微機(jī)原理與接口技術(shù)-第5章-存儲(chǔ)器

1、第五章第五章 存儲(chǔ)器存儲(chǔ)器v學(xué)習(xí)目的：v了解半導(dǎo)體存儲(chǔ)器的分類v掌握地址譯碼的方法v掌握存儲(chǔ)器的應(yīng)用v掌握存儲(chǔ)器的容量擴(kuò)充v了解存儲(chǔ)器擴(kuò)展技術(shù)1 5.1 存儲(chǔ)器概述存儲(chǔ)器概述v內(nèi)存儲(chǔ)器內(nèi)存儲(chǔ)器-比外存儲(chǔ)器存取速度快，存儲(chǔ)容量小比外存儲(chǔ)器存取速度快，存儲(chǔ)容量小v外存儲(chǔ)器外存儲(chǔ)器-輔助存儲(chǔ)器，屬于計(jì)算機(jī)的外部設(shè)備，常輔助存儲(chǔ)器，屬于計(jì)算機(jī)的外部設(shè)備，常用的有磁盤、光盤和用的有磁盤、光盤和U U盤等，存儲(chǔ)容量大，存取速度慢。盤等，存儲(chǔ)容量大，存取速度慢。 21.1.半導(dǎo)體存儲(chǔ)器的分類半導(dǎo)體存儲(chǔ)器的分類v內(nèi)存儲(chǔ)器主要由半導(dǎo)體材料構(gòu)成，也稱半導(dǎo)體存儲(chǔ)器。內(nèi)存儲(chǔ)器主要由半導(dǎo)體材料構(gòu)成，也稱半導(dǎo)體存儲(chǔ)器。v

2、按制造工藝按制造工藝-分為雙極型半導(dǎo)體存儲(chǔ)器和金屬氧化物型分為雙極型半導(dǎo)體存儲(chǔ)器和金屬氧化物型（MOS）半導(dǎo)體存儲(chǔ)器兩類。）半導(dǎo)體存儲(chǔ)器兩類。v按照工作方式按照工作方式-分為隨機(jī)讀寫(xiě)存儲(chǔ)器分為隨機(jī)讀寫(xiě)存儲(chǔ)器RAM和只讀存儲(chǔ)器和只讀存儲(chǔ)器ROM兩大類。兩大類。 3v隨機(jī)存儲(chǔ)器隨機(jī)存儲(chǔ)器RAM： A) 雙極型半導(dǎo)體雙極型半導(dǎo)體RAM，雙極型是以晶體管觸發(fā)器作為基本存，雙極型是以晶體管觸發(fā)器作為基本存儲(chǔ)電路，儲(chǔ)電路，TTL電路；高速，功耗大、集成度低，成本高；電路；高速，功耗大、集成度低，成本高； B) MOS型型RAM（Metal Oxide Semiconductor)低速，功耗低速，功耗低、成

3、本低、集成度高；低、成本低、集成度高；(1).靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器SRAM是以雙穩(wěn)態(tài)觸發(fā)器作為存儲(chǔ)元是以雙穩(wěn)態(tài)觸發(fā)器作為存儲(chǔ)元;(2).動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器DRAM是用電容存儲(chǔ)信息，需要刷新；是用電容存儲(chǔ)信息，需要刷新；v只讀存儲(chǔ)器只讀存儲(chǔ)器ROM1.掩膜式掩膜式ROM 2.可編程式可編程式PROM3.可擦除可編程式可擦除可編程式EPROM4.電可擦除可編程式電可擦除可編程式E2PROM、EAROM、NOVROM2704、2708、2716、2732、2764、27128、27256、27512、271024beGSD42.存儲(chǔ)器件的性能指標(biāo)存儲(chǔ)器件的性能指標(biāo)（1 1）存儲(chǔ)容量

