電子電路符號(hào)大全

1、常用電子元器件參考大全第一節(jié)部分電氣圖形符號(hào)一.電阻器、電容器、電感器和變壓器圖形符號(hào)名稱與說(shuō)明圖形符號(hào)名稱與說(shuō)明1電阻器一般符號(hào)pYYj電感器、線圈、繞組或扼 流圖。注：符號(hào)中半圓數(shù) 不得少于3個(gè)/可變電阻器或可調(diào) 電阻器帶磁芯、鐵芯的電感器1滑動(dòng)觸點(diǎn)電位器帶磁芯連續(xù)可調(diào)的電感器1丄 T極性電容UaaJ fYYY>雙繞組變壓器 注：可增加繞組數(shù)目可變電容器或可調(diào) 電容器Iaaa> prim繞組間有屏敝的雙繞組變 壓器注：可增加繞組數(shù)目/雙聯(lián)同調(diào)可變電容 器。注：可增加同調(diào)聯(lián)數(shù)Iaaa rrJ在一個(gè)繞組上有抽頭的變 壓器1微調(diào)電容器圖形符號(hào)名稱與說(shuō)明二極管的符號(hào)發(fā)光二極管光電二極管

2、穩(wěn)壓二極管變?nèi)荻O管-IF圖形符號(hào)名稱與說(shuō)明JJFET結(jié)型場(chǎng)效應(yīng) 管N溝道（2）P溝道1_|1PNP型晶體三極管NPN型晶體三極 管全波橋式整流器/半導(dǎo)體管三其它電氣圖形符號(hào)圖形符號(hào)名稱與說(shuō)明圖形符號(hào)名稱與說(shuō)明11=1具有兩個(gè)電極 的壓電晶體 注：電極數(shù)目 可增加叢或丄接機(jī)殼或底板熔斷器1J導(dǎo)線的連接指示燈及信號(hào) 燈導(dǎo)線的不連接揚(yáng)聲器動(dòng)合（常開）觸點(diǎn)開 關(guān)H -蜂鳴器動(dòng)斷（常閉）觸點(diǎn)開 關(guān)±接大地i1一手動(dòng)開關(guān)第二節(jié)常用電子元器件型號(hào)命名法及主要技術(shù)參數(shù)電阻器和電位器序號(hào) 類別 材料 主稱1. 電阻器和電位器的型號(hào)命名方法表1電阻器型號(hào)命名方法第一部分：主稱第二部分：材料第三部分：特

3、征分類第四部分：序號(hào)符號(hào)意義符 號(hào)意義符 號(hào)意義電阻器電位器R電阻器T碳膜1普通普通W電位器H合成膜2普通普通S有機(jī)實(shí)芯3超高頻N無(wú)機(jī)實(shí)芯4高阻對(duì)主稱、材J金屬膜5高溫料相同，僅性能Y氧化膜6指標(biāo)、尺寸大小C沉積膜7精密精密有差別，但基本I玻璃釉膜8高壓:特殊函數(shù)不影響互換使用P硼碳膜9特殊特殊的產(chǎn)品，給予冋U硅碳膜G高功率一序號(hào)；若性能 指標(biāo)、尺寸大小 明顯影響互換 時(shí)，則在序號(hào)后 面用大與子母作 為區(qū)別代號(hào)。X線繞T可調(diào)M壓敏W微調(diào)G光敏D多圈R熱敏B溫度補(bǔ)償用C溫度測(cè)量用P旁熱式W穩(wěn)壓式Z正溫度系數(shù)示例：精密金屬膜電阻器R J 7 3（精密）（金屬膜）（電阻器）2.第四部分 第三部分 第

4、二部分 第一部分電阻器的主要技術(shù)指標(biāo) 額定功率序號(hào)類別（多圈） 材料（線繞） 主稱（電位器）電阻器在電路中長(zhǎng)時(shí)間連續(xù)工作不損壞，或不顯著改變其性能所允許消耗的最大功率稱為電阻器的額定功率。電阻器的額定功率并不是電阻器在電路中工作時(shí)一定要消耗的功率， 而是電阻器在電路工作中所允許消耗的最大功率。不同類型的電阻具有不同系列的額定功 率，如表2所示。表2電阻器的功率等級(jí)名稱額定功率(W)實(shí)芯電阻器0.250.51250.51261015線繞電阻器253550751001500.0250.050.1250.250.51薄膜電阻器25102550100(2) 標(biāo)稱阻值阻值是電阻的主要參數(shù)之一，不同類型的

5、電阻，阻值范圍不同，不同精度的電阻其阻值系列亦不同。根據(jù)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)，常用的標(biāo)稱電阻值系列如表3所示。E24、E12和E6系列也適用于電位器和電容器。表3標(biāo)稱值系列標(biāo)稱值系列精度電阻器()、電位器()、電容器標(biāo)稱值(PF)1.01.11.21.31.51.61.82.0E24±5%2.22.42.73.03.33.63.94.34.75.15.66.26.87.58.29.11.01.21.51.82.22.7E12也0%3.33.94.75.66.88.2E6d20%1.01.52.23.34.76.88.2表中數(shù)值再乘以10n，其中n為正整數(shù)或負(fù)整數(shù)。(3)允許誤差等級(jí)表4電阻的精度

