Array工藝過程

1、Page 1for working Smarter ArrayArray工藝技術(shù)工藝技術(shù)BOEOT QA/OQA劉衛(wèi)民劉衛(wèi)民2009 . 05 . 06.品質(zhì)、速度、團(tuán)隊(duì)品質(zhì)、速度、團(tuán)隊(duì) Page 2Six sigma for working smarter 一、Array工藝流程簡介工藝流程簡介二、Clean工藝簡介工藝簡介三、Sputter工藝簡介工藝簡介四、PECVD工藝簡介工藝簡介五、 Photo工藝簡介工藝簡介六、 Etch工藝簡介工藝簡介七、 Strip工藝簡介工藝簡介八、4 Mask和和5 Mask比較比較九、4Mask工藝流程工藝流程目目 錄錄品質(zhì)、速度、團(tuán)隊(duì)品質(zhì)、速度、團(tuán)隊(duì)

2、Page 3Six sigma for working smarter 一一. Array. Array工藝流程簡介工藝流程簡介成膜成膜 / Pattern工程詳細(xì)圖工程詳細(xì)圖(Deposition & Patterning Process in Detail)沉沉積積清洗清洗PRPR涂附涂附曝光曝光顯影顯影刻蝕刻蝕PRPR剝離剝離檢查檢查Wet EtchWet EtchDry EtchDry Etch品質(zhì)、速度、團(tuán)隊(duì)品質(zhì)、速度、團(tuán)隊(duì) Page 4Six sigma for working smarter 二、二、CleanClean工藝簡介工藝簡介 目的：目的： 除去基板表面影響成膜

3、的具有物理特性、化學(xué)特性、電學(xué)特除去基板表面影響成膜的具有物理特性、化學(xué)特性、電學(xué)特性的異物及基板表面附著的灰塵、油份、自然氧化物等等，露性的異物及基板表面附著的灰塵、油份、自然氧化物等等，露出干凈的膜層及潔凈的質(zhì)地，此外還可以除去成膜后的表面灰出干凈的膜層及潔凈的質(zhì)地，此外還可以除去成膜后的表面灰塵、異物等。塵、異物等。 的:Glass輸入時(shí),去除殘留的Particle和Metal/有機(jī)物等品質(zhì)、速度、團(tuán)隊(duì)品質(zhì)、速度、團(tuán)隊(duì) Page 5Six sigma for working smarter 二、二、 CleanClean工藝簡介工藝簡介Dry CleaningExcimer UV O3(

4、ozone) AsherPlasma Wet CleaningUltra SonicMega SonicBrush Cleaningbubble Jet CleaningSpray ShowerDetergent cleaningAqua-knife Shower品質(zhì)、速度、團(tuán)隊(duì)品質(zhì)、速度、團(tuán)隊(duì) Page 6Six sigma for working smarter 二、二、 CleanClean工藝簡介工藝簡介種類種類例子例子清洗方法清洗方法貼附粒子貼附粒子鋁、不銹鋼、玻璃鋁、不銹鋼、玻璃塑料塑料頭屑、毛發(fā)、線頭屑、毛發(fā)、線BRUSHBRUSHUS, CJUS, CJMSMS有機(jī)污染膜有機(jī)污

5、染膜油、指紋、殘余物油、指紋、殘余物空氣、氣體中有機(jī)物蒸汽空氣、氣體中有機(jī)物蒸汽洗劑（界面活性劑）殘余物等洗劑（界面活性劑）殘余物等洗劑洗劑UVUVMSMS無機(jī)污染膜無機(jī)污染膜氣體，排管中的金屬不純物的氣體，排管中的金屬不純物的貼附貼附純水，藥液中的不純物離子的純水，藥液中的不純物離子的吸附吸附自然氧化膜的形成自然氧化膜的形成超純水超純水化學(xué)清洗劑化學(xué)清洗劑品質(zhì)、速度、團(tuán)隊(duì)品質(zhì)、速度、團(tuán)隊(duì) Page 7Six sigma for working smarter 二、二、 CleanClean工藝簡介工藝簡介Initial cleanerInitial cleaner 在所有的玻璃基板拆包裝后進(jìn)

6、入生產(chǎn)線之前所必須在所有的玻璃基板拆包裝后進(jìn)入生產(chǎn)線之前所必須進(jìn)行的清洗；進(jìn)行的清洗；Pre depPre dep cleaner cleaner 在成膜之前經(jīng)常要進(jìn)行的清洗；在成膜之前經(jīng)常要進(jìn)行的清洗； 主要清洗主要清洗stripstrip之后殘留的之后殘留的particleparticle；Docking cleanerDocking cleaner 在在PECVDPECVD成膜之間進(jìn)行的一步清洗；成膜之間進(jìn)行的一步清洗； 去除去除PECVDPECVD高速沉積所留下的高速沉積所留下的particleparticle；品質(zhì)、速度、團(tuán)隊(duì)品質(zhì)、速度、團(tuán)隊(duì) Page 8Six sigma for