4、）存儲(chǔ)容量 存儲(chǔ)器所能容納二進(jìn)制信息的總量。存儲(chǔ)器所能容納二進(jìn)制信息的總量。v 能存儲(chǔ)能存儲(chǔ)1 1位二進(jìn)制信息的物理器件稱為存儲(chǔ)元，多個(gè)存儲(chǔ)位二進(jìn)制信息的物理器件稱為存儲(chǔ)元，多個(gè)存儲(chǔ)元構(gòu)成存儲(chǔ)單元，存儲(chǔ)芯片就是由若干個(gè)存儲(chǔ)單元構(gòu)成。元構(gòu)成存儲(chǔ)單元，存儲(chǔ)芯片就是由若干個(gè)存儲(chǔ)單元構(gòu)成。存儲(chǔ)容量表示為存儲(chǔ)容量表示為“存儲(chǔ)單元個(gè)數(shù)存儲(chǔ)單元個(gè)數(shù)每個(gè)存儲(chǔ)單元位數(shù)每個(gè)存儲(chǔ)單元位數(shù)”如：如：SRAMSRAM芯片芯片62646264，它的容量為，它的容量為8K8K8 8；如：如：DRAMDRAM芯片芯片NMC41257NMC41257的容量為的容量為256K256K1 1，即它有，即它有256K256K個(gè)單元，

5、個(gè)單元，每個(gè)單元存儲(chǔ)每個(gè)單元存儲(chǔ)1 1位二進(jìn)制信息位二進(jìn)制信息; ;5（2 2）存取速度）存取速度 存取速度通常用存取時(shí)間來(lái)衡量。存取時(shí)間又稱為訪問(wèn)存取速度通常用存取時(shí)間來(lái)衡量。存取時(shí)間又稱為訪問(wèn)時(shí)間或讀時(shí)間或讀/ /寫(xiě)時(shí)間，是指寫(xiě)時(shí)間，是指CPUCPU從啟動(dòng)一次存儲(chǔ)器操作（讀從啟動(dòng)一次存儲(chǔ)器操作（讀或?qū)懀┑酵瓿稍摬僮魉枰臅r(shí)間?；?qū)懀┑酵瓿稍摬僮魉枰臅r(shí)間。v 連續(xù)兩次獨(dú)立的存儲(chǔ)器讀連續(xù)兩次獨(dú)立的存儲(chǔ)器讀/ /寫(xiě)操作所需的最小時(shí)間間隔寫(xiě)操作所需的最小時(shí)間間隔稱為存儲(chǔ)周期。稱為存儲(chǔ)周期。 （3 3）可靠性）可靠性 可靠性是指在規(guī)定的時(shí)間內(nèi)，存儲(chǔ)器無(wú)故障讀可靠性是指在規(guī)定的時(shí)間內(nèi)，存儲(chǔ)器無(wú)故

6、障讀/ /寫(xiě)的概寫(xiě)的概率。通常用平均無(wú)故障時(shí)間率。通常用平均無(wú)故障時(shí)間MTBFMTBF（mean time between mean time between failuresfailures）來(lái)衡量可靠性。）來(lái)衡量可靠性。MTBFMTBF可以理解為兩次故障之可以理解為兩次故障之間的平均時(shí)間間隔，越長(zhǎng)說(shuō)明存儲(chǔ)器的性能越好。間的平均時(shí)間間隔，越長(zhǎng)說(shuō)明存儲(chǔ)器的性能越好。 6（4 4）功耗）功耗 功耗反映存儲(chǔ)器件耗電的多少，同時(shí)也反映了其發(fā)熱的功耗反映存儲(chǔ)器件耗電的多少，同時(shí)也反映了其發(fā)熱的程度。功耗越小，存儲(chǔ)器件的工作穩(wěn)定性越好。大多數(shù)半程度。功耗越小，存儲(chǔ)器件的工作穩(wěn)定性越好。大多數(shù)半導(dǎo)體存儲(chǔ)器

7、的維持功耗小于工作功耗。導(dǎo)體存儲(chǔ)器的維持功耗小于工作功耗。75.2 隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（RAM）MOS型隨機(jī)存取存儲(chǔ)器按工作原理分為型隨機(jī)存取存儲(chǔ)器按工作原理分為n靜態(tài)靜態(tài)RAM（SRAM）n動(dòng)態(tài)動(dòng)態(tài)RAM（DRAM）靜態(tài)靜態(tài)RAM以觸發(fā)器為基本存儲(chǔ)電路，保存的數(shù)據(jù)不需要刷新。以觸發(fā)器為基本存儲(chǔ)電路，保存的數(shù)據(jù)不需要刷新。與動(dòng)態(tài)與動(dòng)態(tài)RAM比較，它的存取速度快，集成度低，功耗大。比較，它的存取速度快，集成度低，功耗大。動(dòng)態(tài)動(dòng)態(tài)RAM以電容作為基本存儲(chǔ)電路，每隔一段時(shí)間需要刷新一以電容作為基本存儲(chǔ)電路，每隔一段時(shí)間需要刷新一次。它的集成度高，成本低。次。它的集成度高，成本低。 85.