6、等級(jí)允許誤差(%)如.001+0.002+0.005±0.01+0.02±0.05±0.1等級(jí)符號(hào)EXYHUWB允許誤差(%)+0.2+0.5±1+2±5±10±20等級(jí)符號(hào)CDFGJ (I)K (II)M ( III )3. 電阻器的標(biāo)志內(nèi)容及方法(1) 文字符號(hào)直標(biāo)法：用阿拉伯?dāng)?shù)字和文字符號(hào)兩者有規(guī)律的組合來(lái)表示標(biāo)稱阻值，額 定功率、允許誤差等級(jí)等。符號(hào)前面的數(shù)字表示整數(shù)阻值， 后面的數(shù)字依次表示第一位小數(shù) 阻值和第二位小數(shù)阻值，其文字符號(hào)所表示的單位如表5所示。如1R5表示1.5 1, 2K7表RJ71 - 0.125

7、- 5k1 - II10%(5.1k“)1/8W由標(biāo)號(hào)可知，它是精密金屬膜電阻器，額定功率為示 2.7k J表5文字符號(hào)RKMGT表示單位歐姆(0)千歐姆(10 Yj)6兆歐姆(10 Q)9千兆歐姆(10 0)12兆兆歐姆(10 Q)例如:1/8W，標(biāo)稱阻值為 5.1 1，允許誤差為_10%。（2）色標(biāo)法： 色標(biāo)法是將電阻器的類別及主要技術(shù)參數(shù)的數(shù)值用顏色（色環(huán)或色點(diǎn)） 標(biāo)注在它的外表面上。色標(biāo)電阻（色環(huán)電阻）器可分為三環(huán)、四環(huán)、五環(huán)三種標(biāo)法。其含義 如圖1和圖2所示。標(biāo)稱值第一位有效數(shù)字標(biāo)稱值第二位有效數(shù)字標(biāo)稱值有效數(shù)字后 0的個(gè)數(shù) L允許誤差顏色第一位有效值第二位有效值倍*率允許F偏差黑八

8、、00棕11紅22橙33黃44綠55藍(lán)66紫77灰88白9920% +50%金5%銀10%無(wú)色20%圖1兩位有效數(shù)字阻值的色環(huán)表示法三色環(huán)電阻器的色環(huán)表示標(biāo)稱電阻值（允許誤差均為示 10 102= 1.0ki：_20% 的電阻器。四色環(huán)電阻器的色環(huán)表示標(biāo)稱值（二位有效數(shù)字）15 103= 152二 5% 的電阻器。五色環(huán)電阻器的色環(huán)表示標(biāo)稱值（三位有效數(shù)字）示275 104 = 2.75M；匕1%的電阻器。±20%）。例如，色環(huán)為棕黑紅，表及精度。例如，色環(huán)為棕綠橙金表示及精度。例如，色環(huán)為紅紫綠黃棕表一般四色環(huán)和五色環(huán)電阻器表示允許誤差的色環(huán)的特點(diǎn)是該環(huán)離其它環(huán)的距離較遠(yuǎn)。 標(biāo)準(zhǔn)的

9、表示應(yīng)是表示允許誤差的色環(huán)的寬度是其它色環(huán)的（1.52）倍。有些色環(huán)電阻器由于廠家生產(chǎn)不規(guī)范，無(wú)法用上面的特征判斷，這時(shí)只能借助萬(wàn)用表判斷。標(biāo)稱值第一位有效數(shù)字 一標(biāo)稱值第二位有效數(shù)字標(biāo)稱值第三位有效數(shù)字標(biāo)稱值有效數(shù)字后 0的個(gè)數(shù) r 允許誤差顏色第一位有效值第二位有效值*第三位有效值倍*率允許偏差黑八、000棕1111%紅2222%橙333黃444綠5550.5%藍(lán)6660.25紫7770.1%灰888白999金銀圖2三位有效數(shù)字阻值的色環(huán)表示法4. 電位器的主要技術(shù)指標(biāo)(1) 額定功率電位器的兩個(gè)固定端上允許耗散的最大功率為電位器的額定功率。使用中應(yīng)注意額定功率不等于中心抽頭與固定端的功率

10、。(2) 標(biāo)稱阻值標(biāo)在產(chǎn)品上的名義阻值，其系列與電阻的系列類似。(3) 允許誤差等級(jí)實(shí)測(cè)阻值與標(biāo)稱阻值誤差范圍根據(jù)不同精度等級(jí)可允許_20%、10%、5%、2%、1%的誤差。精密電位器的精度可達(dá)0.1%。(4) 阻值變化規(guī)律指阻值隨滑動(dòng)片觸點(diǎn)旋轉(zhuǎn)角度(或滑動(dòng)行程)之間的變化關(guān)系，這種變化關(guān)系可以是任 何函數(shù)形式，常用的有直線式、對(duì)數(shù)式和反轉(zhuǎn)對(duì)數(shù)式(指數(shù)式)。在使用中，直線式電位器適合于作分壓器；反轉(zhuǎn)對(duì)數(shù)式(指數(shù)式)電位器適合于作收音機(jī)、錄音機(jī)、電唱機(jī)、電視機(jī)中的音量控制器。維修時(shí)若找不到同類品，可用直線式代替， 但不宜用對(duì)數(shù)式代替。對(duì)數(shù)式電位器只適合于作音調(diào)控制等。5. 電位器的一般標(biāo)志方法W