7、working smarter 三、三、 SputterSputter工藝簡介工藝簡介 Sputter Sputter和和PECVDPECVD在在ArrayArray的的5Mask5Mask工藝中，共同承擔(dān)工藝中，共同承擔(dān) 了各個(gè)了各個(gè)MaskMask的第一步主要工序的第一步主要工序-成膜。成膜。 SputterSputter用于做金屬膜和用于做金屬膜和ITOITO膜膜：S/DS/DITOITOGateGateGLASSGLASSGATEMo)GLASSGATEITOITO品質(zhì)、速度、團(tuán)隊(duì)品質(zhì)、速度、團(tuán)隊(duì) Page 9Six sigma for working smarter 三、三、 Spu

8、tterSputter工藝簡介工藝簡介SputterSputter是通過是通過DC PowerDC Power形成形成Plasma,Plasma,具有高能量的具有高能量的Gas IonGas Ion撞擊撞擊TargetTarget表面表面, ,粒子從粒子從TargetTarget表面射出并貼附到基板表面的工程。表面射出并貼附到基板表面的工程。品質(zhì)、速度、團(tuán)隊(duì)品質(zhì)、速度、團(tuán)隊(duì) Page 10Six sigma for working smarter 三、三、 SputterSputter工藝簡介工藝簡介Sputter關(guān)鍵控制要素關(guān)鍵控制要素工藝參數(shù)工藝參數(shù)：本底真空和壓力上升本底真空和壓力上升，

9、氣體壓力和氣體流量，氣體壓力和氣體流量，濺射功率和濺射時(shí)間，加熱溫度，濺射功率和濺射時(shí)間，加熱溫度，TMTM值值質(zhì)量控制（方法）質(zhì)量控制（方法）： Rs(方塊電阻方塊電阻)， PI(測量測量particle數(shù)量數(shù)量)，Thickness(薄膜厚度薄膜厚度)，Stress(薄膜應(yīng)力薄膜應(yīng)力)品質(zhì)、速度、團(tuán)隊(duì)品質(zhì)、速度、團(tuán)隊(duì) Page 11Six sigma for working smarter GlassTargetBacking Plate共同板Magnet BarTMTM值：值：Target-Magnet Target-Magnet 間距離間距離 TMTM值對(duì)濺射的影響非常大，而隨著值對(duì)濺

10、射的影響非常大，而隨著TargetTarget的使用，的使用，TargetTarget會(huì)變薄，從而使會(huì)變薄，從而使TMTM值值變小，這時(shí)往往表現(xiàn)為變小，這時(shí)往往表現(xiàn)為RsRs均勻性變差。這就均勻性變差。這就要求要求Magnet BarMagnet Bar隨著隨著TargetTarget的使用量而進(jìn)行的使用量而進(jìn)行相應(yīng)的調(diào)整。剛換完靶材后，相應(yīng)的調(diào)整。剛換完靶材后，TMTM值比較小，值比較小，當(dāng)靶材消耗到一定程度后，需要適當(dāng)調(diào)整當(dāng)靶材消耗到一定程度后，需要適當(dāng)調(diào)整TMTM值，從而改善值，從而改善RsRs均勻性。均勻性。 三、三、 SputterSputter工藝簡介工藝簡介品質(zhì)、速度、團(tuán)隊(duì)品質(zhì)、

11、速度、團(tuán)隊(duì) Page 12Six sigma for working smarter 三、三、 SputterSputter工藝簡介工藝簡介質(zhì)量控制：質(zhì)量控制： Rs測量的是薄膜的電學(xué)性能，測量儀器為測量的是薄膜的電學(xué)性能，測量儀器為4探針設(shè)備（探針設(shè)備（4-probe）?？刂浦禐椋??？刂浦禐镽s平均值（單位為方塊電阻），均勻性。平均值（單位為方塊電阻），均勻性。 PI是采用光學(xué)的方法測量薄膜上的是采用光學(xué)的方法測量薄膜上的defect，主要為，主要為Dep中產(chǎn)生的中產(chǎn)生的particle數(shù)量，數(shù)量，Gate要求小于要求小于50ea,SD要求小于要求小于100ea，ITO要求小于要求小于150