8、2.1 MOS型靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（型靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（SRAM） 1.基本存儲(chǔ)元電路基本存儲(chǔ)元電路 MOS型靜態(tài)型靜態(tài)RAM基于雙穩(wěn)態(tài)觸發(fā)器的工作原理保存信息?；陔p穩(wěn)態(tài)觸發(fā)器的工作原理保存信息。9圖圖5-1 靜態(tài)靜態(tài)RAM的基本存儲(chǔ)元電路的基本存儲(chǔ)元電路10 MOS型靜態(tài)型靜態(tài)RAM芯片由存儲(chǔ)體和外圍電路。芯片由存儲(chǔ)體和外圍電路。v外圍電路：地址譯碼器、外圍電路：地址譯碼器、I/O緩沖器和讀寫(xiě)控制電路緩沖器和讀寫(xiě)控制電路v存儲(chǔ)體：由許多個(gè)存儲(chǔ)元組成，這些存儲(chǔ)元通常以矩陣的形存儲(chǔ)體：由許多個(gè)存儲(chǔ)元組成，這些存儲(chǔ)元通常以矩陣的形式排列。式排列。2. MOS型靜態(tài)型靜態(tài)RAM芯片的組成結(jié)構(gòu)芯片

9、的組成結(jié)構(gòu)11圖圖5-2 靜態(tài)靜態(tài)RAM的結(jié)構(gòu)的結(jié)構(gòu)123.靜態(tài)靜態(tài)RAM芯片舉例芯片舉例常用的常用的SRAM芯片有：芯片有：6116（2K8）、）、2016、40166264（8K8）62128（16KX8）62256（32K8）62512（64K8）128K8、 256K8、 512K8、 1024K8 120ns150ns 1ns13（1）6264芯片外部引腳芯片外部引腳vA0Al2-13根地址信號(hào)線根地址信號(hào)線 vD0D7-8根數(shù)據(jù)線根數(shù)據(jù)線 v 、CS2 -兩根片選信號(hào)線，兩根片選信號(hào)線， 低低電平有效、電平有效、CS2高電平有效。高電平有效。-輸出允許信號(hào)，低電平有效，輸出允許信號(hào)

10、，低電平有效，CPU從芯片中讀出數(shù)據(jù)。從芯片中讀出數(shù)據(jù)。-寫(xiě)允許信號(hào)，低電平有效，寫(xiě)允許信號(hào)，低電平有效，允許數(shù)據(jù)寫(xiě)入芯片。允許數(shù)據(jù)寫(xiě)入芯片。VCC：+5V電源電源GND：接地端，：接地端，NC ：空端。：空端。12823456789101112131427262524232221201918171615NCA12A7A6A5A4A3A2A1A0D0D1D2GNDD7D6D5D4D3WECS2A8A9A11OEA10CS1+5V圖5-3 SRAM 6264外部引線圖圖OECS1CS1WE14 tw twcA0 A12D0 D7tDW CS1 CS2 WE SRAM 6264 寫(xiě)操作時(shí)序圖寫(xiě)操作

11、時(shí)序圖15SRAM 6264 讀操作時(shí)序圖 A0 A12 CS1 OE D0 D7 tOE tCO tRW CS2 165.2.2 靜態(tài)靜態(tài)RAM芯片應(yīng)用芯片應(yīng)用存儲(chǔ)器芯片的應(yīng)用就是將芯片正確地接入計(jì)算機(jī)系統(tǒng)。根據(jù)存儲(chǔ)器芯片的應(yīng)用就是將芯片正確地接入計(jì)算機(jī)系統(tǒng)。根據(jù)CPU要求的地址范圍，將芯片上的各種信號(hào)與計(jì)算機(jī)系統(tǒng)要求的地址范圍，將芯片上的各種信號(hào)與計(jì)算機(jī)系統(tǒng)的地址線、數(shù)據(jù)線和控制線，連接在一起。的地址線、數(shù)據(jù)線和控制線，連接在一起。v地址線的連接。地址線的連接。 v數(shù)據(jù)線的連接。數(shù)據(jù)線的連接。 v控制信號(hào)線的連接控制信號(hào)線的連接 。17 8088系統(tǒng)BUSSRAM6264D0 D7D0 D