11、T 23.3k_10%I允許誤差±10%標(biāo)稱阻值3.3kQ額定功率2W 碳膜電位器WX 1510 門 JI允許誤差±5%標(biāo)稱阻值510Q額定功率1W線繞電位器二. 電容器1. 電容器型號(hào)命名法表6電容器型號(hào)命名法第一部分：主稱第二部分：材料第三部分：特征、分類第四部分：序號(hào)符號(hào)丿意義符號(hào)意義符號(hào)意義瓷介云母玻璃電解其他電容器C瓷介1圓片非密封箔式非密封對(duì)主稱、材料相同，僅尺 寸、性能指標(biāo)略有不同， 但基本不影響互使用的產(chǎn)YI云母2管形非密封箔式非密封玻璃釉3迭片密封燒結(jié)粉固體密封O玻璃膜4獨(dú)石密封燒結(jié)粉固體密封品，給予同一序號(hào)；若尺 寸性能指標(biāo)的差別明顯； 影響互換使用時(shí)，

12、則在序 號(hào)后面用大寫字母作為區(qū) 別代號(hào)。Z紙介5穿心穿心J金屬化紙6支柱B聚苯乙烯7無(wú)極性L滌綸8高壓高壓高壓Q漆膜9特殊特殊SH聚碳酸脂J金屬膜復(fù)合介質(zhì)W微調(diào)D鋁A鉭N鈮G合金T鈦E其他示例：鋁電解電容器C D 11|第四部分：序號(hào) 第三部分：特征分類（箔式） 第二部分：材料（鋁） 第一部分：主稱（電容器）C C 1 1第四部分：序號(hào)（2）圓片形瓷介電容器 第三部分：特征分類（圓片）第二部分：材料（瓷介質(zhì)）第一部分：主稱（電容器）（3）紙介金屬膜電容器C Z J XI第四部分：序號(hào)I第三部分：特征分類（金屬膜）第二部分：材料（紙介） 第一部分：主稱（電容器）2 電容器的主要技術(shù)指標(biāo)（1）電容

13、器的耐壓：常用固定式電容的直流工作電壓系列為：6.3V ,10V , 16V , 25V ,40V , 63V , 100V, 160V , 250V , 400V。（2）電容器容許誤差等級(jí)：常見的有七個(gè)等級(jí)如表7所示。表7容許誤差±2%±5%±10%+20%+20%-30%+50%-20%+ 100%-10%級(jí)別0.2IIIIIIIVVVI電容常用字母代表誤差：B: ± 0.1 % ,C: ± 0.25 % ,D: ± 0.5 % ,F: ± 1 % ,G: ± 2% ,J: ± 5% ,K: 

14、7; 10% ,M: ± 20% ,N: ± 30% ,Z:+80 % -20%。標(biāo)稱電容量：表8固定式電容器標(biāo)稱容量系列和容許誤差系 列 代E24E12E6號(hào)容 許 誤 差±5% (I)或(J)±10% (II )或(K)±20% (III )或(m)標(biāo) 稱 容 量 對(duì) 應(yīng) 值10,11,12,13,15,16,18,20,22,24,27,30,33,36,39,43,47,51,56,62,68,75,82,9010,12,15,18,22,27,33,39,47,56,68,8210,15,22,23,47,68注：標(biāo)稱電容量為表中數(shù)值

15、或表中數(shù)值再乘以，其中n為正整數(shù)或負(fù)整數(shù)，單位為pF。3.電容器的標(biāo)志方法(1) 直標(biāo)法 容量單位：F (法拉)、¥ (微法)、nF (納法)、pF (皮法或微微法)。1法拉= 微法=微微法，1微法= 納法= 微微法1納法=微微法例如：4n7 - 表示 4.7nF 或 4700pF, 0.22 表示 0.22F, 51 一 表示 51pF。有時(shí)用大于1的兩位以上的數(shù)字表示單位為pF的電容，例如101表示100 pF;用小于1的數(shù)字表示單位為 JF的電容，例如 0.1表示0.1F。(2) 數(shù)碼表示法一般用三位數(shù)字來(lái)表示容量的大小，單位為pF。前兩位為有效數(shù)字，后一位表示位率。即乘以10