12、ea. Thickness是采用機(jī)械的方法測量薄膜厚度，測量儀器為是采用機(jī)械的方法測量薄膜厚度，測量儀器為a-step設(shè)備。它是檢設(shè)備。它是檢測非透明薄膜厚度的常用手段。測非透明薄膜厚度的常用手段。Sputter所所dep的三層薄膜均可以用的三層薄膜均可以用a-step設(shè)備來設(shè)備來測試。另外，由于測試。另外，由于ITO為透明膜，它也可以用光學(xué)方法來測試。為透明膜，它也可以用光學(xué)方法來測試。 Stress測量的是薄膜應(yīng)力，薄膜應(yīng)力太大，容易引起玻璃基板彎曲乃至測量的是薄膜應(yīng)力，薄膜應(yīng)力太大，容易引起玻璃基板彎曲乃至broken。質(zhì)量控制中的質(zhì)量控制中的Rs和和PI為經(jīng)常測試項(xiàng)目，為經(jīng)常測試項(xiàng)目，

13、Thickness和和Stress為非經(jīng)常測試項(xiàng)目。為非經(jīng)常測試項(xiàng)目。品質(zhì)、速度、團(tuán)隊(duì)品質(zhì)、速度、團(tuán)隊(duì) Page 13Six sigma for working smarter 三、三、 SputterSputter工藝簡介工藝簡介 濺射功率：濺射功率： 濺射功率主要由直流電源提供。針對(duì)不同的工藝可以設(shè)定不同的濺射功率。濺射功率主要由直流電源提供。針對(duì)不同的工藝可以設(shè)定不同的濺射功率。鍍膜的時(shí)候，采用恒功率濺射。一定時(shí)間內(nèi)，如果濺射功率越大，沉膜效鍍膜的時(shí)候，采用恒功率濺射。一定時(shí)間內(nèi)，如果濺射功率越大，沉膜效率就越高率就越高。 濺射時(shí)間：濺射時(shí)間：一定功率時(shí)，若濺射時(shí)間越長，成膜厚度越厚。但

14、是考慮到金屬一定功率時(shí)，若濺射時(shí)間越長，成膜厚度越厚。但是考慮到金屬膜濺射后的應(yīng)力都比較大，因此濺射時(shí)間不宜太長。膜濺射后的應(yīng)力都比較大，因此濺射時(shí)間不宜太長。品質(zhì)、速度、團(tuán)隊(duì)品質(zhì)、速度、團(tuán)隊(duì) Page 14Six sigma for working smarter (1) SiNX絕緣膜：通過SiH4與NH3混合氣體作為反應(yīng)氣體, 輝光放電生成等離子體在襯底上成膜。(2) a-Si:H有源層膜：SiH4氣體在反應(yīng)室中通過輝光放電，經(jīng)過一系列初級(jí)、次級(jí)反應(yīng)，生成包括離子、子活性基 團(tuán)等較復(fù)雜的反應(yīng)產(chǎn)物，最終生成a-Si:H薄膜沉積在襯底上，其中直接參與薄膜生長的主要是一些中性產(chǎn)物SiHn（n為

15、03）(3)n+ a-Si:H歐姆接觸層：在SiH4氣體中參入少量PH3氣體通過輝光放電在襯底上成膜。絕緣膜、有源膜成膜機(jī)理絕緣膜、有源膜成膜機(jī)理(1)a-Si:H： 低隙態(tài)密度、深能級(jí)雜質(zhì)少、高遷移率、暗態(tài)電阻率高(2) a-SiNx:H：i.作為介質(zhì)層和絕緣層，介電常數(shù)適中，耐壓能力強(qiáng)，電阻率高，固定電荷 少，穩(wěn)定性好，含富氮材料，針孔少，厚度均勻。ii.作為鈍化層，密度較高，針孔少。(3) n+ a-Si：具有較高的電導(dǎo)率，較低的電導(dǎo)激活能，較高的參雜效率，形成微晶薄膜。-成膜機(jī)理-膜性能要求 四、四、 PECVDPECVD工藝簡介工藝簡介品質(zhì)、速度、團(tuán)隊(duì)品質(zhì)、速度、團(tuán)隊(duì) Page 15

16、Six sigma for working smarter 四、四、 PECVDPECVD工藝簡介工藝簡介GlassGateSiNxa-Si:HSiNxS/DPVXOhmic多層膜多層膜( (有源層有源層) )和和PVX(PVX(保護(hù)層保護(hù)層) )品質(zhì)、速度、團(tuán)隊(duì)品質(zhì)、速度、團(tuán)隊(duì) Page 16Six sigma for working smarter 四、四、 PECVDPECVD工藝簡介工藝簡介 利用化學(xué)反應(yīng)方式利用化學(xué)反應(yīng)方式, ,將反應(yīng)物將反應(yīng)物( (氣體氣體) )生成固態(tài)的產(chǎn)物生成固態(tài)的產(chǎn)物, ,并沉積在基片并沉積在基片表面的薄膜沉積技術(shù)表面的薄膜沉積技術(shù). .LayerLayer名