12、7A0A0A12A12MEMWMEMRWECS2+5VOE11CS1A19A18A17A16A15A14A13&A1318將一組輸入信號(hào)轉(zhuǎn)換為一個(gè)輸出信號(hào)，稱為譯碼。將一組輸入信號(hào)轉(zhuǎn)換為一個(gè)輸出信號(hào)，稱為譯碼。 v地址譯碼的方法有：全地址譯碼和部分地址譯碼。地址譯碼的方法有：全地址譯碼和部分地址譯碼。191.全地址譯碼全地址譯碼v全地址譯碼就是把系統(tǒng)中全部地址線與芯片連接，其中高全地址譯碼就是把系統(tǒng)中全部地址線與芯片連接，其中高位地址線經(jīng)過(guò)譯碼電路譯碼后作為芯片的片選信號(hào)；低位位地址線經(jīng)過(guò)譯碼電路譯碼后作為芯片的片選信號(hào)；低位地址線與系統(tǒng)中的相應(yīng)地址線一對(duì)一連接。地址線與系統(tǒng)中的相應(yīng)地

13、址線一對(duì)一連接。 v【例例5-1】 6264芯片的地址范圍為芯片的地址范圍為F8000HF9FFFH，要，要求以全地址譯碼方式將求以全地址譯碼方式將6264芯片接入計(jì)算機(jī)系統(tǒng)。芯片接入計(jì)算機(jī)系統(tǒng)。 將芯片的地址范圍以二進(jìn)制形式表示：將芯片的地址范圍以二進(jìn)制形式表示：圖5-6 地址譯碼設(shè)計(jì)2021譯碼電路的設(shè)計(jì)有兩種方法：一種是利用基本的邏輯門電譯碼電路的設(shè)計(jì)有兩種方法：一種是利用基本的邏輯門電路搭建譯碼器，另一種是利用專用的譯碼器芯片譯碼。路搭建譯碼器，另一種是利用專用的譯碼器芯片譯碼。v第一種方法第一種方法 方案方案12223 方案方案224第二種方法：第二種方法：利用專用的譯碼器芯片譯碼利

14、用專用的譯碼器芯片譯碼v利用利用74LS138芯片譯碼芯片譯碼圖圖5-9 6264全地址全地址138譯碼方案譯碼方案22526D0 D7D0 D7A0A0A12A12MEMWWEMEMRCS2+5VOE&1A19A18A17A16A15A14A13CS1Y7G1G2BG2ACBASRAM6264A19A18 A17A16 A15A14A13A12 A11A10A9A8 A7A6A5A4 A3A2A1A0 0 0 1 1 1 1 1 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 3E000 0 0 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 13FFFF 1

15、38譯碼器&272.部分地址譯碼部分地址譯碼只使用系統(tǒng)地址總線中的一部只使用系統(tǒng)地址總線中的一部分與芯片中的地址線相連。分與芯片中的地址線相連。使用了使用了A13A17共共5根線，根線，A18和和A19未用。未用。 圖圖5-10 6264部分地址譯碼部分地址譯碼28A19 A18 A17 A16 A15 A14 A13A12 A11A10A9A8 A7A6A5A4 A3A2A1A0X X X X X X X 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 298088系統(tǒng)BUSSRAM6264D0 D7D0 D7A0A0A12A12MEMWMEMRWECS2+5VOECS1&

16、;A19A17A15A14A13A19A18 A17A16 A15A14A13A12 A11A10A9A8 A7A6A5A4 A3A2A1A0 1 X 1 X 1 1 1 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 1 X 1 X 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1Y730部分地址譯碼的后果：部分地址譯碼的后果：地址重疊地址重疊31線性譯碼：線性譯碼： 只使用一根地址線作為片選信號(hào)。只使用一根地址線作為片選信號(hào)。圖圖5-12 6264線性地址譯碼線性地址譯碼32【例例5-2】 用用SRAM6116芯片設(shè)計(jì)一個(gè)芯片設(shè)計(jì)一個(gè)4K的存儲(chǔ)器，地址范圍為的存儲(chǔ)器，地址