16、i, i為第三位數(shù)字，若第三位數(shù)字9,則乘10-1。女口 223J代表3122 10 pF= 22000pF = 0.22F,允許誤差為_5%;又如479K代表47 10- pF,允許誤差為_5% 的電容。這種表示方法最為常見。(3) 色碼表示法這種表示法與電阻器的色環(huán)表示法類似，顏色涂于電容器的一端或從頂端向引線排列。色碼一般只有三種顏色，前兩環(huán)為有效數(shù)字，第三環(huán)為位率，單位為pF。有時(shí)色環(huán)較寬，如紅紅橙，兩個(gè)紅色環(huán)涂成一個(gè)寬的，表示22000pF。三. 電感器1. 電感器的分類常用的電感器有固定電感器、微調(diào)電感器、色碼電感器等。變壓器、阻流圈、振蕩線圈、偏轉(zhuǎn)線圈、天線線圈、中周、繼電器以及

17、延遲線和磁頭等，都屬電感器種類。2. 電感器的主要技術(shù)指標(biāo)(1) 電感量：在沒有非線性導(dǎo)磁物質(zhì)存在的條件下，一個(gè)載流線圈的磁通量與線圈中的電流成正比其比例常數(shù)稱為自感系數(shù)，用 L表示，簡(jiǎn)稱為電感。即：式中：磁通量1 =電流強(qiáng)度(2) 固有電容：線圈各層、各匝之間、繞組與底板之間都存在著分布電容。統(tǒng)稱為電感 器的固有電容。(3) 品質(zhì)因數(shù)：電感線圈的品質(zhì)因數(shù)定義為：式中：一工作角頻率，L 線圈電感量，R線圈的總損耗電阻(4) 額定電流：線圈中允許通過(guò)的最大電流。(5) 線圈的損耗電阻：線圈的直流損耗電阻。2. 電感器電感量的標(biāo)志方法(1) 直標(biāo)法。單位 H (亨利)、mH (毫亨)、(微亨)、(

18、2) 數(shù)碼表示法。方法與電容器的表示方法相同。(3) 色碼表示法。這種表示法也與電阻器的色標(biāo)法相似，色碼一般有四種顏色，前兩種顏色為有效數(shù)字，第三種顏色為倍率，單位為，第四種顏色是誤差位。四. 半導(dǎo)體分立器件1.半導(dǎo)體分立器件的命名方法(1)我國(guó)半導(dǎo)體分立器件的命名法表9國(guó)產(chǎn)半導(dǎo)體分立器件型號(hào)命名法序號(hào)穩(wěn)壓管N型、硅材料二極管規(guī)格號(hào) 耗散功率 三個(gè)電極 特種管第一部分第二部分第三部分第四部分第五部分用數(shù)字表示器用漢語(yǔ)拼音字母表示器用漢語(yǔ)拼音字母用數(shù)字用漢語(yǔ)拼件電極的數(shù)目件的材料和極性表示器件的類型表示器件音表示規(guī)符意義符意義符意義符意義序號(hào)格的區(qū)別號(hào)號(hào)號(hào)號(hào)代號(hào)2二極管AN型，鍺材料P普通管D低

19、頻大功率管BP型，鍺材料V微波管(< 3MHz,CN型，硅材料W穩(wěn)壓管Pc W)DP型，硅材料C參量管A高頻大功率管Z整流管(典MHz3三極管APNP型，錯(cuò)材料L整流堆PcW)BNPN型，錯(cuò)材料S隧道管T半導(dǎo)體閘流管CPNP型，硅材料N阻尼管(可控硅整流器)DNPN型，硅材料U光電器件Y體效應(yīng)器件E化合物材料K開關(guān)管B雪崩管X低頻小功率管J階躍恢復(fù)管(< 3MHz,CS場(chǎng)效應(yīng)器件Pc<1W )BT半導(dǎo)體特殊器件G高頻小功率管FH復(fù)合管(畠MHzPINPIN型管Pc<1W )JG激光器件半導(dǎo)體（2）國(guó)際電子聯(lián)合會(huì)半導(dǎo)體器件命名法表10國(guó)際電子聯(lián)合會(huì)半導(dǎo)體器件型號(hào)命名法第一

20、部分第二部分第三部分第四部分用字母表示使用的材料用字母表示類型及主要特性用數(shù)字或字母加數(shù)字表示登記號(hào)用字母對(duì)同一型號(hào)者分檔符號(hào)意義符號(hào)意義符號(hào)意義符號(hào)意義符號(hào)意義A鍺材料A檢波、開關(guān)和混頻二極管M封閉磁路中的 霍爾元件位數(shù)字通用半 導(dǎo)體器件 的登記序 號(hào)（同一 類型器件 使用同一 登記號(hào)）ABCDE同一 型號(hào)器 件按某 一參數(shù) 進(jìn)行分 檔的標(biāo) 志B變?nèi)荻O管P光敏元件B硅材料C低頻小功率三極管Q發(fā)光器件D低頻大功率三極管R小功率可控硅C砷化鎵E隧道二極管S小功率開關(guān)管F高頻小功率三極管T大功率可控硅個(gè) 字 母 加 兩 位 數(shù) 字專用半 導(dǎo)體器件 的登記序 號(hào)（同一 類型器件 使用同一 登記號(hào)）