17、稱名稱膜厚膜厚使用氣體使用氣體描述描述MultiMultig-SiNx:Hg-SiNx:H3500350010%10%SiH4+NH3+N2SiH4+NH3+N2對(duì)對(duì)GateGate信號(hào)線進(jìn)行保護(hù)和信號(hào)線進(jìn)行保護(hù)和絕緣的作用絕緣的作用g-SiNx:Lg-SiNx:L50050010%10%a-Si:La-Si:L50050015%15%SiH4+H2SiH4+H2在在TFTTFT器件中起到開關(guān)作用器件中起到開關(guān)作用a-Si:Ha-Si:H1300130020%20%n+ a-Sin+ a-Si50050020%20%SiH4+PH3+H2SiH4+PH3+H2減小減小a-Sia-Si層與層與S

18、/DS/D信號(hào)線的信號(hào)線的電阻電阻PVXPVXp-SiNxp-SiNx2500250010%10%SiH4+NH3+N2SiH4+NH3+N2對(duì)對(duì)S/DS/D信號(hào)線進(jìn)行保護(hù)信號(hào)線進(jìn)行保護(hù)品質(zhì)、速度、團(tuán)隊(duì)品質(zhì)、速度、團(tuán)隊(duì) Page 17Six sigma for working smarter 四、四、 PECVDPECVD工藝簡介工藝簡介 PECVD PECVD設(shè)備主要由主設(shè)備和輔助設(shè)備構(gòu)成設(shè)備主要由主設(shè)備和輔助設(shè)備構(gòu)成, ,它是立體布局它是立體布局, ,主設(shè)主設(shè)備和輔助設(shè)備不在同一層備和輔助設(shè)備不在同一層. .品質(zhì)、速度、團(tuán)隊(duì)品質(zhì)、速度、團(tuán)隊(duì) Page 18Six sigma for wor

19、king smarter 五、五、 PhotoPhoto工藝簡介工藝簡介 光刻就是以光刻膠為材料在玻璃基板表面形成光刻就是以光刻膠為材料在玻璃基板表面形成TFT patternTFT pattern，這個(gè)，這個(gè)TFT patternTFT pattern的作用就是保護(hù)在它下面的金屬或者其他的薄膜，使其在的作用就是保護(hù)在它下面的金屬或者其他的薄膜，使其在下一道刻蝕工序中不被刻蝕掉，從而最終形成我們所需要的下一道刻蝕工序中不被刻蝕掉，從而最終形成我們所需要的TFT TFT patternpattern。Coat & Exposure DevelopmentGlassTFT Panel品質(zhì)、

20、速度、團(tuán)隊(duì)品質(zhì)、速度、團(tuán)隊(duì) Page 19Six sigma for working smarter 五、五、 PhotoPhoto工藝簡介工藝簡介(1) 涂膠 Coater ： 將光刻膠通過涂膠這個(gè)步驟，均勻的涂在玻璃基板上。Coat三個(gè)主要步驟：他們是涂膠 Coater，曝光 Exposure，顯影 Development此過程通過Track機(jī)單元來實(shí)現(xiàn)。品質(zhì)、速度、團(tuán)隊(duì)品質(zhì)、速度、團(tuán)隊(duì) Page 20Six sigma for working smarter 五、五、 PhotoPhoto工藝簡介工藝簡介(2) (2) 曝光曝光ExposureExposureExposuremask通過

21、Mask的遮光作用，有選擇性的將光刻膠感光。此過程通過曝光機(jī)來實(shí)現(xiàn)。品質(zhì)、速度、團(tuán)隊(duì)品質(zhì)、速度、團(tuán)隊(duì) Page 21Six sigma for working smarter 五、五、 PhotoPhoto工藝簡介工藝簡介(3) (3) 顯影顯影 DevelopmentDevelopmentDEV通過化學(xué)作用將感光的光刻膠溶解去掉，將未感光的光刻膠固化。品質(zhì)、速度、團(tuán)隊(duì)品質(zhì)、速度、團(tuán)隊(duì) Page 22Six sigma for working smarter 五、五、 PhotoPhoto工藝簡介工藝簡介 1. 光刻工序在整個(gè)陣列工序中起著承上啟下的作用，它和其他兩個(gè)陣 列工序一樣，光刻工序使