17、范圍為32000H32FFFH，要求使用全地址譯碼方式。，要求使用全地址譯碼方式。1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 24 23 22 21 20 1918 17 16 15 A 7 A 6 A 5 A 4 A 3 A 2 A 1 A 0 D 0 D 1 D 2 GND D 7 D 6 D 5 D 4 D 3 A 8 A 9 R/W OE A 10 CS 1413VCCSRAM6116圖5-13 6116引線圖SRAM6116：2KX811根地址線根地址線A0A108根數(shù)據(jù)線根數(shù)據(jù)線D0D7讀寫(xiě)控制信號(hào)讀寫(xiě)控制信號(hào)R/W輸出允許信號(hào)輸出允許信號(hào)OE片選信號(hào)片選信號(hào)CS。330

18、 0 1 1 0 0 1 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 327FFH地址總線A19A18A17A16A15A14A13A12 A11A10 .A8 A7 .A4 A3 . A00 0 1 1 0 0 1 0 0 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 132000H32800H32FFFH0 0 1 1 0 0 1 0 1 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 00 0 1 1 0 0 1 0 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 16116譯碼分析如下：譯碼分析如下：346116存儲(chǔ)器設(shè)計(jì)系統(tǒng)連接圖如下：存儲(chǔ)器設(shè)計(jì)系統(tǒng)連接圖如下：355.2.3 MOS型動(dòng)態(tài)隨機(jī)

19、存取存儲(chǔ)器（型動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（DRAM）1.單管基本存儲(chǔ)元電路單管基本存儲(chǔ)元電路T T1 1字字選選線線（地地址址選選擇擇線線）存存儲(chǔ)儲(chǔ)電電容容C C位位線線D D( (數(shù)數(shù)據(jù)據(jù)線線) )分分布布電電容容C CD D36動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)器是通過(guò)把電荷存儲(chǔ)到電容中來(lái)實(shí)現(xiàn)信息存動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)器是通過(guò)把電荷存儲(chǔ)到電容中來(lái)實(shí)現(xiàn)信息存儲(chǔ)的。儲(chǔ)的。 MOS單管動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)電路占用面積小，集成度高，速度單管動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)電路占用面積小，集成度高，速度快；缺點(diǎn)是讀出是破壞性的，而且單元讀出信號(hào)較快；缺點(diǎn)是讀出是破壞性的，而且單元讀出信號(hào)較小，要求有高靈敏度的讀出放大器；另一個(gè)缺點(diǎn)是小，要求有高靈敏度的讀出放大器；另一個(gè)缺點(diǎn)是刷新

20、。刷新。2ms4ms37DRAM芯片芯片2164v64KX1vA0A7：地址輸入線，分時(shí)復(fù)用。：地址輸入線，分時(shí)復(fù)用。 vDIN：數(shù)據(jù)輸入：數(shù)據(jù)輸入 vDOUT：數(shù)據(jù)輸出：數(shù)據(jù)輸出 vRAS：行地址鎖存信號(hào)：行地址鎖存信號(hào)vCAS：列地址鎖存信號(hào)：列地址鎖存信號(hào)vWE：寫(xiě)允許信號(hào)，高電平允許讀出：寫(xiě)允許信號(hào)，高電平允許讀出11623456781514131211109VCC(+5V)CASDOUTA6A3A4A5A7NCDINWERASA0A1A2地38刷新刷新v將動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器的每一位信息讀出并寫(xiě)入的過(guò)程。將動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器的每一位信息讀出并寫(xiě)入的過(guò)程。刷新的方法是使列地址信號(hào)無(wú)效，行地址有效