21、D銻化銦G復(fù)合器件及其它器件U大功率開關(guān)管H磁敏二極管X倍增二極管R復(fù)合材料K開放磁路中的霍爾元件Y整流二極管L高頻大功率三極管Z穩(wěn)壓二極管即齊納二極管示例（命名）A F 239 SI |AF239型某一參數(shù)的S檔一-一普通用登記序號(hào) |高頻小功率三極管鍺材料國(guó)際電子聯(lián)合會(huì)晶體管型號(hào)命名法的特點(diǎn)：1）這種命名法被歐洲許多國(guó)家采用。因此，凡型號(hào)以兩個(gè)字母開頭，并且第一個(gè)字母 是A，B, C, D或R的晶體管，大都是歐洲制造的產(chǎn)品，或是按歐洲某一廠家專利生產(chǎn)的 產(chǎn)品。2）第一個(gè)字母表示材料（A表示鍺管，B表示硅管），但不表示極性（NPN型或PNP 型）。3）第二個(gè)字母表示器件的類別和主要特點(diǎn)。如C

22、表示低頻小功率管，D表示低頻大功率管，F(xiàn)表示高頻小功率管，L表示高頻大功率管等等。若記住了這些字母的意義，不查手 冊(cè)也可以判斷出類別。例如，BL49型，一見便知是硅大功率專用三極管。4）第三部分表示登記順序號(hào)。三位數(shù)字者為通用品； 一個(gè)字母加兩位數(shù)字者為專用品，順序號(hào)相鄰的兩個(gè)型號(hào)的特性可能相差很大。例如，AC184為PNP型，而AC185則為NPN型。5）第四部分字母表示同一型號(hào)的某一參數(shù)（如hFE或Nf）進(jìn)行分檔。6）型號(hào)中的符號(hào)均不反映器件的極性（指 NPN或PNP）。極性的確定需查閱手冊(cè)或測(cè) 量。（3）美國(guó)半導(dǎo)體器件型號(hào)命名法美國(guó)晶體管或其它半導(dǎo)體器件的型號(hào)命名法較混亂。這里介紹的是美

23、國(guó)晶體管標(biāo)準(zhǔn)型號(hào)命名法，即美國(guó)電子工業(yè)協(xié)會(huì)（EIA ）規(guī)定的晶體管分立器件型號(hào)的命名法。如表11所示。表11美國(guó)電子工業(yè)協(xié)會(huì)半導(dǎo)體器件型號(hào)命名法第一部分第二部分第三部分第四部分第五部分用符號(hào)表示用途的類型用數(shù)字表示PN結(jié)的數(shù)目美國(guó)電子工業(yè)協(xié)會(huì)(EIA)注冊(cè)標(biāo)志美國(guó)電子工業(yè)協(xié)會(huì)(EIA)登記順序號(hào)用字母表示器件分檔符號(hào)意義符號(hào)意義符號(hào)意義符號(hào)意義符號(hào)意義JAN 或J軍用品1二極管N該器件 已在美國(guó) 電子工業(yè) 協(xié)會(huì)注冊(cè) 登記多 位 數(shù) 字該器件在 美國(guó)電子工 業(yè)協(xié)會(huì)登記 的順序號(hào)ABCD同一 型號(hào)的 不同檔 別2三極管無(wú)非軍用品3三個(gè)PN結(jié)器件nn個(gè)PN結(jié)器件例:1) JAN2N29042) 1N

24、4001JAN 2 N 29041 N 4001I|一 EIA登記序號(hào)| | EIA登記序號(hào)' EIA注冊(cè)標(biāo)志| EIA注冊(cè)標(biāo)志 三極管| 二極管軍用品美國(guó)晶體管型號(hào)命名法的特點(diǎn)：1) 型號(hào)命名法規(guī)定較早，又未作過(guò)改進(jìn)，型號(hào)內(nèi)容很不完備。例如，對(duì)于材料、極性、主要特性和類型，在型號(hào)中不能反映出來(lái)。例如，2N開頭的既可能是一般晶體管，也可能是場(chǎng)效應(yīng)管。因此，仍有一些廠家按自己規(guī)定的型號(hào)命名法命名。2) 組成型號(hào)的第一部分是前綴，第五部分是后綴，中間的三部分為型號(hào)的基本部分。3) 除去前綴以外，凡型號(hào)以1N、2N或3N開頭的晶體管分立器件，大都是美國(guó)制造的，或按美國(guó)專利在其它國(guó)家制造的產(chǎn)品