22、用5MASK工藝處理玻璃基板，具體的說， 就是將最終要在玻璃基板上形成的TFT pattern 分成GATE ,ACTIVE , S/D , VIA ,ITO2 . 5個(gè)層，每次曝光形成一個(gè)層，最后疊加形成最終的TFT pattern 。 Photo Etching Thin filmTFT 陣列基板陣列基板玻璃基板玻璃基板5mask品質(zhì)、速度、團(tuán)隊(duì)品質(zhì)、速度、團(tuán)隊(duì) Page 23Six sigma for working smarter 五、五、 PhotoPhoto工藝簡介工藝簡介分為分為TRACKTRACK和曝光機(jī)兩部分：和曝光機(jī)兩部分： 曝光機(jī)曝光機(jī)利用光刻膠的光敏性將MASK上的圖像

23、格式投影到玻璃基板上. 在PHOTO工序，除了曝光機(jī)以外的設(shè)備通稱為TRACK機(jī)，包括-清洗設(shè)備：Advanced Scrubber;涂膠設(shè)備：Coater& ER;顯影設(shè)備：Developer;烘烤設(shè)備：前烘Soft Bake、后烘Hard Bake設(shè)備；冷卻Cooling設(shè)備等。品質(zhì)、速度、團(tuán)隊(duì)品質(zhì)、速度、團(tuán)隊(duì) Page 24Six sigma for working smarter 六、六、 EtchEtch工藝簡介工藝簡介 PR Mask后，利用化學(xué)藥劑去除薄膜形成Pattern,主要適于金屬膜或ITO PATTERN的形成。 有利于選擇比和大面積刻蝕的均勻度,生產(chǎn)性的提高,

24、成本的降低。濕法刻蝕濕法刻蝕: :干法刻蝕：干法刻蝕： 利用真空氣體和RF Power 生成的Gas Plasma反應(yīng)產(chǎn)生原子和原子團(tuán)，該原子和原子團(tuán)與淀積在基板上的物質(zhì)反應(yīng)生成揮發(fā)性物質(zhì)或者發(fā)生碰撞。利用該原理可進(jìn)行干法刻蝕。品質(zhì)、速度、團(tuán)隊(duì)品質(zhì)、速度、團(tuán)隊(duì) Page 25Six sigma for working smarter 六、六、 EtchEtch工藝簡介工藝簡介Etch中的各向同性: 在各個(gè)方向上具有相同的刻蝕速率。Wet Etch 及部分Plasma Etch屬于各向同性。SubstrateOxideOxideResistResistResistSubstrateOxideOx

25、ideOxideResistResistResist各向同性各向同性 vs. vs. 各向異性各向異性Etch中的各向異性: 刻蝕具有高度的取向性. 僅應(yīng)用于Plasma Etch品質(zhì)、速度、團(tuán)隊(duì)品質(zhì)、速度、團(tuán)隊(duì) Page 26Six sigma for working smarter 六、六、 EtchEtch工藝簡介工藝簡介刻蝕液種類及配比：刻蝕液種類及配比：H3PO4 : CH3COOH : HNO3: H2O = 72 : 10 : 2 : 16 wt%HCl : CH3COOH : H2O = 22 : 6 : 72 wt%Al： 4AL +2HNO3 2AL2O3 + N2 + H

26、2 H3PO4 + AL2O3 AL(PO4) + H2OMo： 4Mo +2HNO3 2Mo2O3 + N2 + H2 H3PO4 + Mo2O3 Mo(PO4) + H2OCH3COOH 緩緩沖，沖，調(diào)節(jié)濃調(diào)節(jié)濃度度H2O減減少少 ETCHANT粘性粘性化學(xué)反應(yīng)式：化學(xué)反應(yīng)式：主要參數(shù)：主要參數(shù)：Temp：401Time：84sec（40+22+22)Type: Spray , Spray , Spray（飛沫）（飛沫）品質(zhì)、速度、團(tuán)隊(duì)品質(zhì)、速度、團(tuán)隊(duì) Page 27Six sigma for working smarter 六、六、 EtchEtch工藝簡介工藝簡介濕法刻蝕濕法刻蝕GAT

27、E ETCHGATE ETCHS/D ETCHS/D ETCHITO ETCHITO ETCHGATEGLASSIXOITO品質(zhì)、速度、團(tuán)隊(duì)品質(zhì)、速度、團(tuán)隊(duì) Page 28Six sigma for working smarter 六、六、 EtchEtch工藝簡介工藝簡介GlassGlassGatea-Si:H (1300)n+a-Si (500)a-Si:L (500)GlassGlassGatea-Si:Ha-Si:L (500)n+a-Si (500)GlassGlassGateP-SiNx(2500)Via hole干法刻蝕干法刻蝕Active EtchActive EtchN N+