21、，然刷新的方法是使列地址信號(hào)無(wú)效，行地址有效，然后將這一行的信息讀出再寫(xiě)入。后將這一行的信息讀出再寫(xiě)入。v每次送出不同的行地址就可以刷新不同行的存儲(chǔ)單每次送出不同的行地址就可以刷新不同行的存儲(chǔ)單元，將行地址循環(huán)一遍，則刷新了整個(gè)芯片的所有元，將行地址循環(huán)一遍，則刷新了整個(gè)芯片的所有存儲(chǔ)單元。刷新時(shí)位線上的信息不會(huì)送出到數(shù)據(jù)總存儲(chǔ)單元。刷新時(shí)位線上的信息不會(huì)送出到數(shù)據(jù)總線上。線上。vDRAMDRAM要求每隔要求每隔28ms28ms刷新一次，它稱為刷新周期。刷新一次，它稱為刷新周期。395.2.4 存儲(chǔ)器擴(kuò)展存儲(chǔ)器擴(kuò)展存儲(chǔ)器擴(kuò)展包括位擴(kuò)展、字?jǐn)U展和字位擴(kuò)展三種方式。存儲(chǔ)器擴(kuò)展包括位擴(kuò)展、字?jǐn)U展和字

22、位擴(kuò)展三種方式。 1. 位擴(kuò)展位擴(kuò)展將每個(gè)存儲(chǔ)芯片的地址線和控制線（包括片選信號(hào)線、讀將每個(gè)存儲(chǔ)芯片的地址線和控制線（包括片選信號(hào)線、讀/寫(xiě)寫(xiě)信號(hào)線等）全部一對(duì)一地接在一起，將它們的數(shù)據(jù)線分信號(hào)線等）全部一對(duì)一地接在一起，將它們的數(shù)據(jù)線分別引出作為字節(jié)的不同位。別引出作為字節(jié)的不同位。 40A11A0D3D04K 4SRAMA11A0D3D04K 4SRAMA11A0A11A0D3D0D7D4地址總線AB數(shù)據(jù)總線DBR/WCS讀/寫(xiě)信號(hào)選片信號(hào)4KB存儲(chǔ)模塊圖5-20 用4K4位的SRAM芯片進(jìn)行位擴(kuò)展412.2.字?jǐn)U展字?jǐn)U展字?jǐn)U展是對(duì)存儲(chǔ)空間的擴(kuò)展，就是要增加存儲(chǔ)單元的字?jǐn)U展是對(duì)存儲(chǔ)空間的擴(kuò)

23、展，就是要增加存儲(chǔ)單元的個(gè)數(shù)。個(gè)數(shù)。字?jǐn)U展的方法是：將每個(gè)芯片的地址信號(hào)、數(shù)據(jù)信號(hào)字?jǐn)U展的方法是：將每個(gè)芯片的地址信號(hào)、數(shù)據(jù)信號(hào)和讀和讀/ /寫(xiě)控制信號(hào)等一對(duì)一地與系統(tǒng)總線中的相應(yīng)寫(xiě)控制信號(hào)等一對(duì)一地與系統(tǒng)總線中的相應(yīng)信號(hào)線相連，將各芯片的片選信號(hào)與地址譯碼器信號(hào)線相連，將各芯片的片選信號(hào)與地址譯碼器的輸出信號(hào)相連。的輸出信號(hào)相連。42A10 A0D7 D02K 8SRAMA10 A0D7 D02K 8SRAMA10 A0A10 A0D7 D0D7 D0地址總線AB數(shù)據(jù)總線DBR/WCS讀/寫(xiě)信號(hào)4KB存儲(chǔ)模塊譯碼電路Y0Y1R/WCS433.字位擴(kuò)展字位擴(kuò)展假如要構(gòu)成一個(gè)容量為假如要構(gòu)成一個(gè)

24、容量為MN位的存儲(chǔ)器，若使用位的存儲(chǔ)器，若使用Bb位的芯片（位的芯片（BM，bN），則構(gòu)成這個(gè)存），則構(gòu)成這個(gè)存儲(chǔ)器需要：（儲(chǔ)器需要：（M / B）（N / b）個(gè)存儲(chǔ)器芯片。）個(gè)存儲(chǔ)器芯片。例如：用例如：用Intel 2164構(gòu)成容量為構(gòu)成容量為128KB的內(nèi)存，需要的內(nèi)存，需要（128/64）（8/1）=16片片。 445.3 只讀存儲(chǔ)器（只讀存儲(chǔ)器（ROM） 常用的只讀存儲(chǔ)器類型有：常用的只讀存儲(chǔ)器類型有：v掩膜式掩膜式ROMROMv可編程可編程ROMROM（PROMPROM）v可擦除可編程可擦除可編程ROMROM（EPROMEPROM）v電可擦除可編程電可擦除可編程ROM ROM （E