25、。4) 第四部分?jǐn)?shù)字只表示登記序號(hào)，而不含其它意義。因此，序號(hào)相鄰的兩器件可能特 性相差很大。例如，2N3464為硅NPN，高頻大功率管，而 2N3465為N溝道場(chǎng)效應(yīng)管。5) 不同廠家生產(chǎn)的性能基本一致的器件，都使用同一個(gè)登記號(hào)。同一型號(hào)中某些參數(shù) 的差異常用后綴字母表示。因此，型號(hào)相同的器件可以通用。6) 登記序號(hào)數(shù)大的通常是近期產(chǎn)品。(4) 日本半導(dǎo)體器件型號(hào)命名法日本半導(dǎo)體分立器件 (包括晶體管)或其它國(guó)家按日本專利生產(chǎn)的這類器件，都是按日本工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)(JIS)規(guī)定的命名法(JIS C 702)命名的。日本半導(dǎo)體分立器件的型號(hào)，由五至七部分組成。通常只用到前五部分。前五部分符號(hào)及意義如表

26、12所示。第六、七部分的符號(hào)及意義通常是各公司自行規(guī)定的。第六部分的符 號(hào)表示特殊的用途及特性，其常用的符號(hào)有：M-松下公司用來(lái)表示該器件符合日本防衛(wèi)廳海上自衛(wèi)隊(duì)參謀部有關(guān)標(biāo)準(zhǔn)登記的產(chǎn)品。N-松下公司用來(lái)表示該器件符合日本廣播協(xié)會(huì)(NHK )有關(guān)標(biāo)準(zhǔn)的登記產(chǎn)品。Z-松下公司用來(lái)表示專用通信用的可靠性高的器件。H-日立公司用來(lái)表示專為通信用的可靠性高的器件。K日立公司用來(lái)表示專為通信用的塑料外殼的可靠性高的器件。T-日立公司用來(lái)表示收發(fā)報(bào)機(jī)用的推薦產(chǎn)品。G-東芝公司用來(lái)表示專為通信用的設(shè)備制造的器件。S-三洋公司用來(lái)表示專為通信設(shè)備制造的器件。第七部分的符號(hào)，常被用來(lái)作為器件某個(gè)參數(shù)的分檔標(biāo)志。

27、例如，三菱公司常用 R, G,Y等字母；日立公司常用 A , B, C, D等字母，作為直流放大系數(shù) hFE的分檔標(biāo)志。 表12日本半導(dǎo)體器件型號(hào)命名法第一部分第二部分第三部分第四部分第五部分用數(shù)字表示類型或有效電極數(shù)S表示日本電子 工業(yè)協(xié)會(huì)(EIAJ )的注冊(cè)用字母表示器件的極性及類型用數(shù)字表示在日本電子工業(yè)協(xié)會(huì)登記的順用字母表示對(duì)原來(lái)型號(hào)的改進(jìn)產(chǎn)品產(chǎn)品序號(hào)符號(hào)意義符號(hào)意義符號(hào)意義符號(hào)意義符號(hào)意義0光電（即光 敏）二極 管、晶體 管及其組 合管S表示已 在日本電 子工業(yè)協(xié) 會(huì)（EIAJ）注 冊(cè)登記的 半導(dǎo)體分 立器件APNP型高頻管四 位 以 上 的 數(shù) 字從11 開始，表 示在日本 電子工

28、業(yè) 協(xié)會(huì)注冊(cè) 登記的順 序號(hào)，不 同公司性 能相同的 器件可以 使用同一 順序號(hào)， 其數(shù)字越 大越是近 期產(chǎn)品ABCDEF用 字母 表示 對(duì)原 來(lái)型 號(hào)的 改進(jìn) 產(chǎn)品BPNP型低頻管CNPN型高頻管DNPN型低頻管1二極管FP控制極可控 硅2三極管、 具有兩個(gè) 以上PN 結(jié)的其他 晶體管GN控制極可控 硅HN基極單結(jié)晶 體管JP溝道場(chǎng)效應(yīng) 管KN溝道場(chǎng)效應(yīng) 管3具有四個(gè) 有效電極 或具有三 個(gè)PN結(jié) 的晶體管M雙向可控硅n-1具有n個(gè) 有效電極 或具有n-1 個(gè) PN結(jié)的晶體 管示例:1） 2SC502A （日本收音機(jī)中常用的中頻放大管）2SC502型的改進(jìn)產(chǎn)品日本電子工業(yè)協(xié)會(huì)登記順序號(hào) NP

29、N型高頻三極管日本電子工業(yè)協(xié)會(huì)注冊(cè)產(chǎn)品 三極管（兩個(gè)PN結(jié)）2）2SA495 （日本夏普公司 GF 9494收錄機(jī)用小功率管）2 S A 495I|一 日本電子工業(yè)協(xié)會(huì)登記順序號(hào)PNP高頻管 日本電子工業(yè)協(xié)會(huì)注冊(cè)產(chǎn)品三極管（兩個(gè)PN結(jié)） 日本半導(dǎo)體器件型號(hào)命名法有如下特點(diǎn)：1 ”表示二極1）型號(hào)中的第一部分是數(shù)字，表示器件的類型和有效電極數(shù)。例如，用 管，用“ 2”表示三極管。而屏蔽用的接地電極不是有效電極。2）第二部分均為字母 S,表示日本電子工業(yè)協(xié)會(huì)注冊(cè)產(chǎn)品，而不表示材料和極性。3）第三部分表示極性和類型。例如用A表示PNP型高頻管，用J表示P溝道場(chǎng)效應(yīng)三極管。但是，第三部分既不表示材料，