28、 + Etch Etch VIA Hole EtchVIA Hole Etch品質(zhì)、速度、團(tuán)隊(duì)品質(zhì)、速度、團(tuán)隊(duì) Page 29Six sigma for working smarter 七、七、 StripStrip工藝簡介工藝簡介 WET STRIP即光刻膠的剝離。在ARRAY PROCESS中，每層順序經(jīng)過成膜（THIN FILM）曝光（PHOTO）刻蝕（ETCH）之后已經(jīng)形成PATTERN，剝離就是在這些過程完成之后把用于在薄膜上形成PATTERN的光刻膠去掉，從而這一層膜的完整的工藝即告結(jié)束。品質(zhì)、速度、團(tuán)隊(duì)品質(zhì)、速度、團(tuán)隊(duì) Page 30Six sigma for working s

29、marter Photo ResistThin FilmGlassExposureLightPhoto MaskStripThin FilmGlassPR coatingPhoto ResistDevelopEtchThin Film 八、八、4Mask與與5Mask比較比較品質(zhì)、速度、團(tuán)隊(duì)品質(zhì)、速度、團(tuán)隊(duì) Page 31Six sigma for working smarter 4Mask與5Mask不同之處在于4mask將Active層與S/D層一起沉積，涂覆PR膠后進(jìn)行一次mask，在PR膠上形成一個(gè)凹坑。顯影后進(jìn)行第一次S/D層和Active層的刻蝕，然后Ashing使PR膠凹坑處露出

30、S/D層，接著進(jìn)行第二次S/D層和N+層的干法刻蝕，最后進(jìn)行剝離，同時(shí)完成這兩層的全過程。 八、八、4Mask與與5Mask比較比較品質(zhì)、速度、團(tuán)隊(duì)品質(zhì)、速度、團(tuán)隊(duì) Page 32Six sigma for working smarter glassGlassPixelDataPassivation SiNxn+ a-Sia-SiGateinsulatorSiNxProcess5Mask4maskVia holeGate品質(zhì)、速度、團(tuán)隊(duì)品質(zhì)、速度、團(tuán)隊(duì) Page 33Six sigma for working smarter 4Mask工藝流程 1 .Gate process 2 .SDT p

31、rocess 3 .PVX process 4 .ITO process品質(zhì)、速度、團(tuán)隊(duì)品質(zhì)、速度、團(tuán)隊(duì) Page 34Six sigma for working smarter 目的:為形成Gate Line,通過光刻形成PR pattern 設(shè)備工藝流程：入口ConveyorEUVRoller Brush & AAJETExposureDehydration BakeAir KnifeCoaterLPDSpin CoaterPre-CoaterInterfacePre-BakeEBR姿勢變換Out C/VDevelopTitlerAOIPost BakeAK置換水洗和直水洗品質(zhì)、速

32、度、團(tuán)隊(duì)品質(zhì)、速度、團(tuán)隊(duì) Page 35Six sigma for working smarter glasscleaningInitial Cleaning品質(zhì)、速度、團(tuán)隊(duì)品質(zhì)、速度、團(tuán)隊(duì) Page 36Six sigma for working smarter glasssputtersputterGate LayerGate Layersputter- 利用氣體轟擊金屬靶材，將金屬原子濺射到玻璃基板上，形成Gate（柵電極）層DepositionDeposition品質(zhì)、速度、團(tuán)隊(duì)品質(zhì)、速度、團(tuán)隊(duì) Page 37Six sigma for working smarter Sputter

33、ChamberTransfer ChamberL/UL ChamberTransfer System- Sputter Equipment品質(zhì)、速度、團(tuán)隊(duì)品質(zhì)、速度、團(tuán)隊(duì) Page 38Six sigma for working smarter Cleaning目的：要在PR涂敷之前對(duì)玻璃基板進(jìn)行徹底清潔，便于增強(qiáng)玻璃基板與PR的粘合力，同時(shí)避免玻璃基板上的污物導(dǎo)致Mura產(chǎn)生。將玻璃基板從水平狀態(tài)變換為傾斜狀態(tài)。ConveyorEUV在一個(gè)封閉的chamber內(nèi)通過紫外光(UV)照射使O2電離生成O3，進(jìn)而將有機(jī)物氧化Roller Bush & AA jet沿著玻璃基板傳送的方向分別

