圖形電鍍流程介紹

1、圖形電鍍流程介紹目錄一簡(jiǎn)介二流程介紹三PD與Tenting流程對(duì)比四PD流程示意圖五PD個(gè)性站別作業(yè)重點(diǎn)介紹六PD流程優(yōu)缺點(diǎn)七蝕刻因子與補(bǔ)償值一簡(jiǎn)介 圖形電鍍過(guò)程簡(jiǎn)介即在經(jīng)過(guò)一次電鍍銅PCB干膜圖形板上電鍍第二次銅英文名Plating in Dryfilm簡(jiǎn)稱(chēng)PD也叫做Pattern Plating第一次電鍍?yōu)橐淮毋~第二次電鍍?yōu)槎毋~ 圖形電鍍流程設(shè)定目的簡(jiǎn)介1通過(guò)調(diào)節(jié)一二次銅的分配達(dá)到減小蝕刻銅厚從而降低蝕刻難度2克服Tenting流程因干膜附著力不足帶來(lái)的線路open3克服干膜不能覆蓋保護(hù)大的貫孔之缺點(diǎn)4克服間距較小易產(chǎn)生曝光short5克服干膜越高解析度而厚度又越薄易破之矛盾6減少消耗銅

2、球降低成本二流程介紹 NC鑽孔高壓水洗（Deburr）除膠渣（Desmear）化學(xué)銅（PTH）一次銅PD前處理預(yù)熱壓膜對(duì)片曝光顯影二次銅（含鍍錫）除膠鹼性蝕刻剝錫AOI三PD與Tenting流程對(duì)比 PD流程:NC鑽孔高壓水洗（Deburr）除膠渣（Desmear）化學(xué)銅（PTH）一次銅PD前處理預(yù)熱壓膜對(duì)片曝光顯影二次銅（含鍍錫）除膠鹼性蝕刻剝錫AOI Tenting流程:NC鑽孔高壓水洗（Deburr）除膠渣（Desmear）化學(xué)銅（PTH）全板電鍍銅（Panel Plating）DF前處理預(yù)熱壓膜對(duì)片曝光顯影酸性蝕刻除膠AOI四PD流程示意圖 NC Deburr Desmear PTH

3、一次銅 壓膜（前處理略） 曝光（對(duì)片略） 顯影 二次銅 鍍錫 除膠 鹼性蝕刻 剝錫（鉛）五PD個(gè)性站別作業(yè)重點(diǎn)介紹 一次銅 要求 1在孔內(nèi)化學(xué)銅的基礎(chǔ)上電鍍一層電鍍銅確保在PD前處理微蝕及二次銅微蝕中不致孔內(nèi)銅被咬蝕成破洞導(dǎo)致貫孔不良 2因蝕刻銅厚越厚蝕刻越為困難所以必須控制在一定范圍以內(nèi) 3因二次銅受干膜厚度及板子特性限制（鍍得太多會(huì)產(chǎn)生夾膜及孔徑大小異常）二次銅的量不可以無(wú)限加大一般需要一次銅在蝕刻能力范圍內(nèi)盡可能多鍍一點(diǎn) 不同線寬蝕刻銅厚（一次銅后表銅）最大值表最小線寬3mil4mil5mil6mil一次銅后表銅最大值1.1mil max1.4mil max1.7mil max2.0mi

4、l max 若某機(jī)種最小線寬5mil補(bǔ)償值（設(shè)定表中可查）3mil則3mil比原基準(zhǔn)補(bǔ)償2mil大1mil則一次銅后表銅最大值管制上浮1/0.5*0.250.5mil則該機(jī)種表銅管制2.2milmax PD壓膜 特點(diǎn) 1氣源壓較大 2范圍較大4.56.0kg/cm2 氣源壓較大原因 Tenting做法壓膜壓力過(guò)大會(huì)造成孔口膜破所以其難以通過(guò)提高壓膜壓力來(lái)提高干膜附著力而壓膜壓力又是一個(gè)提高干膜附著力的十分顯著的因素 PD做法壓膜壓力過(guò)大孔口膜破只會(huì)對(duì)不貫孔產(chǎn)生影響風(fēng)險(xiǎn)性不大而且PD用的干膜厚度一般都在2mil以上即使壓膜壓力大一點(diǎn)也不會(huì)造成孔口膜破 范圍較大原因 是因?qū)嶋H作用到板子上的壓強(qiáng)會(huì)隨