30、也不表示功率的大小。4）第四部分只表示在日本工業(yè)協(xié)會(huì)（ EIAJ ）注冊(cè)登記的順序號(hào)，并不反映器件的性能，順序號(hào)相鄰的兩個(gè)器件的某一性能可能相差很遠(yuǎn)。例如，2SC2680型的最大額定耗散功率為200mW，而2SC2681的最大額定耗散功率為 100W。但是，登記順序號(hào)能反映產(chǎn)品時(shí)間的 先后。登記順序號(hào)的數(shù)字越大，越是近期產(chǎn)品。5）第六、七兩部分的符號(hào)和意義各公司不完全相同。6）日本有些半導(dǎo)體分立器件的外殼上標(biāo)記的型號(hào)，常采用簡(jiǎn)化標(biāo)記的方法，即把2S省略。例如，2SD764，簡(jiǎn)化為 D764，2SC502A簡(jiǎn)化為C502A。7）在低頻管（2SB和2SD型）中，也有工作頻率很高的管子。例如，2SD

31、355的特征頻率fT為100MHz，所以，它們也可當(dāng)高頻管用。8）日本通常把Pcm31W的管子，稱做大功率管。2常用半導(dǎo)體二極管的主要參數(shù)表13部分半導(dǎo)體二極管的參數(shù)類型參最 整 電/mA大流流正向電流/mA正向壓 降（在 左欄電 流值下）/V反向 擊穿 電壓/V最高反向工作電壓/V反電/MA向流零偏 壓電 容/pF反向恢復(fù)時(shí)間/ns型號(hào)數(shù)普2AP9豎.5>4020fH（MHz）150通2AP7<16>5M50100立50<1檢2AP11瑩5>10<10fH（MHz）40波極管2AP17<15>10蘭00空50<1錯(cuò)開關(guān)2AK130102A

32、K23504020<2002AK5翅00丸.96040<1502AK10>1070502AK136040<1502AK1450丸.77050硅2CK70AE>10開2CK71AE520玄8A0A 520<1.5關(guān)2CK72AE0B旨5B230-二二2CK73AE350C360C為0極2CK74AD30045DS50<1空管2CK75AD350E%0E602CK76AD00類型參型號(hào)數(shù)最整 電/mA大流流正向電流/mA正向壓 降（在 左欄電 流值下）/V反向擊穿 電壓/V最高反向工作電壓/V反電向流零偏 壓電 容/pF反向恢復(fù)時(shí)間/ns整流二極2CZ52

33、B H20.125600同2AP普通二極管管2CZ53B50 M60.3<110002CZ54B50 M100.510002CZ55B50 M201-10002CZ56B25 B653<.8-10001N40015040073011.1-510001N5391505399501.51.4-1010001N540050540820031.21010003. 常用整流橋的主要參數(shù)表14幾種單相橋式整流器的參數(shù)參數(shù)型號(hào)不重復(fù)正向 浪涌電流/A整流電流/A正向電壓降/V反向漏電OA反向工作電壓/V最高工作結(jié)溫/oCQL110.05乞.2如常見的分檔為：25，50， 100， 200， 40

34、0，500， 600， 700， 800，900， 1000130QL220.1QL460.3QL5100.5QL6201QL740225QL86034.常用穩(wěn)壓二極管的主要參數(shù)表15部分穩(wěn)壓二極管的主要參數(shù)測(cè)試條件參工作電流為 穩(wěn)定電流穩(wěn)定電壓下環(huán)境溫度<50OC穩(wěn)定電 流下穩(wěn)定電流下環(huán)境溫度v 10oC型數(shù)穩(wěn)定電壓穩(wěn)定電最大穩(wěn)定反向漏電動(dòng)態(tài)電電壓溫度系最大耗散號(hào)/V流/mA電流/mA流阻/Q數(shù)/10-4/°C功率/W2CW512.53.571空0>-92CW523.24.555<70>-82CW5345.841務(wù)0-642CW545.56.51038空0-

35、352CW5678.827<15<70.252CW578.59.826<.5<202CW591011.8520<302CW6011.512.51902CW10345.850165<1<20-6412CW11011.512.52076衛(wèi)5<202CW11316191052<.50<112CW1A530240<2012CW6C15307012CW7C6.06.51030<100.050.25.常用半導(dǎo)體三極管的主要參數(shù)3AX51(3AX31)型PNP型鍺低頻小功率三極管表163AX51(3AX31)型半導(dǎo)體三極管的參數(shù)原型號(hào)3

36、AX31測(cè)試條件新型號(hào)3AX51A3AX51B3AX51C3AX51D極 限 參 數(shù)PcM(mW)100100100100Ta= 25oClcM(mA)100100100100TjM(°C)75757575BVcbo(V)迪0冷0冷0冷0Ic = 1mABVceo(V)>12卻2>18>24Ic = 1mA直流參 數(shù)I CBO( MA)<12蘭20202Vcb =-10VI CEO(氓)藥00藥00勺00總00Vce= -6VI EBO(從)<12總2乞202V EB= -6VhFE4015040150301002570V ce= -1V I c= 50