34、要經(jīng)過Pre-wet, Roller Brush, AA-Jet, 中間Spray, 直水洗5部分。AK (Air Knife)此單元通過Air knife噴出的干燥高壓空氣對(duì)玻璃基板進(jìn)行干燥，Air knife上下各有一個(gè)。品質(zhì)、速度、團(tuán)隊(duì)品質(zhì)、速度、團(tuán)隊(duì) Page 39Six sigma for working smarter -Bake-Bake Hot Plate (HP)：HP用于對(duì)玻璃基板進(jìn)行加熱處理HP采用近距離加熱方式，玻璃基板與plate之間距離為0.3mm，采用熱輻射的形式加熱。 Cooling Plate (CP)：CP用于對(duì)玻璃基板進(jìn)行冷卻處理Cooling plate

35、中采用冷卻循環(huán)水進(jìn)行熱交換，玻璃基板與plate之間距離為0.3mm，采用熱輻射的形式冷卻。 密著強(qiáng)化單元 (AP)：AP用于對(duì)玻璃基板進(jìn)行附著力強(qiáng)化處理，通過HMDS蒸汽向玻璃表面涂敷一層HMDS薄膜，此物質(zhì)具有親玻璃和親PR膠兩種特性，在它的作用下使玻璃基板與PR之間的附著性加強(qiáng)。 中間冷卻單元 (IMC)：Intermediate Cooling用于在加熱之后對(duì)玻璃基板進(jìn)行自然冷卻。品質(zhì)、速度、團(tuán)隊(duì)品質(zhì)、速度、團(tuán)隊(duì) Page 40Six sigma for working smarter PRSlitScan directionMax scan speed=120mm/secPre-co

36、ater在玻璃基板上涂上光刻膠，然后在在玻璃基板上涂上光刻膠，然后在EBR部分將玻璃基板周圍的部分將玻璃基板周圍的PR膠去除，以膠去除，以免滴落污染設(shè)備，光刻膠是見光后性質(zhì)就發(fā)生改變的物質(zhì)，曝光后再顯影便免滴落污染設(shè)備，光刻膠是見光后性質(zhì)就發(fā)生改變的物質(zhì)，曝光后再顯影便形成與形成與MASK一樣的圖形（正性光刻膠）一樣的圖形（正性光刻膠）.-PR Coater-PR Coater品質(zhì)、速度、團(tuán)隊(duì)品質(zhì)、速度、團(tuán)隊(duì) Page 41Six sigma for working smarter - Interface- InterfaceInterface：是Track設(shè)備與曝光機(jī)的接口設(shè)備。主要包括五部

37、分：基板接收部；基板傳送部；搬送Conveyer；Buffer；MHU基板接收部：受取Pin從Pre-bake的MHU接收到基板后，位于stage對(duì)角的兩個(gè)整列Pin對(duì)基板進(jìn)行位置調(diào)整，然后stage進(jìn)行旋轉(zhuǎn)調(diào)整以便滿足基板的曝光方向要求。Buffer (BF)：在Track部分與曝光部分的生產(chǎn)節(jié)拍出現(xiàn)脫節(jié)時(shí)，將玻璃基板暫存于Buffer中，起到緩沖的作用。搬送Conveyer：玻璃基板由傳送部傳送到搬送C/V后，C/V上的整列Guide對(duì)玻璃基板位置進(jìn)行調(diào)整，然后向下一單元進(jìn)行搬送。品質(zhì)、速度、團(tuán)隊(duì)品質(zhì)、速度、團(tuán)隊(duì) Page 42Six sigma for working smarter g

38、lassmaskmaskPhoto Aligner掃描曝光方式（scanner）： 高壓水銀燈發(fā)出的UV光通過光路傳導(dǎo)到 Arc Slit forming Unit后變成弧形光，再通過UM光學(xué)系統(tǒng)使光線平行,之后垂直照在Mask,將mask上的圖形成像在Plate上。曝光時(shí)Mask和Plate同時(shí)運(yùn)動(dòng)完成曝光.品質(zhì)、速度、團(tuán)隊(duì)品質(zhì)、速度、團(tuán)隊(duì) Page 43Six sigma for working smarter p Gate層所鍍膜的材料及膜厚： AlNd：3000 Mo：400ParameterParameterp Gate層所鍍膜的功率；Ar流量；壓力： AlNd/Mo=100/90W