25、 E2 2PROMPROM）v閃存（閃存（Flash MemryFlash Memry）452.2.可編程可編程ROMROM（PROMPROM） 可編程可編程ROMROM是用戶可以將程序和數(shù)據(jù)寫(xiě)入是用戶可以將程序和數(shù)據(jù)寫(xiě)入ROMROM的只讀的只讀存儲(chǔ)器芯片，又稱為存儲(chǔ)器芯片，又稱為PROMPROM?？删幊讨蛔x存儲(chǔ)器出?？删幊讨蛔x存儲(chǔ)器出廠時(shí)各單元內(nèi)容全為廠時(shí)各單元內(nèi)容全為0 0，用戶可用專門的，用戶可用專門的PROMPROM寫(xiě)入寫(xiě)入器將信息寫(xiě)入。器將信息寫(xiě)入。 根據(jù)芯片的構(gòu)造，可編程根據(jù)芯片的構(gòu)造，可編程PROMPROM可分為兩類：結(jié)破壞可分為兩類：結(jié)破壞型和熔絲型。型和熔絲型。字字線線位位線

26、線D Di iVCC463.3.可擦除可編程可擦除可編程ROM ROM （EPROMEPROM） EPROMEPROM（erasable programmable ROMerasable programmable ROM）是一種紫外）是一種紫外線可擦除可編程只讀存儲(chǔ)器，可以多次擦除和寫(xiě)線可擦除可編程只讀存儲(chǔ)器，可以多次擦除和寫(xiě)入。入。有一個(gè)能通過(guò)紫外線的石英窗口，用紫外燈照射約有一個(gè)能通過(guò)紫外線的石英窗口，用紫外燈照射約20302030分鐘，原信息就可以全部擦除。擦除后各單分鐘，原信息就可以全部擦除。擦除后各單元內(nèi)容均為元內(nèi)容均為FFHFFH，恢復(fù)到出廠狀態(tài)。，恢復(fù)到出廠狀態(tài)。 4727系列的

27、芯片：系列的芯片：2716 2732 2764 27128 27256 2751248（1）2764的引線及功能的引線及功能 A0A12：13根地址線，根地址線，8K個(gè)存儲(chǔ)單元；個(gè)存儲(chǔ)單元；D0D7：8根雙向數(shù)據(jù)線，根雙向數(shù)據(jù)線， CE：片選信號(hào)；：片選信號(hào)；OE：輸出允許信號(hào)；：輸出允許信號(hào)；PGM：編程脈沖輸入；讀操作時(shí)：編程脈沖輸入；讀操作時(shí)PGM=1;VPP：編程電壓輸入端，：編程電壓輸入端，12.5V、15V、21V、25V；4912823456789101112131427262524232221201918171615VPPA12A7A6A5A4A3A2A1A0D0D1D2地D7

28、D6D5D4D3PGMNCA8A9A11OEA10CEVCC（+5V）12823456789101112131427262524232221201918171615NCA12A7A6A5A4A3A2A1A0D0D1D2GNDD7D6D5D4D3WECS2A8A9A11OEA10CS1+5V圖5-3 SRAM 6264外部引線圖圖50 MEMRA19A18A17A16GG2AG2BCBA74LS138A15A14A13Y0A0A1A12MEMRD0D7D0D7A0A1A12OECEPGMvccvppGNC+5V27641&51vFlashFlash閃速存儲(chǔ)器（閃速存儲(chǔ)器（flash memoryflash memory），簡(jiǎn)稱），簡(jiǎn)稱FlashFlash或閃存。或閃存。它與它與EEPROMEEPROM類似，也是一種電擦寫(xiě)型類似，也是一種電擦寫(xiě)型ROMROM。與。與EEPROMEEPROM的主要區(qū)別是：的主要區(qū)別是：EEPROMEEPROM按字節(jié)擦寫(xiě)，速按字節(jié)