37、mA交 流 參 數(shù)f &kHz)注00藥00藥00冷00Vcb = -6V I e= 1mANF(dB)瑩VcB= -2V IE = 0.5mA f = 1kHzhie(k 角0.64.50.64.50.64.50.64.5VcB= -6V IE= 1mA f = 1kHzhre( >10)空.2空.2空.2丈.2hoe(Ms)空0空0瘞0痙0hfehFE色標(biāo)分檔(紅)2560;(綠)50100 ;(藍(lán))90150管腳EC(2) 3AX81型PNP型鍺低頻小功率三極管表173AX81型PNP型鍺低頻小功率三極管的參數(shù)型號(hào)3AX81A3AX81B測(cè)試條件極限參數(shù)PcM(mW)200

38、200IcM(mA)200200TjM(oC)7575BV cbo(V)-20-30Ic = 4mABVceo(V)-10-15Ic = 4mABVebo(V)-7-10IE = 4mAICBO(出)笛0玄5V CB= -6V直流參數(shù)Iceo( I-A)<1000M00V ce= -6VIebo( l-A)<0勺5V EB= -6VVbes(V)衛(wèi)6衛(wèi)6Vce = -1V I c = 175mAVces(V)衛(wèi)65<.65V ce= V be Vcb= 0 Ic = 200mAhFE4027040270Vce = -1V I c = 175mA交流參數(shù)f (JkHz)英Vcb

39、 = -6V I e= 10mAhFE色標(biāo)分檔(黃)4055 (綠)5580 (藍(lán))80120 (紫)120180 (灰)180270 (白)270400管腳E C(3) 3BX31型NPN型鍺低頻小功率三極管表183BX31型NPN型鍺低頻小功率三極管的參數(shù)型號(hào)3BX31M3BX31A3BX31B3BX31C測(cè)試條件極限參數(shù)PcM(mW)125125125125Ta=25°ClcM(mA)125125125125TjM(°C)75757575BVcbo(V)-15-20-30-40Ic= 1mABVceo(V)-6-12-18-24Ic= 2mABV EBO(V)-6-1

40、0-10-10IE = 1mA直流參數(shù)|CBO(從)空5空0乞2V cb= 6VIceo(MA)玄000芻00$00空00VcE= 6VIebo(A)空5空0藝2Veb= 6VVbes(V)空6勺.6勺.6<0.6V ce= 6V Ic = 100mAVces(V)丸.65玄65切.65切.65V CE= V BE V CB = 0 IC= 125mAhFE80400401804018040180VCE= 1V Ic = 100mA交流參數(shù)fp<Hz)眩65Vcb = -6V I e= 10mAhFE色標(biāo)分檔(黃)4055 (綠)5580 (藍(lán))80120 (紫)120180 (灰

41、)180270 (白)270400管腳E)c3DG100(3DG6)型NPN型硅高頻小功率三極管表193DG100(3DG6)型NPN型硅高頻小功率三極管的參數(shù)原型號(hào)3DG6測(cè)試條件新型號(hào)3DG100A3DG100B3DG100C3DG100D極 限 參 數(shù)PcM(mW)100100100100I cM(mA)20202020BV cbo(V)>30生0230加I c= 100 gABV ceo(V)>20S30320凸0I c= 100 gABV ebo(V)生Ie= 1004a直流參 數(shù)I cboQA)衛(wèi)01衛(wèi)01衛(wèi)01衛(wèi)01Vcb= 10VI ceo( (4A)衛(wèi)1衛(wèi)1衛(wèi)1衛(wèi)

42、1Vce= 10VI ebo(MA)衛(wèi)01衛(wèi)01衛(wèi)01衛(wèi)01Veb = 1.5VVbes(V)<1<<I C= 10mA IB= 1mAVces(V)<1<<I C= 10mA IB= 1mAhFE茅0囲0囲0茅0Vce = 10V Ic= 3mA交 流 參 數(shù)fT(MHz)M50>150>300述00VCB= 10V IE = 3mA f = 100MHz R L= 5QKp(dB)耳>7亙Vcb= -6V Ie = 3mA f = 100MHzCob(pF)<4VCB= 10V I E= 0hFE色標(biāo)分檔(紅)3060(綠)501

43、10(藍(lán))90160(白)>150管腳Ed3DG130(3DG12)型NPN型硅高頻小功率三極管表203DG130(3DG12)型NPN型硅高頻小功率三極管的參數(shù)原型號(hào)3DG12測(cè)試條件新型號(hào)3DG130A3DG130B3DG130C3DG130D極 限 參 數(shù)PcM(mW)700700700700I cM(mA)300300300300BV cbo(V)>40> 60>40>60Ic= 100 gABV ceo(V)>30> 45>30>45Ic= 100 gABV EBO(V)> 4>4工4> 4Ie= 100MA直流參 數(shù)I CBO( MA)<0.5< 0.5< 0.5&l