39、； 200sccm；0.3Pap Gate層Particle標(biāo)準(zhǔn)： 5 40eap Gate層Rs標(biāo)準(zhǔn)： 0.350.1/p Gate層Sputter濺射溫度： 120（其中L/UL Chamber預(yù)熱溫度為130，Sputter Chamber溫度為220）p Gate層所用設(shè)備： #ATSP01、 #ATSP02、 #ATSP03品質(zhì)、速度、團(tuán)隊(duì)品質(zhì)、速度、團(tuán)隊(duì) Page 44Six sigma for working smarter AlignerAligner曝光機(jī)的全稱是MIRROR PROJETION MASK ALIGNER(鏡像投影MASK對(duì)位儀)，它的作用是對(duì)涂好光刻膠的玻璃

40、基板進(jìn)行曝光，所采用的方式就是利用光刻膠的光敏性將MASK上的圖像格式投影到玻璃基板上.機(jī)械預(yù)對(duì)位工序機(jī)械預(yù)對(duì)位工序：這個(gè)工序的目的是檢測玻璃基板在PLATE CHUCK上的位置。AFC（聚焦度（聚焦度檢測檢測）工序）工序 ：這個(gè)工序的目的是位了調(diào)整MASK的像在玻璃基板上的清晰度曝光掃描工序曝光掃描工序：這個(gè)工序就是對(duì)玻璃基板進(jìn)行曝光掃描。品質(zhì)、速度、團(tuán)隊(duì)品質(zhì)、速度、團(tuán)隊(duì) Page 45Six sigma for working smarter DeveloperDeveloperDeveloper：顯影單元，曝光后，被光照射過的PR膠性質(zhì)發(fā)生變化而溶于顯影液。此處就是將已經(jīng)曝光的光刻膠溶解

41、掉，使PR形成據(jù)有TFT形狀的薄膜，同時(shí)還要進(jìn)行顯影后的清洗和干燥處理。品質(zhì)、速度、團(tuán)隊(duì)品質(zhì)、速度、團(tuán)隊(duì) Page 46Six sigma for working smarter glass- 金屬層一般用濕法刻蝕的方法（混合酸液）Wet EtchWet Etch品質(zhì)、速度、團(tuán)隊(duì)品質(zhì)、速度、團(tuán)隊(duì) Page 47Six sigma for working smarter Wet EtchWet EtchEtch RateRequirementItemsUniformitySeletctivityProfileCD BaisRequirement Items of Wet Etch品質(zhì)、速度、團(tuán)隊(duì)

42、品質(zhì)、速度、團(tuán)隊(duì) Page 48Six sigma for working smarter glassgategateGate Strip目的:去除Gate Pattern上的PRSTRIPSTRIP就是利用腐蝕液經(jīng)過化學(xué)反應(yīng)去掉膜上面的光刻膠?；瘜W(xué)反應(yīng)主就是利用腐蝕液經(jīng)過化學(xué)反應(yīng)去掉膜上面的光刻膠?；瘜W(xué)反應(yīng)主要是把光刻膠的長鏈結(jié)構(gòu)斷開，從而達(dá)到去除的目的。要是把光刻膠的長鏈結(jié)構(gòu)斷開，從而達(dá)到去除的目的。StripStrip品質(zhì)、速度、團(tuán)隊(duì)品質(zhì)、速度、團(tuán)隊(duì) Page 49Six sigma for working smarter glassN+ a-siN+ a-sig-SiNxg-SiNxa

43、-sia-siglasscleaningPre Dep CleaningMutli Layer : PECVD（離子增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積）- g-SINx- g-SINx：絕緣層絕緣層- a-SI- a-SI：半：半導(dǎo)導(dǎo)體體層層- N+ a-SI- N+ a-SI：參雜參雜半半導(dǎo)導(dǎo)體體品質(zhì)、速度、團(tuán)隊(duì)品質(zhì)、速度、團(tuán)隊(duì) Page 50Six sigma for working smarter glassPre Dep Cleaning, SD Dep,- 沉積前對(duì)基板進(jìn)行Cleaning，去除PT，有機(jī)物。sputter- 利用氣體轟擊金屬靶材，將金屬原子濺射到玻璃基板上，形成SD（Source/D

44、rain源漏電極）層。cleaningSD LayerSD Layer：MOMO品質(zhì)、速度、團(tuán)隊(duì)品質(zhì)、速度、團(tuán)隊(duì) Page 51Six sigma for working smarter GT Exposal DevelopglassGray ToneFull ToneFull Tone利用光柵或半透膜降低光照強(qiáng)度使中央部分的光刻膠一部分變性品質(zhì)、速度、團(tuán)隊(duì)品質(zhì)、速度、團(tuán)隊(duì) Page 52Six sigma for working smarter glassglass1st SD Etch-Wet EtchActive Etch-Dry Etch-利用真空氣體和RF Power 生成的Gas Plasma反應(yīng)產(chǎn)生原子和原子