行引線拉進(jìn)一步進(jìn)行引線拉 力試力試驗(yàn)驗(yàn),發(fā)現(xiàn)引線拉力僅為發(fā)現(xiàn)引線拉力僅為 0. 9 g , 已經(jīng)嚴(yán)重偏已經(jīng)嚴(yán)重偏離離 了正常的水平了正常的水平, 而且引線直接從鍵合點(diǎn)而且引線直接從鍵合點(diǎn)脫落脫落, 因而因而 可以得到結(jié)論可以得到結(jié)論: au -al 鍵合的鍵合的工藝設(shè)計(jì)不能滿足新型大功率工藝設(shè)計(jì)不能滿足新型大功率 led 的實(shí)的實(shí)際使用要求際使用要求, 已經(jīng)嚴(yán)重影響了

18、器件的可靠已經(jīng)嚴(yán)重影響了器件的可靠性性, 需要更改工藝設(shè)計(jì)需要更改工藝設(shè)計(jì);l第四步第四步, 研究其它鍵合工藝研究其它鍵合工藝, 更改工藝設(shè)計(jì)。設(shè)更改工藝設(shè)計(jì)。設(shè) 計(jì)計(jì)中采用了高可靠的中采用了高可靠的 au -au 鍵合系統(tǒng)鍵合系統(tǒng), 以工藝能以工藝能 力指數(shù)為表征量力指數(shù)為表征量, 得到初期的工藝能力指數(shù)得到初期的工藝能力指數(shù)c pk 值僅為值僅為0. 5。為了提高工藝能力。為了提高工藝能力, 提升提升cpk , 以鍵以鍵合力作為鍵合工藝的優(yōu)化的正交試驗(yàn)參考指標(biāo)合力作為鍵合工藝的優(yōu)化的正交試驗(yàn)參考指標(biāo), 分析影響鍵合力的主要工藝因素是分析影響鍵合力的主要工藝因素是: 鍵合加熱溫鍵合加熱溫度度

19、, 劈刀壓力劈刀壓力, 超聲功率。在此基礎(chǔ)上進(jìn)行試驗(yàn)設(shè)超聲功率。在此基礎(chǔ)上進(jìn)行試驗(yàn)設(shè)計(jì)計(jì),并取得試驗(yàn)結(jié)果并取得試驗(yàn)結(jié)果, 試驗(yàn)情況見表試驗(yàn)情況見表 2。l對以上數(shù)據(jù)進(jìn)行數(shù)據(jù)分析對以上數(shù)據(jù)進(jìn)行數(shù)據(jù)分析, 得到最大拉力的工得到最大拉力的工 藝藝條件組合是條件組合是 1 20 、3 5 g 、200 mw ;l第五步第五步, 對優(yōu)化的工藝條件進(jìn)行對優(yōu)化的工藝條件進(jìn)行cpk 統(tǒng)計(jì)統(tǒng)計(jì), 得到得到 經(jīng)經(jīng)過優(yōu)化后的過優(yōu)化后的 c pk= 1.5 。l以上以上 dpa 分析技術(shù)的運(yùn)用分析技術(shù)的運(yùn)用, 使得新型的大功率使得新型的大功率led 產(chǎn)品存在的可靠性問題得到了有效的解決。產(chǎn)品存在的可靠性問題得到了有效

20、的解決。微波器件聲學(xué)掃描圖片，空洞面積超過微波器件聲學(xué)掃描圖片，空洞面積超過50%。l單個(gè)空隙貫穿芯片的整個(gè)長度或?qū)挾?，并超過單個(gè)空隙貫穿芯片的整個(gè)長度或?qū)挾?，并超過整個(gè)預(yù)定接觸面積的整個(gè)預(yù)定接觸面積的10%。lic聲學(xué)掃描圖片聲學(xué)掃描圖片,空洞面積超過空洞面積超過50% 9.1 漏電流過大漏電流過大 某廠生產(chǎn)的某廠生產(chǎn)的cmos 4011電路，在電路，在l 000小小時(shí)例行試驗(yàn)中發(fā)現(xiàn)時(shí)例行試驗(yàn)中發(fā)現(xiàn)idd漏電流過大。漏電流過大。 初步認(rèn)為初步認(rèn)為idd大的原因?yàn)闁叛趸瘜又写嬖诖蟮脑驗(yàn)闁叛趸瘜又写嬖谶^多可動電荷所致，后經(jīng)多方分析，確認(rèn)為是過多可動電荷所致，后經(jīng)多方分析，確認(rèn)為是f+玷污所致。玷污所致。 9.2 管內(nèi)水汽管內(nèi)水汽 某型號整機(jī)，在例行試驗(yàn)的常溫測試中某型號整機(jī)，在例行試驗(yàn)的常溫測試中出現(xiàn)異常情況出現(xiàn)異常情況(電參數(shù)不穩(wěn)定電參數(shù)不穩(wěn)定)，最后確定是所，最后確定是所使用的高精度運(yùn)算放大器使用的高精度運(yùn)算放大器xfc-78失效。器件失效。器件拆下后測試，結(jié)果是拆下后測試，結(jié)果是uos超標(biāo)且發(fā)生漂移。超標(biāo)且發(fā)生漂移。 分析過程如下：分析過程如下： 氣密性檢查。氣密性檢