5、板幅變化 PD顯影因PD顯影后板子還要進(jìn)行電鍍?nèi)麸@影不盡或清洗不干淨(jìng)會(huì)導(dǎo)致電鍍受阻或電鍍凸起引起電鍍粗糙所以控制要比Tenting來(lái)得嚴(yán)格 顯影點(diǎn)抓取要以全程法(即最大速度法）抓取方法如下 全程法選擇某一速度顯影1pnl某一厚度干膜控制板面干膜覆蓋率約3060根據(jù)板面殘留干膜圖形調(diào)整顯影均勻性（通過(guò)調(diào)整噴壓）直至均勻性 OK然后依次降低0.3m/min速度再顯影1pnl確認(rèn)均勻性並作調(diào)整直至找到某一速度恰好使板面殘留干膜覆蓋率05左右然后以該速度乘以55即為該厚度干膜生產(chǎn)選用速度 水洗量水質(zhì)及新液自動(dòng)添加量要保証 水洗量不足會(huì)導(dǎo)致顯影sludge殘留 水質(zhì)太臟會(huì)污染板面 足夠的新液自動(dòng)添加量可

6、以減少顯影sludge后帶減小水洗壓力-導(dǎo)致主要不良 1二次銅粗糙（顯影水洗不淨(jìng)）2干膜漂移3顯影未淨(jìng)。 二次銅 特點(diǎn) 1因板子兩面圖形不同在同一電流密度下兩面電流不等所以不能用同一整流器同時(shí)給板子兩面提供電流必須板子兩面各用一個(gè)整流器控制 2前處理有微蝕槽以提高板面新鮮度增強(qiáng)一二次銅間結(jié)合力 3線上有鍍錫槽以提供鹼性蝕刻時(shí)的錫抗蝕層 導(dǎo)致主要不良 1夾膜2PD貫孔不良 鹼性蝕刻 特點(diǎn) 1溶液為弱鹼性 2不能用一般干膜作為抗蝕層抗蝕層一般為電鍍錫或錫鉛 3對(duì)電鍍金化學(xué)鎳金及電阻材料攻擊性較小可以利用這一特性制作一些特殊板子電鍍金化學(xué)鎳金在鹼性蝕刻時(shí)被當(dāng)作抗蝕層利用 導(dǎo)致主要不良 1阻抗不符2蝕

7、刻過(guò)度3蝕刻不全 槽液特性 因銅離子與OH-根會(huì)產(chǎn)生沉淀所以必須控制好溶液中NH3OH-的濃度平衡否則會(huì)導(dǎo)致沉淀死槽 如何保証槽液穩(wěn)定性 依比重自動(dòng)添加新液子液（不含銅離子）生產(chǎn)槽內(nèi)藥水母液會(huì)隨蝕刻的進(jìn)行銅離子會(huì)增加比重會(huì)增加當(dāng)高于設(shè)定值時(shí)就會(huì)啟動(dòng)自動(dòng)添加系統(tǒng) 浮球比重自動(dòng)添加系統(tǒng)一般工作原理圖電磁閥液位浮球 鹼性蝕刻反應(yīng)機(jī)理 2Cu + 2Cu(NH3)4Cl2 4Cu(NH3)2Cl 4Cu(NH3)2Cl+ 4NH3 +4NH4Cl+O2 4Cu(NH3)4Cl2+2H2O 蝕刻藥水以Cu(NH3)4Cl2為咬蝕劑, O2為再生劑六PD流程優(yōu)缺點(diǎn) 優(yōu)點(diǎn) 1貫孔大小作業(yè)不受限制（干膜Tenting大孔易膜破）如板邊電鍍Slot孔 2可以作業(yè)沒(méi)有ring的貫孔在DF作業(yè)則干膜沒(méi)有Tenting位置 3因一次銅電鍍較少銅厚均勻性對(duì)其影響較小 4對(duì)偏破不會(huì)造成貫孔不良 5對(duì)減少細(xì)密集線路open有一定幫助 缺點(diǎn) 1風(fēng)險(xiǎn)性較大當(dāng)蝕刻初片發(fā)現(xiàn)問(wèn)題時(shí)較難挽救 2二次銅易夾膜導(dǎo)致除膠困難 3對(duì)板子的形態(tài)選擇性較強(qiáng)一般殘銅率較小的板子不適合走PD流程 4鍍錫易出現(xiàn)異常產(chǎn)生PD貫孔不良 5蝕刻速度較快不貫孔內(nèi)物質(zhì)易蝕刻不盡給后制程造成影響七蝕刻因子與補(bǔ)償值 蝕刻因子 原始蝕刻因子側(cè)蝕寬度a正蝕深度hDryfi